IVANA ESTERIA

(1906307920)

MICRO
MACHINING
Micro Machining-01

TUGAS-3

MICRO MACHINING-01
 Tugas 1
1. EDM-EDM wire cut
a) Perbedaan prinsip EDM dan EDM wire cut
• Working Principle
Konvensional EDM (Electrical Discharge Machining)
Proses ini membutuhkan cairan isolasi, elektroda, dan power supply. Elektroda dan benda
kerja saling berhubungan dengan bantuan sumber listrik dari power supply. Percikan
listrik dihasilkan antara elektroda dan benda kerja. Spark menciptakan panas yang hebat
dalam kisaran 8000-12000° C, akan melelehkan permukaan yang bersentuhan dengannya.
Tidak seperti wire-cut EDM, proses konvesional tidak memotong material sepenuhnya
tetapi memberikan kontrol operator untuk memotong dengan ketelitian tinggi dan sangat
fokus pada area tertentu untuk menghasilkan bentuk yang kompleks. Selain itu, tidak
menyebabkan stres pada material. Hal ini membuat sinker/konvensional EDM menjadi
salah satu proses terbaik untuk memproduksi parts.

Wire-cut EDM
Sistem kerjanya mirip dengan bandsaw pemotong kayu, meskipun dalam proses ini kawat
yang bergerak, bukan benda kerja. Kawat logam yang biasanya terbuat dari kuningan atau
tembaga memiliki tegangan tinggi yang melewatinya yang memungkinkannya memotong
ketebalan benda kerja. Pemotongan dapat dimulai dari tepi bahan atau lubang dapat
dibuat pada potongan untuk melewati kawat yang membuat pemotongan dari bagian
dalam.

• Struktur
Konvensional EDM (Electrical Discharge Machining)

Schematic illustration of the electrical-discharge machining process. This is one of the most widely used machining
processes, particularly for die-sinking applications.

MICROMACHINING-01
 Wire-cut EDM

Schematic illustration of the wire EDM process. As many as 50 hours of machining can be performed with one reel of wire,
which is then discarded.
• Jenis Elektroda
Konvensional EDM (Electric Discharge Machining)
Perbedaan paling mendasar antara EDM dan Wire-cut EDM adalah jenis elektroda yang
digunakan. Untuk EDM menggunakan sebuah elektroda workpiece grafit atau berillium
yang diolah sesuai dengan keinginan (negatif) dan dimasukkan ke dalam proses kerja
mesin di akhir proses kerja RAM vertikal. Die yang terbuat dari logam konduktif
digunakan sebagai tool electrode (katoda) untuk membebaskan elektron dan
menghasilkan percikan.

Wire-cut EDM
Dalam metode Wire-cut EDM, tidak digunakan die, namun menggunakan kawat
berdiameter kecil panjang yang terbuat dari logam konduktif digunakan sebagai elektroda
alat atau katoda. Bahan kawat yang digunakan biasanya berbahan dasar tembaga atau
kuningan.

• Hasil Akhir Pemesinan

Konvensional EDM (Electric Discharge Machining)
EDM konvensional tidak dapat menghasilkan sudut yang lebih sempit atau pola yang
lebih kompleks. Selain itu, EDM konvensional tidak dapat memotong workpiece secara
utuh, sebab seperti nama lain dari konvensional EDM yaitu, die sinking EDM, hasil akhir
proses pemesinan ini adalah digunakan untuk contouring 3-D, finishing, drilling, dan
deburring. EDM konvensional seringkali digunakan untuk membuat blind features (like
holes or cavities that are not open in bottom end).

Wire-cut EDM
Mesin EDM wire-cut dioperasikan oleh instrumen kontrol CNC yang dapat mengontrol
kabel pada sumbu 3D untuk fleksibilitas yang lebih besar. Proses pemotongan yang lebih
presisi memungkinkan pemotongan yang lebih rumit. Mesin kawat EDM mampu
memotong ketebalan workpiece dengan akurasi yang lebih tinggi. Pada ketebalan
tertentu, kawat EDM kawat hanya menguapkan logam, sehingga menghilangkan potensi
adanya debris, selain semua sisi Wire-cut EDM pada kawat. Percikan api dipancarkan,
yang berarti celah harus lebih tebal dari kawat itu sendiri. Di sisi lain, karena kawat

MICROMACHINING-01
 dikelilingi oleh loop arus, jalur pemotongan terkecil dan paling akurat ditambahkan
dengan diameter keduanya. Namun, Wire-cut EDM tidak cocok untuk menghasilkan hasil
kontur 3-D hanya bisa digunakan pada simple geometry 2-D saja.

• Titik Start Pemesinan

Konvensional EDM
Konvensional EDM dapat memulai pemesinan di lokasi mana pun pada benda kerja
terlepas dari ada atau tidak adanya tepi atau lubang.

Wire-cut EDM
Wire-cut EDM hanya dapat memulai pemesinan dari tepi (edges). Untuk memulai Wire-
cut EDM intermediate location pada benda kerja, lubang tembus (starter) diperlukan
untuk fabrikasi menggunakan operasi lain untuk melewati kawat.

• Produk Pemesinan
Konvensional EDM
o Konvensional EDM memungkinkan pabrikan untuk membuat bentuk kompleks
tanpa menimbulkan tekanan/stress ke dalam bahan konduktif listrik.
o Low-risk machining solutions.
o Digunakan dalam berbagai macam aplikasi karena tidak memotong sepenuhnya
(kecuali diinginkan), seperti cross-sections, thin walls, and blind cavities/keyways.
o Fleksibilitas ini menjadikannya teknologi yang efisien dan banyak digunakan.
Dengan sejarah dalam industri perjalanan ruang angkasa, sinker/konvensional EDM
telah menciptakan parts untuk mesin roket, satelit, dan pesawat ruang angkasa
lainnya.

Wire-cut EDM
o Kawat EDM memungkinkan produksi struktur yang fine (halus) dan kompleks.
Selain itu, dengan mesin presisi tinggi dan generator relaksasi khusus, ini
memungkinkan akurasi bentuk sekitar ±1 mikron meter.
o Proses ini digunakan dalam pemotongan 2D di industri manufaktur.
o Kawat EDM sebagian besar digunakan untuk pemotongan akurasi tinggi dan
sampel preperation.
o Hemat biaya dalam produksi kecil. Namun, menggunakan metode ini
membutuhkan kabel yang harus dipindahkan secara konstan dan tidak dapat
digunakan kembali yang dapat menempuh jarak beberapa kilometer yang
membuatnya lebih mahal dibandingkan dengan proses lainnya.
o Proses ini paling sering digunakan dalam proses pembuatan mold dan dies,
terutama untuk cetakan ekstrusi dan blanking punch.

• Parameter Pemesinan
Konvensional EDM
1. Gap voltage
2. On time pada pengerjaan material
3. Off time pada pengerjaan material

MICROMACHINING-01
 4. Kekasaran pada permukaan dies (surface roughness)
5. Laju pelepasan material
6. Laju waktu lamanya pengerjaan
7. Overcut pemakanan
8. Arus listrik yang digunakan (current pulse)
9. KPA (final cutting depth)
10. LKE (elekctrode wear rate)
11. LPM (material erosion rate)
12. Jenis elektroda yang dipakai

Wire-cut EDM
1. Pulse on time
2. Pulse off time
3. Ketebalan bahan terhadap material removal rate
4. Kekasaran permukaan pada workpiece
5. Wire speed
6. Open voltage
7. Kuat arus
8. Bahan wire yang digunakan
9. Jenis elektroda yang dipakai

2. Proses Sputtering
a) Jenis
1. Ion-beam sputtering
Ion-beam sputtering (IBS) is a method in which the target is external to the ion source.
A source can work without any magnetic field like in a hot filament ionization gauge.

2. Reactive sputtering
Dalam sputtering reaktif, partikel sputtered dari bahan target mengalami reaksi kimia
yang bertujuan untuk menyimpan film dengan komposisi yang berbeda pada substrat
tertentu.

3. Ion-assisted deposition
Dalam ion-assisted deposition (IAD), substrat terkena sinar ion sekunder yang
beroperasi pada daya yang lebih rendah daripada sputter gun.

4. High-target-utilization sputtering (HiTUS)

Sputtering juga dapat dilakukan dengan plasma densitas tinggi dari jarak jauh. Plasma
dihasilkan di side chamber yang terbuka ke main process chamber, berisi target dan
substrat yang akan dilapisi.

5. High-power impulse magnetron sputtering (HiPIMS)

HiPIMS adalah metode untuk deposisi thin films yang didasarkan pada deposisi
sputter magnetron. HiPIMS memanfaatkan kepadatan daya yang sangat tinggi dari

MICROMACHINING-01
 urutan kW/cm2 dalam short pulse (impuls) puluhan mikrosekon pada siklus low duty
<10%.
6. Gas flow sputtering
Sputtering gas flow memanfaatkan efek katoda berbentuk hollow. Dalam aliran gas
sputtering, gas yang bekerja seperti argon diarahkan melalui lubang di logam yang
dikenai potensial listrik negatif.

7. Radio frequency sputtering

Dalam sputtering radio frequency, medan alternatif frekuensi tinggi diterapkan
sebagai pengganti medan listrik DC. Sumber tegangan frekuensi tinggi yang
diperlukan dihubungkan secara seri dengan kapasitor dan plasma. Kapasitor
berfungsi untuk memisahkan komponen DC dan menjaga agar plasma tetap netral.

b) Working principle sputtering

• Dalam sputtering, target dari material dan substrat ditempatkan dalam ruang vakum
(vacuum chamber).
• Tegangan diterapkan antara target (katoda) dan substrat sehingga targetnya adalah
katoda dan substrat melekat pada bagian anoda.

• Sebuah plasma terbuat dari hasil mengionisasi gas sputtering (umumnya chemical
inert, gas berat seperti Argon).
• Sputtering gas bombards the target dan sputters off materi yang ingin dipertahankan.

Cara menghasilkan dan mengendalikan plasma

• Ion dapat dihasilkan oleh tumbukan atom netral dengan elektron berenergi tinggi.
• Interaksi ion dan target ditentukan oleh kecepatan dan energi ion.
• Karena ion adalah partikel bermuatan, listrik dan magnetic fields dapat mengontrol
parameter ini.
• Prosesnya dimulai dengan elektron yang bergerak di dekat katoda dipercepat menuju
anoda dan bertabrakan dengan atom gas netral mengubahnya menjadi ion bermuatan
positif.
• Proses tersebut menghasilkan dua elektron yang kemudian dapat bertabrakan dengan
atom gas lain dan mengionisasi mereka menciptakan proses cascading hingga gas
rusak.

MICROMACHINING-01
 • Breakdown voltage bergantung pada tekanan di ruang dan jarak antara anoda dan
katoda.
• Pada tekanan yang terlalu rendah, tumbukan tidak terjadi dengan cukup antara atom
dan elektron untuk mempertahankan plasma.
• Pada tekanan yang terlalu tinggi, terjadi begitu banyak tumbukan sehingga elektron
tidak memiliki cukup waktu untuk mengumpulkan energi antara tumbukan untuk
dapat mengionisasi atom.

Glow Discharge Formation

• Awalnya arus (aliran muatan) kecil. Ketika charges dikalikan, arus meningkat
dengan cepat tetapi tegangan, dibatasi oleh supply, tetap konstan.
• Akhirnya, ada cukup ion dan muatan untuk plasma menjadi self-sustaining.
• Beberapa tumbukan elektron-atom akan menghasilkan cahaya daripada elektron
dan ion, dan plasma juga akan glow disertai dengan penurunan tegangan (normal
glow)
• Jika daya input ditingkatkan lebih jauh, kerapatan arus menjadi seragam di katoda
dan akan berada abnormal discharge regime. Di sinilah sputtering mulai
beroperasi.

MICROMACHINING-01
Parameter Sputtering
1. Argon Pressure
– optimum deposition rate around 100 mTorr
– compromise between
• increasing number of Ar ions
• increasing scattering of Ar ions with neutral Ar atoms
– if you can increase the number of ions without increasing the number of neutrals, you
can operate at lower pressures
2. Sputter voltage
– maximize sputter yield (S)
– typically -2 to -5 kV

3. Substrate Bias Voltage

– substrate is being bombarded by electrons and ions from target and plasma
• sputtering film while you deposit
– neutral atoms deposit independently
– put negative bias on the substrate to control this
– can significantly change film properties
4. Substrate temperature
– control with substrate heater
– heating from deposited material
• increases with increasing sputter voltage
• decreases with increasing substrate bias
5. Particle Energy
– increases with increasing sputter voltage
– decreases with increasing substrate bias
– decreases with increasing Ar pressure

MICROMACHINING-01
Tugas 2
Langkah-langkah fabrikasi sensor accelerometer dengan hasil akhir yang diinginkan sebesar:
10 mikro meter lebar
25 mikro meter kedalaman
3000 mikro meter panjang

Cara pertama dengan Wet-chemical Etching

1. Si<110> wafer dibersihkan dengan prosedur RCA. Wafer ini teroksidasi secara termal pada
11000C untuk menumbuhkan oksida. Wafer kemudian dibelah untuk memperbaiki
alignment beams dan fingers untuk vertical wall etching.
2. Struktur device kemudian dicetak dalam oksida oleh fotolitografi dengan alignment yang
presisi (first mask). Anisotropik etching dilakukan dengan menggunakan 35% berat KOH
dalam larutan air pada suhu 600C membentuk struktur dalam sampel. Mask oksida
dihilangkan dan sampel dioksidasi ulang pada 11000C untuk membentuk lapisan oksida.
3. Difusi window kemudian dibuka dengan fotolitografi (second mask). Dalam proses ini
oksida ter-etching dari struktur device termasuk massa, fingers, beams dan anchors sambil
mempertahankan lapisan mask oksida pada sisa sampel. Difusi boron dalam dilakukan

MICROMACHINING-01
 pada 11500C menggunakan planar diffusion source untuk mencapai doping boron yang
diinginkan.
4. Pitch dibentuk dalam 7740 Pyrex glass dengan menggunakan masking Cr (300 Å)-Au
(1000Å) (third mask) dan larutan HF-HNO3. Metalisasi telah dihapus dan sampel kaca
dengan pitch dimetalisasi kembali dengan mendepositkan Ti (300 Å)-Au (1000Å) di bawah
UHV.
5. Interconnect lines dengan bound pass dipola (fourth mask) dan kemudian dikentalkan
dengan elektroplating emas dalam sianida.
6. Setelah itu, wafer silikon berpola dan sampel glass disejajarkan dan diikat secara anodik
pada 3800C dengan menerapkan bias 800 Volt. Dalam proses ini, kontak ke anchors silikon
dibuat melalui ikatan eutektik Au-Si.
7. Terakhir, Dissolve Wafer Process (DWP) dilakukan dengan menggunakan 35% wt KOH
dalam larutan air pada 750C untuk melepaskan struktur device sesuai bentuk yang
diinginkan.

Cara kedua dengan Dry Etching

1. Bahan utama yang digunakan adalah, wafer silikon-on-isolator (SOI) dengan ketebalan
device layer yang diinginkan dan juga bagian SiO2 sebagai layer utama.
2. Pertama-tama dry etching substrat elektroda untuk membentuk celah kapasitif;
3. Lalu, lakukan dry etching substrat elektroda kedua untuk membentuk silikon electrode.
4. Tumbuhkan lapisan silikon dioksida sesuai dengan ketebalan yang diinginkan
5. Etching silikon dioksida pada substrat elektroda

MICROMACHINING-01
 6. Mengikat SOI-wafer dari substrat elektroda dengan wafer SOI
7. Menghapus lapisan handler dan lapisan oksida buried untuk fabrikasi struktur silikon
8. Menumbuhkan lapisan silikon dioksida;
9. First etching lapisan silikon dioksida untuk setengah ketebalannya, dan menyelesaikan
proses pre-buried
10. Second etching silikon dioksida untuk mengetsa struktur silikon
11. First dry etching struktur silikon yang ada
12. Third etching dari silikon dioksida untuk reveal out atau membersihkan bagian pre-buried
mask
13. Second dry etching struktur silikon
14. Sourching-off silikon dioksida untuk menyelesaikan fabrikasi

Jika disederhanakan langkah tersebut menjadi skema berikut:

Cara ketiga dengan Physico-Chemical Etching

MICROMACHINING-01
1. (a) Prosesnya dimulai dengan pengendapan lapisan Si3N4 pada Si wafer, diikuti dengan
pelapisan polimida sebagai fleksibel substrat setelah proses curing. HD Microsystem
PI5878G dipilih karena transisi kacanya yang relatif tinggi 400°C sehingga memberikan
ruang yang cukup untuk proses suhu tinggi seperti untuk sacrificial layer curing and
nickel electroplating. Selanjutnya, lapisan Si3N4 diendapkan sebagai lapisan isolasi antara
substrat dan device.

2. (b) Lapisan aluminium digerus (sputtered) dan dipola menggunakan teknik lift-off untuk
membentuk bottom electrode dan bond-pass.

3. (c) Ketebalan pads ditingkatkan untuk mengulangi langkah sebelumnya tetapi hanya di
bagian bond-pass saja.

4. (d) Memberikan celah antara proof-mass dan bottom electrode, polimida yang dapat
ditentukan foto HD 4104 digunakan sebagai lapisan sacrificial dan di-curing hingga
ketebalan yang diinginkan. Lokasi anchor, di mana springs akan dihubungkan, ditentukan
melalui openings/bukaan di lapisan sarcificial menggunakan litografi dan etching.

5. (e) Selanjutnya, menggunakan teknik UV-LIGA yang dimodifikasi, dua lapisan Ni

dielektroplating untuk membentuk spring yang lebih tipis dan proof-mass yang lebih
tebal. Au diendapkan dalam evaporator sebagai seed-layer. Cetakan elektroplating adalah
SU-8 (SU-8 adalah photoresis negatif berbasis epoksi). Pengendapan Au dilakukan dengan
cara CVD (Chemical Vapor Deposition). Au diendapkan melalui reaksi dan/atau
dekomposisi senyawa gas.

MICROMACHINING-01
 Schematic diagrams of (a) a continuous, atmospheric-pressure CVD reactor and (b) a low-pressure CVD.
Source: After S.M. Sze.
6. (f) Lalu, Elektroplating Ni bisa dilakukan setelah mempolakan cetakan pertama, yang
menentukan lokasi proof-mass dan spring.

7. (g) Mold layer pertama dilepas dan mold-layer kedua dipola.

8. (h) Tambahan Ni dielektroplating untuk membuat proof-mass yang lebih tebal.

9. (i) Akhirnya, cetakan itu dilepas; Au terukir dan lsacrificial layer di ashed untuk mencapai
suspended proof-mass.

Jika disederhanakan, skema diatas menjadi seperti berikut

Referensi:
1. Austin Peng. Juli, 2021. Sinker EDM Vs. Wire Cut EDM, What Is The Difference?. Specializes in CNC
machining, 3D printing, urethane casting, rapid tooling, injection molding, metal casting, sheet metal,
and extrusion.
2. Serope, Kalpakjian. 1997. Manufacturing Engineering And Technology.sixth Edition, Addison Wesley.
3. Ru Li, M. Zakriya, R. Mahmoud, E. Ibrahim (Abe) M., C. Daniel. 2021. Design, modelling and
characterization of comb drive MEMS gap-changeable differential capacitive accelerometer.
4. Dr. Jerome. Fabrikasi accelerometer. Diunggah dari:
https://www.youtube.com/watch?v=Q4DhK8mpu50&t=3030s

MICROMACHINING-01
5. Md. Sohel, Zeynep, B. Donald P. 2017. Design, fabrication and characterization of flexible MEMS accelerometer
using multi-Level UV-LIGA.

MICROMACHINING-01