sPercobaan Efek Hall

A. Nurrahmadani Bur¹⁾, Astikasari²⁾, Clarisa Oktaviani Lolong³⁾, Ahmad Faisal Idrus⁴⁾, Sufyan Tsauri
Wahid⁵⁾
Nur Arizka

Laboratorium Fisika Modern Universitas Negeri Makassar

Abstrak- Efek Hall merupakan pristiwa membeloknya aliran arus listrik karena pengaruh medan magnet. Tujuan percobaan
ini ada tiga yaitu menentukan hubungan arus Hall I H dengan tegangan Hall UH, menentukan sensitivitas elemen Hall K H dari
bahan semikonduktor GaAS, dan menentukan kurva magnetisasi bahan baja silikon dengan elemen Hall. Teknik analisis
data untuk tujuan pertama dengan cara memplot kurva arus Hall dengan tegangan hall berdasarkan data. Sedangkan untuk
tujuan kedua terlebih dahulu mencari nilai K H. Untuk menentukan sensitivitas KH diperoleh dari hasil perhitungan masing-
masing data dengan menggunakan persamaan UH=IHKHB kemudian dirata-ratakan. Untuk menentukan kurva magnetisasi
bahan baja silikon dengan elemen Hall terlebih dahulu menghitung masing-masing nilai B.

Kata kunci: arus Hall, arus magnetisasi, efek Hall, tegangan Hall

A. PENDAHULUAN
Efek hall adalah peristiwa membeloknya arus listrik dalam pelat konduktor karena adanya pengaruh
medan magnet. Peristiwa ini pertama kali ditemukan oleh ilmuwan bernama Dr Edwin Hall pada tahun 1879.
Beliau menemukan bahwa jika medan magnet sebuah magnet akan tegak lurus dengan suatu permukaan pelat
emas yang dialiri arus. Sehingga terbentuk beda potensial pada ujung-ujung pelat yang saling berlawanan.
Prinsip utama efek Hall adalah gaya Lorentz. Gaya Lorentz akan terjadi ketika sebuah bahan konduktor
berbentuk pelat dan diberi medan magnet yang dialiri arus listrik. Permukaan atas pelat konduktor tersebut
akan sejajar dengan muatan positif yang arahnya ke atas, sedangkan bagian bawah konduktor akan sejajar
dengan muatan negative yang mengarah ke bawah. Oleh karena itu akan timbul medan listrik dan beda
potensial pada penghantar.
percobaan dengan alat efek hall dilakukan dengan 3 tujuan utama, yakni :1) Menentukan hubungan
antara arus Hall IH dan tegangan Hall UH. 2) Menentukan sensitivitas elemen Hall KH dari bahan
semikonduktor GaAs. 3) Menentukan kurva magnetisasi bahan baja silikon dengan elemen Hall

B. TEORI SINGKAT
1. Pengertian Efek Hall
Efek Hall adalah pristiwa membeloknya aliran arus listrik karena pengaruh medan magnet (Wahyudi,
2013:185). Ketika konduktor pembawa arus tertahan pada medan magnet, maka medan memberikan gaya
menyamping pada muatan-muatan yang mengalir pada konduktor. Jika elektron-elektron pada pelat konduktor
bergerak ke kanan maka medan magnet akan memberikan gaya ke bawah. Jadi elektron-elektron akan cenderung
membelok seolah-olah ke permukaan. Berarti akan ada beda potensial di sekitar daerah pembelokan (Giancoli,
2001:154).
Menurut Tipler (2001:232-233) pengukuran tanda beda potensial antara bagian atas dan bagian bawah
lempeng/pelat itu akan memberikan kita informasi mengenai tanda pembawa muatannya. Untuk konduktor logam,
biasa kita temukan bahwa bagian atas lempeng/pelat (liat gambar 1) berada pada potensial lebih rendah dari pada
bagian bawahnya yang berarti bagian atas itu haruslah menyalurkan muatan negatif. Berdasarkan percobaan yang
mengarah ke penemuan bahwa pembawa muatan dalam konduktor logam ialah muatan negative.
 Gambar 1. Efek Hall. Medan magnetik diarahkan pada tanda silang. 1(a) partikel positif bergerak ke kanan, 2(b)
partikel negative yang bergerak ke kiri.

2. Efek Hall pada Konduktor dan Semikonduktor

a) Efek Hall pada Konduktor
Susunan untuk mengamati efek Hall (lihat gambar 1) menunjukkan dua lempeng yang
mengalir arusnya ke kanan karena sisi kiri lempeng itu dihubungkan dengan terminal positif baterei.
Lempengan ini diarahkan ke bidang kertas artikel ini. Misal, kita asumsikan bahwa arus tersebut terdiri
atas muatan positif yang bergerak ke kanan seperti ditunjukkan pada gambar 1(a). Medan magnet
homogen B bekerja pada arah y (mengarah ke atas). Jika pembawa muatannya adalah elektron yang
bergerak ke arah x negatif dengan kecepatan drift vd, maka pembawa muatan ini mengalami gaya
magnetik ke atas FB= qvd x B yang dibelokkan ke atas dan terakumulasi pada tepi atas konduktor
pipih sehingga meninggalkan muatan-muatan negatif berlebih dibagian bawahanya. Apabila medan
elektrostatik dan medan magnet, bagian atas tadi bermuatan lebih positif, sehingga berada pada beda
potensial yang lebih tinggi dari bagian bawah yang bermuatan negatif. Gambar 2(b), pembawa muatan
harus bergerak ke kiri, gaya magnetik kali ini ke atas karena tanda q dan vd telah diubah, sehingga
pembawa muatan negatif dipaksa ke atas (menyalurkan muatan negatif) dan bagian bawahnya
menyalurkan muatan positif (Tipler, 2001:232-233).
b) Efek Hall pada Semikonduktor
Semikonduktor umumnya terdiri atas tipe-n dan tipe-p dengan pembawa muatan yang berbeda
tanda. Oleh karena itu, jika jenis bahan diketahui, arah medan magnet dapat ditentukan dengan melihat
tanda UH. Oleh karena waktu yang digunakan untuk menghasilkan medan listrik melalui efek Hall
sangat singkat (10⁻¹² - 10⁻¹⁴) s, maka arus DC atau AC dapat digunakan. Bahan semikonduktor yang
digunakan adalah GaAs.
GaAs merupakan bahan semikonduktor majemuk. Penggunaan GaAs sebagai salah satu
bahan untuk semikonduktor sudah diteliti sejak lama, hanya saja penggunaan dan produksi
semikonduktor berbahan GaAs yang ada saat ini masih sangat terbatas. Beberapa keuntungan
penggunaan GaAs dibandingkan dengan Silikon (Si) adalah semikonduktor berbahan GaAs
mempunyai kecepatan yang lebih cepat dibandingkan dengan Si (Chandra dan Andreas, 2014:15).

C. METODE EKPERIMEN
Alat-alat yang dibutuhkan adalah satu set perangkat alat efek Hall produksi Lambda Scientific.
Karena alat ini sudah terangkai sebagai mana mestinya maka, langkah pertama yang dilakukan adalah
mengecek seluruh komponen alat terhubung dengan baik.
Setelah itu melakukan pengukuran I, II, dan III. Pada Pengukuran I dilakukan untuk menentukan
hubungan antara IH dan UH  dengan langkah-langkah yaitu menghubungkan perangkat efek Hall ke sumber
tegangan PLN. memastikan seluruh display menunjukkan angka 0. Kemudian mengatur arus magnetisasi
elektromagnet IM sebesar 50 mA, tidak boleh lewat. Setelah itu mengatur arus Hall (Arus yang dialirkan ke
elemen Hall) dengan memutar perlahan tombol “Hall Current Adj.” mulai dari 0,5 mA, 1,0 mA, 1,5 mA, 2,0
mA, dan 2,5 mA. ( Percobaan ini dilakukan harus dengan pengawasan asisten karena arus ini tidak boleh
melewati 5 mA, karena akan menyebabkan Elemen hall terbakar). Selanjutnya pada setiap nilai arus
IH, mengukur tegangan Hall. Untuk mendapatkan nilai UH yang baik tekan bolak balik reverse switch pada
panel UH.Dan yang terakhir yaitu memplot UH – IH, dan memastikan hubungan linier antara keduanya.
Selanjutnya untuk pengukuran II dilakukan untuk mengukur sensitivitas  KH dari elemen Hall GaAs.
Langkah pertama yaitu mempelajari bagaimana cara menggunakan sebuah Teslameter untuk mengukur kuat
medan magnet. Peringatan: Probe teslameter sangat rapuh oleh karena itu perlu sangat berhati-
hati. Kemudian mengatur dan mempertahankan arus Hall IH pada nilai 1.00 mA (input dari terminal 1&3),
serta mengatur juga arus magnetisasi IM melalui tombol “Current Adj.” Pada nilai 50 mA, 60 mA, 70 mA, 80
mA, ..., 100 mA. Kemudian untuk setiap nilai IM, mencatatlah kuat medan magnetik B dengan Teslameter
serta tegangan  Hall UH pada sampel. Catatan. Untuk menghilangkan efek samping saat pengukuran tegangan
Hall UH, kedua saklar toggle sebaiknya digunakan untuk membalik polaritas secara berurutan dan data yang
diperoleh sebaiknya dirata-ratakan. Selanjutnya menghitung sensitivitas elemen Hall dengan menggunakan
persamaan (4) pada halaman berikutnya.
Pada Pengukuran III dilakukan untuk menentukan kurva magnetisasi bahan baja silikon dengan
elemen Hall. Dalam hal ini, elemen Hall akan digunakan untuk mengukur kuat medan magnet B di celah
elektromagnetik. Langkah yang pertama yaitu, megatur arus Hall IH pada nilai 1.00 mA sambil merubah arus
eksitasi IM dari 50 s.d 100 mA dengan tahap kenaikan 10 mA. Kemudian pada setiap nilai IM, mencatat
tegangan Hall voltage UH. Catatan: Ingat, untuk mengeliminasi efek samping gunakan kedua saklar toggle.
Selanjutnya menghitung kuat medan magnet B untuk setiap nilai IM dengan persamaan menggunakan nilai
KH yang diperoleh pada pengukuran II dan yang terakhir memplot kurva B-IM curve.
Analisis pada percobaan efek Hall dapat dilakukan menggunakan persamaan-persamaan di bawah ini:
Menentukan hubungan antara IH dengan UH
Menggunakan persamaan:

UH d
R H= (1)
IHB
UH: tegangan Hall (mV)
IH : arus Hall (mA)
B : kuat medan magnet (T)
d : tebal bahan (m)
RH : Koefisien Hall (Ω m/T)
Menentukan Nilai Koefisien Hall
Menggunakan persamaan:
UH d
RH= (2)
I B
R B
( )
U H = H I (3)
d

Mengukur Sensitivitas KH dari Elemen Hall GaAs

Menghitung nilai sensitivitas KH
Menggunakan persamaan:
UH
K H= (4)
IHB

UH : Tegangan Hall (mV)

IH : Arus Hall (mA)
B : Kuat medan Magnet (T)
KH : Sensitivitas Elemen Hall mV/(mA.T)

d = tebal bahan semikonduktor (0.02x10-6 m)

Sensivitas rata-rata elemen Hall

K H 1 + K H 2 + …+ K Hn
K´ H = (5)
n
Menghitung besar kuat medan magnet
Menggunakan persamaan:

UH
B= (6)
IH K H

UH : tegangan Hall (mV)

IH : arus Hall (mA)
B : kuat medan magnet (T)
KH : sensitivitas element Hall (mV/mAT)
D. HASIL DAN PEMBAHASAN
1. Hasil:
a) Pengukuran 1
IM= │100 ± 1│mA
B=│33,4 ± 0.1│mT
Tabel 1. Pengukuran 1, Menentukan hubungan antara arus Hall I H dan tegangan Hall UH
IH UH
│5.0 ± 0.1│ │2.9 ± 0.1│
│10.0 ± 0.1│ │5.4 ± 0.1│
│15.0 ± 0.1│ │8.4 ± 0.1│
│20.0 ± 0.1│ │11.1 ± 0.1│
│25.0 ± 0.1│ │13.9 ± 0.1│

b) Pengukuran II
IH=│20.0 ± 0.1│mA

Tabel 2. Pengukuran II Menentukan sensitivitas elemen Hall KH dari bahan semikonduktor GaAs
IM (mA) UH (mv) B(mT)
│50 ± 1│ │10.6 ± 0.1│ │33.3 ± 0.1│
│60 ± 1│ │11.0 ± 0.1│ │33.8 ± 0.1│
│70 ± 1│ │11.1 ± 0.1│ │37.2 ± 0.1│
│80 ± 1│ │11.2 ± 0.1│ │37.9 ± 0.1│
│90 ± 1│ │11.4 ± 0.1│ │38.9 ± 0.1│
│100 ± 1│ │12.2 ± 0.1│ │39.1 ± 0.1│

c) Hasil perhitungan nilai kuat medan magnet B untuk setiap nilai I M dengan menggunakan KH dari
pengukuran II.
KH=│1.5 ± 0.1│mV/mAmT

Tabel 3. Hasil perhitungan nilai kuat medan magnet B untuk setiap nilai IM

IM (mA) UH (mv) B(mT)

│50 ± 1│ │10.6 ± 0.1│ │35 ± 3│
│60 ± 1│ │11.0 ± 0.1│ │36 ± 2│
│70 ± 1│ │11.1 ± 0.1│ │37 ± 3│
│80 ± 1│ │11.2 ± 0.1│ │37 ± 3│
│90 ± 1│ │11.4 ± 0.1│ │38 ± 3│
│100 ± 1│ │12.2 ± 0.1│ │41 ± 3│
2. Pembahasan
Percobaan yang dilakukan kali ini adalah Percobaan Efek Hall yang bertujuan untuk menentukan
hubungan antara arus Hall IH dan tegangan UH; Mengukur sesnsitivitas elemen Hall KH dari bahan
semikonduktor GaAs (Germanium Aslika); serta untuk menentukan kurva magnetisasi bahan baja silikon
dengan elemen Hall. Pada dasarnya prinsip kerja dari percobaan efek Hall ini menggunakan prinsip kerja
gaya Lorentz, dimana ketika muatan memasuki wilayah medan magnet maka muatan tersebut mendapat
pengaruh gaya lorentz sehingga muatan tersebut terbelokkan searah dengan arah gaya lorentz bekerja
(mengikuti kaidah tangan kanan).
Perccobaan ini dibagi menjadi tiga kegiatan yakni pada kegiatan pertama menetukan hubungan
antara arus IH dan tegangan UH. Sesuai dengan tujuan pertama percobaan ini. Pada kegiatan pertama ini
kita manipulasi variabel arus Hall-nya dan arus magnetisasinya sebagai variable kontrol, sedangkan
variabel yang diukur adalah tegangan Hall U H dan kuat medan magnet B (Hasil pengukuran dapat dilihat
pada tabel pengamatan).
Adapun pada kegiatan kedua yakni mengukur sensitivitas K H dari elemen Hall GaAs (Germanium
Aslika), dimana yang menjadi variabel manipulasi pada kegiatan ini adalah arus magnetisasi sedangkan
arus Hall sebagai variabel kontrolnya, serta variabel yang diukur adalah tegangan Hall dan kuat medan
 magnet (Hasil pengukuran dapat dilihat pada table pengamatan). Berdasarkan hasil analisis yang diperoleh
nilai Sensitivitas elemen Hall KH dari KH 1 s.d KH 6 secara berturut-turut adalah │1.59±0.03│,
│1.63±0.03│, │1.49±0.02│, │1.48±0.02│, │1.46±0.02│, dan │1.56±0.02│ dalam satuan mV/mAmT.
Pada kegiatan ketiga yakni menetukan kurva magnetisasi bahan baja silikon dengan elemen Hall
sesuai dengan tujuan ketiga. Variabel kontrol yang digunakan pada kegiatan ketiga ini arus Hall dan
variabel ukurnya adalah tegangan Hall dan kuat medan magnet (Hasil pengukuran dapat dilihat pada tabel
pengamatan). Sebenarnya kegiatan ketiga mempunyai kemiripan dengan kegiatan kedua namun yang
membedakannya adalah pada kegiatan ketiga Arus Magnetisasinya menjadi variabel manipulasi.
Berdarkan hasil analisis data yang diperoleh pada kegiatan ketiga ini didapatkan nilai kuat medan magnet
untuk tiap nilai arus magnetisasi (IM) 50 mA, 60 mA, 80 mA, 90 mA,100 mA berturut-turut adalah │35 ±
3│mT, │36 ± 2│ mT, │37 ± 3│ mT, │37 ± 3│ mT, │38± 3│ mT, dan │41 ± 3│ mT . Nilai ini diperoleh
dengan menggunakan nilai KH yang diperoleh pada kegiatan kedua. Selain itu, pada kegiatan ini kita
menarik sebuah grafik hubungan antara arus  magnetisasi (Im) dan medan magnet (B).
Berikut adalah grafik dari kegiatan tujuan I dan tujuan III:

Grafik
16 1. Hubungan Arus Hall IH dengan Tegangan Hall UH
14
f(x) = 0.55 x + 0.03
12 R² = 1
10
UH (mV)

8
6
4
2
0
0 5 10 15 20 25 30

IH (mA)

Grafik 2. Hubungan Kuat Medan Magnet B dengan Arus Magnetisasi

IM42
40
f(x) = 0.1 x + 29.62
38 R² = 0.87
IM

36
34
32
40 50 60 70 80 90 100 110
B (mT)

E. KESIMPULAN
Berdasarkan data pengukuran dan hasil analis, maka dapat disimpulkan bahwa:
1. Hubungan antara arus Hall IH dengan tegangan Hall UH adalah linear (berbanding lurus). Sehingga jika
arus diperbesar maka tegangan juga akan semakin besar. Hal ini, sesuai juga dengan hasil plot grafik
yang linear pula.
 2. Sensitivitas elemen Hall KH diperoleh dari KH 1 s.d KH 6 secara berturut-turut adalah │1.59±0.03│,
│1.63±0.03│, │1.49±0.02│, │1.48±0.02│, │1.46±0.02│, dan │1.56±0.02│ dalam satuan mV/mAmT.
Sedangkan rata-rata KH yaitu 1,53 mV/mAmT
3. Hasil plot untuk grafik kuat medan magnet B dengan arus magnetisasi I M adalah linear.

DAFTAR PUSTAKA
Chandra dan Andreas Ardian Febrianto. 2014. Osilator Berbasis Gallium Arsenide (GaAs). Program Studi
Teknik Elektro Fakultas Teknik Elektronika dan Komputer UKSW: Techné Jurnal Ilmiah Elektroteknika
Vol.13, No.1, hlm.15
Dosen Fisika FMIPA UNM. 2018. Penuntun Praktikum Eksperimen Fisika I Unit Laboratorium Fisika Modern
Jurusan Fisika FMIPA UNM.
Giancoli, Douglas C. 2001. Fisika Edisi Kelima Jilid 2. Jakarta: Erlangga.
Tipler, Paul A. 2001. Fisika untuk Sains dan Teknik Edisi Ketiga. Jakarta: Erlangga.
Wahyudi, Johan dkk.2013. Desain dan Karakteristik Penggunaan Sensor Efek Hall UGN3503 untuk Mengukur
Arus Listrik pada Kumparan Leybold P6271 Secara Non Destruktif. Jurusan Fisika Fakultas Matematika dan
Ilmu Pengetahuan Alam Universitas Lampung: Jurnal Teori dan Aplikasi Fisika, Vol.01, No.02, hlm.185.