BAB III

MEKANISME HANTARAN DALAM SEMIPENGHANTAR

3.1 Klasifikasi Bahan Semipenghantar

Pada dasarnya pengertian tentang hantaran listik dalam semi penghantar

sama halnya dalam logam. Tetapi secara alami ada perbedaan dalam hal ikatan
kimia antara logam dan semi penghantar. Bahan yang dapat diklasifikasikan sebagai
semi penghantar dapat dilihat pada tabel 3.1 yang menunjukkan hambatan jenis
(resistivitas) listrik dari sejumlah bahan pada suhu 20°C.

Tabel 3.1. Resistivitas listrik berbagai bahan pada suhu 20°C

Bahan yang termasuk sebagai semipenghantar adalah yang memiliki

resistivitas diantara logam dan isolator. Namun hambatan semipenghantar pada
umumnya bergantung pada suhu. Pada suhu rendah, misal pada suhu helium
mencair, semipenghantar tidak dapat dibedakan dengan isolator, yakni resistivitasnya
yang besar. Kriteria yang lebih baik untuk mengetahui watak semipenghantar dapat
dilihat dari Gambar 3.1, yaitu kurva resistivitas terhadap suhu untuk dua macam
bahan semipenghantar yang berbeda. Dari sini, kedua bahan mempunyai resistivitas
dengan koefisien suhu negatif, untuk suatu daerah tertentu.

Gambar 3.1 Dua macam bentuk resistivitas

semipenghantar sebagai fungsi waktu

Logam memiliki dr/dT yang positif untuk semua suhu (kecuali untuk hal-hal
khusus). Harga negatif dr/dT selanjutnya dipakai sebagai dasar untuk
mengklasifikasikan bahan sebagai semipenghantar. Tetapi, isolator juga memiliki
harga dr/dT yang negatif, dan berkelakuan seperti semipenghantar. Perbedaan
antara semipenghantar dengan isolator adalah dalam besar resistivitasnya.
Meskipun silikon dan germanium merupakan semi-penghantar yang sangat
terkenal, tetapi masih banyak bahan yang lainnya. Dalam tabel 3.2 ditandai unsur-
unsur semipenghantar yang terdapat pada sistem periodik, bahan-bahan ini disebut
dengan semipenghantar unsur (elemental semi conductor). Ada pula sejumlah besar

6/14/2022 6/14/2022 1
semipenghantar senyawa, seperti oksida logam dan sulfida. Beberapa diantaranya
sangat penting, misalnya PbS dipakai sebagai piranti fotokonduktif, BaO dalam CRO,
cesium antimonide dalam fotomultipliers, dan sebagainya. Dalam pembicaraan ini
tidak mungkin dapat membicarakan sifat-sifat semua bahan ini, dan akan dibahas
tentang prinsip-prinsip umum. Oleh karena pentingnya germanium dan silikon, maka
kedua bahan ini diambil untuk menjelaskan kelakuan semipenghantar, dan beberapa
hal akan dibahas untuk semipenghantar senyawa.

Tabel 3.2. Kelompok ketiga sampai ke tujuh tabel periodik unsur.

3.2. Ikatan Kimia Bahan Si dan Ge

Silikon dan germanium merupakan unsur kolom ke empat dalam sistem

periodik unsur. Dalam keadaan padat mereka berbentuk kristal dengan struktur intan,
dijelaskan pada Gambar 3.2. Dalam struktur ini atom yang diberikan dikelilingi oleh
empat atom yang lain yang menempati sudut-sudut tetrahedron. Ikatan antar atom
dalam atom ini dengan tetangganya disebut dengan ikatan valensi. Gambar skematik
dua dimensi tentang ikatan valensi diberikan pada Gambar 3.3. Dalam kisi tiga
dimensi, ikatan membentuk sudut sekitar 109 derajad dengan atom-atom yang lain.

Gambar 3.2 Struktur kristal silikon. Gambar 3.3 Penggambaran dua

dimensi dari struktur kristal silikon

Dalam kristal murni Si atau Ge pada suhu nol mutlak, semua elektron valensi
terbentuk dalam ikatan homopolar, yakni tidak ada elektron yang memiliki kebebasan
untuk bergerak melalui kristal. Hal ini berlawanan dengan yang terjadi pada logam,
yang selalu memiliki elektron bebas dengan jumlah yang konstan untuk tiap suhu.
Sehingga pada suhu mutlak, Si dan Ge berupa isolator, karena tidak ada pembawa
muatan yang dapat bergerak. Sekarang, bila suhu naik maka getaran atom dalam
kisi-kisi akan meningkat. Beberapa elektron valensi dapat menyerap sejumlah energi
dari getaran kisi-kisi dan melepaskan ikatannya, dan menjadi sejumlah elektron bebas
yang dapat bergerak dalam kristal, yang dapat memberikan hantaran pada pada saat
ada medan listrik yang diberikan. Hal ini terjadi akibat adanya kerusakan ikatan.
Dengan mengacu pada Gambar 3.4, misalkan elektron terletak di A yang jauh dari
ikatan partikel, sehingga akan kehilangan sebuah elektron dari ikatan semula.
Misalkan sekarang bahan diletakkan pada medan listrik E. Sebuah elektron dari suatu
ikatan seperti B yang karena pengaruh medan akan cenderung bergerak ke dalam
keadaan elektronik kosong dalam A, akan meninggalkan keadaan elektronik kosong
di B dan sebuah elektron dari ikatan lain seperti C akan mengisi keadaan kosong ini.
Dengan mengulangi proses ini terlihat adanya muatan yang bergerak akibat adanya
medan listrik oleh ketidak-adaan sebuah elektron dalam ikatan pasangan elektron.
Catatan bahwa keadaan elektronik kosong yang bergerak dengan arah yang sama
dengan arah E akan menjadi pembawa muatan positif. Keadaan elektronik yang
kosong disebut sebagai lubang positif (positive hole) atau disingkat lubang (hole)
saja. Bila suhu bahan meningkat sampai pada suhu tertentu T>>0, maka sejumlah
ikatan akan rusak, dan menghasilkan konduksi akibat gerakan elektron dan lubang
akibat pengaruh medan listrik luar.

Gambar 3.4 Mekanisme hantaran pada semipenghantar kristal murni.

Untuk unsur Si dan Ge yang murni dapat dimengerti bahwa jumlah elektron
bebas harus sama dengan jumlah lubang. Semipenghantar seperti ini disebut dengan
semipenghantar intrinsik; yang dibedakan dengan semipenghantar ekstrinsik, yaitu
dengan pembawa muatan (elektron atau lubang) muncul karena ketidakmurnian yang
membangun kristal.
Bila elektron bebas bergerak dalam kristal, dapat diperhitungkan sebagai
akibat rusaknya ikatan. Hal ini dimungkinkan adanya rekombinasi antara elektron
dengan lubang, sehingga kedua pembawa muatan akan hilang dalam proses
konduksi. Di sisi lain, banyak ikatan dapat membangkitkan elektron dan lubang bebas
dengan menyerap energi dari getaran kisi. Sehingga untuk T yang tertentu
selanjutnya akan dicapai keadaan yang seimbang yakni jumlah pasangan elektron-
lubang yang dihasilkan oleh gerakan termal tiap detik sama dengan jumlah pasangan
elektron - lubang yang hilang tiap detik akibat rekombinasi. Pada suhu yang diketahui,
akan ada jumlah rerata elektron bebas yang tertentu, yang juga sama dengan jumlah
rerata lubang dalam suatu bahan. Sesuai dengan kenaikan suhu, jumlah rerata
pembawa muatan bebas akan meningkat pula. Proses generasi dan rekombinasi ini
dapat ditulis dalam bentuk reaksi persamaan 3.1: reaksi ini akan terproses ke kanan
pada suhu yang diberikan tergantung pada ikatan kimia. Bila elektron terikat cukup
kuat, maka jumlah pembawa muatan akan relatif kecil

elektron terikat(rokombinasi) elektron bebas + lubang 3.1

3.3. Rapat pembawa muatan semipenghantar intrinsik, Celah energi

 Dalam awal bab ini telah dikemukakan gambaran secara kualitatif, selanjutnya
pada bagian ini akan dijelaskan secara kuantitatif. Dalam hubungannya dengan ini,
ada gambaran pita energi. Pada suhu nol mutlak semua elektron valensi dalam
bahan seperti germanium terletak dalam ikatan atom. Elektron valensi dapat menjadi
bebas dengan menyerap energi yang cukup, terlihat bahwa energi elektron bebas
lebih tionggi dari pada elektron valensi, secara skematis dilukiskan pada Gambar 3.5.

Gambar 3.5. Pita energi bahan semikonduktor.

Dalam diagram ini diasumsikan bahwa semua elektron valensi memiliki energi yang
sama, Wv, sedangkan semua elektron bebas memiliki energi Wc. Aras Wc sebagai
aras konduksi, dan Wv sebagai aras valensi. Pada suhu nol mutlak ada N elektron
tiap m3 dalam aras valensi, dan tentunya tak ada elektron dalam aras konduksi.
Perbedaan antara Wc dan Wv adalah:

Wg = Wc - Wv 3.2

Apakah jumlah elektron konduksi bervariasi terhadap suhu?. Dalam

keseimbangan, pada suhu T, misal ada n elektron konduksi tiap m3 dan rapat lubang
juga sama dalam semipenghantar intrinsik. Telah dikemukakan bahwa elektron
konduksi dapat berekombinasi dengan lubang. Proses rekombinasi muncul sebanding
dengan jumlah tumbukan elektron-lubang; sehingga jumlah proses rekombinasi tiap
m3 per detik akan sebanding dengan rapat elektron dan rapat lubang, dapat dituliskan

( n/t )rekombinasi = - r n2 3.3

dengan r adalah konstanta, tanda negatif menandakan penurunan n akibat

rekombinasi, pasangan elektron-lubang yang dihasilkan dengan menyerap energi
thermal mempunyai laju yang sebanding dengan rapat elektron yang bisa tereksitasi,
(N-n), dan sebanding dengan faktor Boltzmann exp(-Wg/kT) dengan Wg adalah celah
energi antara aras valensi dan aras konduksi, sehingga:

( n/t )eksitasi thermal = -G(N-n) e-Wg/2kT 3.4

dengan G suatu konstanta. Oleh karena pada keseimbangan jumlah dalam

persamaan 3.3 dengan 3.4 harus sama dengan nol ( n/t = 0) maka

r n2 = G (N-n) e-Wg/2kT 3.5

Untuk n << N, didapatkan kerapatan elektron konduksi sebesar :

 n = konstanta e-Wg/2kT 3.6

Catatan bahwa rapat elektron konduksi (sama dengan rapat lubang) ditentukan oleh
perbandingan setengah lebar celah dan kT; faktor 1/2 muncul sebagai hasil dari n 2
dalam laju rekombinasi.

Gambar 3.6. Aras energi elektron semipenghantar.

Gambaran yang diberikan di depan belum akurat, karena dalam padatan

elektron-elektron valensi tidak semuanya mempunyai energi yang sama, juga energi
elektron-elektron konduksi. Pada kenyataannya jika atom membentuk padatan, aras-
aras energi atomik akan melebar dalam ruang aras-aras energi, perluasan merupakan
hasil dari interaksi antar atom-atom. Sama halnya dengan aras-aras energi yang
digunakan dalam elektron konduksi. Gambaran aras energi elektron yang lebih akurat
untuk semipenghantar intrinsik dan isolator direpresentasikan dalam Gambar 3.6.
Didasarkan pada asumsi yang terpusat pada hubungan antara energi dan panjang
gelombang elektron dalam pita valensi dan pita konduksi, didapatkan pernyataan
untuk n sama dengan persamaan 3.6.
Pada semipenghantar didapatkan :

n = (2 m k T/ h2 )3/2 (me mh /m2 )3/2 T3/2 e-Wg/2kT 3.7

Dengan h adalah konstanta Planck (=6.62X10 -34 joule sec.); m adalah massa elektron
dalam ruang bebas, me adalah massa efektif elektron konduksi, mh adalah massa
efektif lubang. Pada umumnya me dan mh sama dengan m. Hasil diatas dimunculkan
pada teori mekanika gelombang elektron dalam padatan. Percepatan yang dihasilkan
oleh medan listrik E masih diberikan oleh persamaan Newton klasik yakni a = - eE/ me .
 Gambar 3.7

Diasumsikan untuk suatu keadaan dengan me = mh = m, dari persamaan 3.7

didapatkan nilai:

n = 5 x 1021 T3/2 e-Wg/2kT m-3 3.8

T dinyatakan dalam derajad mutlak. Sebagai contoh, semipenghantar dengan celah

energi Wg = 1 eV, pada suhu kamar kT = 0.025 eV, sehingga Wg/2kT = 20. Ini
memberikan n = 5x10 16 tiap m3, sedangkan jumlah atom sekitar 5x10 28 tiap m3. Terlihat
hanya sangat kecil elektron yang dapat tereksitasi pada suhu ini.
Eksponen pada persamaan 3.7 memberikan bagian yang dominan dalam
ketergantungan suhu pada n, faktor T3/2 bervariasi relatif kecil. Hubungan fungsional
antara n dan T bisa diberikan dalam bentuk kurva ln(n/T3/2) terhadap 1/T, yang akan
menghasilkan: bahwa dalam setiap kasus derivasi persamaan 3.7 cukup handal.
Kurva secara skematis diberikan pada Gambar 3.7, untuk semipenghantar intrinsik,
mengacu pada persamaan 3.7 dan 3.8.

Tabel 3.3. Resistivitas dan celah energi dari unsur grup keempat, pada suhu ruang.

Oleh karena hantaran bahan tergantung pada rapat pembawa muatan, maka
hantaran pada semipenghantar sangat tergantung pada besar celah energi Wg.
Untuk menjelaskan hubungan ini, lihat Tabel 3.3. Unsur-unsur ini semua berkristal
dengan struktur intan. Terlihat bahwa r meningkat secara cepat dengan kenaikan Wg
sebagai hasil dari faktor Boltzmann yang muncul pada persamaan 3.7. Perubahan
dari isolator ke logam terlihat dari peralihan dari intan ke timbal, dalam timbal tidak
ada celah energi dan kerapatan elektron dalam pita konduksi secara esensial tidak
bergantung pada suhu.

3.4. Hantaran semipenghantar intrinsik

Dalam logam, hantaran listrik ditentukan oleh kerapatan elektron konduksi dan
oleh waktu relaksasi, sesuai persamaan s = n e2 t / m. Hantaran pada semipenghantar
dapat diperlakukan dengan dasar yang sama, perbedaannya terletak pada adanya
dua jenis pembawa muatan, yakni elektron bebas dan lubang. Jika n adalah
konsentrasi elektron bebas dan p adalah konsentrasi lubang [per m3], maka dapat
dituliskan hantaran semipenghantar dalam bentuk :

3.9

dengan te waktu relaksasi elektron, th waktu relaksasi lubang, me massa efektif

elektron, dan mh massa efektif lubang. Dalam semipenghantar intrinsik n = p. Pada
semipenghantar terdapat dua macam mobilitas, pertama untuk elektron ( mn) dan
kedua untuk lubang (mp); besaran ini didefinisikan sebagai :

dan 3.10

Hal ini menyatakan kecepatan hanyut rerata yang dihasilkan oleh 1 volt per meter.
Sehingga untuk semipenghantar intrinsik dengan n = p = ni dapat dituliskan

3.11

dengan ni diberikan oleh persamaan 3.4. Dalam semipenghantar intrinsik, pembawa

muatan dihamburkan terutama oleh getaran kisi-kisi, dengan waktu relaksasi
sebanding dengan T-3/2. Persamaan ini memperkirakan untuk hantaran
semipenghantar intrinsik

3.12

Meskipun waktu relaksasi yang ditentukan dari eksperimen tidak tepat sebanding
dengan T-3/2, tapi perlu dicatat bahwa ketergantungan suhu secara esensial
ditentukan oleh faktor Boltzmann, bahkan walaupun jika konstanta dalam persamaan
3.11a bervariasi terhadap T. Bentuk persamaan 3.11a dengan persetujuan dengan
hasil percobaan dapat dilihat pada Gambar 3.8, yakni logaritma dari r [ohm-1 m-1]
terhadap 1/T untuk Ge dan Si intrinsik. Kurva ini dapat dipakai untuk menentukan
celah energi Wg dari kemiringannya. Dari gambaran ini diberikan nilai numeris untuk
mobilitas dan kerapatan pembawa muatan dalam germanium seperti berikut ini.
n = p = =ni = 2 x 10 22 T3/2 x 10-3700 / T
mn (T) = 3.5 x 102 T-1.67 m2 volt-1 sec-1
mp (T) = 9.1 x 102 T-2.3 m2 volt-1 sec-1
mn (300°K) = 0.38 m2 volt-1 sec-1
mp (300°K) = 0.18 m2 volt-1 sec-1

Untuk silikon, mobilitas sebagai fungsi suhu diberikan oleh:

mn (T) = 4.0 x 106 T-2.6 m2 volt-1 sec-1
mp (T) = 2.5 x 104 T-2.3 m2 volt-1 sec-1
mn (300°K) = 0.17 m2 volt-1 sec-1
mp (300°K) = 0.035 m2 volt-1 sec-1
Semua nilai-nilai ini merupakan nilai pendekatan.

Gambar 3.8

3.5. Kerapatan Pembawa dalam Semipenghantar Tipe-N

Banyak penerapan semipenghantar dalam bidang teknik menggunakan

semipenghanter yang telah di-kotori dengan ketidakmurnian tertentu, dengan
menambahkan sejumlah kecil partikel ketidakmurnian pada bahan intrinsik, misalnya
Ge. Atom ketidakmurnian menempati posisi kisi yang dalam bahan murni ditempati
oleh atom Ge atau Si. Dalam kepentingan tertentu, Si dan Ge di-kotori dengan unsur-
unsur dari kolom ketiga dan kelima tabel periodik unsur; kebanyakan untuk unsur
kolom ketiga yaitu: B, Al, Ga, dan In, dan dari kolom kelima antara lain: P, As, dan Sb.
Penambahan satu persen unsur-unsur tersebut dapat meningkatkan hantaran sampai
dengan beberapa pangkat dari sepuluh. Ketergantungan suhu hantaran sangat
dipengaruhi oleh kandungan ketidakmurnian. Sifat ini berbeda dengan penambahan
sedikit ketidakmurnian pada logam. Ketergantungan yang kuat dalam hal sifat listrik
suatu semipenghantar dalam hubungannya dengan kandungan ketidakmurnian dapat
dimengerti dengan penjelasan berikut ini.
Misalkan kristal germanium dengan sebagian kecil atom Ge digantikan oleh
atom Sb. Atom Sb mengandung lima buah elektron valensi, dan karena ia menempati
kedudukan kisi Ge normal, ia hanya perlu empat elektron valensi untuk membentuk
empat ikatan pasangan elektron dengan atom tetangga terdekat. Sehingga atom Sb
masih memiliki satu elektron valensi yang belum digunakan dalam ikatan kimia
dengan tetangganya. Elektron ekstra tidak terikat secara kuat seperti elektron valensi
yang lain. Seberapa elektron ekstra terikat, berapa banyak energi yang diperlukan
untuk membuatnya bebas?. Jawaban pendekatan numeris terhadap pertanyaan ini
dapat diperoleh seperti berikut. Misalkan elekrton terletak jauh dari kedudukan atom
Sb, sehingga ada ion Sb + yang membawa muatan +e. Konsekuensinya elektron akan
dapat terletak dekat kedudukan Sb, karena adanya tarikan medan ion Sb +. Elektron
ekstra bisa digambarkan sebagai gerakan partikel di sekeliling ion positif dengan
muatan +e, hal ini sama dengan gerakan sebuah elektron dalam atom hidrogen yang
mengelilingi muatan +e, lihat Gambar 3.9.
 Gambar 3.9

Elektron ekstra bergerak dalam medan ion Sb+ yang terletak dalam medium
dielektrik, misalnya Ge, yang memiliki konstanta dielektrik relatif sebesar er = 16.
Adanya dielektrik antara elektron dan ion Sb + mengurangi kuat medan dan
mengurangi energi ikat elektron. Hal ini dapat dilihat melalui model Bohr untuk kasus
berikut. Dianggap elektron bergerak dengan orbit lingkaran dengan radius r; jika v
menyatakan kecepatan elektron dalam orbit, didapatkan kondisi seimbang:

3.12

Sisi kiri menyatakan gaya coulomb antara elektron dengan ion, sisi sebelah kanan
adalah gaya sentrifugal. Total energi elektron sama dengan:

3.13

Sekarang menurut postulat kuantum Bohr, 2p kali momentum sudut elektron akan
sama dengan perkalian bulat konstanta Planck, h. Bila elektron berada pada keadaan
energi terendah (ground state), bila bilangan bulat adalah satu maka :
3.14

Dengan mengkuadratkan kedua sisi persamaan ini, dan menggantikan v2 dari

persamaan 3.12, diperoleh:

3.15

Energi elektron dapat diperoleh dengan substitusi v dari persamaan 3.15 dengan
3.13, akan memberikan:

3.16
Menurut persamaan 3.15, jari-jari orbit elektron sebanding dengan er. Sehingga
menurut model ini jari-jari orbit elektron bergerak dalam medan ion Sb + yang
dikelilingi germanium adalah 16 x 0,53 Å = 8.5 Å. Juga menurut persamaan 3.16
energi elektron sebanding dengan 1/er2. Karena -W menyatakan energi yang
diperlukan untuk menempatkan elektron jauh dari atom Sb, dan karena energi yang
diperlukan untuk ionisasi atom hidrogen sama dengan , maka
energi ionisasi atom Sb hanya sekitar 0.05 eV. Tentu saja model bisa diterapkan
dengan baik pada unsur yang lain dari unsur-unsur pada kolom kelima, karena hanya
tetapan dielektrik er yang muncul sebagai parametar dalam rumus. Tetapi model ini
sendiri agak kurang baik karena nilai perkiraannya tidak sama dengan yang diperoleh
dari analisa data eksperimen. Sehingga, dalam germanium energi ionisasi dari P, As,
dan Sb diperoleh sekitar 0.001 ev, dan berbeda sedikit antara satu dengan yang lain.
Hasil penerapan yang sama sebaik pada ketidakmurnian dari kolom kelima di
dalam silikon. Oleh karena silikon memiliki tetapan dielektrik yang lebih rendah (er =
12), maka energi ionisasi unsur-unsur ini dalam Si akan lebih besar dibandingkan
dengan di dalam germanium. Dalam hal ini dapat dilihat dari nilai eksperimen yang
diberikan berikut ini:

Jika kandungan ketidakmurnian meningkat maka energi ionisasi akan menurun. Nilai-
nilai di atas diberikan dengan konsentrasi rendah (kurang dari 10 23 per m3).

(a) (b)
Gambar 3.10

Kristal germanium mengandung sejumlah kecil ketidakmurnian Sb pada suhu

nol mutlak. Karena pada T = 0, sistem elektronis berada pada keadaan energi
terendah, semua elektron valensi akan berada pada pita valensi, dan semua
ketidakmurnian Sb tidak akan terionisasi. Gambaran pita energi yang berhubungan
dengan situasi ini dapat diperhatikan pada Gambar 3.10a. Gambaran ini sama halnya
untuk semipenghantar intrinsik yang pita valensinya terisi dan pita konduksinya
kosong. Namun elektron ekstra yang diasosiasikan dengan atom Sb menempati
keadaan yang berada hanya seper beberapa elektron volt di bawah pita konduksi;
dalam Ge, elektron diasosiasikan dengan sebuah atom Sb menempati 0.01 eV di
bawah batas ionisasi. Garis putus-putus pada Gambar 3.10 a menyatakan aras
energi elektron ekstra dari atom Sb; titik-titik menyatakan electron bebas. Dengan
kenaikan suhu, getaran kisi-kisi semakin meningkat, dan dengan penyerapan
sejumlah energi tertentu beberapa atom Sb bisa berionisasi, yakni mereka
melepaskan elektronnya ke pita konduksi, seperti pada Gambar 3.10b. Oleh karena
energi ionisasi atom Sb lebih kecil dari pada energi Wg yang diperlukan untuk
merusakkan ikatan valensi, atom Sb akan memberikan elektron pada pita konduksi
pada temperatur yang lebih rendah dari pada yang dilakukan oleh elektron pada
elektron valensi. Atom Sb disebut dengan atom donor karena sifatnya yang dapat
memberikan elektron pada pita konduksi. Misalkan ada Nd atom donor, dan ada n
yang terionisasi pada suhu T; maka ada sejumlah (Nd - n) donor yang tidak
terionisasi. Laju elektron dalam pita konduksi ber-rekombinasi dengan ion donor akan
sebanding dengan jumlah dari elektron konduksi dan sebanding dengan jumlah donor
yang terionisasi. Sehingga:

3.17

dengan r merupakan konstanta. Laju elektron terionisasi dari donor yang tidak
terionisasi ke pita konduksi sama dengan :

3.18

dengan g merupakan fungsi dari suhu. Pada keseimbangan, jumlahan dari

persamaan 3.17 dan 3.18 harus sama dengan nol. Maka:

3.19

Hal ini dapat ditunjukkan dari mekanika statistik bahwa konstanta yang muncul dalam
persamaan 3.19 sebanding dengan faktor Boltzmann exp(-W i/kT), dengan Wi
menyatakan energi ionisasi dari atom ketidakmurnian. Maka :

3.20

Untuk nilai T yang meningkat maka n akan meningkat secara eksponensial. Bila kT
menjadi lebih besar dari Wi, maka n mendekati Nd. Dalam hal ini, misalnya, untuk
ketidakmurnian Sb (Wi = 0.01 eV) pada suhu ruang ( kT = 0.025 eV), saat suhu
meningkat pada nilai yang cukup tinggi, akan mengeksitasi elektron dari pita valensi
ke pita konduksi. Hasil ini dapat dijelaskan dengan mengacu pada Gambar 3.11,
yakni kurva skematis dari kerapatan elektron dalam semipenghantar yang
mengandung sejumlah aras donor.
 Gambar 3.11

Pada suhu rendah, rapat elektron konduksi ditentukan secara mendasar oleh
konsentrasi donor. Gradien kurva log n terhadap 1/T dalam daerah itu ditentukan
oleh setengah energi ionisasi [n<< Nd dalam persamaan 3.20]. Pada suhu yang lebih
tinggi, ada lebih banyak elektron valensi dari donor, rapat elektron konduksi
selanjutnya ditentukan hanya oleh eksitasi dari pita valensi. Untuk memberikan
contoh: germanium dekat dengan ketidakmurnian terionisasi di atas suhu udara
mencair; sampel terdoping pada suhu ruang resistivitasnya 0.001 ohm meter menjadi
intrinsik pada suhu sekitar -200°C.
Semipenghantar yang mengandung aras donor disebut sebagai bahan tipe-n,
untuk menandakan bahwa konduksi di bawah daerah intrinsik disebabkan pembawa
muatan negatif. Rapat pembawa muatan tercermin dari konduktifitas bahan.
Ketergantungan suhu dari konduktivitas menjadi lebih rumit sebagai hasil dari
ketergantungan suhu dari waktu relaksasi dan karena ketidakmurnian itu sendiri
mengakibatkan proses hamburan yang baru.

3.6 Semipenghantar Tipe-P

Kembali pada semipenghantar unsur, silikon dan germanium, kita mengangap

konsekuensi pemberian doping dengan unsur dari kelompok ketiga dari sistem
periodik: sebagai contoh, atom boron di dalam germanium. Atom B sekali lagi
menempati tempat dalam kisi yang dalam bahan murni ditempati oleh atom Ge.
Tetapi, atom boron hanya memiliki tiga elektron valensi, sehingga kurang satu
elektron untuk dapat membentuk empat ikatan pasangan elektron dengan atom
tetangga. Kekurangan satu elektron dalam ikatan ini disebut dengan lubang, tapi
dalam kasus ini lubang 'terikat' dengan atom boron, pada suhu dekat dengan nol
mutlak. Jika sebuah elektron seperti A dari ikatan pasangan elektron yang normal
akan melompat ke lubang, semestinya lompatan dari elektron yang lain ke dalam
lubang akan mendahului konduksi lubang, seperti halnya dalam semipenghantar
intrinsik ( Lihat Gambar 3.12). Tetapi beberapa energi diperlukan untuk langkah awal
proses ini, ini dapat ditunjukkan bahwa energi yang diperlukanuntuk elektron valensi
bereksitasi ke dalam lubang diperkirakan sama dengan energi ionisasi dari aras donor
pada bahan yang sama; lubang yang terikat dengan atom boron dapat
direpresentasikan dalam diagram aras energi yang menempati aras sedikit di atas
puncak elektron valensi, seperti pada Gambar 3.13a.
 Gambar 3.12. Ketidakmurnian boron dalam germanium.

Pada suhu nol mutlak, lubang-lubang tetap terikat pada ketidakmurnian, tetapi bila
suhu naik, elektron valensi bisa tereksitasi masuk ke dalam ikatan lubang, sehingga
menghasilkan lubang akan dihasilkan dalam pita valensi seperti ditunjukkan dalam
Gambar 3.13b. Aras ikatan lubang disebut dengan aras aseptor, karena mereka
dapat menerima elektron dari pita valensi. Bahan-bahan semacam ini dinamakan tipe
- p, karena arus konduksi dibawa oleh lubang.

Gambar 3.13. Tingkat energi bahan tipe-p.

Pembahasan pada sub bab terdahulu dengan mengacu pada elektron dapat
diterapkan pada kasus ini dan bisa cukup untuk memberikan sebuah contoh
konduktivitas sebagai fungsi dari suhu untuk semipenghantar tipe - p, misalnya oksida
kupri. Dalam Gambar 3.14, dijelaskan hubungan antara log  dengan 1/T untuk
oksida kupri tipe - p, konsentrasi aras aseptor akan bervariasi. Pada suhu rendah,
konduktivitas dihasilkan terutama dari lubang yang dihasilkan oleh eksitasi elektron
valensi ke dalam aras aseptor. Kemiringan kurva pada daerah ini ditentukan oleh
energi untuk mengeksitasi elektron valensi ke aras aseptor. Untuk suhu yang
meningkat, yang selanjutnya masuk ke dalam daerah intrinsik, kemiringan ditentukan
oleh celah energi antara pita valensi dan pita konduksi. Pada bahan berikut, aras
aseptor dibentuk seperti berikut ini : Dalam Cu 2O murni ada satu ion oksigen O2- untuk
tiap dua ion Cu2+; hal ini dikatakan sebagai komposisi stoikiometris. Jika bahan
dipanasi dalam oksigen, rumusan kimia tidak sepenjang yang diberikan oleh Cu 2O,
karena beberapa oksigen ekstra digabungkan dalamn kisi-kisi. Atom-atom oksigen
ekstra dapat mudah menerima satu atau dua elektron, karena ia memiliki
kecenderungan menjadi ion O2- dari pada tetap normal. Atom-atom oksigen menerima
elektron dari pita valensi, yang akan mengakibatkan lubang menjadi mudah bergerak
dalam pita valensi. Aras aseptor dalam kasus ini, selanjutnya atom-atom oksigen
ekstra digabung dalam kisi-kisi oleh perlakuan panas dalam oksigen. Dengan
mengiubah-ubah tekanan oksigen, akan diperoleh konsentrasi aseptor yang
bervariasi pula. Dengan kenaikan aseptor, pada suhu rendah daya hantar bahan
akan meningkat, seperti diperlihatkan pada Gambar 3.14.

Gambar 3.14. Konduktivitas beberapa bahan sebagai fungsi dari (1/T).

3.7. Efek Hall dan kerapatan pembawa muatan

Oleh karena hantaran bahan ditentukan oleh perkalian kerapatan pembawa

muatan dan mobilitas pembawa muatan, pengukuran hantaran itu sendiri tidak dapat
untuk mengevaluasi kedua besaran ini secara terpisah. Tetapi dalam hal hanya ada
satu jenis pembawa muatan, rapat pembawa muatan dapat ditentukan dari
pengukuran koefisien Hall dari suatu bahan, R H. Dalam hal ini pengukuran  dan RH
dapat dipakai untuk menentukan rapat muatan dan mobilitas dari pembawa muatan.
Dari pengukuran semacam ini, data mobilitas yang diberikan di awal bab ini bisa
didapatkan. Sekarang akan dibahas dan perkiraannya, dengan menganggap
pembawa muatan adalah lubang positif. dengan muatan +e.

Gambar 3.15. Ilustrasi terjadinya efek hall.

Pada Gambar 3.15, anggap sebuah lempengan bahan jenis p dengan rapat
arus J yang dihasilkan dari medan listrik yang diberikan sebesar E x. Karena pembawa
muatan diasumsikan positif, maka akan terjadi hanyutan dengan kecepatan rerata
<vx> dalam arah x. Jika medan magnetik dengan rapat fluks B Z (weber per meter
persegi) diterapkan sepanjang arah z, pembawa muatan akan terkena gaya Lorentz
tegak lurus dengan <vx> dan BZ ; lihat gambar 3.15, arah gaya sepanjang sumbu y
negatif. Besar gaya ini diberikan oleh e<v x>BZ. Sehingga pembawa muatan positif
bergerak ke arah depan, akan menghasilkan kelebihan lubang dekat dengan
permukaan depan dan pengurangan lubang dekat dengan permukaan belakang.
Muatan ini akan menciptakan medan listrik sepanjang arah y positif. Dalam hal ini,
keadaan seimbang dicapai yakni gaya Lorentz terkompensasi oleh gaya yang
dihasilkan dari medan listrik sepanjang sumbu y, selanjutnya dapat dituliskan:

e Ey = e <vx> Bz 3.21

Di lain hal, rapat arus pada sampel ini diberikan oleh :

Jx = p e <vx> 3.22

dengan p merupakan kerapatan lubang. Pengeliminasian <v x> dari kedua persamaan
terakhir didapatkan koefisian Hall RH sebagai :

RH = Ey /(Bz Jx) = 1/ (e p) 3.23

Rapat arus Jx dapat dihitung dari arus keseluruhan dan luasan melintang dari
sampel. Medan Ey dapat ditemukan dari memasang probe tegangan pada permukaan
depan dan belakang, dan dengan membagi tegangan Hall yang terukur dengan lebar
sampel sepanjang sumbu y. Sehingga RH dapat diperoleh dari pengukuran, dan nh
dapat dihitung. Perlu dicatat bahwa pererataan yang tepat pada distribusi kecepatan
pembawa muatan memberikan RH = A/(e p), dengan A adalah konstanta dengan
orde satuan. Untuk model semipenghantar sederhana, satu hal dapat diperoleh dari
persamaan 3.23:

RH = ( 3/8 ) / (e p) 3.24

Jika pembawa muatan adalah elektron, maka polaritas tegangan Hall akan terbalik,
yakni
RH = Ey /(Bz Jx) = - 1/(e n) 3.25

dengan n adalah rapat elektron konduksi. Sehingga kesimpulan dari pengukuran

koefisien Hall pada semipenghantar dengan satu macam pembawa muatan
memberikan: a. tanda dari pembawa muatan, dan b. kerapatan pembawa muatan.
Dari pertimbangan di atas berikut medan listrik total dalam contoh Gambar
3.15, memberikan sudut dengan sumbu x yang besarnya tidak nol, seperti pada
Gambar 3.15b. Sudut ini disebut dengan sudut Hall. Bila ada dua macam pembawa
muatan dalam waktu yang sama, efek Hall menjadi lebih rumit dan pengukuran
koefisien Hall tidak dapat dilakukan untuk menghitung rapat pembawa muatan.
Sehingga dengan asumsi yang sama dengan derivasi persamaan 3.23 akan
didapatkan :
 RH = Ey / (Bz Jx ) = (p mh2 - n me2 )/[e (p mh + n me)] 3.26

dengan n dan p merupakan rapat elektron dan rapat lubang, me dan mh adalah
mobilitas pembawa. Catatan, koefisien Hall akan positif jika (p mh2 > n me2), dan
sebaliknya bila negatif.

-----o0o-----