MAKALAH

CACAT TITIK, PENGISIAN, DAN DIFUSI

Disusun untuk Memenuhi Tugas Mata Kuliah Komposit dan Keramik

Dosen Pengampu : Dr. Heru Harsono, M.Si.

Disusun Oleh :
1. Muhammad Iqbal Hilmy Izzulhaq
2. Ina Sukmawati
3. Yoga Adi Tandanu
4. Saidatul Rindiani Pratama Putri

Kelompok IV
PROGAM STUDI : S1 FISIKA

JURUSAN FISIKA
FAKULTAS MIPA
UNIVERSITAS BRAWIJAYA
MALANG
2021
 KATA PENGANTAR

Puji syukur kepada Allah SWT atas berkat dan rahmat-Nya makalah ini
dapat diselesaikan dengan baik. Makalah ini disusun untuk memenuhi tugas
kelompok mata kuliah Komposit dan Keramik. Pada makalah ini diberi judul Cacat
Titik, Pengisian, dan Difusi
Kami mengucapkan terima kasih kepada semua pihak yang telah
membantu, khususnya dosen pengampu mata kuliah Komposit dan Keramik yang
telah memberikan bimbingan selama ini sehingga makalah ini tersususn dengan
baik. Kami berharap makalah ini dapat bermanfaat bagi para pembaca tanpa
terkecuali.
Kami menyadari bahwa penyusunan makalah ini masih jauh dari kata
sempurna. Oleh karena itu, kami mohon maaf apabila terdapat kesalahan dalam
penulisan makalah ini. Kami berharap kritik dan saran dari semua pihak yang
bersifat membangun demi kesempurnaan makalah ini selanjutnya.

Malang, 11 Maret 2021

Penyusun

ii
 DAFTAR ISI

KATA PENGANTAR ....................................................................................................... ii

DAFTAR ISI..................................................................................................................... iii
BAB I .................................................................................................................................. 1
PENDAHULUAN ............................................................................................................. 1
1.1 Latar Belakang ........................................................................................................ 1
1.2 Rumusan Masalah .................................................................................................. 1
1.3 Tujuan ...................................................................................................................... 1
BAB II ................................................................................................................................ 2
PEMBAHASAN ................................................................................................................ 2
2.1 Perbedaan Cacat pada Keramik ........................................................................... 2
2.2 Jenis Cacat Titik ..................................................................................................... 2
2.3 Hal yang Spesial dari Keramik .............................................................................. 5
2.4 Jenis Cacat yang Terbentuk................................................................................... 6
2.5 Kesetimbangan Cacat Konsentrasi ....................................................................... 6
2.6 Persamaan untuk Titik Cacat .............................................................................. 11
2.7 Solusi Solid............................................................................................................. 11
2.8 Asosiasi Cacat Poin ............................................................................................... 11
2.9 Pusat Warna .......................................................................................................... 12
2.10 Membuat Cacat Titik pada Keramik ................................................................ 13
2.11 Studi Eksperimental Cacat Titik ....................................................................... 14
2.12 Difusi .................................................................................................................... 14
2.13 Pergerakan Cacat................................................................................................ 21
2.14 Difusi dan Konduktivitas Ionik ......................................................................... 21
2.15 Computing ........................................................................................................... 24
BAB III............................................................................................................................. 26
PENUTUP ........................................................................................................................ 26
3.1 Kesimpulan ............................................................................................................ 26
3.2 Saran ...................................................................................................................... 26
DAFTAR PUSTAKA ...................................................................................................... 27

iii
 BAB I

PENDAHULUAN
1.1 Latar Belakang
Cacat titik merupakan salah satu jenis cacat yang ditinjau dari bentuk
geometrinya. Cacat titik sangat penting untuk dipelajari. Hal itu disebabkan pada
cacat titik suatu material akan menentukan properti/kekayaan yang terdapat pada
material tersebut. Istilah cacat titik dapat digunakan untuk mendefinisikan bahwa
terjadi kekosongan (vacancy) akibat hilangnya suatu atom dari kristal. Cacat titik
ini merupakan suatu hasil dari penumpukan yang salah saat kristalisasi atau pada
suhu yang tinggi sehingga terjadi sebuah kecacatan pada material.
Untuk menentukan suatu cacat titik pada kristal maka hal yang harus
diperhatikan adalah mengetahui struktur dari kristal tersebut. Hal itu disebabkan
tidak semua kristal mempunyai struktur yang sama. Seperti pada industri
semikonduktor harus diketahui terlebih dahulu struktur dari Si. Apakah tipe-n, tipe-
p, atau semi-isolasi. Hal itu akan menentukan sifat dari semikonduktor tersebut
yaitu sifat elektrik. Kekosongan menyediakan jalur konduksi ion dengan cepat. CZ
adalah salah satu jenis kubik yang mempunyai cacat titik. Cacat titik tersebut yang
menstabilkan struktur permukaan kubik.
1.2 Rumusan Masalah
1. Apa saja jenis cacat titik yang mungkin terjadi?
2. Berapa banyak cacat titik yang dapat terjadi?
3. Bagaimana cacat titik tersebut dapat terjadi?
4. Bagaimana mekanisme kekosongan pada suatu atom?
5. Bagaimana mekanisme terbentuknya difusi?
1.3 Tujuan
1. Untuk mengetahui jenis cacat titik yang mungkin terjadi.
2. Untuk mengetahui jumlah cacat titik yang dapat terjadi.
3. Untuk mengetahui pembentukan cacat titik.
4. Untuk mengetahui mekanisme kekosongan pada suatu atom.
5. Untuk mengetahui mekanisme terbentuknya difusi.

1
 BAB II

PEMBAHASAN
2.1 Perbedaan Cacat pada Keramik
Sampai sekarang kita menganggap bahwa struktur ideal suatu kristal adalah
ketika setiap atom atau ion terletak pada posisi regular pada kristal. Kristal sejati
mengandung berbagai ketidaksempurnaan atau cacat. Dalam keramik dan gelas
kristal, struktur dan sifat kimia bahan dapat ditentukan oleh kinetika dari
pergerakan cacat. Sebagai contoh, kinetika dari transformasi suatu gelas ke kristal
akan lambat apabila temperaturnya rendah (umumnya kurang dari 1000 derajat
celcius) karena tranformasi timbul oleh pergerakan atom dalam keramik, ini biasa
terjadi karena cacat titik bergerak. Jika cacat titik bergerak terlalu lambat, struktur
dengan energi terendah (struktur kesetimbangan) mungkin tidak akan pernah benar-
benar tercapai. Kecepatan mereka bergerak ditentukan oleh strukturnya. Kelebihan
dari keramik adalah mereka memiliki cacat muatan dimana logam tidak.
Pembuatan keramik biasanya mencoba untuk menghilangkan pori pori dan
kekosongan selama sintering karena mereka melemahkan hasil akhir dari material.
Meskipun mereka pada umumnya masih melakukannya, kita sekarang juga sangat
tertarik dengan keramik yang sangat berpori karena bahan tersebut dapat memiliki
luas permukaan yang sangat besar mungkin penting dalam aplikasinya sebagai
katalis, katalis mendukung, atau filter. Dalam bab ini kita berkonsentrasi pada poin
cacat, tetapi ingat bahwa mereka berhubungan dengan yang lainnya cacat pada
keramik dan keunggulan mereka adalah mereka menentukan banyak properti
penting.
2.2 Jenis Cacat Titik
Cacat sering diklasifikasikan dalam bentuk dimensionalitas. Hal ini dikenal
dengan hirearki cacat. Diberikan pada tabel 1, dimana semua cacat ini 3 dimensi.

Tabel 1. Hierarki cacat

2
• Kekosongan: jika atom tidak ada di tempat yang harus ditempati oleh
kristal yang sempurna maka ada kekosongan terletak di posisi itu. Cacat
Schottky adalah sekumpulan kekosongan yang dibuat dengan membuang
satu atom untuk setiap atom di dalamnya rumus kimianya. Jadi, dalam
kristal stoikiometri seperti MgO, terdapat sepasang kekosongan, satu di
Mg subkisi dan satu di O subkisi Di spinel, cacat Schottky terdiri dari tujuh
kekosongan
• Pengantara: jika sebuah atom muncul pada tiap tempat yang seharunya
dikosongi pada kristal yang sempurna, maka atom tersebut merupakan
pengantara. Cacat Frenkel merupakan gabungan kekosongan dan
pengantara yang terbentuk akibat penghapusan suatu atom dari tempatnya
pada struktur kristal dan meposisikannya ke celah. Sebagai contoh Cacat
frenkel yang terbentuk dalam AgBr yang mengandung yodium sangat
penting untuk proses grafik foto.
• Atom salah tempat: Jika atom ada di posisi kristal yang harus ditempati
oleh atom yang berbeda, atom itu adalah atom yang salah tempat dan dapat
disebut antisite cacat. Cacat antisite biasanya terbentuk pada keramik
kovalen seperti AlN dan SiC, tetapi dapat juga terjadi di kompleks oksida
yang memiliki beberapa jenis kation berbeda, untuk Misalnya, spinel dan
garnet.
• Pusat terkait: Ketika dua titik cacat berinteraksi sehingga dapat dianggap
sebagai cacat tunggal, mereka disebut pusat terkait atau, jika lebih banyak
atom terlibat, cluster cacat atau kompleks cacat. Mengekspos material ke
radiasi pengion seperti sinar X dan sinar-y dapat membuat cluster cacat
dalam jumlah besar.
• Atom terlarut (substitusional): Dalam paduan Cu, kita dapat menambahkan
hingga 30 pada% Zn sebelum strukturnya diubah. Semua atom Zn duduk
di posisi Cu sehingga menggantikan Cu dan kristal tersebut dikatakan
sebagai larutan padat Zn di Cu. Efeknya adalah untuk menambahkan
elektron ke pita d paduan dan perubahan inilah dalam struktur elektronik
yang menentukan batas kelarutan. Kita dapat mengganti Ge dalam Si,

3
 tetapi kelarutannya terbatas karena perbedaan ukuran atom. Dalam GaAs
kita dapat mengganti atom Ga dengan Al pada sub-kisi golongan III

Tabel 2. Notasi Kroger-Vink untuk Binary MX

diberikan larutan padat yang lengkap, GaxAl1 − xAs, dengan x bergerak dari 0
hingga 1. GaAs dan AlAs memiliki struktur yang sama dan parameter kisi yang
serupa. Kita dapat mengganti As dengan P pada subkisi grup V untuk memberikan
solusi padat kontinu lainnya. Jenis substitusi ini terjadi pada keramik kovalen dan
ionik serta logam
Cacat elektronik: Elektron dan lubang bisa ada di keramik. Keduanya mungkin
terkait dengan ion tertentu, dalam hal ini hanya berupa cacat titik bermuatan. Ini

4
mengarah ke topik pusat warna, yang mewarnai kristal alkali halida, batu kecubung,
berlian, dll.
Digunakan notasi Kröger-Vink untuk mengidentifikasi cacat titik yang berbeda ini,
yang diringkas dalam Tabel 11.2. Notasi ini sangat umum karena dapat diterapkan
pada senyawa kristal apa pun atau bahkan pada kristal murni. Dalam notasi ini,
elemen struktural dilambangkan sebagai ScP. Kita dapat menulis persamaan
sederhana untuk menggambarkan pembentukan cacat titik atau antar tindakannya.
Misalnya, jika kita menghilangkan molekul, NaCl, dari kristal garam batuan, akan
membentuk kekosongan pada sublatteks anion dan kation, jadi kita harus memiliki
metode untuk membedakan cacat ini. Notasi Kröger – Vink untuk reaksi yang baru
saja dijelaskan adalah:
𝑉𝑛𝑎𝑐𝑙→ 𝑉′𝑛𝑎 + 𝑉𝑐𝑙∗ .................................................................................................(1.1)
notasi seperti itu dibutuhkan karena salah satu fitur paling khusus tentang keramik
— muatannya. Notasi lain terkadang digunakan, tetapi notasi Kröger – Vink adalah
yang paling dapat diterima secara luas.
2.3 Hal yang Spesial dari Keramik
Titik cacat spesial bagi keramik ketika mereka melibatkan baik muatan (bahan
ionik) atau ikatan menjuntai (kovalen bahan)
• kekosongan, pengantara, dan kerusakan substitusi semuanya dapat diisi.
Cacat titik khusus pada keramik adalah kekosongan yang terisi. Cacat
Frenkel dan Schottky secara keseluruhan netral.
• Asosiasi cacat sangat penting untuk keramik karena interaksi Coulombik
kuat dan bersifat jangka panjang.
• Struktur elektronik semakin penting. Di masa lalu, struktur elektronik
penting hanya karena materialnya memiliki celah pita yang besar. Bahan
ionik adalah isolator. Ini tidak lagi menjadi masalah — banyak “isolator”
lama (seperti SiC) sekarang juga menjadi semikonduktor celah pita lebar
• Nonstoikiometri sangat penting karena konsentrasi cacat titik bisa sangat
besar. Dalam bahan ionik, cacat titik biasanya bermuatan dan seringkali
jumlahnya banyak.
• Jumlah posisi tidak berubah, sama seperti di logam, tapi sering terdapat
posisi yang sangat berbeda tersedia di keramik

5
 • Total muatan masih tetap nol
• Konsentrasi kerusakan intrinsik seringkali jauh lebih rendah daripada
konsentrasi pengotor.
2.4 Jenis Cacat yang Terbentuk
Kristal dengan struktur kisi terbuka cenderung menyukai cacat Frenkel.
Kristal ini memiliki struktur dengan bilangan koordinasi rendah dan posisi
interstisial yang besar, misalnya struktur würtzite memiliki CN = 4. Jika terdapat
perbedaan ukuran yang besar antara kation dan anion.
Cacat frenkel biasanya terbentuk dengan meposisikan ion yang lebih kecil.
InAl2O3, misalnya, kationnya lebih kecil dan Frenkel diharapkan akan membentuk
kation yang cacat. Namun cacat anion Frenkel akan terbentuk di UO2, CeO2, dan
ThO2 yang semuanya memiliki kation besar. Sebaliknya, kita berharap menemukan
cacat Schottky pada kristal dengan nomor koordinat yang tinggi seperti MgO.
Tempat kosong mungkin ada di posisi yang berbeda untuk jenis ion yang sama.
Misalnya, NiFe2O4 adalah spinel terbalik [Fe (NiFe) O4]; Ion Fe3 + berada di
posisi tetrahedral dan oktahedral. Jadi, kita dapat memiliki kekosongan Fe3 + di
posisi tetrahedral atau oktahedral, tetapi kedua jenis kekosongan ini tidak sama.
Anda dapat membayangkan betapa rumitnya situasi untuk kristal yang lebih
kompleks.
2.5 Kesetimbangan Cacat Konsentrasi
Kita perlu mengetahui berapa banyak cacat titik yang ada dalam
kesetimbangan termal. Salah satu cacat titik paling sederhana yang dapat terjadi
pada kristal adalah kekosongan. Dalam senyawa biner, misalnya, MgO, di mana
hanya ada kekosongan, kita harus memiliki jumlah yang sama dari setiap jenis
kekosongan untuk mempertahankan rumus stoikiometri. Pada suhu tertentu
terdapat konsentrasi kesetimbangan dari cacat titik dalam kristal Aplikasi
pernyataan ini adalah bahwa kristal yang mengandung cacat titik harus memiliki
energi bebas yang lebih rendah, G, daripada kristal yang sesuai tanpa cacat. Dari
Bab 3 kita tahu bahwa perubahan energi bebas yang menyertai suatu proses, seperti
penciptaan kekosongan, diberikan oleh
ΔG = ΔE − TΔS..................................................................................................(1.2)
Kita bisa menggunakan ΔH atau ΔE di Persamaan di atas. ΔH akan merujuk secara
khusus ke entalpi untuk membentuk cacat titik. ΔEadalah perubahan energi internal

6
saat membentuk cacat. Energi internal dari kristal yang tidak teratur adalah energi
kristal sempurna ditambah nE. E sangat terpengaruh oleh tetangga terdekat dan
interatomik ikatan. Itu membutuhkan energi menghasilkan cacat titik; kita harus
memutuskan ikatan. Itu energi internal meningkat ketika jumlah poin cacat
meningkat. Pada pada saat yang sama entropi (keacakan struktur) meningkat, dan
produk TΔS juga meningkat. Perubahan entropi adalah kompleks dan terdiri dari
istilah karena getaran atom di sekitar cacat dan persyaratan karena pengaturan cacat
di dalam kristal. Ini bergantung pada konfigurasi entropi statistik (berapa banyak)
dan mekanik (bagaimana itu bergerak); subjeknya adalah mekanika statistik. Begitu
pun meskipun itu membutuhkan energi untuk membuat kekosongan. secara
keseluruhan G bisa menurun karena kontribusi entropi. Tantangannya adalah
mengetahui ΔG, kita harus tahu S, entropinya. Gambar 11.3 adalah plot nΔE, ΔS,
dan ΔG. Dari ini plot Anda dapat melihat bahwa memperkenalkan kekosongan
menurunkan harga gratis energi kristal sampai konsentrasi kesetimbangan tercapai;
menambahkan terlalu banyak kekosongan akan meningkatkan G lagi. Di suhu yang
lebih tinggi jumlah kesetimbangan kekosongan meningkat.
Implikasinya penting. Dalam kristal murni kita berharap menemukan cacat
titik pada semua suhu di atas 0 K. Karena cacat ini berada dalam kesetimbangan
termodinamika, anil atau perlakuan termal lainnya tidak dapat dihilangkan mereka.
Biasanya konsentrasi cacat titik dikontrol oleh kotoran. Cacat yang disebabkan oleh
dopan juga akan terjadi dalam termodinamika keseimbangan sehingga
keseimbangan keseluruhan dikendalikan oleh dopan. Cacat Schottky tidak
mengubah komposisi bahan. Konsentrasi cacat Schottky dalam kristal disimpulkan
dengan menggunakan mekanika statistik standar itu muncul di sebagian besar buku
teks termodinamika (karena memang demikian penerapan termodinamika dasar
yang begitu jelas). Untuk kebanyakan keramik, kita hanya butuh hasil dari
perhitungannya. Perhatikan bahwa muatan tidak disebutkan dan penurunannya
mengasumsikan senyawa biner sederhana murni, seperti MgO atau NiAl. ΔE adalah
energi untuk membentuk cacat Schottky, dan k, the Konstanta Boltzmann, dalam J
/ ° C. Jika ΔE diberikan dalam J / mol, maka jumlah cacat Schottky dalam satuan
volume adalah sama dengan R menggantikan k.

7
 Kita akan meninjau bagaimana nS diturunkan untuk stoikiometri kristal AB.
Derivasi menunjukkan pentingnya ketidakteraturan. Dalam diskusi ini, kita telah
memisahkan persamaan dari teks dan terutama mengomentari logika penurunan.
Jika nS adalah jumlah cacat Schottky per waktu cen kubik dalam kristal di T K,
maka kita memiliki posisi kation kosong nS dan posisi anion kosong nS. Selain itu,
dalam kristal jenis ini ada N kemungkinan posisi kation dan N kemungkinan posisi
anion per sentimeter kubik. Kita dapat menentukan perubahan entropi, ΔS, dalam
sistem posisi terisi dan kosong dengan menggunakan persamaan Boltzmann
(Persamaan Kotak 11.2)

8
 Cacat Schottky : Perhitungan
Persamaan untuk cacat Schottky adalah:
𝛥𝐸
𝑛𝑠 = 𝑁 exp (2𝑘𝑇𝑠 ).................................................................................... Kotak 11.1

Satuan untuk 𝛥𝐸𝑠 adalah J/cacat. Maka, untuk menentukan entropi dengan teori
probabilitas
𝑆 = 𝑘 ln 𝑊 ............................................................................................... Kotak11.2
W = N!/[(N − n)! n!] ............................................................................. Kotak11.3

WA = N!/[(N − ns)! ns!.......................................................................... Kotak11.4

WB = N!/[(N − ns)! ns!]......................................................................... Kotak11.5

WA = WB.................................................................................................. Kotak11.6

WT = WA WB ............................................................................................ Kotak11.7
N! 2
ΔS = k ln WT = k ln {[(N } ......................................................... Kotak11.8
− ns)!ns!]

ΔS = 2k ln{N!/[(N − ns)! ns!]} ............................................................... Kotak11.9

Kemudian hitung dengan matematika:

ln N! ≈ Nln N – N .................................................................................. Kotak11.10

ΔS = 2k{Nln N − (N − ns) ln(N − ns) − ns ln ns} ........................... Kotak11.11

Subtitusi

ΔG = ns ΔEs − 2kT{Nln N − (N − ns ) ln(N − ns) − ns ln ns ........... Kotak11.12

ns = (N − ns ) exp(−ΔEs /2kT) ............................................................ Kotak11.13

ns ≈ Nexp(−ΔEs /2kT) .......................................................................... Kotak11.14

(Perhatikan bahwa kita mengabaikan efek entropi termal.) adalah jumlah

cara mendistribusikan n cacat ke posisi N. sembarangan. Banyaknya cara kita dapat
mendistribusikan kation nS kekosongan di atas posisi yang tersedia di kristal akan
diberikan oleh Persamaan. Kotak 11.4; kita bisa menulis ekspresi serupa untuk
kekosongan anion seperti yang ditunjukkan pada Persamaan. Kotak 11.5. Karena
AB adalah senyawa stoikiometri kita bisa tulis Persamaan. Kotak 11.6. Jumlah total
cara, WT, untuk mendistribusikan cacat ini diberikan oleh produk WA dan, WB,
jadi kita memiliki Persamaan. Kotak 11.7, dan oleh karena itu perubahan entropi
yang disebabkan oleh pengenalan cacat Schottky diberikan dengan Persamaan.

9
Kotak 11.8, yang dapat kita tulis ulang sebagai Persamaan. Kotak 11.9. Sekarang
kita menggunakan trik standar untuk N besar: Stirling aproksimasi (Persamaan
Kotak 11.10) menghilangkan faktorial, yang meninggalkan kita dengan ekspresi
perubahan entropi terkait dengan pembentukan cacat Schottky (Persamaan. Kotak
11.11). Mengganti Persamaan. Kotak 11.11 ke Persamaan. 11.1 memberikan
perubahan keseluruhan energi bebas Gibbs untuk membentuk pasangan ns
(Persamaan Kotak 11.12).
Pada kesetimbangan, energi bebas berubah adalah minimum sehubungan
dengan jumlah cacat dan diberikan oleh Persamaan. Kotak 11.13. Dengan demikian
kita dapat membedakan Persamaan. Kotak 11.12 dan atur hasilnya sama dengan nol
sehingga setelah a sedikit penataan ulang kita sampai di Persamaan. Kotak 11.14;
dalam istilah dari jumlah cacat yang kita tulis Persamaan. Kotak 11.15. Akhir
Langkah adalah perkiraan lain: N biasanya sangat banyak lebih besar dari nS. Jadi
kita sampai di Persamaan. Kotak 11.16 (yaitu, Persamaan. Kotak 11.1). Kita
memberikan beberapa nilai eksperimental untuk entalpi pembentukan cacat
Schottky pada Tabel 11.4. Kita bisa menggunakan angka-angka ini untuk
menghitung konsentrasi cacat kesetimbangan seperti yang kita miliki untuk NaCl
pada Tabel 11.5. Populasi cacat titik sangat rendah, tetapi jelas dari Persamaan.
Kotak 11.1 bahwa kekosongan stabil di kristal mana saja suhu di atas nol mutlak.
Karena energi untuk pembentukan cacat titik dalam oksida stoikiometri seperti
MgO dan CaO begitu tinggi, konsentrasi intrinsik cacat akan jauh lebih kecil
daripada konsentrasi pengotor (biasanya ∼100 ppm atau lebih besar). Bahkan
mendekati suhu leleh yang kita temukan hanya satu atau dua posisi dalam satu
miliar kekosongan karena efek intrinsik.
Frenkel cacat, seperti Schottky cacat, juga melibatkan kekosongan di
struktur kristal. Dalam hal ini meskipun, kekosongan hanya ada pada satu sub dan
atom yang harus menempati posisi kosong adalah ditempatkan di situs interstiial di
kristal. Interstiial adalah cacat yang sangat khusus, itu dapat ada di satu atau lebih
situs yang tidak ada, yang biasanya bukan situs kristal, jadi cacat Frenkel juga tidak
unik.
Perhitungan jumlah cacat Frenkel (nf) dalam kristal berlangsung sepanjang
garis yang mirip dengan untuk cacat Schottky di mana kita mempertimbangkan

10
jumlah cara mendistribusikan kekosongan N melalui N* posisi interstiial yang
tersedia. Jenis cacat aktual yang ditemukan dalam kristal akan tergantung pada
energi pembentukan. Cacat frenkel adalah kunci untuk proses fotografi. Film
fotografi mengandung kristal (disebut biji-bijian) AgBr atau AgBr yang berkutik.
Ini tersebar dalam gelatin, sering bersama dengan berbagai bahan kimia lain yang
dikenal sebagai sensitizer, pada film plastik tipis (dulu di kaca). AgBr memiliki
struktur rocksalt, tetapi tidak mengandung terutama Schottky cacat (seperti yang
kita temukan di NaCl) sebagian besar mengandung cation Frenkel.
2.6 Persamaan untuk Titik Cacat
Secara tertulis persamaan untuk reaksi cacat titik kita harus mematuhi aturan
berikut:
• Mempertahankan rasio jumlah situs, misalnya, dalam MaXb rasio a/b
konstanta. VM dan Mx memerlukan situs; Mi tidak memerlukan Situs.
• Menjaga netralitas listrik secara keseluruhan.
• Situs permukaan diperlakukan seolah-olah situs massal (tetapi dapat
diperlakukan secara terpisah).
2.7 Solusi Solid
Aturan untuk solusi padat substitusional (aturan Hume–Rothery) dapat
diringkas sebagai Berikut. Perhatikan bahwa dua persyaratan terakhir benar-benar
sangat terkait erat dengan dua yang pertama Perbandingan dengan logam dapat
diringkas:
• Dalam logam, kita memiliki aturan yang sama untuk pembentukan paduan
mengenai ukuran.
• Dalam semikonduktor elemental, aturannya kurang lebih sama; ini adalah
keramik dengan komponen valen terhadap ikatan. Perbedaan valensi
penting dalam membentuk p-type dan n-type Semikonduktor.
• Kita akan melihat bahwa kacamata berbasis silika berada di suatu tempat
antara semikonduktor elemen dan ionic materi, tetapi memperkenalkan
tantangan lain.
2.8 Asosiasi Cacat Poin
Fenomena ini sering terjadi ketika konsentrasi cacat mencapai lebih dari
sekitar 1 mol%. Kemudian cacat adalah interaksi yang sangat berdekatan dan cacat
dapat mengakibatkan menurunkan energi keseluruhan untuk pembentukan cacat

11
dan dalam pengelompokan cacat. Secara khusus, karena kekosongan berperilaku
seolah-olah mereka cacat poin, kation, dan kekosongan anion yang terisi dapat
sangat tertarik satu sama lain untuk membentuk cacat kompleks dilambangkan
dalam persamaan berikut.
′ ∗ ′ ∗
𝑉𝑁𝐴 + 𝑉𝐶𝑙 = (𝑉𝑁𝐴 , 𝑉𝐶𝑙 ).......................................................................................(1.3)
Persamaan aksi massa yang berkaitan dengan konsentrasi molar pecahan dari
pasangan kekosongan dapat dituliskan melalui persamaan berikut.
Pada kondisi setimbang:
′ ∗
[(𝑉𝑁𝐴 ,𝑉𝐶𝑙 )]
′ ][𝑉 ∗ ]
[𝑉𝑁𝐴
= K......................................................................................................(1.4)
𝐶𝑙

Kemudian konsentrasi kesetimbangan dari pasangan kekosongan dihubungkan

untuk energi bebas pembentukan ∆𝐺𝑣𝑝 dengan menggunakan,
∆𝐺 = −𝑅𝑇𝑙𝑛 𝐾................................................................................................(1.5)
Sehingga,
′ ∗ ∆𝐺𝑣𝑝
[(𝑉𝑁𝐴 ,𝑉𝐶𝑙 )]
′ ][𝑉 ∗ ]
[𝑉𝑁𝐴
= 𝑍𝑒𝑥𝑝 (− )................................................................................(1.6)
𝐶𝑙 𝑘𝑇

2.9 Pusat Warna

Pusat warna merupakan sebuah istilah untuk menyatakan kecacatan yang
menghasilkan warna pada bahan isolator. Hal ini didukung dengan penelitian yang
dilakukan di Jerman. Pada penelitian tersebut, sinar X ditembakkan pada alkali
halida sehingga menimbulkan warna (F = forben pada bahasa jerman). Alkali halida
setelah diiradiasi dengan radiasi pengion akan membentuk sebagian besar warna.
Hal itu disebabkan elektron atau lubang terperangkap pada anion. Pada pusat warna
lainnya akan membentuk warna lain.

Gambar 1. Skema Warna Pusat pada Alkali Halida

12
 Pusat V merupakan kation yang terjebak pada lubang. Pusat warna juga
dapat berbentuk dalam oksida seperti MgO. Apabila suatu elektron terjebak pada
sebuah anion di tempat yang kosonng MgO maka disebut dengan cacat bermuatan
positif atau pusat F+. Beberapa contoh dari warna F pusat yaitu,
1. NaCl berwarna oranye-coklat/biru
2. KCL berwarna violet/hijau
3. KBr berwarna biru hijau/oranye
Salah satu contoh dari pusat warna alami adalah kuarsa berasap. Pada kuarsa
berasap kecil, jumlah pengotor atom Al dapat menggantikan Si. Netralitas elektron
ditentukan oleh ion hidrogen. Hal itu disebabkan pada kuarsa berasap mempunyai
valensi sebanyak 2 kation. Radiasi pengion melepaskan sebuahh elektron dari
[𝐴𝑙𝑂4 ]5-. Kemudian elektron tersebut terperangkap pada ion hidrogen :
[𝐴𝑙𝑂4 ]5- + H+ [𝐴𝑙𝑂4 ]4- + H ......................................................................(1.7)
2.10 Membuat Cacat Titik pada Keramik
Ada beberapa cara untuk membuat cacat titik pada keramik. Salah satunya adalah
dengann menggunakan oksida nonstoikiometri. Seperti pada ZnO dengan
memanaskan dalam pO2 tinggi atau rendah. Pada Nd yang mengandung ion Nd
yang ditambahkan yttrium aluminium garnet (YAG) paling banyak digunakan
adalah kristal laser solid-state. Sebuah kristal tunggal yang mengandung ion Nd
dalam larutan padat ditarik dari lelehan menggunakan metode Czocharalski.
Cacat Schottky atau pasangan Frenkel dapat diproduksi sebagai hasil dari
penembakan ion dalam proses yang dikenal sebagai implantasi ion. Misal, banyak
cacat terbentuk kristal tunggal MgO ketika dibom dengan Xe+ berenergi tinggi ion.
Seperti yang ditunjukkan pada gambar 1.2. Pada gambar tersebut menunjukkan
hasil TEM dari MgO yang telah mengalami implantasi dengan 1014 Xe+ cm-2 ion
pada 200 KeV dalam akselerator partikel. Daerah gelap tersebut merupakan
karakteristik dari banyak cluster cacat titik. Implantasi ion juga merupakan teknik
yang digunakan untuk memasukkan atom dopan pada kedalaman tertentu selama
pembentukan perangkat semikonduktor atau untuk mengeraskan permukaan logam
dan keramik.

13
 Gambar 2. Tampilan Hasil Implantasi MgO pada Mikroskop TEM
Setiap bentuk radiasi pengion dapat digunakan untuk menghasilkan cacat
titik pada material. Istilah ini digunakan untuk menggambarkan sumber radiasi
yang menghasilkan elektron atau lubang saat berinteraksi dengan suatu materi.
2.11 Studi Eksperimental Cacat Titik
Sangat sulit untuk melihat cacat titik individu pada pasangan. Hal ini disebabkan
cacat titik dikelilingi oleh banyak atom sehingga pada saat melihat dengan
menggunakan TEM akan terlihat seperti kumpulan atom. Cacat titik sangat
menentukan sifat elektrik semikonduktor. Pada gambar 1.3 ditunjukkan hasil
pengamatan dari atom silikon dengan campuran Sb. Pada kolom paling terang
mengandung 1 atom Sb.

Gambar 3. Atom Sb dalam Si

2.12 Difusi
Difusi terjadi karena cacat atom yang bergerak melalui kristal. Difusi
bersifat statis atau tidak kontinyu. Difusi cacat titik adalah kunci untuk mengetahui
sebuah kekayaan material. Ada 4 mekanisme dasar untuk menggambarkan prinsip
ini.
1. Pertukaran langsung (sulit dan tidak mungkin secara energik)
2. Mekanisme cincin (gerakan kooperatif tetapi tidak mungkin didemonstrasikan)
3. Mekanisme kekosongan (paling umum terdapat pada logam)
4. Pergerakan pengantara (terjadi ketika meletakkan pengantara seperti Zn di ZnO)

14
 Gambar 4. Mekanisme Dasar Difusi (a) Pertukaran (b) Mekanisme Cincin (c)
Mekanisme kekosongan (d) Pergerakan pengantara (e) knock on
Difusi merupakan proses yang diaktifkan secara termal sehingga dapat
digambarkan dengan energi bebas melawan jarak. Terdapat penghalang energi
aktivasi ke difusi sehingga pada wilayah energi yang tinggi sesuai dengan kompleks
yang teraktivasi. Perilaku difusi dapat dipahami dengan menggunakan teori laju
reaksi. Pertama, setiap langkah sulit prosesnya relatif sederhana. Apabila kesulitan
maka langkah-langkah tersebut diputus menjadi lebih kecil. Kedua, jalur reaksi
setiap langkah seperti lompatan atom, melibatkan kompleks aktif yang memberi
energi maksimum. Untuk reaksi kimia (rute transisi dari kompleks yang diaktifkan,
AB*)
A+B AB* ................................................................................................(1.8)
Konsentrasi terkait dengan konstanta equilibrium K*
[𝐴𝐵∗ ]
[𝐴][𝐵]
= 𝐾 ∗ 𝑑𝑎𝑛 ∆𝐺 ∗ = −𝑅𝑇 ln 𝐾 ∗ ....................................................................(1.9)

Laju reaksi K adalah v [𝐴𝐵 ∗ ], yang dapat ditulis sebagai v K* [𝐴][𝐵]. Sehingga laju
reaksi untuk konsentrasi satuan adalah vK*. Apabila tidak ada arus bersih dari kanan
atau ke kiri karena setiap kali cacat titik melompat ke kanan juga melompat ke kiri
maka diperlukan potensi gradien untuk menghasilkan fluks. Fluks atom adalah nilai
pada arah kedepan dikurangi dengan nilai arah kebelakang. Dari analisa tersebut
maka didapatkan 2 asumsi yaitu
1. koefisien aktivitas adalah satu kesatuan
2. D tidak berbeda dengan komposisinya.
Koefisien difusi mempunyai ketergantungan yang kuat pada suhu.
−𝑄
𝐷 = 𝐷0 𝑒𝑥𝑝 ( 𝑅𝑇 )...............................................................................................(1.10)

Persamaan difusi dirangkum oleh hukum fick

Hukum Fick pertama

15
Menyatakan bahwa laju difusi merupakan fungsi koefisien difusi dan gradien
konsentrasi
𝜕𝑐
𝐽 = −𝐷 (𝜕𝑥)....................................................................................................(1.11)

Hukum Fick kedua

Menyatakan difusi atom pada kedalaman tertentu merupakan fungsi waktu.
𝜕𝑐 𝜕2𝑐
= 𝐷 𝜕𝑥 2 .........................................................................................................(1.12)
𝜕𝑥

Contoh Difusi 1 : CaCl2 dalam KCl

Pada saat mencampurkan KCl dengan difusi CaCl2 dari kation K+ terjadi
melalui pertukaran antara kation K+ dan kation vacancy. Konsentrasi kation
vacancy dapat diperoleh melalui persamaan berikut.
∆𝐺𝑠
[𝑉′𝑘 ] = 𝑒𝑥𝑝 ( )............................................................................................(1.13)
2𝑘𝑇

∆𝐺𝑠 adalah perubahan energi Schottky. Sementara itu koefisien difusi dapat
diperoleh melalui persamaan berikut.
∆𝐺
𝐷𝐾 = [𝑉′𝑘 ]𝛾𝜆2 𝑣 𝑒𝑥𝑝 (− 𝑘𝑇 )...........................................................................(1.14)

𝛾 merupakan faktor orientasi. Pada umumnya energi bebas gibbs dapat ditulis
sebagai berikut
∆𝐺 = ∆𝐻 − 𝑇∆𝑆...............................................................................................(1.15)
Sehingga koefisien difusinya adalah
∆𝑆𝑠 ∆𝐻𝑠
( )+ ∆𝑆 ∗ (− )− ∆𝐻 ∗
𝐷𝐾 = 𝛾𝜆2 𝑣 𝑒𝑥𝑝 ( 2
) 𝑒𝑥𝑝 ( 2
)..............................................(1.16)
𝑘 𝑘𝑇

−∆𝐻 ∗ = entalpi.
∆𝐻𝑠 = perubahan entalpi cacat Schottky
𝜆 = konstan = 0.2 nm
𝛾= 0.1
𝑣=frekuensi = 1013 s-1
Pada suhu tinggi mempunyai konsentrasi vacancy intrinsik yang tinggi.
Begitu juga sebaliknya. Pada suhu rendah koefisien difusi dikontrol oleh jumlah
dopant
∆𝑆 ∗ − ∆𝐻 ∗
𝐷𝐾 = 𝛾𝜆2 𝑣 [𝐶𝑎𝑘 ]𝑒𝑥𝑝 ( ) 𝑒𝑥𝑝 ( ).........................................................(1.17)
𝑘 𝑘𝑇

16
Pada umumnya, suhu tinggi T mempunyai [𝑉′𝑘 ] disebabkan oleh equilibrium
termal lebih rendah daripada [𝑉′𝑘 ] yang disebabkan [𝐶𝑎𝑘 ]. Hal ini sering ditemukan
pada keramik.
1. Difusi intrinsik dikendalikan oleh cacat yang ada pada kesetimbangan termal.
2. Difusi ekstrinsik dikendalikan oleh dopan yang ada.
Contoh Difusi 2 : ZrO2 dicampur dengan CaO
Jika ZrO2 didoping dengan 15% CaO maka didapatkan kestabilan fase
kubik. Material yang dihasilkan dapat digambarkan ZrO0.85Ca0.15O1.85. Secara
eksperimen, ditemukan bahwa DO menurun dengan meningkatnya konsentrasi
oksigen yang kosong. Pada UO2 memiliki struktur fluorit yang sama, oksigen
berdifusi dengan mekanisme interstisial. DO meningkat dengan semakin
meningkatnya konsentrasi oksigen yang kosong. Walaupun mempunyai struktur
fluorit yang sama tetapi mekanisme difusi yang beroperasi sangat berbeda karena
cacat titik terlibat berbeda. Pada gambar 1.5 menunjukkan data eksperimental dari
difusi dalam beberapa oksida.

Gambar 5. Data Eksperimental Difusi Oksida

Contoh Difusi 3 : Zn1+xO
Titik cacat pada nonstoikiometri ZnO, dapat dibuat sebuah persamaan
interstiatial oksida yang kaya akan logam seperti berikut ini.
Zn (g) Zni* + e’.......................................................................................(1.18)

17
Pada gambar 6 menunjukkan gambar untuk DZn. Semakin curam garis
kemiringannya maka semakin besar energi aktivasinya. PZn sebanding dengan
interstisial konsentrasi. Dengan demikian, semakin meningkatnya PZn, maka
densitas interstitial juga meningkat dan difusi Zn melalui struktur juga meningkat.
Hasil ini menekankan perbedaan antara logam dan oksidanya. Dalam logam Zn,

tekanan parsial Zn tidak terlalu diperhatikan. Atom Zn berdifusi oleh mekanisme

vacancy, tetapi konsentrasi vacancy tidak bergantung pada PZn.

Gambar 6. Plot PZn terhadap D

Contoh Difusi 4: FeO1-x dan CoO1-x
Kelompok oksida biner FeO, NiO, CoO, dan MnO (struktur batu karang)
adalah oksida yang kekurangan logam. Paling penting adalah Fe1-xO. FeO tidak
stabil dan dapat berisi 15% vacancy yang disebabkan oleh konsentrasi equilibrium
kation Fe3+. Persamaan untuk melarutkan oksigen berlebih Fe1-xO dapat
digeneralisasi untuk FeO dan CoO sebagai

1
2Mm + 2 O2 (g) O0 + VM + 2MM...............................................................(1.19)

Dimana M adalah logam dan Mm mewakili Fe3+ dengan Fe2+. Hal yang paling
penting adalah bahwa difusi bergantung pada pO2 seperti yang digambarkan pada
gambar 1.7. Ada energi yang terkait dengan reaksi dan energi yang terkait dengan
reaksi dan energi terkait dengan gerakan cacat, tetapi cacat titik selalu ada di FeO.
Koefisien difusi untuk Co dapat diperoleh melalui persamaan berikut.

18
 1 1/3 ∆𝑆 ∆𝑆 ∗ ∆𝐻0∗ ∆𝐻 ∗
DCo = 𝛾𝜆2 𝑣 (4) 𝑝O21/6exp 3𝑘0 𝑒𝑥𝑝 𝑒𝑥𝑝 (− − )..........................(1.20)
𝑘 3𝑘𝑇 𝑘𝑇

Gambar 7. Koefisien Difusi pO2

Grafik di atas menunjukkan koefisien difusi yang bervariasi dengan pO2, dengan n
bernilai 3.1 pada suhu 1000⁰C, n bernilai 3.3 dengan suhu 1200⁰C dan n bernilai 3.6
dengan suhu 1350⁰C. dari grafik diharapkan Dc0 sebanding dengan pO21/6. Dapat
diartikan bahwa saat pO2 ditingkatkan atau ditambah jumlahnya maka nilai dari Dco
akan meningkat lebih cepat dengan konsentrasi kekosongan,karena cacat
bermuatan atau dibebankan dan berada pada gabungan atau kumpulan dari
cacat(defects). Terdapat dua kemungkinan yaitu sebuah kation tunggal yang
terluang atau kosong memungkinkan untuk membentuk kompleks atau gabungan
dengan satu lubang atau dua lubang. Hal tersebut dapat dirumuskan:

= [h.] + [(V”C0 h.)] + O0...........................................................................(1.21)

= K1.................................................................................................(1.22)

19
[h.] = [(V”coh.)].................................................................................................(1.23)

Dari persamaan tersebut dapat dilihat bahwa (V”coh.) sebanding dengan dan

nilain n adalah 4. Jika dua lubang terlibat dalam gabungan atau kompleks maka
persamaan yang ada adalah:

∞ ....................................................................................(1.24)

Untuk DCO ∞ dengan dengan n=2. Secara eksperimen didapatkan nilai n˷3
sehingga dapat disimpulkan bahwakekosongan akan terkait dengan lubang electron
baik satu lubang ataupun dua lubang/celah. Pada gerakan atau mobilitas Bv suatu
kekosongan Bv akan sebanding dengan ΓV, frekuensi lompatan. Untuk Bh
sebanding dengan Γh dapat dituliskan
Bh >> BV
Γh>> ΓV
Jadi ketika kekosongan meningkat, lubangnya akan mengikuti dan bergerak
dengan mengikuti lompatan frekuensi kekosongannya, sedangkan kecacatan atau
defect akan bergerak lebih lambat.
Contoh difusi CuO1-x
CuO merupakan salah satu contoh unsur pada kelompok oksida yang kekurangan
oksigen, MO1-x , dimana nonstokiometrinya diakomodasi oleh kekosongan oksigen.
Dapat dituliskan persamaannya sebagai berikut:
Oo → O2(g) + V0.. + 2e’................................................................................(1.25)

Dari persamaan tersebut dapat ditentukan konstanta kesetimbangan dan

menghubungkannya ke energi bebas
Gibbs ΔG:
[Vo˙˙] 1/3
(pO2)-1/6exp [ .................................................................(1.26)

Do = γλ2 ν [Vo˙˙]exp [ ..........................................................................(1.27)

Do = γλ2 ν 1/3
(pO2)-1/6exp [ exp [ ...........................................(1.28)

Dari persamaan didapatkan jika pO2 ditingkatkan maka koefisien difusi akan
berkurang. Hal tersebut ditemukan pada kisaran suhu yang sangat luas atau tinggi

20
jangkauannya dan menunjukkan bahwa difusi adalah proses yang kompleks. Jika
dibandingkan dengan kasus ZnO kedua kation ada dalam status muatan 2+ atau 1+
namun struktur Kristal dan cacat titiknya berbeda.
2.13 Pergerakan Cacat
Keramik yang digunakan untuk aplikasi elektronik seringkali mengandung lebih
besar kation . dalam sel bahan bakar oksida padat dinamakan sebagai ion oksigen
yang berdifusi. Sebagian besar Kristal keramik sempurna memiliki lebih banyak
ruang kosong untuk volume daripada logam, sehingga cenderung lebih kecil dan
padat. Hal tersebut menyebabkan lebih banyaknya volume terbuka yang melalui
cacat titik yang dapat bergerak atau melakukan pergerakan.
Ikatan kovalen memiliki karakter atau bersifat terarah dan harus menjadi
“rusak” saat cacat melakukan pergerakan atau dislokasi. Dislokasi tersebut dapat
dilihat pada unsur Si yang tidak mudah melakukan pergerakan pada suhu kamar
sehingga bahan tidak mudah berubah bentuk secara plastic dan rapuh pada suhu
kamar tersebut. Fakta tersebut memberikan konsekuensi pada industri elektronik,
dimana teknologi silicon terbentuk jika dislokasi bergerak dengan mudah dibawah
tekanan yang diterapkan. Fakta tersebut juga menjadi pertimbangan untuk cacat
titik kecuali perantara di Si yang tidak perlu pemutusan ikatan.
Muatan dapat mempengaruhi konsentrasi pada cacat titik. Pada FeO
sekitar 5% kekosongan pada kation subkisi sehingga rumus dapat ditulis sebagai
Fe1-δO. Superkonduktor YBCO harus stokiometri off untuk mengoptimalkan sifat
superkonduktornya (YBa2Cu3O7-δ or YBa2Cu3O6+x).
Pergerakan batas butir sangat penting pada keramik karena metode
pengolahan dan penggunaan temperature yang tinggi. Namun sifat batas butir
sangat berbeda dari material bulk dan mungkin berisi fase kedua. Batas butir di
keramik tidak sepadat pada logam dikarenakan mengandung ikatan yang berbeda
sehingga difusi cacat titik panjang, menyebrang atau menyilang didalam fase lebih
cepat daripada secara menyeluruh.
2.14 Difusi dan Konduktivitas Ionik
Beberapa keramik merupakan konduktor ionik. Energi celah pita (Eg)
dari bahan ini adalah besar (sekitar >5eV) dan satu-satunya mekanisme konduksi
muatan yaitu dengan pergerakan ion. Beberapa kasus laju pergerakan ion sangat

21
cepat dan konduktivitas besar kemungkinannya. Rumus dari konduktivitas ionic
yaitu:
σ = ∑𝑖 𝑞𝑖𝑁 µ𝑖....................................................................................................(1.29)
ket:
qi = muatan ionic efektif
µ𝑖= mobilitas atau pergerakan
N= jumlah cacat pergerakan
Cacat pergerakan berpengaruh pada konduktivitas ionic termasuk cacat schottky.

Gambar diatas menunjukkan gerakan Na+ masuk pada Nacl. Dua rute atau
pergerakan berbeda ditunjukkan bagaimana Na+ ion mencapai ruang kosong. Rute
langsung merupakan rute terpendek namun tidak mungkin digunakan karena dua
ion Cl- akan menjadi sangat dekat “menyentuh” yang menghasilkan energi
penghalang besar ion Na+ yang berpindah. Rute kedua memungkinkan untuk
pergerakan yaitu pertama ion Na+ melewati permukaan octahedron lalu ke
tetrahedral kosong antara oktahedra, lalu melalui sisi-sisi octahedron yang
berlawanan dan masuk ke bagian yang kosong. Konduktivitas ionic dari NaCl
terhadap T-1 dapat digambarkan dengan grafik:

22
Jika konduktivitas ionic dan difusi terjadi dengan cara atau mekanisme yang sama
kemudian µdan σ terkait dengan D dari persamaan Nernst-Einstein:
𝑞 𝑁𝑞 2
µ= [𝑘𝑇]D, σ = [ 𝑘𝑇 ] D.........................................................................(1.30)

Dari persamaan diatas terdapat beberapa hal yang harus diperhatikan antara lain:
• Beberapa cacat mungkin berkontribusi pada D tetapi tidak pada σ
(pasangankekosongan kation dan anion dalam alkali halida)
• Difusi dapat terjadi di sepanjang batas butir dan dislokasi
• Pengaruh elektronik untuk σ rendah. (material celah pita lebar pada T
rendah)
Untuk mekanisme transport kekosongan sederhana baik σ, T, dan D akan
mengikuti hubungan Arhenius:
σ T= Aexp (-Q/kT)............................................................................................(1.31)
D = D0exp (-Q/kT)............................................................................................(1.32)
A dan D0 adalah konstanta yang tidak bergantung pada suhu dan Q adalah energi
aktivasi. Dari grafik menunjukkan variasi σ T dengan T untuk A sampel NaCl yang
relative murni. Untuk NaCl pada suhu diatas 550⁰C ada korelasi yang baik antara
D dan σ. Di bawah 550⁰C terdapat perubahan yang sama dalam kemiringan tetapi
nilai D lebih besar dari σ karena adanya zat pengotor. Beberapa karakteristik dari
plot antara lain:
• Tahap I’ = Gangguan Anion
• Tahap I = Konduktivitas intrinsik ; perpindahan kation dominan

23
 • Daerah lutut= Tempat memisahkan wilayah yang didominasi intrinsic dari
wilayah zat pengotor.
• Tahap II = Konduktivitas ekstrinsik yang didominasi oleh kation.
• Tahap III = Kumpulan tau gabungan dari ketidakmurnian kekosongan.
Sebuah aplikasi yang memanfaatkan konduktivitas ionic adalah sensor oksigen
ZrO2 . sensor ini digunakan untuk mengukur pO2 pada gas buangan mobil atau gas
yang ada di proses carburizing digunakan untuk mengeraskan komponen baja.
Polikristalin CZ (distabilkan dengan Ca2+ atau Y3+ subtitusi dari Zr4+ ) adalah
elektrolitnya. Pada suhu pengoperasian sensor (~900⁰𝐶), CZ adalah oksigen ion
konduktor yang baik. Subtitusi dari Zr 4+ menghasilkan pembentukan kekosongan
oksigen dan menyebabkan pergerakan ion tinggi pada subkisi oksigen. Sel bahan
bakar oksida padat menggunakan elektrolit yang sama, struktur yang sama dan
prinsip yang sama.

2.15 Computing
Pemodelan komputer menjadi lebih luas untuk mempelajari cacat titik
karena komputer mampu menangani partikel sebesar atom sekalipun. Pada
keramik, meskipun aspek structural cacat titik mungkiin jarak pendek namun
interaksinya cenderung jangka panjang karena gaya Coulumb. Pada computing
digunakan perhitungan simulasi atomistik biasanya memerlukan beberapa langkah
dan energi sebenarnya tergantung pada struktur cacat yang relax.
• Pilihan pendekatan pemodelan
• Pilihan potensi interatomic yang mendiskripsikan atom atau ion
• Model awal untuk titik cacat atau cluster cacat.
Ukuran Kristal yang dimodelkan harus diperhatikan dan sifat fisiknya yang lain
dimodelkan.

24
tabel diatas merupakan perbandingan nilai terhitung dan nilai eksperimental cacat
energi formasi yang baik.

25
 BAB III

PENUTUP
3.1 Kesimpulan
Cacat titik sangat penting untuk dipelajari. Hal itu disebabkan pada cacat
titik suatu material akan menentukan properti/kekayaan yang terdapat pada material
tersebut. Untuk menentukan suatu cacat titik pada kristal maka hal yang harus
diperhatikan adalah mengetahui struktur dari kristal tersebut. Selain itu, Difusi
terjadi karena cacat atom yang bergerak melalui kristal. Difusi bersifat statis atau
tidak kontinyu. Difusi cacat titik adalah kunci untuk mengetahui sebuah kekayaan
material. Pada beberapa material keramik tertentu mempunyai cacat atom yang
berbeda sehingga berdampak pada jumlah kekayaan pada material keramik
tersebut.
3.2 Saran
Sebelum pembuatan makalah seharusnya dipahami dengan baik terlebih
dahulu agar paham dengan benar terhadap materi yang akan disampaikan. Oleh
karena itu, diperlukan kerja keras antar anggota kelompok untuk mewujudkannya.

26
 DAFTAR PUSTAKA
Barry, C. C., Grant, N. M. 2007. Ceramic Materials Science and Engineering. New
York : Springer.

27