Penumbuhan kristal hal yang paling penting adalah nukleasi dan kinatika pertumbuhannya.

Nukleasi sangat penting karena untuk memaksimumkan untuk bias terbentuk Kristal tunggal
yang sempurna dari pada membuat polikristal.

Faktor-faktor yang banyak mempengaruhi pada bentuk dari pertumbuhan Kristal adalah:
1. Laju konsentrasi, Jika Kristal tumbuh pada bawah bejana, laju konsentrasi membuat Kristal
yang baru tumbuh tersebut menjadi cenderung rata. Jika pertumbuhan Kristal terhenti, laju
konsentrasi akan mengulurnya. Pengaruh laju konsentrasi ini bias dihilangkan dengan cara
memutar Kristal secara horizontal atau dengan mengocok tabung kristaliser.
2. Impurti dalam padatan.
3. Pengaruh temperature, dimana variasi temperature sering kali membentuk fase pada Kristal
yang tidak pernah terjadi pada kondisi normal saat pertumbuhan.
4. Viskositas, jika viskositas cukup tinggi akan menghalangi terjadinya laju konsentrasi.

Pertumbuhan Kristal dari lelehan

Pembekuan dari lelehan merupakan metode yang sederhana untuk menumbuhkan Kristal
pada bahan yang memiliki titik leleh rendah, lelehan yagn kongruen dan tidak terjadi
dekomposisi. Secara umum metode pertumbuhan Kristal metode lelehan adalah:
a. Metode Bridgeman. Contoh dari metode ini adalah sintesis semikonduktor GaAs.
b. Metode Czochralski. Contoh dari aplikasi metode ini adalah penumbuhan Kristal silicon.
Kelebihan metode Czochralski dibandingakan dengan metode Bridgman adalah Kristal
yang telah ditumbuhkan tidak terkontaminasi oleh krusibel.

a. Metode Zona Melting

Konsentrasi pengotor yang ringan, seperti karbon dan oksigen, sangat rendah. Pengotor
lain seperti nitrogen, membantu untuk mengontrol microdefects dan juga meningkatkan kekuatan
mekanik dari wafer. Proses penubuhan Kristal dilakukan pada keadaan vakum dan pada atmosfer
gas inert. Proses dimulai dengan polikristalin yang kemurniannya tinggi dan benih Kristal berupa
Kristal tunggal yang diletakkan saling berhadapan pada posisi vertical dan diputar. Dengan
frekuensi medan radio, keduanya (benih dan polikristal) akan meleleh sebagian. Benih akan
dibawa keatas dari bawah agar bisa terjadi kontak dengan tetesan dari polikristal yang meleleh.
Proses necking dilakukan agar menjaga agar Kristal yagn ditumbuhkan terhindar dari dislokasi
sebelum diameter neck berkembang meruncing dan mencapai pertumbuhan yang diinginkan.

b. Metode Verneuil

Penumbuhan kistal dimulai dengan serbuk yang diletakkan pada container di dalam furnis
verneuil, dengan bagian bawah yang terbuka yang membuat serbuk bisa keluar saat container
bergetar. Ketika serbuk dikeluarkan, oksigen akan mengisi furnis, dan bergerak ke bawah
bersama denga serbuk ke tabung yang sempit. Tabung ini terletak di dalam tabung besar yang
berisi gas hydrogen. Ketika mencapai titik dimana saat tabung sempit membuka, pembakaran
terjadi, dengan suhu sekitar 3600 F. dan serbuk akan menumbuk api dan kemudian akan leleh
menjadi tetesan kecil. Tetesan secara perlahan-lahan membentuk kerucut yang ujungnya cukup
dekat dengan inti, kemudian benih Kristal secepatny akan terbentuk. Ketikan tetesan jatuh
diataas Kristal tunggal (boubel) mulai terbentuk, dan penyangga secara perlahan akan turun
untuk  membentuk bouble menjadi kristalin. Boubel terbentuk pada silinder runcing dengan
diameter yang membesar secara konstan. Dengan penambahan serbuk dan penarikan konstan
pada batang, silinder boubel akan terbentuk.

Penumbuhan Kristal dari larutan

Metode ini Kristal dapat dibentuk dari keadaan larutan yang mengalami super saturasi. keadaan
supersaurasi bisa dibuat dengan cara:
1. Temperature dari talutan secara perlahan diturunkan, dengan keadaan seperti in akan
terbentuk endapan.
2. Pelarut diuapkan untuk menjaga agar mengallami supersaturasi.
3. Larutan secara berlangsung ditambah, untuk mengimbangi terjadinya endapan.

Metode untuk menumbuhkan Kristal dari larutan adalah:

1.  Metode hidrotermal
Metode ini dilakukan dengan reaksi larutan dibawah temperature dan tekanan yang tinggi
di dalam system yang tertutup, untuk melarutkan dan rekristalisasi zat yang hanya sedikit yang
bisa larut dalam keadaan kondisi normal. Aplikasi dari metode ini adalah penumbuhan Kristal
quartz dari silica. SiO2 sulit larut dubawah kondisi normal, tetapi pada tekanan 20000 psi dan
temperature 400°C akan larut di dalam 1 M NaOH. Pelarutan silica ini berada di tempat yang
tertutup. Kemudian temperature mulai dinaikkan, kemudian Kristal tunggal dari benih mulai
terbentuk.
2. Metode flux
Metode ini menyertakan larutan anorganik sebagai pelarut temperature tinggi yang digunakan
untuk pengurai material. Contohnya adalah penumbuhan Kristal cobalt ferrite dari larutan PbO,
pemanasan secara sederhana caampuran dari kobalt oksida, besi yang terjadi di dalam krusibel
pada temperature yang tinggi untuk membuat lelehan dan kemudian secara perlahan didinginkan.
3. Penumbuhan dari uap
Selama sublimasi, Kristal secara langsung terbentuk dari penguapan. Dengan melewati fase
liquid. Biasanya Kristal terbentuk dengan ukuran yang kecil. Metode ini biasanya terdiri dari
dua, yaitu:
a. Metode kondensasi
Kristal tumbuh dari kondensasi uap saat temperature tinggi diberikan pada uap untuk
membuat kondisi yang supersaturasi pada daerah yang dingin sehingga uap bisa
bergerak.pada daerah yang dingin Kristal akan terbentuk.
b. Metode epitaksial
Pada metode ini mengorientasikan kristalisai dari substrat lain.