SINTESIS LAPISAN TIPIS ALUMINUM-DOPED ZINC OXIDE (ZnO:Al)

PADA SUHU RELATIF RENDAH MENGGUNAKAN METODA SPRAY

PYROLYSIS

Usulan Penelitian Individu

Diajukan untuk Mendapat Bantuan Dana dari Jurusan Fisika

UIN Sunan Gunung Djati Bandung Tahun Anggaran 2015

Oleh:

Dr. Bebeh Wahid Nuryadin

NIP: 198608162011011009

FAKULTAS SAINS DAN TEKNOLOGI

UIN SUNAN GUNUNG DJATI BANDUNG

TAHUN 2015

0
 Sintesis Lapisan Tipis Aluminum-doped Zinc Oxide (ZnO:Al) Pada Suhu
Relatif Rendah Menggunakan Metoda Spray Pyrolysis

Abstrak. Lapisan tipis transparan konduktif berbasis ZnO:Al (AZO) telah menarik
banyak perhatian sebagai bahan pengganti yang menjanjikan untuk lapisan tipis
indium tin oxide (ITO) yang umum digunakan pada banyak aplikasi. Selain itu, sifat
listrik dan optik lapisan tipis AZO sangat dipengaruhi oleh konsentrasi dopan,
ketebalan lapisan dan proses sintesisnya. Parameter sintesis seperti jenis substrat,
suhu pertumbuhan, dan atmosfer ambient memainkan peran penting dalam
struktural kristal, sifat listrik dan sifat optik lapisan. Kami tertarik untuk mensintesis
lapisan tipis ZnO:Al pada suhu rendah menggunakan metode spray pyrolysis.
Proses sintesis pada suhu rendah diharapkan mampu mengarahkan pengembangan
lapisan tipis pada substrat plastik atau material fleksibel lainnya.

Kata kunci: Aluminium-doped zinc oxide (ZnO:Al), spray pyrolysis, suhu rendah.

A. Latar belakang

Lapisan oksida tranparan konduktif (transparent conducting oxide, TCO)

memiliki konduktivitas dan tranparansi yang tinggi. Telah banyak perkembangan
penelitian berkaitan dengan proses sintesis dan karakteristik dari lapisan oksida
transparan konduktif seperti indium-tin oxide (ITO), SnO2, ZnO, CdO, Zn2SnO4,
CuAlO2, SrTiO3 [1-2]. Diantara lapisan TCO tersebut, ITO adalah material yang
umum digunakan dalam berbagai aplikasi karena memiliki resistivitas rendah dan
transparansi optik yang tinggi pada daerah cahaya tampak. Namun, proses sintesis
material ini relatif mahal dan rumit. Selain itu, seiring meningkatnya permintaan
akan material yang lebih murah dengan kondutivitas dan transparansi optik yang
tinggi. Perlu dicari alternatif pengganti ITO, salah satu material yang potensial
adalah ZnO:Al karena memiliki sifat listik dan optik yang baik, lebih murah dan
bahan bakunya melimpah [3-7].

1
 Lapisan tipis AZO telah berhasil disintesis menggunakan berbagai teknik
diantaranya adalah atomic laser depositon (ALD) [3], pulse laser deposition (PLD)
[8], RF dan DC magnetron sputtering [4-5], molecular oxide chemical deposition
(MOCVD) [6,9], teknik solgel [7]. Metode spray pyrolysis memiliki kelebihan
dalam aplikasi industri karena prosesnya mudah, sederhana dan murah. Pada
metoda spray pyrolysis, larutan logam-organik disemprotkan menggunakan udara
bertekanan pada subtrat kaca bersuhu tinggi. Metoda tersebut dapat menghasilkan
lapisan tipis AZO dengan ketebalan yang seragam dan dapat diatur dengan
optimalisasi parameter konsentrasi larutan, waktu sintesis, dan suhu substrat [10].
Beberapa tahun kebelakang, lapisan tipis ZnO tipe-n atau didoping Al telah
disintesis menggunakan metoda spray pyrolysis pada suhu substrat >400 C [10-
12]. Penelitian tersebut menggunakan zinc acetate dihydrate dan aluminum
trichloride sering digunakan sebagai sumber Zn dan Al. Namun, belum ada
penelitian berkaitan proses sintesis AZO menggunakan zinc acetate dihydrate dan
aluminum nitride nonahydrate pada suhu yang cukup rendah (~300 C). Oleh
karena itu, peneliti tertarik untuk meneliti sintesis lapisan tipis ZnO:Al (AZO) dan
aplikasinya sebagai lapisan oksida transparan konduktif (TCO).

B. Perumusan Masalah dan Kerangka Berfikir

Secara khusus masalah dan ruang lingkup dalam penelitian ini adalah sebagai
berikut:

(1) Apakah lapisan tipis ZnO:Al (AZO) dapat disintesis pada suhu relatif
rendah (~300 C) menggunakan metode spray pyrolysis?
(2) Bagaimana pengaruh konsetrasi bahan dasar dan doping Al terhadap
peningkatan kualitas sifat listrik dan optik lapisan tipis ZnO:Al (AZO)?
C. Tujuan penelitian

Tujuan dari penelitian ini adalah untuk mensintesis lapisan tipis ZnO:Al (AZO)
pada suhu rendah menggunakan metode spray pyrolysis dan aplikasinya sebagai
lapisan oksida transparan konduktif (TCO).

2
D. Manfaat penelitian

Proses sintesis lapisan tipis AZO pada suhu rendah akan menurunkan
penggunaan energi dalam pembuatan lapisan tipis. Hal ini menyebabkan produksi
lapisan tipis AZO akan lebih murah dan mudah. Selain itu, pengembangan lapisan
AZO pada permukaan plastik atau material fleksibel lainnya menjadi terbuka luas.
Selain itu, konsentrasi bahan dasar dan doping Al sangat berpengaruh pada sifat
listrik dan optik lapisan tipis AZO. Hal ini disebebkan pendopingan aluminum
menyebabkan terjadinya peningkatan pembawa muatan negatif dari ZnO.

E. Tinjauan pustaka

E.1 Lapisan Tipis ZnO:Al

Zinc oxide adalah semikonduktor dengan celah pita energi lebar dari grup II-VI,
dengan rumus kimia ZnO. Material ini memiliki sifat yang menjanjikan,
diantaranya adalah transparansi baik, mobilitas elektron tinggi, celah pita energi
lebar, dan memiliki pendaran tinggi pada suhu ruang. Sedangkan doping yang
umum dari semikonduktor ini adalah pengotor oksidan atau interstitial atom Zn
menghasilkan semikonduktor tipe-n. Dengan demikian, material ini dapat
diaplikasikan sebagai elektroda transparan pada liquid crystal displays (LCD),
penghemat energi atau penghambat panas di jendela rumah, dan aplikasi elektronik
sebagai transitor lapisan tipi dan dioda pemancar cahaya (LED).

a. Unsur Pendoping

Beberapa unsur dapat digunakan sebagai pendoping lapisan tipis ZnO, seperti
B [13-14], Al, Ga, In (dari unsur grup III) [15], F (dari unsur grup VII) [16], dan
banyak yang lainnya. Diantara pendoping tersebut yang paling banyak dipelajari
adalah lapisan tipis Al-doped ZnO dan Ga-doped ZnO. Selain itu, posisi dari atom
pendoping dan tingkat kelarutannya sangat berhubungan dengan metode preparasi
lapisan tipis. Sebagai contoh, pada teknik spray pyrolysis, doping atom In dan Ga
lebih efisien dibandingkan dengan atom Al dikarenakan atom Al lebih cenderung

3
menempati posisi interstitial (diantara kisi kristal) pada kisi kristal ZnO yang
menyebabkan terjadinya penurunan mobilitas elektron [17].

Radius ionik Al3+ adalah 0.54, dimana nilainya lebih kecil dibandingkan
dengan Zn2+ (0,74 ). Sehingga atom Al3+ dapat menggantikan tempata Zn2+ pada
kisi secara mudah, mengarah pada penurunan parameter kisinya. Sebagai
perbandingan dengan Al3+, Ga3+ memiliki radius yang sebanding dengan ion Zn2+.
Hal tersebut dapat mengurangi perubahan bentuk kisi ZnO bahkan pada konsentrasi
doping yang tinggi [15,18]. Sifat konduktivitas lapisan tipis ZnO secara mendasar
didominasi oleh pembentukan pembawa muatan negatif oleh pengotor oksigen dan
tambahan muatan. Geng dan grupnya [19] meneliti pengaruh dari konsentrasi Al
terhadap sifat listrik lapisan tipis ZnO:Al yang ditumbuhkan pada substrat Si(110)
menggunakan atomic layer deposition (ALD). Kristalinitas lapisan tipis
terdegenerasi sedangkan resistivitas diketahui menurun seiring peningkatan
konsentrasi doping Al (9.36 10 cm pada konsentrasi maksimum sebesar 2.7
mol%).

Tingkat konsentrasi Al sangat dipengaruhi oleh batas kelarutan secara

termodinamika, walaupun terbatas, hubungan antaran konsentrasi Al dan
resistivitas tidak monoton [20]. Pada konsentrasi Al tinggi, kandungan Al akan
berbentuk Al2O3, menghasilkan efek penghilangan sifat listrik dari lapisan tipis.
Berdasarkan dari beberapa penelitian menunjukan hubungan antara karakteristik
konduksi dan konsentrasi unsur-unsur yang lainnya mirip dengan yang dimiliki
oleh doping Al.

b. Konsentrasi doping

Zinc oxide, sebagai lapisan oksida transparan dengan celah pita energi sebesar
3.37 eV [21], dapat memenuhi syarat sifat optik yang dibutuhkan sebagai TCO
walau tanpa doping. Namun, konsentrasi pembawa muatan dari ZnO intrinsik
sangat dikisaran 10 cm-3 pada temperatur ruang [22], dimana lebih renda
dibandingkan lapisan tipis TCO untuk aplikasi praktis. Secara umum, hubungan
sebanding dopan dengan peningkatan konsentrasi adalah

4
 =

dengan adalah konsentrasi pembawa muatan elektron, adalah konsentrasi

pembawa muatan hole, dan adalah konsentrasi pembawa muatan ZnO intrinsik.
Doping secara langsung berpengaruh terhadap kosentrasi pembawa muatan dan
mempengaruhi konduktivitas. Namun kosentrasi doping memiliki keterbatasan;
dengan kata lain, pada konsentrasi doping sangat tinggi akan menghasilkan
penyerapa pembawa muatan bebas, refleksi resonansi plasma tinggi, dan rendahnya
transparansi pada daerah cahaya tampak.

E.2 Metode Spray Pyrolysis

Spray pyrolysis adalah salah satu metode sintesis partikel yang banyak dikaji
secara intensif oleh sejumlah peneliti karena menjanjikan sejumlah keunggulan
metode spray pyrolysis mampu menghasilkan partikel berbentuk bulat, tanpa
aglomerasi, serta rentang waktu produksi yang sangat pendek (dapat kurang dari
satu detik). Ukuran partikel yang dihasilkan juga dapat dikontrol dengan mudah
melalui pengontrolah konsentrasi prekursor yang digunakan maupun ukuran
droplet yang dihasilkan atomizer (penghasil droplet). Dengan menggunakan
konsentrasi prekursor yang sangat kecil, maka secara teoretis metode spray
pyrolysis dapat juga digunakan untuk mengasilkan lapisan tipis dalam orde
nanometer hingga mikrometer.

Sintesis partikel dengan metode spray pyrolysis diawali dengan proses

penyemprotan larutan prekursor dalam bentuk droplet oleh atomizer. Droplet yang
mengandung pelarut dan material prekursor kemudian dibawa menggunakan gas
pembawa ke substrat pada suhu tertentu. Pemanasan pada suhu tinggi yang terjadi
di atas subtrat tersebut akan menguapkan pelarut yang diikuti dengan reaksi kimia
pada suhu tinggi (pyrolysis) membetuk lapisan tipis. Spray pyrolysis sangat
potensial digunakan untuk membuat lapisan tipis dengan ketebalan puluhan
nanometer hingga micrometer.

5
F. Metodologi penelitian

Penelitian ini adalah penelitian eksperimen/pembuatan dan karakterisasi yang

didukung oleh studi literatur dan pemodelan data fisis. Penelitian ini meliputi
pembuatan dan karakterisasi lapisan tipis ZnO:Al. Tahapan yang dilakukan dalam
penelitian ini adalah:

1. Tahap persiapan yang meliputi persiapan bahan dan alat.

a. Tahap pemotongan dan pencucian substrat.
b. Tahap pembuatan larutan (konsentrasi 0,025 M) meliputi persiapan
alat dan bahan, pencampuran Zn(CH3COO)22H2O, Al(NO3)29H2O
dengan air murni.
2. Tahap pembuatan lapisan tipis pada substrat kaca menggunakan metode
spray pyrolysis.
3. Tahap karakterisasi menggunakan multimeter, spektroskopi UV-Vis dan
scanning electron microscope (SEM).

Zn(CH3COO)22H2O Al(NO3)29H2O

Prekursor

Optimasi ketebalan
Reaktor Spray Pyrolysis lapisan tipis
Konsentrasi doping Al

Lapisan Tipis ZnO:Al

Uji resistansi
Spektroskopi UV-Vis
Karakterisasi
Scanning Electron
Microscope (SEM)

Gambar 1. Tahapan penelitian sintesis lapisan tipis ZnO:Al menggunakan

metode spray pyrolysis

6
Gambar 2. Reaktor spray pyrolysis di laboratorium fisika nanomaterial, Jurusan
Fisika, UIN Bandung.

Gambar 3. Alat karakterisasi di laboratorium fisika nanomaterial, Jurusan Fisika,

UIN Bandung (a) Spektroskopi UV-Vis, (b) multimeter, dan (c) SEM.

7
G. Jadwal Penelitian

Bulan
No Akitivitas
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
1 Preparasi alat dan bahan
2 Pembuatan lapisan tipis ZnO:Al
3 Karakterisasi produk dan optimasi
4 Penyusunan Laporan
Penyusunan makalah ilmiah untuk
5 publikasi di jurnal dan pertemuan
ilmiah

Daftar Pustaka

[1] R. G. Gordon, Criteria for Choosing Transparent Conductors, MRS

Bulletin, vol. 25, p. 52, 2000.

[2] T. Minami, New n-Type Transparent Conducting Oxides, MRS Bulletin,

vol. 25, no. 8, pp. 38-44, August 2000.

[3] K.-S. An, W. Cho, B. K. Lee, S. S. Lee dan C. G. Kim, Atomic Layer
Deposition of Undoped and Al-Doped ZnO Thin Films Using the Zn
Alkoxide Precursor Methylzinc Isopropoxide,, Journal of Nanoscience and
Nanotechnology, vol. 8, p. 48564859, 2008.

[4] M. Chen, Z. Pei, C. Sun, L. Wen dan X. Wang, --, Journal of Crystal
Growth, vol. 220, p. 254, 2000.

[5] D. Dimova-Malinovska, N. Tzenov, M. Tzolov dan L. Vassilev, ---,

Material Science Engineering B, vol. 52, p. 59, 1998.

[6] I. Volintiru, M. Creatore, B. Kniknie, C. Spee dan M. v. d. Sanden, ---,

Journal of Applied Physics, vol. 102, pp. 043709-1, 2007.

[7] W. Tang dan D. Cameron, --, Thin Solid Films, vol. 238, p. 83, 1994.

8
[8] J. Mass, P. Bhattacharya dan R. Katiyar, --, Material Science Engineering
B, vol. 103, p. 9, 2003.

[9] X. Hou dan K. Choy, ----, Chemical Vapor Deposition, vol. 12, p. 583,
2006.

[10] K. R. Reddy, T. Reddy, I. Forbes dan R. Miles, --, Surface Coating

Technology (2002) 110., vol. 151152, p. 110, 2002.

[11] J. Lee dan B. Park, Material Science Engineering B, vol. 106, p. 242, 2004.

[12] A. B. J. Wienke, --, Thin Solid Films, vol. 516, p. 4508, 2008.

[13] A. Favier, D. Munoz, S. M. D. Nicolas dan P. J. Ribeyron, Boron-doped

zinc oxide layers grown by metal-organic CVD for silicon heterojunction
solar cells applications, Solar Energy Materials and Solar Cells, vol. 95,
no. 4, pp. 1057-1061, 2011.

[14] Q. Huang, Y. Wang, S. Wang, D. Zhang, Y. Zhao dan X. Zhang,

Transparent conductive ZnO:B fims deposited by magnetron sputtering,
Thin Solid Films, vol. 520, no. 18, pp. 5960-5964, 2012.

[15] J. A. Sans, J. F. Sanchez-Royo, A. Segura, G. Tobias dan E. Canadell,

Chemical effects on the optical band-gap of heavily doped ZnO: MIII
(M=Al,Ga,In): an investigation by means of photoelectron spectroscopy,
optical measurements under pressure, and band structure calculations,
Physical Review B, vol. 79, no. 19, p. 195105, 2009.

[16] D. S. Bhachu, I. P. Parkin dan G. Sankar, Aerosol assisted chemical vapour

deposition of transparent conductive Zinc oxide fims, Chemistry of
Materials, vol. 24, no. 24, pp. 4704-4710, 2012.

[17] P. Nunes, E. Fortunato, P. Tonello, F. B. Fernandes, P. Vilarinho dan R.

Martins, Effect of diffrent dopant elements on the properties of ZnO thin
fims, Vacuum, vol. 64, no. 3-4, pp. 281-285, 2002.

[18] J. L. Zhao, X. W. Sun, H. Ryu dan Y. B. Moon, Thermally stable

transparent conducting and highly infrared reflctive Ga-doped ZnO thin fims
by metal organic chemical vapor deposition Optical, Materials, vol. 33, no.
6, pp. 768-772, 2011.

[19] Y. Geng, L. Guo, S.-S. Xu, Q.-Q. Sun, S.-J. Ding, H.-L. Lu dan D. W.
Zhang, Influence of Al doping on the properties of ZnO thin fims grown by
atomic layer deposition, Journal of Physical Chemistry C, vol. 115, no. 25,
pp. 12317-12321, 2011.

9
[20] D. Kim, H. Kim, K. Jang, S. Park, K. Pillai dan J. Yi, Electrical and optical
properties of low pressure chemical vapor deposited Al-doped ZnO
transparent conductive oxide for thin fim solar cell, Journal of the
Electrochemical Society, vol. 158, no. 4, vol. 158, no. 4, p. D191D195,
2011.

[21] H. Zeng, W. Cai, P. Liu, X. Xu, H. Zhou, C. Klingshirn dan H. Kalt, ZnO-
based hollow nanoparticles by selective etching: elimination and
reconstruction of metalsemiconductor interface, improvement of blue
emission and photocatalysis, ACS Nano, vol. 2, no. 8, p. 16611670, 2008.

[22] D. Norton, Y. Heo, M. Ivill, K. Ip, S. Pearton, M. Chisholm dan T. Steinerc,

ZnO: growth, doping & processing, Materials Today, vol. 7, no. 6, pp. 34-
40, 2004.

10