Reaksi Reformasi CO2 dan Oksidasi Parsial Metana

Metana adalah hidrokarbon ringan yang ditemukan terutama di gas alam, biogas dan gas
serpih. Transformasi metana melalui reaksi reformasi untuk menghasilkan produk bernilai
tinggi seperti Syngas (Gas Sintesis) merupakan cara alternatif untuk menggunakan metana
secara efisien. Teknologi yang saat ini digunakan untuk mengubah syngas untuk keperluan
sintetik dinamakan proses Gas to-Liquid (proses GTL), yang terdiri dari Fischer-Tropsch
synthesis sebagai proses utama.

Diketahui bahwa komponen utama biogas adalah metana dan karbon dioksida, sehingga
biogas yang sudah bebas dari pengotor seperti NH 3, H2S dapat diubah secara langsung
dengan reformasi kering metana (Dry Reforming of Methane) (DRM, Reaksi 1) menjadi gas
sintesis.

DRM: CH4 + CO2  2CO + 2H2

Oksidasi parsial metana (Partial Oxidation of Methane) (POM, Reaksi 2), merupakan reaksi
cepat karena sifat eksotermisnya, dan menghasilkan energi untuk mempertahankan reaksi
operasi jangka panjang. Keberadaan O2 dapat mengurangi deposit kokas dengan
meningkatkan masa pakai katalisator:

POM: 2CH4 + O2  2CO + 4H2

Kelemahan utama dari POM adalah membutuhkan oksigen murni. Eksotermisitas POM
menyebabkan hot spot pada katalis, yang dapat menyebabkan masalah pada reaktor, sehingga
proses menjadi berbahaya dan sulit dikendalikan. Proses yang menarik adalah
menggabungkan POM dengan DRM (reaksi endotermik) dalam efisiensi Oksidatif Reformasi
Metana (ORM).

ORM: 1,5CH4 + CO2 + 0,25 O2  2,5CO + 3H2

ORM dapat dilakukan dalam reaktor adiabatik tanpa suplai panas, sehingga mengurangi
pembentukan titik panas dan membuat proses menjadi hemat energi. Selanjutnya, dengan
memanipulasi hubungan molar reaktan dalam ORM, rasio H2/CO yang dapat dikontrol untuk
berbagai keperluan sintetik.

Dafpus:
Asencios, Y. J. O., Marcos, F. C. F., Assaf, J. M., & Assaf, E. M. (2016). Oxidative-
reforming of methane and partial oxidation of methane reactions over NiO/PrO2/ZrO2
catalysts: effect of nickel content. Brazilian Journal of Chemical Engineering, 33(3), 627-
636.