(Lesna
Cristwinarso)
Jawaban : Kelompok kami beum dapat menjawab pertanyaan ini.
2. Mengapa di pita konduksi pergerakan elektron lebih cepat? (Hanifah Nur A.)
Jawaban: elektron pada pita konduksi bergerak cepat karena area di pita konduksi
lebih kosong daripada di pita valensi sehingga area bergerak elektron di pita
konduksi lebih luas.
3. Apakah perbedaan tipe p dan n mana yang lebih bagus? (Akbar Fajarmanik)
Jawaban:Tipe p didoping dengan atom bervalensi 3, sehingga menagalami
kekurangan electron atau hole, sementara tipe n didoping dengan atom bervalensi
5 sehingga terdapat elektron yang berlebih. Kalau tipe n mengurangi energy yang
dibutuhkan dengan perpindahan electron ke pita konduksi, tipe p mengurangi
energy yang dibutuhkan dengan perpindahan hole ke pita valensi. Tidak ada yang
lebih bagus dari p dan n, kedua tipe tersebut saling membantu dalam menciptakan
semikonduktor yang baik.
4. Apakah pergerakan elektron sesalu dari pita valensi ke pita konduksi ataukah bisa
arah sebaliknya? (Rizky Putri Amandani)
Jawaban: Elektron yang meninggalkan pita valensi akan meninggalkan jejak berupa
hole yang bersifat positif. Jika elektron banyak tereksitasi maka akan semakin
banyak hole yang ada. Karena hole bersifat positif maka elektron-elektron tersebut
akan tertarik ke hole tersebut. Sehingga dimungkinkan adanya pergerakan dari pita
konduksi ke pita valensi.
7. Apakah jarak pita konduksi dan pita valensi berpengaruh ke konduktor? Jelaskan.
(Anis Nurhayati)
Jawaban: Jarak tersebut sangat berpengaruh kepada sifat konduktansi material.
Jarak tersebut dikenal dengan pita terlarang, dan agar elektron mampu berpindah
dibutuhkan sejumlah energi yang dikenal dengan energi ambang. Saat elektron
tereksitasi menuju tingkat energy lebih tinggi, dalam hal ini pita konduksi,
dibutuhkan energi dari luar hingga mencapai energy ambang. Semakin kecil daerah
terlarang, semakin memungkinkan eksitasi elektron, sehingga arus listrik lebih
mungkin dihantarkan. Sebagai catatan bahwa semakin banyak electron dalam pita
konduksi, akan menambah tingkat energi pada pita tersebut dan memberikan jarak
lebih besar dengan pita valensi dengan energy di bawahnya.