Praktikum Elektronika Analog

LAPORAN PRAKTIKUM
PERCOBAAN 14
KARAKTERISTIK SWITCHING TRANSISTOR

Disusun untuk Memenuhi Mata kuliah Elektronika Analog 1

Dibimbing oleh :

Elva Susianti, S.ST., M.T

Disusun oleh

Zulkifli
1920401418

POLITEKNIK CALTEX RIAU

PROGRAM RPL
JURUSAN TEKNIK ELEKTRONIKA
2019

1
 Praktikum Elektronika Analog
1

PERCOBAAN 14
KARAKTERISTIK SWITCHING TRANSISTOR

14.1 Tujuan
1. Memahami prinsip transistor sebagai piranti switching.
2. Memahami karakteristik switching transistor.

14.2 Dasar Teori

Transistor dapat dipakai sebagai switch (saklar), apabila dioperasikan pada dua daerah
operasi, yaitu cut off dan saturasi. Transistor berperilaku seperti switch dalam posisi OFF apabila
dioperasikan dalam daerah cut off, dan dalam posisi ON jika dioperasikan dalam daerah saturasi,
seperti yang ditunjukkan oleh Gambar 1.

VCC
VCC

Vin
0V

(a) (b)

Gambar 1 Transistor sebagai switch: (a) kondisi OFF; (b) kondisi ON

Transistor OFF
Pada Gambar 1a, tegangan input Vin = 0V, sehingga junction basis-emitter belum mengalami
forward bias. Oleh karena itu, transistor berada pada daerah cut-off. Pada kondisi ini, semua arus
pada transistor sangat kecil atau dengan kata lain arus-arus transistor mendekati nol.
Tegangan VCE pada rangkaian tersebut sama dengan tegangan VCC dikurangi tegangan jatuh
pada resistor RC.
V€E(cutoff) = V€€ − I€R€
Karena arus kolektor mendekati nol, tegangan jatuh pada resistor RC (IC RC) juga mendekati
nol. Sehingga tegangan kolektor-emitter:
𝑉CE(cutoff) ≅ 𝑉CC

Transistor ON
Pada Gambar 1b, junction basis-emitter diberi forward bias dan arus basis di desain cukup
besar untuk menjadikan arus kolektor mencapai nilai saturasiya. Sehingga transistor berada pada
daerah saturasi. Tegangan kolektor-emitter saturasi sangat kecil atau mendekati nol atau seolah-olah
abtara kolektor-emitter seperti switch dalam keadaan ON (Switch tertutup). Tegangan jatuh pada
resistor RC akan sama dengan VCC.

𝐼C(cat) 𝑉CC
𝑅C = sehingga: 𝐼C(cat)

2
 Praktikum Elektronika Analog
1
R C
VCC
=
Besar arus basis, IB minimum untuk mengkondisikan trasistor ke daerah saturasi dihitung
dengan persamaan
I
IB(min)  C(sat )
dc

dalam disain, biasanya digunakan IB yang lebih besar daripada IB(min) dengan faktor 2 hingga
10 yang disebut overdrive factor.
Diantara karakteristik penting dari switching transistor adalah kecepatan transisi kondisi
transistor dari OFF ke ON dan sebaliknya. Kecepatan transisi ini dalam datasheet dinyatakan dengan
waktu, diantaranya turn-on time (ton) dan turn-off time (toff). Semakin kecil waktunya, artinya
semakin cepat perubahan transisi kondisi transistor. Semakin cepat transisinya, maka transistor dapat
digunakan pada rangkaian digital dengan frekuensi clock yang lebih tinggi.
14.3 Komponen dan Peralatan
1. DC power supply 1 buah
2. Osiloskop 1 buah
3. Function Generator 1 buah
4. Project board 1 buah
5. Transistor 2N3904 1 buah
6. Resistor 1 K/0,5 Watt 1 buah
7. Resistor 6,8 K/0,5 Watt 1 buah
8. Kapasitor 1 uF/16 V 1 buah
9. Kabel jumper secukupnya
10. Kertas milimeter blok secukupnya

3
14.4 Diagram Rangkaian

Functi R VC
on E RL
B
Gen.

VCC

Gambar 14.2 Rangkaian percobaan karakteristik switching transistor

RL

C
VCC
VC
Func R E
tion B
Gen.

Gambar 24.3 Rangkaian percobaan perbaikan karakteristik switching transistor

14.5 Prosedur Percobaan

Pengamatan respon pulsa dengan

1. Buatlah rangkaian seperti Gambar , dengan RL = 1 K, RB = 6.8 K, dan VCC = 12 V.
Gunakan datasheet pada lampiran buku ini untuk mengidentifikasi kaki-kaki transistor.
2. Lakukan kalibrasi pada osiloskop yang akan anda gunakan.
3. Atur setting function generator dengan input pulsa 2Vpp dan ferkuensi 1 KHz.
4. Hubungkan terminal input dengan function generator
5. Amati respon pulsa dengan Osciloskop pada terminal VCE. Atur Volt/Div dan Time/Div
osiloskop sehingga respon pulsa tergambar dengan baik pada layar osiloskop.
6. Gambarkan pulsa input (function generator) dan output (VCE) pada kerta millimeter blok.
7. Tuliskan Volt/Div dan Time/Div untuk setiap gambar.
8. Ubahlah frekuensi input pulsa (10 KHz, 100 KHz) dan gambarkan.
9. Ulangi langkah percobaan diatas dengan V CC = 5 V.
Memperbaiki respon pulsa
1. Tambahkan kapasitor C= 1F/16V pada rangkaian percobaan switching transistor sehingga
rangkaian menjadi seperti pada Gambar 2.
2. Atur VCC = 12 V.
3. Amati respon pulsa dengan osciloskop pada terminal V CE. Atur Volt/Div dan Time/Div
osiloskop sehingga respon pulsa tergambar dengan baik pada layar osiloskop.
4. Gambarkan pulsa input (function generator) dan output (VCE) pada kerta millimeter blok.
5. Tuliskan Volt/Div dan Time/Div untuk setiap gambar.
6. Ubahlah frekuensi input pulsa (10 KHz, 100 KHz) dan gambarkan.
7. Ulangi langkah percobaan diatas dengan V CC = 5 V.

14.6 Data Hasil Percobaan

 Gambar
Frekuensi VCC Output VCE (Merah)
Sinyal Input (Biru)
12V

1hz

10hz
100hz

1hz 5V
10hz

100hz
 Gambar
Frekuensi VCC Output VCE (Merah)
Sinyal Input (Biru)
1hz 12V
10hz

100hz
 5V

1hz

10hz
100hz

14.7 Panduan Analisa

1. Amati apa yang terjadi pada bentuk sinyal respon pulsa VCE ketika frekuensi pulsa diperbesar!
Ketika frekuensi sinyal diperbesar dengan tegangan Vce tetap, maka pulsa yang terjadi dalam
suatu periode tertentu akan semakin banyak. Karena tegangan Vce tidak berubah, besarnya
tegangan Vce yang terjadi di setiap pulsa adalah tetap. Hal ini sesuai dengan definisi dari
frekuensi itu sendiri yaitu jumlah pulsa yang terjadi pada periode 1 detik. Dengan menaikkan
jumlah frekuensi maka sinyal respon pulsa yang terjadi akan semakin banyak.

2. Bagaimana pengaruh besar tegangan VCC terhadap respon pulsa?

Pembesaran nilai Vce tidak mempengaruhi jumlah pulsa frekuensi yang terjadi. Pembesaran
nilai Vce hanya mempengaruhi tegangan maximum yang terjadi tanpa merubah besarnya
frekuensi atau pulsa.

3. Amati apa yang terjadi pada bentuk sinyal respon pulsa V CE ketika ditambahkan kapasitor
parallel dengan RB!
Dengan merubah nilai kapasitor paralel pada rangkaian akan mempengaruhi besar frekuensi
dan pulsa yang terjadi. Dengan nilai frekuensi pembangkit dan tegangan Vce tetap, semakin
besar nilai kapasitor pulsa atau frekuensi yang terjadi akan semakin kecil. Begitu pula
sebaliknya, semakin kecil nilai kapasitor maka frekuensi yang terjadi akan semakin besar.