PRAKTIKUM DASAR ELEKTRONIKA

UNIT 3
TRANSISTOR SEBAGAI SWITCH
LABORATORIUM DASAR ELEKTRO

SITI NURFIA BAHARANI

3332190006
DASEL-21

JURUSAN TEKNIK ELEKTRO

FAKULTAS TEKNIK
UNIVERSITAS SULTAN AGENG TIRTAYASA
2020
 BAB I
METODOLOGI PERCOBAAN

1.1 ProsedurPercobaan
1. Menyambungkan rangkain seperti gambar1.1

2. Memberikan gelombang kotak 5Vpp frekuensi 1kHz

3. Mengamati gelombang pada collector dan base, membuat plot
 BAB II
TUGAS

2.1 Tugas pendahuluan

1. Sebutkan tujuan unit 3!
Jawab: Tujuan dari unit 3 yaitu untuk merancang transistor yang
digunakan untuk bertindak sebagai switch.
2. Jelaskan region kerja resistor sebagai switch
Jawab = region cutt-off, saturation, region-on
Region cutt-off itu adalah open circuit dan daerah yang tidak ada arus
yang lewat, dan juga Karena arusnya yang kecil, dengan otomatis tidak
ada arus yang lewat. Dan yang mengalir pada tegangan yaitu pada
emitor dan kolektor sama dengan Vcc, karena tidak ada arus yang
mengalir. Dan sturation adalah intinya tegangan emitor dan kolektor
mendekati nol (0), dan daerah aktif inilah yang biasanya sebagai
penguat sinyak
3. Tentukan arus min untuk keadaan ON jika transistor silicon memiliki
β=200, Ic= 10mA, Vin= 5 V!

Jawab:

Ic 10 mA
Ib = = = 5μA
β 200

Vin 5 V
Rb= = = 10−6 Ω
Ib 5 μA

Transistor Silikon Vbe = 0,7

(Vin−Vbe) (5−0,7)
Ib= = = 4,3 μA
Rb 10−6

4. Jelaskan perbedaan transistor NPN dan PNP!

Transistor NPN mengalirkan arus negatif dari emitor menuju ke
kolektor. Emitor berperan sebagai input dan kolektor berperan sebagai
output apabila transistor tersebut diberikan arus positif pada basisnya.
 Sebaliknya transistor PNP mengalirkan arus positif dari emitor menuju
kolektor.

2.2 Tugas unit

1. Bedakan antara dioda dan transistor sebagai switch

Jawab:
fungsi transistor adalah sebagai saklar yaitu bila berada
pada dua daerah kerjanya yaitu daerah jenuh (saturasi) dan
daerah mati (cut-off). Transistor akan mengalami perubahan
kondisi dari menyumbat ke jenuh dan sebaliknya. Transistor dalam
keadaan menyumbat dapat dianalogikan sebagai saklar dalam
keadaan terbuka, sedangkan dalam keadaan jenuh seperti saklar
yang menutup.[2] Cara kerja dioda dapat digambarkan seperti
sebuah saklar/switch, ketika dioda diberi tegangan positif pada
anoda dan tegangan negatif pada katoda (forward bias), maka
dioda bekerja seperti saklar tertutup (ON), arus akan mengalir
melewati dioda. Namun jika tegangan negatif diberikan pada anoda
dan tegangan positif diberikan pada katoda (reverse bias), maka ini
seperti saklar terbuka (OFF) dan arus tidak bisa melewati dioda
2. Sebutkan nilai tipikal VBEsat, VCEsat untuk Si maupun Ge
transistor Jawab:
Tegangan jenuh collector - emitter, VCEsat untuk transistor
silikon adalah 0,2 Volt, sedangkan untuk transistor germanium
adalah 0,1 Volt. Pada titik cut off tidak ada arus yang mengalir dari
collector ke emitter.

3. Definisikan ON time, OFF time dari

transistor Jawab:
ON time merupakan daerah jenuh (saturasi) adalah keadaan
dimana transistor mengalirkan arus secara maksimum dari collector
ke emitter
 sehingga transistor tersebut seolah-olah short pada hubungan
collcetor - emitter. Pada daerah ini transistor dikatakan menghantar
maksimum.
OFF time merupakan daerah cut-off sering dinamakan sebagai
daerah mati karena pada daerah kerja ini transistor tidak dapat
mengalirkan arus dari collector ke emitter.[2]

4. Pada region mana transistor bertindak sebagai

switch? Jawab:
Pada daerah saturasi transistor dapat dianalogikan sebagai saklar tertutup
pada hubungan collector – emitter. Sedangkan Cut-Off yang dimaksud
yaitu keadaan dimana transistor menyumbat pada hubungan collector –
emitter.
Daerah cut-off sering dinamakan daerah mati karena pada daerah kerja ini
transistor tidak dapat mengalirkan arus dari collector ke emiiter. Pada
daerah cut-off transistor dapat dianalogikan sebagai saklar terbuka pada
hubungan collector – emitter.[2]
Transistor pada region saturasi dan cut-off bertindak sebagai switch.
Saturasi yang dimaksud yaitu keadaan dimana transistor mengalirkan arus
secara maksimum dari collector ke emitter sehingga transistor tersebut
seolah-olah short pada hubungan collector – emiiter. Saturasi terjadi saat
tegangan VCE = 0, artinya tidak ada jatuh tegangan yang terjadi di V CE,
atau dengan kata lain IC mendapatkan hasil maksimum.

5. Jelaskan fenomena “latching” pada suatu switch

transistor Jawab:
Dasar latching merupakan dua buah transistor dari tipe PNP
dan NPN dikatakan komplemen jika mempunyai karakteristik yang
serupa.
 Gambar 2.1 Rangkaian Cascade

gambar diatas memperlihatkan bahwa cara menghubungkan

transistor yang komplementer tadi sedemikian rupa sehingga
membentuk rangkaian Cascade. Dan Rangkaian ini bila diberi catu
daya sedemikian rupa, dan dimana basis dalam keadaan terbuka
serta dengan suatu kancing (latch). Dalam keadaan demikian ini
transistor tidak bekerja (cut-off), atau sama saja dengan switch
dalam keadaan terbuka. Dengan mengabaikan arus bocor, maka
dapat dikatakan IC = 0. Salah satu cara guna menutup latch ini
adalah dengan sistem penyulutan (triggering) pada elektroda basis
dari salah satu transistor tersebut. Misal trigger positif diberikan
pada basis dari Q2 ini berarti emitter basis Q2 memperoleh
forward bias dan Q2 mulai menghantar. Karena kolektor Q2
dihubungkan langsung dengan basis Q1 maka Q1 memperoleh
input dan selanjutnya akan memberikan penguatan sehingga timbul
IC pada Q1 dan arus ini merupakan input bagi Q2 dan akan
diperkuat lagi oleh Q2 tersebut.
Proses penguatan ini berlangsung terus sehingga transistor-
transistor tersebut mencapai keadaan saturasi, dan dalam keadaan
saturasi ini transistor akan merupakan rangkaian hubung singkat
sehingga tegangan pada latch akan sama dengan nol dan arus yang
mengalir adalah:
 Guna menutup latch tersebut dapat juga dilakukan dengan
memberi trigger negatif pada basis Q1 yang mana akan
menyebabkan forward bias pada Q1.
 Cara lain adalah dengan memberi tegangan UCC sedemikian
besar sehingga melampaui tegangan break-down dari dioda kolektor
salah satu dari transistor tersebut. Dengan terjadinya break-down ini,
maka timbul kolektor yang akan diterima basis transistor berikutnya
dan diperkuat dan cara ini disebut sebagai “Break Over System”.[3]
6. Definisikan Rise time dan Fall time
Jawab:
Rise time (tr) didefinisikan sebagai waktu yang diperlukan
untuk berubah dari 10% VDD ke 90% VDD (waktu perubahan sinyal
(durasi) dari sinyal rendah ke sinyal tinggi) untuk gerbang dengan
tegangan “LOW” 0V dan tegangan “HIGH” VDD.
Fall time (tf) didefinisikan sebagai waktu yang dibutuhkan
untuk berubah dari 90% VDD ke 10% VDD. Fall Time adalah waktu
perubahan sinyal (durasi) dari sinyal tinggi ke sinyal rendah,
contohnya perubahan dari 5V ke 0V.[4]
 BAB III
ANALISIS

5. Analisa Percobaan
pada analisa percobaan ini menggunakan bipolar junction transistor (BJT),
dimana pada dasarnya transistor memiliki dua tipe yaitu yang satu bipolar
junction transistor (BJT) dan Field-Effect Transistor (FET). Dan transistor
sendirir adalah komponen semikonduktor yang digunakan sebagai penguat,
sirkuit pemutus dan oenyambung (switching), stabilitas tegangan, modulasi
sinyal, dan rangkaian yang digunakan pada praktikum ini seperti dibawah

ini.

Gambar 3.1 Transistor sebagai switch [1]

Dan dari rangkaian diatas transistor sebagai switch maka gambar grafik base
dan collector yang didapatkan adalah.

Gambar 3.2 Grafik sinyal di base dan collector saat saklar dinonaktifkan
 Gambar 3.3 Grafik sinyal di base saat saklar dinonaktifkan

Gamabr 3.4 Grafik sinyal di collector saat saklar dinonaktifkan

Gambar 3.5 Grafik sinyal di base dan collector saat saklar diaktifkan
 Gambar 3.6 Grafik sinyal di base saat saklar diaktifkan

Gambar 3.7 Grafik sinyal di collector saat saklar diaktifkan

Saat grafik base dan collector pada transistor pada saat keadaan saturasi.
Saturasi yang dimaksud yaitu keadaan dimana transistor mengalirkan arus
secara maksimum dari collector ke emitter sehingga transistor tersebut
seolah-olah short pada hubungan collector – emiiter. Saturasi terjadi saat
tegangan VCE = 0, artinya tidak ada jatuh tegangan yang terjadi di VCE, atau
dengan kata lain IC mendapatkan hasil maksimum. Pada daerah saturasi
transistor dapat dianalogikan sebagai saklar tertutup pada hubungan
collector – emitter. grafik base dan collector pada transistor pada saat
keadaan cut-off. Cut-Off yang dimaksud yaitu keadaan dimana transistor
menyumbat pada hubungan collector – emitter. Daerah cut-off sering
dinamakan daerah mati karena pada daerah kerja ini transistor tidak dapat
mengalirkan arus dari collector ke emiiter. Pada daerah cut-off transistor
dapat dianalogikan sebagai saklar terbuka pada hubungan collector –
 emitter.
BAB IV
PENUTUP

4.1 Kesimpulan
Kesimpulannya selain dapat memahami dan mengerti omp tak
membalik, dan mengetahui daerah daerah pada transistor, baik itu daerah
cut-off, saturasi, dan juga aktif. Dan juga cara kerja pada masing-masing
daerah pada transistor.
 DAFTAR PUSTAKA

[1] Tim Asisten Laboratorium Dasar Elektro. 2020. Modul Praktikum Dasar
Elektronika. Cilegon: Laboratorium Dasar Elektro Jurusan Teknik Elektro
FT UNTIRTA
[2] Elektronika, Teknik. (2013). Pengertian Osiloskop Spesifikasi Penentu
Kinerjanya. Tersedia dari:
http://teknikelektronika.com/pengertian-osiloskop-spesifikasi-
penentu- kinerjanya/ [URL dikunjungi pada 20september 2020]
[3] Wikipedia. Transistor. Tersedia dari:
https://id.m.wikipedia.org/wiki/Transistor
[URLdikunjungipada21 september 2020]