MAKALAH

EPITAXY METHOD
Diajukan Untuk Memenuhi Salah Satu Tugas Mata Kuliah Metode
Eksperimen Fisika Material
Dosen Pengampu :
Dr.Hj. Hasniah Aliyah, M.Si.

Oleh :
Mia Rohmatul Hasanah
1137030043

JURUSAN FISIKA
FAKULTAS SAINS DAN TEKNOLOGI
UNIVERSITAS ISLAM NEGERI SUNAN GUNUNG
DJATI
BANDUNG

2016

KATA PENGANTAR
Puji dan syukur penulis panjatkan ke hadirat Allah SWT, sehingga
atas petunjuk dan karunia-Nya penulis dapat menyelesaikan makalah yang
berjudul : EPITAXY METHOD.
Makalah ini disusun untuk memenuhi salah satu tugas mata kuliah
metode

eksperimen

fisika

material.

Dalam

makalah

ini,penulis

menjelaskan tentang metode penelitian Epitaxy.

Penulis menyadari bahwa dalam makalah ini masih banyak
kekurangan. Untuk itu penulis mengharapkan saran dan masukan yang
bersifat membangun. Semoga makalah ini dapat memberi manfaat yang
besar bagi yang membaca dan mempelajarinya. Aamiin.

Bandung,

2016

Penulis

DAFTAR ISI
KATA PENGANTAR
DAFTAR ISI

ii

BAB I PENDAHULUAN 1
1.1

LATAR

BELAKANG...............................................................
................ 1
1.2

RUMUSAN

MASALAH................................................................
........... 1
1.3

TUJUAN............................................................

......................................... 1
BAB II PEMBAHASAN
2.1

PENGERTIAN

EPITAXY..................................................................
...... 3
2.2

TIPE

EPITAXY..................................................................
....................... 3
2.3
PEMBAGIAN
EPITAXY..................................................................
........ 4
2.3.1 LIQUID DROP EPITAXY (LDE)
................................................ 4
2.3.2 METALORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
(MOCVD) ...............................................................
................................. 5
2.3.3 MOLECULAR BEAM EPITAXY
(MBE)..................................... 6

2.4

MATERIAL DAN PROSEDUR

EPITAXY............................................ 7
2.5
HASIL (OUTPUT)
EPITAXY .................................................................
8
BAB III PENUTUP
3.1

KESIMPULAN...................................................

....................................... 9
DAFTAR PUSTAKA

iii

BAB I
PENDAHULUAN
1.1

Latar Belakang
Dewasa ini, metode penelitian yang dipakai untuk

mengambil data sudah ada berbagai macam. Metode

sendiri merupakan suatu cara untuk mengambil data pada
suatu

penelitian

dengan

ciri

khas

sendiri.

Semakin

menuntutnya pengambilan data, maka peneliti berusaha

mencari sebanyak mungkin metode terbaru dengan hasil
yang lebih efisien dari metode sebelumnya.
Epitaxy method merupakan sebuah metode yang
digunakan untuk menumbuhkan atau membuat lapisan
kristalin diatas sebuah substrak. Lapisan tersebut disebut
dengan lapisan epitaxial.
Epitaxy method biasa digunakan pada teknologi
semikonduktor
lapisan

dengan

penyusun

karena

metode

kualitas

utamanya

yang

ini

bisa

tinggi.

berhubungan

menghasilkan
Karena

dengan

bahan

senyawa

semikonduktor, maka hasilnya juga berupa lapisan tipis

semikonduktor. Oleh karena itu, perlu dipelajari bagaimana
cara menggunakan metode ini terutama dalam bidang
eksperimen fisika material.
1.2

Rumusan Masalah
Berdasarkan latar belakang diatas, maka dibuat

rumusan masalah sebagai berikut :

1. Apa pengertian Epitaxy ?
2. Apa saja tipe dari epitaxy ?
3. Bagaimana pembagian epitaxy ?
4. Apa saja bahan penyusun serta bagaimana proses
epitaxy ?
5. Apa hasil akhir dari metode epitaxy ?
1.3

Tujuan Penulisan

Adapun tujuan dari penulisan ini adalah sebagai

berikut :
1. Untuk mengetahui pengertian epitaxy
2. Untuk mengetahui tipe epitaxy
3. Untuk mengetahui pembagian dari

metode

epitaxy
4. Untuk mengetahui bahan penyusun serta proses
epitaxy
5. Untuk mengetahui hasil akhir dari metode epitaxy

BAB II
PEMBAHASAN
2.1

Pengertian Epitaxy
Epitaxy secara bahasa berasal dari kata epi yang

berarti atas dan taxis yang berarti urutan. Epitaxy dapan

diterjemahkan

sebagai

pengaturan

yang

mengatur

ketebalan dan pengotor. Epitaxy secara istilah merupakan

pertumbuhan dari lapisan kristal tunggal yang berada
diatas substrat kristalin. Epitaxy juga menunjukkan pada
deposisi dari lapisan atas kristalin pada sebuah substrat
kristalin.

Lapisan

epitaxyal.

tersebut

disebut

sebagai

lapisan

Menurut literatur lain, disebutkan bahwa

epitaxy merupakan proses pertumbuhan lapisan tunggal

kristalin pada sebuah substrat kristalin.
Epitaxy adalah sebuah proses non-ekuilibrium yang
memberikan gaya sebanding dengan tingkat jenuh suatu
bahan yang menyebabkan perubahan material tersebut
menjadi masuk ke dalam fase kristal. Substrat berperan
sebagai bijih kristal, lapisan yang telah disimpan diambil
struktur kisinya dan diorientasikan pada substrat.
Epitaxy biasa digunakan pada devais optoelektronik
seperti Ga, In dan N. Hasil akhir yang didapatkan dari
metode epitaxy berbeda dari deposisi lapisan tipis yang
terbuat dari lapisan polycrystalline atau lapisan amorf.
Epitaxy merupakan teknik untuk menumbuhkan
kristal

dari

lapisan

ke

lapisan

dari

atomically

flat

dipermukaan kristal lain.

2.2

Tipe Epitaxy
Metode ini biasa digunakan untuk membuat lapisan

tipis semikonduktor. Ada beberapa pembagian dari metode

ini,

yakni

homoepitaxy

dan

heteroepitaxy.

Pada

homoepitaxy, kristal tumbuh pada substrat dari bahan

yang sama. Contohnya dari lapisan silikon.
Sedangkan heteroepitaxy, adalah pertumbuhan satu
kristal pada substrat lain yang memiliki perbedaan bahan.
Lapisan silikon selalu digunakan karena memiliki berbagai
bentuk diantaranya dalam bentuk atomically flat, serta
berbagai

semikonduktor

kristal

dapat

tumbuh

diatas

silikon. Bahan semikonduktor yang sering dipakai adalah

gallium, arsenide dan germanium. Heteroepitaxy sendiri
memiliki

beberapa

bagian,

yakni

ada

Semikonduktor

Logam Heteroepitaxy dan Silikon Heteroepitaxy.

Semikonduktor logam heteroepitaxy adalah salah
satu truktur logam semikonduktor yang digunakan untuk
contact

application.

epitaxialnya

Meskipun

memperbolehkan

tidak

esensial,

peningkatan

lapisan
mobilitas

elektron melewati junction. Contohnya seperti Fe pada

GaAs yang mungkin memiliki kesamaan karena ukuran kisi
Fe adalah setengah dari GaAs.
Silikon heteroepitaxy bukan termasuk bahan yang
ideal dilihat dari sifat elektrik dan optiknya, namun Si
mudah untuk diproses dan ketersediaan native oxide yang
bagus telah membuatnya menjadi background industri
semikonduktor. Persatuan dari substrat Si dengan lapisan
senyawa

semikonduktir

dapat

meningkatkan

fungsi

optoelektronika dan kecepatannya. Namun, ada beberapa

kisi yang tidak sesuai dan masalah dalam kesesuaian sifat
kimia antara Si dengan hampir seluruh logam III V yang
termasuk dalam pertumbuhan langsung.
2.3
Pembagian Epitaxy
Metode epitaxy secara khusus dibuat untuk dapat
mengontrol pertumbuhan bahan semikonduktor dengan
kualitas yang paling baik. Menggunakan teknik ini, kristal
tunggal lapisan tipis semikonduktor dapat disintesis pada
4

berbagai macam substrat. Karena kebutuhan pada devais

semikonduktor

yang

semakin

komplek

meningkat,

beberapa teknik baru berhasil dibuat untuk memenuhi

kepuasan yang membutuhkan sehingga j sendiri terbagi
kedalam

beberapa

macam,

diantaranya

Liquid

Drop

Epitaxy (LDE), Metalorganic Chemical Vapor Deposition

(MOCVD) dan Molecular Beam Epitaxy (MBE).
2.3.1

Liquid Drop Epitaxy (LDE)

Liquid drop epitaxy (LDE) adalah metode yang
bisa melakukan pertumbuhan kristal dari tetesan
suatu larutan. Metode ini merupakan metode yang
paling lama dalam metode epitaksi. Metode ini
bekerja

dengan

menggunakan

uap

gas

yang

didinginkan agar terbentuk menjadi kristal.

Metode ini menggunakan suhu yang sangat

tinggi. Substrat dimasukan ke dalam larutan ketika
suhunya

sudah

konstan,

contohnya

pada

suhu

800oC. Hasil akhir dari metode ini adalah lapisan

dengan kualitas yang tinggi.
Polycrystalline adalah padatan yang dihasilkan
oleh metode ini. Metode ini tidak cocok digunakan
untuk

lapisan

yang

besar

karena

rendahnya

pembentukan ketebalan dan rendahnya formasi

permukaan.

Gambar 2. 1 Liquid Drop Epitaxy (LDE)

2.3.2

Metalorganic Chemical Vapor Deposition

(MOCVD)
MOCVD biasa digunakan sebagai metode untuk
mempersiapkan struktur epitaxyal dengan deposisi
atom

pada

substrat.

Teknik

ini

telah

memiliki

kemampuan untuk menghasilkan lapisan epitaxy

dengan kualitas yang tinggi dan permukaan yang
tajam. Bahan utama yang digunakan pada metode
ini adalah senyawa semikonduktor III V.
MOCVD dikenal juga sebagai metal-organic
vapor phase epitaxy (MOVPE) dan membutuhkan
reaksi senyawa kimia. Hasil dari reaksi ini dalam
deposisi

dan

pertumbuhan

semikonduktor

pada

substrat dikenal dengan reaksi chamber. Biasanya

trymethylgallium (TMGa) dan amonia yang dipakai
pada MOCVD untuk pertumbuhan GaN.
Cara kerja dari MOCVD ini cukup sederhana.
Atom dideposisi oleh prekursor ketika diberi panas.
MOCVD memiliki sedikit kelebihan dibandingkan MBE
karena memakai tekanan atomik yang rendah (300
700 torr), namun memiliki harga reaktan yang
dangat tinggi. Reaktan yang basa dipakai untuk
MOCVD adalah volatile, flammable dan toxic yang
membahayakan keselamatan.
Selain itu, proses untuk MOCVD ini lebih
komplek dibandingkan dengan MBE karena terlalu
banyak variabel yang digunakan.

Gambar 2. 2 Metal Organic Chemical Vapor Deposition

(MOCVD)

2.3.3

Molecular Beam Epitaxy (MBE)

MBE ditemukan pertama kali oleh A.Y, Cho

pada

tahun

1960.

Metode

ini

menawarkan

kemungkinan untuk menumbuhkan lapisan epitaxyal

pada

substrat

kristalin

dengan

lapisan

atomik.

Metode MBE bisa dimasukan ke dalam bentuk

evaporasi.

MBE

secara

signifikan

mengambil

kelebihan dibandingkan dengan metode lain. Bahan

utama yang digunakan pada metode ini adalah
senyawa semikonduktor III V.
MBE dapat menghasilkan lapisan tipis yang
terbentuk pada tegangan atomik yang tinggi (bisa
mencapai 10-10 torr). Reaktan padatnya dihasilkan
dari target elemen dimana atom bereksitasi dari
emisi elektron beam.
Tingkat flux bisa dikontrol menggunakan energi
yang dimaskkan dari electron bea. Reaktan bisa juga
dimasukkan dalam fase gas melalui kontrol massa.
Resultan molecular beam langsung diarahkan
pada substrat yang dipanaskan dan direaksikan agar
terbentuk lapisan. Berbagai macam sumber bisa
dimatikan dan dinyalakan menggunakan shutters,

yang bisa membuat MBE merubah komposisi didalam

lapisan monolayer.
Karena metode ini menggunakan vakum yang
sangat tinggi, MBE menjadi pengukuran ketebalan in
situ yang menggunakan teknik elektron beam dan
reflection high-energy electron diffraction (RHEED).
Penggnakan suhu yang rendah juga bisa membuat
lapisan yang heterostruktur dan menghasilkan difusi
padatan.
Namun karena penggunaan vakum yang tinggi,
membuat

deposisi

yang

dihasilkan

MBE

hanya

mendekati 500nm per jam yang sangat rendah jika

dibandingkan dengan MOCVD.

Gambar 2. 3 Molecular Beam Epitaxy (MBE)

2.4

Material dan Prosedur Epitaxy

Bahan penyusun yang dipakai dalam metode ini

kebanyakan berasal dari senyawa semikonduktor yang

berada diunsur III V seperti GaAs, InP. Meskipun unsur II VI

juga dipakai seperti ZnO, CdSe dan CdS. Stoikiometri

memperbolehkan penyesuaian kontrol pada struktur band

dan konstanta kisi.
Hal ini menimbulkan efek pada sifat elektrik, termal
dan optik serta kemurnian lapisan epitaxial. Lapisan
epitaxial merupakan lapisan yang dihasilkan dari deposisi
lapisan atas kristalin pada sebuah substrat kristain.
Sifat optik dari senyawa semikonduktor memilisi
emisi yang melibatkan energi dan momentum. Ketika emisi
foton datang dari elektron yang tereksitasi kembali pada
lapisan

awal,

seperti

transisi

bisa

membutuhkan

momentum yang lebih (foton tidak bisa memberikan

momentum

karena

foton

memiliki

momentum

yang

minim).
Bahan yang memiliki momentum berlebih disebut
sebagai

indirect

semikonduktor

seperti

Silikon

dan

Germanium. Pada direct semikonduktor tidak memiliki

perubahan momentum dan bisa memberikan foton secara
efisien. GaAs, ZnO, GaN dan banyak dari senyawanya yang
masuk ke dalam golongan ini dan dipakai di LED serta laser
semikonduktor.
2.5

Hasil (Output) Epitaxy

Hasil yang didapatkan dari metode ini bisa berupa

transistor bipolar dan devais semikonduktor III V, thin film

pada sel surya. Untuk devais semikonduktor III V sendiri
contohnya seperti transistor bipolar heterojunction, LED
dan laser. Hasil akhir yang didapatkan dari metode epitaxy
berbeda dari deposisi lapisan tipis yang terbuat dari
lapisan polycrystalline atau lapisan amorf.
Selain itu, hasil yang lain bisa berupa devais
optoelektronik ( menggunakan energi gap untuk emisi
cahaya yang efisien), Devais elektronik dengan kecepatan
tinggi serta thin film semikonduktor.
9

10

BAB III
PENUTUP
3.1

Kesimpulan
Dari makalah ini, dapat diambil kesimpulan bahwa

metode epitaxy merupakan suatu metode untuk membuat

lapisan kristal diatas substrat baik itu dibuat dari bahan
yang sama ataupun berbeda. Bahan penyusun utama yang
digunakan pada metode ini berupa senyawa semikonduktor
unsur III V. Hasil akhir atau aplikasi dari metode ini
berupa devais optoelekronik, thin film semikonduktor dan
sebagainya.

11

DAFTAR PUSTAKA
Harmut S. L. 2007. Structur Of Imperfect Material.
Hasanah, Lilik. Dkk. 2003. Studi Pengaruh Rasio V/III
terhadap Morfologi Permukaan Film Tipis GaSb yang
ditumbuhkan dengan Metode MOCVD Reaktor Vertikal.
Jurnal Matematika dan Sains.
Saroj

Kumar

Electronics

Patra.
and

-.

Epitaxy.

Departement

Telecommunication.

of

Norwegian

University Of Science and Technology (NTNU).

Walter S.K and Robert Chow. Molecular Beam Epitaxy :
Equipment and Practice.