Deposisi Fisika Upd PDF
Deposisi Fisika Upd PDF
Sc
1
Deposisi Fisika
2
3
• Proses Electroplatting :
https://www.youtube.com/watch?v=Lbpwoc
W8Rgw
4
Deposisi Fisika – Physical Vapour
Deposition (PVD)
• PVD pada dasarnya adalah teknik coating (pelapisan) dengan
menguapkan material. Melibatkan proses perpindahan material di
skala atom
• 2 model Deposisi Fisika ini :
– Evaporasi
– Sputtering
• PVD adalah proses dimana lapisan tipis film dideposisikan pada
substrate dengan langkah berikut :
– Material yang dideposisikan dirubah kedalam wujud uap secara fisis
– Uap berpindah melewati area bertekanan rendah dari sumbernya ke
substrate
– Uap terkondensasi pada substrate untuk membentuk lapisan film tipis
5
Dasar Evaporasi
• Film tipis dapat di-deposisi-kan (ditambahkan)
dengan memanaskan material film sehingga
menyebabkan Evaporasi.
• Jika material film dipanaskan dalam wadah
hampa udara, atom atau molekul yang diuapkan
akan menuju substrate tanpa mengalami
tubrukan dengan molekul gas yang lain.
• Evaporasi digunakan untuk mendeposisi
Aluminium (Al)) dan lapisan film metal lain dalam
fabrikasi mikroelektronik
6
Teori Kinetik Gas
P= Pressure
• PV = NAVkT
V=Volume
T=Temperature
• Konsentrasi molekul k= Konstanta Boltzmann
gas, n, yaitu : NAV= Bilangan Avogadro
= 6.02 x 10-23
molecules/mol
n = NAV / V = P/kT
7
Mean Free Path, λ
• d = diameter
molekul
8
Evaporasi
9
1) Evaporasi Filamen
TM = 3422 C
10
Evaporasi Filamen(2)
• Meskipun mudah dalam set up dalam sistem-
nya, kontaminasinya tinggi, terutama dari
material filamen.
• Campuran material sulit dikontrol jika
menggunakan evaporasi filamen.
– Material dengan titik didih terendah akan
menguap terlebih dahulu, dan akan menghasilkan
komposisi yang berbeda
11
Electron Beam Evaporation
• Animasi :
https://www.youtube.com/watch?v=ZN7NZYX
GSbk
12
PROS CONS
1. Film dapat dideposisikan dengan rate 1. Tidak terkontrolnya secara akurat
yang tinggi (contoh : 0.5 um /min, for komposisi campuran logam dibanding
Al) dengan metode Sputtering
2. Energi rendah yang menyebabkan 2. Pembersihan in-situ dari permukaan
material metal terlepas ke subtrate substrate adalah tidak
(~0.1 eV) , sehingga tak merusak memungkinkandengan evaporasi,
permukaan substrate melainkan dengan sputtering
3. Dikarenakan kondisi vakum (hampa) 3. Menggunakan Sputtering system,
yang tinggi, sehingga melibatkan dapat memperbaiki step coverage
sedikit gas residu. Film yang
terdeposisi semurni material
sumbernya.
4. Panas yang tak sengaja terkena pada
substrate berasal dari kondensasi
panas lapisan film, dan dari radiasi
panas sumber panas.
13
Step Coverage
14
Sputtering
• Melepaskan atom dari target material dengan transfer momentum dari ion yang terakselerasi
• Animasi : https://www.youtube.com/watch?v=mE0l8hHjpXg
15
16
Keuntungan :
• Bukan metode directional
– Dapat melapisi dibagian sekitar tepi (step
coverage)
• Dapat memproses logam campuran
– Tidak membutuhan temperatur tinggi
• Dapat melapisi bidang luas secara lebih
uniform
17