KOMPONEN-KOMPONEN SEMIKONDUKTOR

Nama : YUSDIAN SUTANTI RAIS

Nim : 1824042039
Kelas : PTE 02

JURUSAN PENDIDIKAN TEKNIK ELEKTRO

PENDIDIKAN TEKNIK ELEKTRO SI 02

FAKULTAS TEKNIK
UNIVERSITAS NEGERI MAKASSAR
2019/2020
 KATA PENGANTAR

Puji syukur kami panjatkan kehadiran ALLAH SWT, karena berkat Rahmat dan
Hidayah-Nya, kami dapat menyelesaikan makalah yang berjudul “Komponen-Komponen
Semikonduktor “ ini meskipun masih banyak kekurangan.

Makalah ini kami buat untuk menambah wawasan dan pengetahuan bagi peserta
diskusi pada khususnya dan bagi pembaca pada umumnya. Kami mengucapkan terima kasih
untuk semua pihak yang telah membantu, sehingga makalah ini dapat terselesaikan.

Kami menyadari bahwa makalah ini masih jauh dari kata sempurna, hal ini dari segi
penyusunan maupun dari seg materi. “Tidak ada gading yang tak retak”, demikian pula
dengan makalah ini. Oleh karena itu, kami sangat mengharapkan setiap kritik dan saran yang
bersift membangun, yang dapat memperbaki dan menyempurnakan makalah ini.

Makassar, 12 September 2019

Penyusun
 DAFTAR ISI

KATA PENGANTAR

DAFTAR ISI

BAB I

PENDAHULUAN

A. Latar belakang
B. Rumusan masalah
C. Tujuan

BAB II

PEMBAHASAN

1. Pengertian dioda ,Simbol , karakteristik ,Jenis – jenis dioda dan prinsip kerja
2. Pengertian transistor bipolar, simbol, karakteristik, jenis – jenis transistor bipolar dan
prinsip kerja
3. Pengertian uni junction transistor, simbol, karakteristik, jenis – jenis transistor bipolar
dan prinsip kerja
4. Pengertian gate turn off transistor, simbol,karakteristik, jenis – jenis GTO dan prinsip
kerja
5. Pengertian SCR, simbol, karakteristik, jenis – jenis SCR dan prinsip kerja
6. Pengertian TRIAC, simbol, karakteristik, jenis – jenis TRIAC dan prinsip kerja
7. Pengertian MOSFET, simbol, karakteristik, jenis – jenis MOSFET dan prinsip kerja
8. Pengertian IGBTS, simbol, karakteristik, jenis – jenis IGBTS dan prinsip kerja

BAB III

PENUTUP

KESIMPULAN

DAFTAR PUSTAKA
 BAB I

PENDAHULUAN

A. Latar belakang
Didalam makalah ini saya akan membahas beberapa komponen – komponen
semikonduktor diantaranya : dioda, BJT , UJT, GTO, SCR, TRIAC, MOSFET dan
IGBTS

Beberapa yang akan saya bahas yaitu:

Dioda (Diode) adalah Komponen Elektronika Aktif yang terbuat dari bahan
semikonduktor dan mempunyai fungsi untuk menghantarkan arus listrik ke satu arah
tetapi menghambat arus listrik dari arah sebaliknya

Struktur Transistor
BJT (Bipolar Junction Transistor) tersusun atas tiga material semikonduktor terdoping

yang dipisahkan oleh dua sambungan pn.

Gate Turn Off Switch (GTO)

Perangkat Switching Semikonduktor PNPN daya empat lapisan yang dapat diaktifkan
oleh pulsa pendek arus gerbang dan dapat dimatikan oleh pulsa gerbang terbalik.
Ditemukan Oleh General Electric.

B. RUMUSAN MASALAH
1. Apakah itu Dioda, konstruksi dan simbol, jenis – jenis dioda dan prinsip kerja ?
2. Apakah itu transistor bipolar, konstruksi dan simbol,jenis – jenis BJT dan prinsip
kerja ?
3. Apakah itu UJT, konstruksi dan simbol, jenis – jenis UJT dan prinsip kerja ?
4. Apakah itu GTO, konstruksi dan simbol, jenis – jenis GTO dan prinsip kerja ?
5. Apakah itu SCR, konstruksi dan simbol, jenis –jenis SCR dan prinsip kerja ?
6. Apakah itu TRIAC, konstruksi dan simbol, jenis – jenis TRIAC dan prinsip kerja?
 7. Apakah itu MOSFET, konstruksi dan simbol, jenis –jenis MOSFET dan prinsip
kerja ?
8. Apakah itu IGBT,konstruksi dan simbol, jenis – jenis IGBT dana prinsip kerja ?

C. TUJUAN
Untuk mengetahui dan mempelajari komponen – komponen semikonduktor bahwa
hal ini berkaitan dengan elektronika daya yang berhubungan dengan listrik dan
jurusan saya.
 BAB II

PEMBAHASAN

Dioda (Diode) adalah Komponen Elektronika Aktif yang terbuat dari bahan semikonduktor
dan mempunyai fungsi untuk menghantarkan arus listrik ke satu arah tetapi menghambat arus
listrik dari arah sebaliknya. Oleh karena itu, Dioda sering dipergunakan sebagai penyearah
dalam Rangkaian Elektronika. Dioda pada umumnya mempunyai 2 Elektroda (terminal) yaitu
Anoda (+) dan Katoda (-) dan memiliki prinsip kerja yang berdasarkan teknologi pertemuan
p-n semikonduktor yaitu dapat mengalirkan arus dari sisi tipe-p (Anoda) menuju ke sisi tipe-n
(Katoda) tetapi tidak dapat mengalirkan arus ke arah sebaliknya.

Simbol Dioda

Gambar dibawah ini menunjukan bahwa Dioda merupakan komponen Elektronika aktif yang
terdiri dari 2 tipe bahan yaitu bahan tipe-p dan tipe-n :

Karakteristik dioda dapat diperoleh dengan mengukur tegangan dioda (Vab) dan arus yang
melalui dioda, yaitu ID. Dapat diubah dengan dua cara, yaitu mengubah VDD. Bila arus
dioda ID kita plotkan terhadap tegangan dioda Vab, kita peroleh karakteristik dioda. Bila
anoda berada pada tegangan lebih tinggi daripada katoda (VD positif) dioda dikatakan
mendapat bias forward. Bila VD negatip disebut bias reserve atau bias mundur. Pada diatas
VC disebut cut-in-voltage, IS arus saturasi dan VPIV adalah peak-inverse voltage. Bila harga
VDD diubah, maka arus ID dan VD akan berubah pula. Bila kita mempunyai karakteristik
dioda dan kita tahu harga VDD dan RL, maka harga arus ID dan VD dapat kita tentukan
sebagai berikut. Dari gambar pengujian dioda diats dapat ditentukan beberapa persamaan
sebagai berikut. Bila hubungan di atas dilukiskan pada karakteristik dioda kita akan
mendapatkan garis lurus dengan kemiringan (1/RL). Garis ini disebut garis beban (load line)
seperti gambar berikut. Kurva Karakteristik Dioda Dan Garis Beban Dari gambar
karakteristik diatas dapat dilihat bahwa garis beban memotong sumbu V dioda pada harga
VDD yaitu bila arus I=0, dan memotong sumbu I pada harga (VDD/RL). Titik potong antara
karakteristik dengan garis beban memberikan harga tegangan dioda VD(q) dan arus dioda
ID(q). Dengan mengubah harga VDD maka akan mendapatkan garis-garis beban sejajar
seperti pada gambar diatas. Bila VDD<0 dan |VDD| < VPIV maka arus dioda yang mengalir
adalah kecil sekali, yaitu arus saturasi IS. Arus ini mempunyai harga kira-kira 1 μA untuk
dioda silikon.

Jenis-jenis Dioda (Diode)

Seiring dengan perkembangan teknologi dan kebutuhan, Dioda kini telah memiliki banyak
jenis dan masing-masing jenis memiliki fungsinya. Berikut dibawah ini adalah jenis-jenis
Dioda dan penjelasan singkat pada jenis-jenis dioda tersebut.

1. Dioda Normal (Dioda PN Junction)

Dioda jenis ini merupakan dioda yang paling sering ditemui dalam rangkaian elektronika,
terutama pada rangkaian pencatu daya (power supply) dan rangkaian frekuensi radio (RF).
Dioda jenis ini disebut juga Dioda Normal (Normal Diode) karena merupakan dioda standar
yang paling umum digunakan ataupun Dioda Penyearah (Rectifier Diode) karena biasanya
digunakan sebagai penyearah pada Pencatu Daya. Dioda ini juga dikenal dengan nama PN
Junction Diode.

2. Dioda Bridge (Bridge Diode)

Dioda Bridge pada dasarnya adalah Dioda yang terdiri dari 4 dioda normal yang umumnya
digunakan sebagai penyearah gelombang penuh dalam rangkaian Pencatu Daya (Power
Supply). Dengan menggunakan Dioda Bridge ini, kita tidak perlu lagi merangkai 4 buah
dioda normal menjadi rangkaian penyearah tegangan AC ke tegangan DC karena telah
dikemas oleh produsen menjadi 1 komponen saja. Dioda Bridge ini memiliki 4 kaki terminal
yaitu 2 kaki terminal Input untuk masukan tegangan/arus bolak-balik (AC) dan 2 kaki
terminal untuk Output Positif (+) dan Output Negatif (-).

3. Dioda Zener (Zener Diode)

Dioda Zener adalah jenis dioda yang dirancang khusus untuk dapat beroperasi di
rangkaian reverse bias (bias balik). Karakteristik Dioda Zener ini adalah dapat melewatkan
arus listrik pada kondisi bias terbalik (reverse bias) apabila tegangan mencapai titik tegangan
breakdown-nya. Namun pada saat Forward bias (bias maju), Dioda Zener ini dapat
menghantarkan arus listrik seperti Dioda normal pada umumnya. Dioda Zener dapat
memberikan tegangan referensi yang stabil sehingga banyak digunakan sebagai pengatur
tegangan (Voltage Regulator) pada pencatu daya (Power supply).

4. Dioda LED (Light Emitting Diode)

Dioda LED atau Light Emitting Diode merupakan jenis dioda yang dapat memancarkan
cahaya monokromatik ketika diberikan tegangan maju (Forward bias). LED ada yang
berwarna merah, jingga, kuning, biru, hijau dan putih tergantung pada panjang gelombang
(wavelength) dan jenis senyawa semikonduktor yang digunakannya. Dalam kehidupan
sehari-hari, kita dapat menemukan aplikasi LED di lampu-lampu penerangan rumah maupun
jalan raya, lampu indikator peralatan elektronik dan listrik, lampu dekorasi dan iklan serta
backlight untuk TV LCD.

5. Dioda Foto (Photodiode)

Dioda Foto atau Photodiode adalah jenis Dioda yang dapat mengubah energi cahaya menjadi
arus listrik. Dioda Foto ini sering digunakan sebagai sensor untuk mendeteksi cahaya seperti
pada sensor cahaya kamera, sensor penghitung kendaraan, scanner barcode dan peralatan
medis. Dioda Foto ini dapat dibagi menjadi dua jenis yaitu Dioda Photovoltaic yang
menghasilkan tegangan seperti sel surya dan Dioda Photoconductive yang tidak
menghasilkan tegangan dan harus diberikan sumber tegangan lain untuk penggerak beban.
6. Dioda Laser (Laser Diode)

Dioda Laser atau Laser Diode adalah jenis dioda yang dapat menghasilkan radiasi atau
cahaya koheren yang dapat dilihat oleh mata dan spektrum inframerah ketika dialiri arus
listrik. Dioda Laser ini sering digunakan pada perangkat audio/video seperti Player DVD dan
Blueray, Laser pointer, Scanner Barcode, Alat ukur jarak dan Printer laser. LASER pada
dasarnya adalah singkatan dari Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation.

7. Dioda Varactor (Varactor Diode)

Dioda Varactor atau kadang-kadang disebut juga dengan Dioda Varicap adalah jenis dioda
yang memiliki sifat kapasitas yang berubah-ubah sesuai dengan tegangan yang diberikan.
Dioda Varactor ini sering digunakan di rangkaian-rangkaian yang berkaitan dengan frekuensi
seperti osilator, TV Tuner dan Radio Tuner. Simbol Dioda Varactor atau Dioda Varicap ini
dilambangkan dengan sebuah dioda yang ujungnya ditambahkan sebuah kapasitor.

8. Dioda Tunnel (Tunnel Diode)

Dioda Tunnel atau Dioda Terowongan adalah jenis dioda yang mampu beroperasi pada
kecepatan yang sangat tinggi dan dapat berfungsi dengan baik pada gelombang mikro
(Microwave). Dioda Tunnel ini biasanya digunakan di rangkaian pendeteksi frekuensi dan
konverter. Dioda Tunner disebut juga dengan Dioda Esaki. Nama Esaki diambil dari nama
penemu Dioda jenis ini.

9. Dioda Schottky (Schottky Diode)

Dioda Schottky merupakan jenis dioda dengan tegangan maju yang lebih rendah dari dioda
normal pada umumnya. Pada arus rendah, tegangan jatuh bisa berkisar diantara 0,15V hingga
0,4V. tegangan ini lebih rendah dari dioda normal yang terbuat dari silikon yang memerlukan
0,6V. Dioda ini banyak digunakan pada aplikasi rectifier (penyearah), clamping dan juga
aplikasi RF.

Prinsip Kerja Dioda

Untuk dapat memperjelas prinsip kerja Dioda dalam menghantarkan dan menghambat aliran
arus listrik, dibawah ini adalah rangkaian dasar contoh pemasangan dan penggunaan Dioda
dalam sebuah rangkaian Elektronika.
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR (BJT)

Struktur Transistor
BJT (Bipolar Junction Transistor) tersusun atas tiga material semikonduktor terdoping yang
dipisahkan oleh dua sambungan pn. Ketiga material semikonduktor tersebut dikenal dalam
BJT sebagai emitter, base dan kolektor (Gambar 1). Daerah base merupakan semikonduktor
dengan sedikit doping dan sangat tipis bila dibandingkan dengan emitter (doping paling
banyak) maupun kolektor (semikonduktor berdoping sedang). Karena strukturnya fisiknya
yang seperti itu, terdapat dua jenis BJT. Tipe pertama terdiri dari dua daerah n yang
dipisahkan oleh daerah p (npn), dan tipe lainnya terdiri dari dua daerah p yang dipisahkan
oleh daerah n (pnp). Sambungan pn yang menghubungkan daerah base dan emitter dikenal
sebagai sambungan base-emiter (base-emitter junction), sedangkan sambungan pn yang
menghubungkan daerah base dan kolektor dikenal sebagai sambungan base-kolektor (base-
collector junction).
Gambar 1. Dua Jenis Bipolar Junction Transistor (BJT)
Gambar 2 menunjukkan simbol skematik untuk bipolar junction transistor tipe npn dan pnp.
Istilah bipolar digunakan karena adanya elektron dan hole sebagai muatan pembawa
(carriers) didalam struktur transistor.

Gambar 2. Simbol BJT tipe npn dan pnp

Prinsip Kerja Transistor
Gambar 3 menunjukkan rangkaian kedua jenis transistor npn dan pnp dalam mode operasi
aktif transistor sebagai amplifier. Pada kedua rangkaian, sambungan base-emiter (BE) dibias
maju (forward-biased) sedangkan sambungan base-kolektor (BC) dibias mundur (reverse-
biased).
Gambar 3. Forward-Reverse Bias pada BJT
Sebagai gambaran dan ilustrasi kerja transistor BJT, misalkan pada transistor npn (gambar 4).
Ketika base dihubungkan dengan catu tegangan positif dan emiter dicatu dengan tegangan
negatif maka daerah depletion BE akan menyempit. Pencatuan ini akan mengurangi tegangan
barrier internal sehingga muatan mayoritas (tipe n) mampu untuk melewati daerah
sambungan pn yang ada. Beberapa hole dan elektron akan mengalami rekombinasi di daerah
sambungan sehingga arus mengalir melalui device dibawa oleh hole pada base(daerah tipe-p)
dan elektron pada emiter (daerah tipe-n ). Karena derajat doping pada emiter (daerah tipe n)
lebih besar daripada base (daerah tipe p), arus maju akan dibawa lebih banyak oleh elektron.
Aliran dari muatan minoritas akan mampu melewati sambungan pn sebagai kondisi reverse
bias tetapi pada skala yang kecil sehingga arus yang timbul pun sangat kecil dan dapat
diabaikan.
Elektron banyak mengalir dari emiter ke daerah base yang tipis. Karena daerah base
berdoping sedikit, elektron pada hole tidak dapat berekombinasi seluruhnya tetapi berdifusi
ke dalam daerah depletion BC. Karena base dicatu negatif dan kolektor dicatu positif (reverse
bias), maka depletion BC akan melebar. Pada daerah depletion BC, elektron yang mengalir
dari emiter ke base akan terpampat pada daerah depletion BC. Karena pada daerah kolektor
terdapat muatan minoritas (ion positif) maka pada daerah sambungan BC akan terbentuk
medan listrik oleh gaya tarik menarik antara ion positif dan ion negatif sehingga elektron
tertarik kedaerah kolektor. Arus listrik kemudian akan mengalir melalui device.

Gambar 4. Prinsip Kerja npn BJT

pengertian Uni Junction Transistor (UJT) dan Cara Kerjanya – Uni Junction Transistor
(UJT) atau dalam bahasa Indonesia sering disebut dengan Transistor Sambungan Tunggal
adalah Komponen Elektronika Aktif yang terbuat dari bahan semikonduktor, UJT memiliki
tiga terminal dan hanya memiliki satu sambungan. Pada umumnya UJT digunakan sebagai
Saklar Elektronik dan penghasil Isyarat Pulsa. Seperti namanya, Uni Junction Transistor atau
UJT juga digolongkan sebagai salah satu anggota dari keluarga Transistor, namun berbeda
dengan Transistor Bipolar pada umumnya, Uni Junction Transistor atau UJT ini tidak
memiliki Terminal/Elektroda Kolektor. UJT yang memiliki Tiga Terminal ini terdiri dari 1
Terminal Emitor (E) dan 2 Terminal Basis (B1 dan B2). Oleh karena itu, Transistor UJT ini
sering disebut juga dengan Dioda Berbasis Ganda (Double Base Diode).

Pengertian Uni Junction Transistor (UJT) dan Cara Kerjanya – Uni Junction Transistor
(UJT) atau dalam bahasa Indonesia sering disebut dengan Transistor Sambungan Tunggal
adalah Komponen Elektronika Aktif yang terbuat dari bahan semikonduktor, UJT memiliki
tiga terminal dan hanya memiliki satu sambungan. Pada umumnya UJT digunakan sebagai
Saklar Elektronik dan penghasil Isyarat Pulsa. Seperti namanya, Uni Junction Transistor atau
UJT juga digolongkan sebagai salah satu anggota dari keluarga Transistor, namun berbeda
dengan Transistor Bipolar pada umumnya, Uni Junction Transistor atau UJT ini tidak
memiliki Terminal/Elektroda Kolektor. UJT yang memiliki Tiga Terminal ini terdiri dari 1
Terminal Emitor (E) dan 2 Terminal Basis (B1 dan B2). Oleh karena itu, Transistor UJT ini
sering disebut juga dengan Dioda Berbasis Ganda (Double Base Diode).

Struktur Dasar Uni Junction Transistor (UJT)

Struktur dasar Uni Junction Transistor atau UJT dapat dilihat pada gambar dibawah ini. Pada
dasarnya UJT terdiri dari semikonduktor jenis Silikon yang bertipe N yang didoping ringan
dan sepotong Silikon bertipe P yang berukuran kecil dengan doping tinggi (berat) di satu
sisinya untuk menghasilkan sambungan tunggal P-N (P-N Junction). Sambungan Tunggal
inilah yang kemudian dijadikan terminologi UJT yaitu Uni Junction Transistor. Di kedua
ujung batang silikon yang bertipe N, terdapat dua kontak Ohmik yang membentuk terminal
B1 (Basis 1) dan (Basis 2). Daerah Semikonduktor yang bertipe P menjadi Terminal Emitor
(E) pada UJT tersebut.
Berikut ini adalah Bentuk dan Struktur dasar serta Simbol Uni Junction Transistor (Transistor
Sambungan Tunggal).

Cara Kerja Uni Junction Transistor (UJT)

Saat Tegangan diantara Emitor (E) dan Basis 1 (B1) adalah Nol, UJT tidak menghantarkan
arus listrik, Semikonduktor batang yang bertipe N akan berfungsi sebagai penghambat
(memiliki resistansi yang tinggi). Namun akan ada sedikit arus bocor yang mengalir karena
bias terbalik (reverse bias).

Pada saat tegangan di Emitor (E) dan Basis 1 (B1) dinaikan secara bertahap, resistansi
diantara Emitor dan Basis 1 akan berkurang dan arus terbalik (reverse current) juga akan
berkurang. Ketika Tegangan Emitor dinaikan hingga ke level bias maju, arus listrik di Emitor
akan mengalir. Hal ini dikarenakan Hole pada Semikonduktor yang di doping berat bertipe P
mulai memasuki daerah semikonduktor tipe N dan bergabung kembali dengan Elektron yang
di Batang Semikonduktor bertipe N (yang di doping ringan). Dengan demikian Uni Junction
Transistor atau UJT ini kemudian mulai menghantarkan arus listrik dari B2 ke B1

Aplikasi Uni Junction Transistor (UJT)

Pada umumnya Uni Junction Transistor atau UJT ini digunakan pada beberapa aplikasi
rangkaian elektronika seperti berikut ini :

 Osilator Relaksasi (Relaxation Oscillator).

 Rangkaian Saklar Elektronik.
 Sensor Magnetik flux.
 Rangkaian Pembatas Tegangan dan Arus listrik.
 Osilator Bistabil (Bistable oscillators).
  Rangkaian Regulator Tegangan dan Arus Listrik.
 Rangkaian Pengendali Fase (Phase control circuits).

Gate Turn Off Switch (GTO)

Perangkat Switching Semikonduktor PNPN daya empat lapisan yang dapat diaktifkan oleh
pulsa pendek arus gerbang dan dapat dimatikan oleh pulsa gerbang terbalik. Ditemukan Oleh
General Electric.

Varian dari bentuk Thyristor yang lebih standar. Gerbang yang digunakan untuk
mengaktifkan thyristor, dalam gerbang Turn-Off Thyristor, GTO, pulsa gerbang mematikan
perangkat.

Tipe khusus Thyristor, yang merupakan perangkat semikonduktor berkekuatan tinggi.

Dibandingkan dengan thyristor normal, Sakelar yang dapat dikontrol sepenuhnya yang
dinyalakan dan dimatikan oleh ketiga LEAD.
Memiliki karakteristik SCR dan Transistor, lebih unggul untuk aplikasi switching daya. GTO
mengalihkan arus DC tanpa komponen tambahan yang diperlukan SCR, sehingga
mengurangi biaya dan menurunkan kebisingan listrik dan elektromagnetik. Juga, GTO
mengunci atau mematikan dengan satu pulsa.

Meskipun Thyristor banyak digunakan dalam aplikasi daya tinggi, selalu menderita sebagai
perangkat semi-terkontrol. Meskipun bisa dinyalakan dengan menerapkan sinyal gerbang, itu
harus dimatikan dengan mengganggu arus utama menggunakan sirkuit pergantian.

Kasus rangkaian konversi DC ke DC dan DC ke AC, menjadi kekurangan serius dengan

thyristor karena tidak adanya arus nol alami (Dalam kasus sirkuit AC). Pengembangan
Gerbang Mematikan Thyristor (GTO) membahas masalah dari Thyristor dengan memastikan
mekanisme Turn OFF melalui terminal gerbang.
Untuk membantu proses Turn-Off, Thyristor GTO dibangun dari sejumlah besar (ratusan atau
ribuan) sel Thyristor kecil yang terhubung secara Paralel.

Dua jenis GTO terdiri dari

➤ Asimetris
➤ Simetris

GTO Asimetris:
Jenis GTO Asimetris adalah tipe yang paling umum di pasar.
Jenis GTO ini biasanya digunakan dengan diode anti-paralel.
Mereka tidak memiliki kemampuan pembalikan balik yang tinggi.
Mereka digunakan dalam Tegangan Konverter Tegangan.

GTO Simetris:
Jenis GTOs simetris memiliki kemampuan pemblokiran maju dan mundur yang
setara. Digunakan dalam Pengonversi Fed Terkini.

Turn-Off Current Gain

➤ Didefinisikan sebagai Rasio Anoda saat ini

Sebelum mematikan ke gerbang negatif saat ini diperlukan untuk mematikan. Biasanya
sangat rendah (4 atau 5).

➤ GTO rating 6000A membutuhkan pulsa arus gerbang 1500A.

Namun, durasi pulsa gerbang dan hilangnya daya karena pulsa gerbang kecil. Dapat dipasok
oleh MOSFET daya tegangan rendah.

➤ Gerbang ini mematikan kemampuan adalah menguntungkan

Karena memberikan peningkatan fleksibilitas dalam aplikasi sirkuit.
Menjadi mungkin untuk mengontrol daya di sirkuit DC tanpa menggunakan sirkuit
pergantian yang diuraikan.

Aplikasi GTO

D.digunakan dalam penggerak motor, kompensator VAR statis (SVC) dan catu daya AC /
DC dengan peringkat daya tinggi.

Keunggulan GTO
Tujuan desain perangkat GTO untuk mencapai waktu mematikan yang cepat dan kemampuan
mematikan arus yang tinggi dan untuk meningkatkan area operasi yang aman selama
mematikan.

Penghentian GTO terjadi dengan membuang lubang berlebih di daerah dasar katoda dengan
membalikkan arus melalui terminal gerbang. Bandingkan dengan BJT yang GTO memiliki
keuntungan sebagai berikut:

➥ Kemampuan tegangan pemblokiran tinggi

➥ Kemampuan tinggi saat ini
➥ Menunjukkan arus gerbang rendah
➥ Cepat dan Efisien
➥ Kemampuan dv / dt statis dan dinamis yang lebih baik

SCR
Pengertian dan Fungsi SCR, Serta Prinsip Kerjanya – Seperti yang telah kita ketahui
bersama bahwa ada banya sekali jenis komponen elektronika, dari komponen elektronika
aktif sampai komponen elektronika pasif. Dari banyaknya komponen tersebut, ada salah satu
komponen elektronika yang bernama SCR.

Ya, mungkin sebagian dari anda masih sedikit asing dengan nama komponen SCR. Memang
komponen yang satu ini bukan merupakan salah satu komponen elektronika dasar. Bagi anda
yang ingin tahu informasi mengenai apa itu SCR, apa saja fungsinya, dan bagaimana prinsip
kerjanya, langsung saja simak baik-baik ulasan dari belajarelektronika.net berikut ini.

Pengertian SCR
SCR adalah singkatan dari Silicon Controlled Rectifier yang merupakan salah satu jenis
dioda yang memiliki fungsi sebagai pengendali. Berbeda dari dioda pada umumnya yang
hanya memiliki dua kaki, yakni kaki anoda dan katoda, SCR ini memiliki tiga kaki.
Disamping anoda dan katoda, SCR memiliki sebuah kaki yang disebut terminal gate atau
gerbang.

Terminal tersebut berfungsi sebagai pengontrol. Perlu diketahui bahwa komponen SCR ini
masih masuk ke dalam keluarga komponen thyristor yang pertama kali diperkenalkan pada
tahun 1956. SCR memiliki kemampuan dapat mengendalikan daya maupun tegangan yang
cukup tinggi. Oleh sebab itu komponen ini biasa difungsikan sebagai sebuah switch tegangan
atau arus menengah ke atas.

Beberapa jenis rangkaian yang sering menggunakan komponen SCR diantaranya adalah
rangkaian logika, lampu dimmer, osilator, chopper, pengendali kecepatan motor, inverter,
timer, dan masih banyak lagi yang lainnya. SCR memiliki 4 lapis semikonduktor, yakni
Positif-Negatif-Positif-Negatif (PNPN). Cara kerja SCR tak berbeda dari dua buah bipolar
transistor yang disambung.

Karakteristik SCR (Silicon Controlled Rectifier)

Kurva tegangan dan arus dari sebuah SCR adalah seperti yang ada pada gambar berikut.

Karakteristik Arus Dan Tegangan SCR

Pada gambar tertera tegangan breakover Vbo, yang jika tegangan forward SCR mencapai titik
ini, maka SCR akan ON. Lebih penting lagi adalah arus Ig yang dapat menyebabkan tegangan
Vbo turun menjadi lebih kecil. Pada gambar ditunjukkan beberapa arus Ig dan korelasinya
terhadap tegangan breakover. Pada datasheet SCR, arus trigger gate ini sering ditulis dengan
notasi IGT (gate trigger current). Pada gambar ada ditunjukkan juga arus Ih yaitu arus holding
yang mempertahankan SCR tetap ON. Jadi agar SCR tetap ON maka arus forward dari anoda
menuju katoda harus berada di atas parameter ini.
Sejauh ini yang dikemukakan adalah bagaimana membuat SCR menjadi ON. Pada
kenyataannya, sekali SCR mencapai keadaan ON maka selamanya akan ON, walaupun
tegangan gate dilepas atau di short ke katoda. Satu-satunya cara untuk membuat SCR menjadi
OFF adalah dengan membuat arus anoda-katoda turun dibawah arus Ih (holding current).
Pada gambar-5 kurva I-V SCR, jika arus forward berada dibawah titik Ih, maka SCR kembali
pada keadaan OFF. Berapa besar arus holding ini, umumnya ada di dalam datasheet SCR.
Cara membuat SCR menjadi OFF tersebut adalah sama saja dengan menurunkan tegangan
anoda-katoda ke titik nol. Karena inilah SCR atau thyristor pada umumnya tidak cocok
digunakan untuk aplikasi DC. Komponen ini lebih banyak digunakan untuk aplikasi-aplikasi
tegangan AC, dimana SCR bisa OFF pada saat gelombang tegangan AC berada di titik nol.

Ada satu parameter penting lain dari SCR, yaitu VGT. Parameter ini adalah tegangan trigger
pada gate yang menyebabkab SCR ON. Kalau dilihat dari model thyristor seperti pada
gambar sebelumny diatas, tegangan ini adalah tegangan Vbe pada transistor Q2. VGT seperti
halnya Vbe, besarnya kira-kira 0.7 volt. Seperti contoh rangkaian gambar dibawah ini sebuah
SCR diketahui memiliki IGT = 10 mA dan VGT = 0.7 volt. Maka dapat dihitung tegangan
Vin yang diperlukan agar SCR ini ON adalah sebesar :
Vin = Vr + VGT
Vin = IGT(R) + VGT = 4.9 volt

Rangkaian Bias Tegangan SCR (Silicon Controlled Rectifier)

Fungsi SCR
Seperti yang telah dijelaskan tadi, bahwa komponen SCR memiliki fungsi sebagai pengendali
atau sebagai saklar (switch). Dalam sebuah rangkaian elektronika, komponen elektronika
dalam memutus dan menyambung arus serta tegangan listrik kelas menengah ke atas. Berikut
adalah lambang atau simbol dari komponen SCR.
Prinsip Kerja SCR
Perlu dipahami bahwa prinsip kerja dari komponen SCR sebenarnya tak berbeda dari
komponen dioda pada umumnya. Akan tetapi karena SCR memiliki 3 kaki, maka
perlakuannya juga sedikit berbeda. Agar dapat berkerja sebagaimana mestinya, kaki ketiga
(gate) dari komponen SCR ini memerlukan tegangan positif sebagai trigger atau pemicu.

Saat SCR dalam keadaan ON, maka seterusnya akan dalam keadaan ON walaupun tegangan
pemicu dilepas. Dan untuk mengembalikannya ke posisi OFF, arus maju pada anoda dan
katoda harus diturunkan sampai berada di posisi Ih (Holding Current) SCR. Perlu diketahui
bahwa masing-masing SCR memilik arus holding yang berbeda-beda.

MOSFET

ETIMOLOGI

Kata 'logam' pada nama yang sekarang digunakan sebenarnya merupakan nama yang salah
karena bahan gerbang yang dahulunya lapisan logam-oksida sekarang telah sering digantikan
dengan lapisan polisilikon (polikristalin silikon). Sebelumnya aluminium digunakan sebagai
bahan gerbang sampai pada tahun 1980 -an ketika polisilikon mulai dominan dengan
kemampuannya untuk membentuk gerbang menyesuai-sendiri. Walaupun demikian, gerbang
logam sekarang digunakan kembali karena sulit untuk meningkatkan kecepatan operasi
transistor tanpa pintu logam.
IGFET adalah peranti terkait, istilah lebih umum yang berarti transistor efek-medan
gerbang-terisolasi, dan hampir identik dengan MOSFET, meskipun dapat merujuk ke semua
FET dengan isolator gerbang yang bukan oksida. Beberapa menggunakan IGFET ketika
merujuk pada perangkat dengan gerbang polisilikon, tetapi kebanyakan masih menyebutnya
MOSFET.

KOMPOSISI

Biasanya bahan semikonduktor pilihan adalah silikon, tetapi beberapa produsen IC,
terutama IBM, mulai menggunakan campuran silikon dan germanium (SiGe) sebagai kanal
MOSFET. Sayangnya, banyak semikonduktor dengan karakteristik listrik yang lebih baik
daripada silikon, seperti galium arsenid (GaAs), tidak membentuk antarmuka semikonduktor-
ke-isolator yang baik sehingga tidak cocok untuk MOSFET. Hingga kini terus diadakan
penelitian untuk membuat isolator yang dapat diterima dengan baik untuk bahan
semikonduktor lainnya.

Untuk mengatasi peningkatan konsumsi daya akibat kebocoran arus gerbang, dielektrik κ
tinggi menggantikan silikon dioksida sebagai isolator gerbang, dan gerbang logam kembali
digunakan untuk menggantikan polisilikon[1].

Gerbang dipisahkan dari kanal oleh lapisan tipis isolator yang secara tradisional adalah
silicon dioksida, tetapi yang lebih maju menggunakan teknologi silicon oxynitride. Beberapa
perusahaan telah mulai memperkenalkan kombinasi dielektrik κ tinggi + gerbang logam di
teknologi 45 nanometer.

SIMBOL SIRKIT

Berbagai simbol digunakan untuk MOSFET. Desain dasar umumnya garis untuk saluran
dengan kaki sumber dan cerat meninggalkannya di setiap ujung dan membelok kembali
sejajar dengan kanal. Garis lain diambil sejajar dari kanal untuk gerbang. Kadang-kadang tiga
segmen garis digunakan untuk kanal peranti moda pengayaan dan garis lurus untuk moda
pemiskinan.

Sambungan badan jika ditampilkan digambar tersambung ke bagian tengan kanal dengan
panah yang menunjukkan PMOS atau NMOS. Panah selalu menunjuk dari P ke N, sehingga
NMOS (kanal-N dalam sumur-P atau substrat-P) memiliki panah yang menunjuk kedalam
(dari badan ke kanal). Jika badan terhubung ke sumber (seperti yang umumnya dilakukan)
kadang-kadang saluran badan dibelokkan untuk bertemu dengan sumber dan meninggalkan
transistor. Jika badan tidak ditampilkan (seperti yang sering terjadi pada desain IC desain
karena umumnya badan bersama) simbol inversi kadang-kadang digunakan untuk
menunjukkan PMOS, sebuah panah pada sumber dapat digunakan dengan cara yang sama
seperti transistor dwikutub (keluar untuk NMOS, masuk untuk PMOS).

Kanal-P

Kanal-N

JFET MOSFET pengayaan MOSFET pemiskinan

Untuk simbol yang memperlihatkan saluran badan, di sini dihubungkan internal ke sumber.
Ini adalah konfigurasi umum, tetapi tidak berarti hanya satu-satunya konfigurasi. Pada
dasarnya, MOSFET adalah peranti empat saluran, dan di sirkuit terpadu banyak MOSFET
yang berbagi sambungan badan, tidak harus terhubung dengan saluran sumber semua
transistor.

OPERASI MOSFET

Struktur Semikonduktor–Logam–Oksida

Struktur Semikonduktor–Logam–Oksida pada silikon tipe-P

Struktur semikonduktor–logam–oksida sederhana diperoleh dengan menumbuhkan selapis

oksida silikon di atas substrat silikon dan mengendapkan selapis logam atau silikon
polikristalin. Karena oksida silikon merupakan bahan dielektrik, struktur MOS serupa dengan
kondensator planar dengan salah satu elektrodenya digantikan dengan semikonduktor.

Ketika tegangan diterapkan membentangi struktur MOS, tegangan ini mengubah penyebaran
muatan dalam semikonduktor. Umpamakan sebuah semikonduktor tipe-p
(dengan NA merupakan kepadatan akseptor, p kepadatan lubang; p = NA pada badan netral),

sebuah tegangan positif dari gerbang ke badan membuat lapisan pemiskinan dengan
memaksa lubang bermuatan positif untuk menjauhi antarmuka gerbang-

isolator/semikonduktor, meninggalkan daerah bebas pembawa. Jika cukup tinggi,

kepadatan tinggi pembawa muatan negatif membentuk lapisan inversi dibawah antarmuka
antara semikonduktor dan isolator. Umumnya, tegangan gerbang dimana kepadatan elektron
pada lapisan inversi sama dengan kepadatan lubang pada badan disebut tegangan ambang.

Struktur badan tipe-p ini adalah konsep dasar dari MOSFET tipe-n, yang mana membutuhkan
penambahan daerah sumber dan cerat tipe-n.

Struktur MOSFET dan formasi kanal

Sebuah transistor efek-medan semikonduktor–logam–oksida (MOSFET) adalah berdasarkan

pada modulasi konsentrasi muatan oleh kapasitansi MOS di antara elektrode badan dan
elektrode gerbang yang terletak di atas badan dan diisolasikan dari semua daerah peranti
dengan sebuah lapisan dielektrik gerbang yang dalam MOSFET adalah sebuah oksida, seperti
silikon dioksida. Jika dielektriknya bukan merupakan oksida, peranti mungkin disebut
sebagai FET semikonduktor–logam–terisolasi (MOSFET) atau FET gerbang–terisolasi
(IGFET). MOSFET menyertakan dua saluran tambahan yaitu sumber dan cerat yang
disambungkan ke daerah dikotori berat tersendiri yang dipisahkan dari daerah badan. Daerah
tersebut dapat berupa tipe-p ataupun tipe-n, tetapi keduanya harus dari tipe yang sama, dan
berlawanan tipe dengan daerah badan. Daerah sumber dan cerat yang dikotori berat biasanya
ditandai dengan '+' setelah tipe pengotor. Sedangkan daerah yang dikotori ringan tidak
diberikan tanda.

Jika MOSFET adalah berupa salur-n atau NMOS FET, lalu sumber dan cerat adalah daerah
'n+' dan badan adalah daerah 'p'. Maka seperti yang dijelaskan di atas, dengan tegangan
gerbang yang cukup, di atas harga tegangan ambang, elektron dari sumber memasuki lapisan
inversi atau salur-n pada antarmuka antara daerah-p dengan oksida. Kanal yang menghantar
ini merentang di antara sumber dan cerat, dan arus dialirkan melalui kanal ini jika ada
tegangan yang dikenakan di antara sumber dan cerat.

Jika tegangan gerbang dibawah harga ambang, kanal kurang terpopulasi dan hanya sedikit
arus bocoran praambang yang dapat mengalir dari sumber ke cerat

MODA OPERASI
Operasi dari MOSFET dapat dibedakan menjadi tiga moda yang berbeda, bergantung pada
tegangan yang dikenakan pada saluran. Untuk mempermudah, perhitungan dibawah
merupakan perhitungan yang telah disederhanakan.

Moda Inversi Lemah

Disebut juga moda Titik-Potong atau Pra-Ambang, yaitu ketika VGS < Vth

dimata V_th adalah tegangan ambang peranti.

Berdasarkan model ambang dasar, transistor dimatikan dan tidak ada hantaran antara
sumber dan cerat. Namun pada kenyataannya, distribusi Boltzmann dari energi
elektron memungkinkan beberapa elektron berenergi tinggi pada sumber untuk
memasuki kanal dan mengalir ke cerat, menghasilan arus praambang yang merupakan
fungsi eksponensial terhadap tegangan gerbang–sumber. Walaupun arus antara cerat
dan sumber harusnya nol ketika transistor dimatikan, sebenarnya ada arus inversi-
lemah yang sering disebut sebagai bocoran praambang.
Pada inversi-lemah, arus berubah eksponensial terhadap panjar gerbang-ke-sumber V.

dimana ID0 = arus pada dan faktor landaian n didapat dari

dengan = kapasitansi dari lapisan pemiskinan dan = kapasitansi dari lapisan oksida.
Beberapa sirkuit daya-mikro didesain untuk mengambil keuntungan dari bocoran
praambang Dengan menggunakan daerah inversi-lemah, MOSFET pada sirkuit
tersebut memberikan perbandingan transkonduktansi terhadap arus yang tertinggi,
hampir seperti transistor dwikutub. Sayangnya lebar-jalur rendah dikarenakan arus
penggerak yang rendah.

Moda trioda

Disebut juga sebagai daerah linear (atau daerah Ohmik) yaitu ketika VGS > Vth dan VDS < (
VGS - Vth ).

Transistor dihidupkan dan sebuah kanal dibentuk yang memungkinkan arus untuk
mengalir di antara sumber dan cerat. MOSFET beroperasi seperti sebuah resistor,
dikendalikan oleh tegangan gerbang relatif terhadap baik tegangan sumber dan cerat.

Arus dari cerat ke sumber ditentukan oleh:

dimana adalah pergerakan efektif pembawa muatan, adalah lebar gerbana, adalah
panjang gerbang dan adalah kapasitansi oksida gerbang tiap unit luas. Transisi dari
 daerah eksponensial praambang ke daerah trioda tidak setajam seperti yang
diperlihatkan perhitungan.

Moda penjenuhan

Juga disebut dengan Moda Aktif

Ketika VGS > Vth dan VDS > ( VGS - Vth )

Transistor dihidupkan dan kanal dibentuk, memungkinkan arus untuk mengalir di
antara sumber dan cerat. Karena tegangan cerat lebih tinggi dari tegangan gerbang,
elektron menyebar dan penghantaran tidak melalui kanal sempit tetapi melalui kanal
yang jauh lebih lebar. Awal dari daerah kanal disebut penyempitan untuk
menunjukkan kurangnya daerah kanal didekat cerat. Arus cerat sekarang hanya
sedikit bergantung pada tegangan cerat dan dikendalikan terutama oleh tegangan
gerbang–sumber.

Faktor tambahan menyertakan λ, yaitu parameter modulasi panjang kanal, membuat

tegangan cerat mandiri terhadap arus, dikarenakan oleh adanya efek Early.

dimana kombinasi Vov = VGS - Vth dinamakan tegangan overdrive. Parameter penting

desain MOSFET adalah resistansi keluaran :

TRIAC, atau Triode for Alternating Current (Trioda untuk arus bolak-balik) adalah
sebuah komponen elektronik yang kira-kira ekivalen dengan 2 SCR yang
disambungkan antiparalel dan kaki gerbangnya disambungkan bersama. Nama resmi untuk
TRIAC adalah Bidirectional Triode Thyristor. Ini menunjukkan sakelar dwiarah yang dapat
mengalirkan arus listrik ke kedua arah ketika dipicu (dihidupkan). Ini dapat disulut baik
dengan tegangan positif ataupun negatif pada elektrode gerbang.

Hal-Hal Yang Perlu Diperhatikan Dalam Memilih Triac :

tegangan breakover maju dan mundur

arus maksimum ( IT maks)
arus genggam minimum (Ih min)
tegangan dan arus picu gate yang diperlukan
kecepatan pensaklaran
tegangan maksimum dV/dt
 tegangan blocking triac (VDRM)

Simbol dan Bentuk TRIAC

Kurva Grafik TRIAC:

Berikut ini adalah gambar kurva grafik dari komponen TRIAC.

Prinsip Kerja TRIAC

Triac akan tersambung (on) :

Ketika berada di quadran I yaitu saat arus positif kecil melewati terminal gate ke MT1,dan
polaritas MT2 lebih tinggi dari MT1, saat triac terhubung dan rangkaian gate tidak
memegang kendali, maka triac tetap tersambung selama polaritas MT2 tetap lebih tinggi dari
MT1 dan arus yang mengalir lebih besar dari arus genggamnya (holding current/Ih).

TRIAC juga akan tersambung saat arus negatif melewati terminal gate ke MT1,dan polaritas
MT1 lebih tinggi dari MT2, dan triac akan tetap terhubung walaupun rangkaian gate tidak
memegang kendali selama polaritas MT1 lebih tinggi dari MT2 dan arus yang mengalir lebih
besar dari arus genggamnya (holding current/Ih).

Selain dengan cara memberi pemicuan melalui teminal gate, triac juga dapat dibuat
tersambung (on) dengan cara memberikan tegangan yang tinggi sehingga melampaui
tegangan breakover-nya terhadap terminal MT1 dan MT2, namun cara ini tidak diizinkan
karena dapat menyebabkan triac akan rusak. Pada saat triac tersambung (on) maka tegangan
jatuh maju antara terminal MT1 dan MT2 sangatlah kecil yaitu berkisar antara 0.5 volt
sampai dengan 2 volt.

Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)

Transistor bipolar terisolasi-gerbang (IGBT) Perangkat semikonduktor daya tiga terminal

yang digunakan sebagai Sakelar Elektronik, saat dikembangkan, untuk menggabungkan
efisiensi tinggi dan peralihan cepat.
Terdiri dari empat lapisan bergantian (P-N-P-N) dikendalikan oleh Struktur Gerbang Logam-
Oksida-Semikonduktor (MOS) tanpa tindakan Regeneratif. Struktur IGBT secara topologi
sama dengan THYRISTOR (MOS Gate Thyristor), Thyristor ditekan dan transistor yang
diperbolehkan di rentang operasi.

Switch Daya Listrik di Aplikasi:

➤ Drive Frekuensi Variabel (VFDs)
➤ Mobil Listrik
➤ Kereta Api
➤ Pendingin Kecepatan Variabel
➤ Ballast Lampu Neon
➤ Air Conditioning
➤ Sistem Stereo dengan Switching Amplifier.

Struktur IGBT
IGBT, Perangkat yang relatif baru dalam elektronika daya, sebelum munculnya IGBT, Power
MOSFET dan Power BJT umum digunakan dalam aplikasi elektronik daya. Kedua perangkat
memiliki beberapa Kelebihan dan Kerugian.

Struktur IGBT sangat mirip dengan PMOSFET, kecuali satu lapisan yang dikenal sebagai
lapisan injeksi yang P+ tidak seperti N+ substrat di PMOSFET. Lapisan Injeksi, Kunci untuk
karakteristik unggul IGBT. Lapisan lain disebut Drift.
Memiliki karakteristik switching yang sangat baik, impedansi input yang tinggi, PMOSFET
yang dikontrol tegangan, juga memiliki karakteristik konduksi yang buruk dan Diode Parasit
yang bermasalah pada peringkat yang lebih tinggi.

Sifat PMOSFET Unipolar menyebabkan waktu switching rendah, juga Resistansi ON-
State yang tinggi saat rating voltase meningkat.

Konstruksi Dasar dari transistor gerbang bipolar yang terisolasi, Rangkaian driver IGBT
sederhana dirancang menggunakan PNP dan NPN Transistor, JFET, MOSFET. Transistor
JFET digunakan untuk menghubungkan Kolektor Transistor NPN ke Basis Transistor PNP.
Transistor menunjukkan Thyristor Parasit untuk menciptakan Loop Umpan Balik Negatif.

Resistor RB menunjukkan terminal BE dari transistor NPN untuk mengkonfirmasi bahwa

Thyristor tidak terkunci, mengarah ke gerendel IGBT. Transistor menunjukkan struktur arus
di antara dua sel IGBT yang berdekatan. Memungkin kan MOSFET dan mendukung
sebagian besar tegangan. Simbol sirkuit IGBT, yang berisi tiga terminal yaitu emitor, gerbang
dan kolektor.

IGBT terutama digunakan dalam aplikasi elektronika daya, seperti inverter, konverter dan
catu daya, adalah tuntutan perangkat switching solid state tidak sepenuhnya dipenuhi oleh
bipolar kekuasaan dan daya MOSFET.

Karakteristik IGBT

IGBT dapat digunakan dalam rangkaian penguat sinyal kecil sama seperti transistor tipe BJT
atau MOSFET. IGBT menggabungkan kerugian konduksi rendah BJT dengan kecepatan
switching yang tinggi, kekuatan MOSFET Saklar Solid State Optimal yang ideal digunakan
dalam aplikasi elektronika daya.

IGBT memiliki Resistansi "On-State" yang lebih rendah, Berarti I2R yang jatuh di struktur
output bipolar untuk arus switching yang diberikan jauh lebih rendah. Operasi pemblokiran
maju transistor IGBT identik dengan kekuatan MOSFET.
IGBT berubah "ON" atau "OFF" dengan mengaktifkan dan menonaktifkan terminal Gate-
nya. Menerapkan sinyal input tegangan positif melintasi Gerbang dan Emitor menjaga
perangkat dalam keadaan "AKTIF".

Membuat Sinyal Gerbang input Nol atau Negatif, akan menyebabkannya

menjadi "NONAKTIF" dengan cara yang sama seperti BJT atau MOSFET. Keuntungan
IGBT, memiliki hambatan saluran yang lebih rendah daripada MOSFET Standar.

Karakteristik Switching IGBT

Waktu Mengaktifkan t-on terdiri dari dua komponen

➤ Waktu Tunda (tdn)
Waktu di mana Arus Kolektor naik dari ICE arus bocor ke 0,1 IC (Arus kolektor akhir) dan
tegangan emitor kolektor jatuh dari VCE ke 0,9 VCE.
➤ Waktu Naik (tr)
Waktu di mana arus kolektor naik dari 0,1 IC ke IC
dan tegangan emitor kolektor turun dari 0,9 VCE ke 0,1 VCE.

Waktu Mematikan toff terdiri dari tiga komponen

➤ Waktu Tunda (tdf)
Waktu ketika arus kolektor jatuh dari IC ke 0,9 IC dan VCE mulai naik.
➤ Waktu Jatuh Awal (tf1)
Waktu di mana arus kolektor jatuh dari 0,9 IC ke 0,2 IC
dan tegangan emitor kolektor naik menjadi 0,1 VCE.
➤ Waktu Jatuhnya Akhir (tf2)
Waktu di mana arus kolektor jatuh dari 0,2 IC ke 0,1 IC
dan 0,1VCE naik ke nilai akhir VCE.

Keuntungan IGBT

Keuntungan utama menggunakan Insulated Gate Bipolar Transistor

atas jenis perangkat Transistor lainnya
➤ Kemampuan Tegangan Tinggi
➤ ON-Resistance Rendah
➤ Kecepatan Switching yang relatif cepat dan dikombinasikan dengan
Zero Gate Drive, menjadikannya pilihan untuk kecepatan sedang
➤ Aplikasi Tegangan Tnggi seperti Modulasi Lebar-Pulsa (PWM)
➤ Kontrol Kecepatan Variabel
➤ Pasokan Daya Mode-sSakelar atau Inverter DC-AC bertenaga surya
➤ Aplikasi Konverter Frekuensi yang beroperasi rentang ratusan Kilohertz.

Kesederhanaan yang didorong "ON" dengan menerapkan tegangan gerbang positif, atau
beralih "OFF" dengan sinyal gerbang nol atau sedikit negatif yang memungkinkan untuk
digunakan dalam berbagai aplikasi. Di wilayah Aktif Linier untuk digunakan dalam Power
Amplifier.

Ketahanan On-State yang rendah dan kerugian konduksi serta kemampuannya untuk beralih
tegangan tinggi pada frekuensi tinggi tanpa kerusakan membuat Insulated Gate Bipolar
Transistor ideal untuk menggerakkan beban induktif seperti Gulungan Kumparan,
Elektromagnet dan Motor DC.
 BAB III
PENUTUP
KESIMPULAN

Didalam makalah ini saya akan membahas beberapa komponen – komponen semikonduktor
diantaranya : dioda, BJT , UJT, GTO, SCR, TRIAC, MOSFET dan IGBTS

Beberapa yang akan saya bahas yaitu:

Dioda (Diode) adalah Komponen Elektronika Aktif yang terbuat dari bahan semikonduktor
dan mempunyai fungsi untuk menghantarkan arus listrik ke satu arah tetapi menghambat arus
listrik dari arah sebaliknya

Struktur Transistor

BJT (Bipolar Junction Transistor) tersusun atas tiga material semikonduktor terdoping

yang dipisahkan oleh dua sambungan pn.

Gate Turn Off Switch (GTO)

Perangkat Switching Semikonduktor PNPN daya empat lapisan yang dapat diaktifkan oleh
pulsa pendek arus gerbang dan dapat dimatikan oleh pulsa gerbang terbalik. Ditemukan Oleh
General Electric.
 DAFTAR PUSTAKA

http://karya-wahyu-siswanto.blogspot.com/2016/03/v-behaviorurldefaultvmlo.html

http://myelectronicnote.blogspot.com/2018/06/insulated-gate-bipolar-transistor-igbt.html

https://mikroavr.com/pengertian-mosfet-dan-manfaat-nya/

http://ten10kuntoro.blogspot.com/2015/03/padakesempatan-kali-ini-saya-ingin.html

https://zonaelektro.net/scr-silicon-controlled-rectifier/

http://myelectronicnote.blogspot.com/p/gate-turn-off-switch-gto.html