RANCANG BANGUN ALAT UJI KONDUKTIVITAS LISTRIK METODE FOUR-POINT

PROBE

Aditya Yuli Indrawan1, Suyitno2, Syamsul Hadi2

1
Mahasiswa Program Sarjana Jurusan Teknik Mesin Universitas Sebelas Maret
2
Staf Pengajar Jurusan Teknik Mesin Universitas Sebelas Maret
e-mail addresses: adityayuliindrawan@student.uns.ac.id (Aditya YI.), suyitno@gmail.com (Suyitno)
syamsulh_st@yahoo.com (Syamsul H.)

Keywords:
Electric conductivity, Four-
point probe methode, copper,
alumunium, stainless steel.
Abstract
Electric conductivity as one of the characteristics of a material can be
measured through various methods in accordance with its characteristics as
a conductor or non-conductor. For the semiconductor material of the
thermoelectric material, the electrical conductivity measurement requires a
special effort due to its different material natures at low and high
temperatures. The objectives of this research are to conduct the design
process of an electric conductivity testing apparatus with four-point probe
and to test its accuracy through the testing of various test materials,
namely: Stainless Steel, Aluminum, Copper, and Zinc Oxide (ZnO) dopping
Copper (Cu) with the diameter of 13 mm at various temperature levels. The
validation process was done by using conductor material at the temperature
of 290C. The result of the test shows that the values of electric conductivity
of the Stainless Steel, Copper, and Aluminum were 1.26 x 10 6 + 3.5%
Siemens/m, 4.77 x 107 + 3.5% Siemens/m, and 3.37 x 10 7 + 3.5%
Siemens/m respectively. Aluminum had the difference of 8% out of the
reference. Then, the various materials were tested at the temperature
variations of 3 0C, 100 0C, 200 0C, 300 0C, 400 0C, and 500 0C. The result of
the test shows that the higher the temperature of the material testing was,
the lower the value of the electric conductivity was. For the semiconductor
material of ZnO dopping Cu, the testing was done at the temperature
variations of 400 0C and 450 0C, and the value of the electric conductivity
increased from 2.28 x 103 Siemens/m to 4.61 x 103 Siemens/m.

PENDAHULUAN pengukuran konduktivitas listrik metode probe

Dalam teori pita energi suatu padatan material
dapat dibedakan antara konduktor, isolator dan
semikonduktor. Dari ketiga material tersebut
mempunyai karakteristik yang berbeda-beda.
Konduktor mampu menghantarkan arus listrik
dengan baik atau mempunyai nilai konduktivitas
listrik yang tinggi. Isolator tidak mudah
menghantarkan arus listrik. Sedangkan material
semikonduktor mempunyai sifat berada diantara
konduktor dan isolator [1]. Konduktivitas listrik
adalah salah satu besaran atau sifat yang dimiliki
oleh material. Pengukuran konduktivitas listrik
material nonkonduktor bisa dilakukan dengan
metode pengukuran arus dan tegangan listrik.
Sedangkan untuk material konduktor pengukuran
dengan metode tersebut lebih sulit dilakukan karena
akan menyebabkan hubungan arus pendek (short
circuit) [2]. Untuk mengantisipasi masalah tersebut
penelitian dilakukan dengan arus yang kecil.
Sampai saat ini pengukuran konduktivitas listrik
dilakukan antara lain menggunakan metode
rangkaian jembatan (jembatan Hartshorn, jembatan
Wheatstone, jembatan Kelvi), metode induksi dan
penabir magnetic [2], metode probe tiga titik [3] dan
metode probe empat titik [4-7]Dari berbagai macam
empat titik lebih banyak digunakan karena metode
ini dapat mengukur material konduktor [4-6, 8] dan
material semikonduktor [9-11]
Beberapa peneliti telah melakukan penelitian
tentang pengukuran konduktivitas listrik dengan
metode probe empat titik. Proses pengukuran yang
dilakukan adalah menggunakan empat buah jarum
dengan material platinum diameter 1mm [12, 13]
atau material baja dengan ujung dilapis Zn [14] yang
mempunyai sistem pegas sehingga dapat tertempel
sempurna pada permukaan sampel yang diujikan.
Dua buah jarum dihubungkan dengan power supply
dan dua buah jarum yang lain pada nano-voltmeter.
Proses pengukuran konduktivitas listrik material
konduktor dilakukan pada temperatur ruang [4-6, 8,
15]. Sedangkan pada material semikonduktor
pengujian dilakukan dengan meningkatkan suhu
pengujian sampai dengan 200C [8] bahkan
semikonduktor jenis oksida pengujian harus
dilakukan dengan temperatur yang tinggi mencapai
450C [10, 16] Hal ini dilakukan karena pada
temperatur ruang, material semikonduktor itu
merupakan material isolator. Perlu adanya suatu
energi dengan cara perlakuan panas sehingga
karakteristiknya berubah menjadi konduktor [1].
 Selanjutnya, pada penelitian kali ini akan
merancang dan membuat sebuah alat uji
konduktivitas listrik dengan metode probe empat
titik yang dapat menguji material konduktor dan
semikonduktor. Pemanas yang dibuat dapat
digunakan sampai temperatur 500 C. Mesin ini
kemudian divalidasi menggunakan material Stainless
steel, alumunium dan tembaga kemudian nilai
konduktivitas yang didapatkan dibandingkan dengan
nilai referensi.
METODE PENELITIAN
Alat uji konduktivitas listrik dirancang dengan
temperatur maksimal operasi pemanas mencapai
suhu 500C diperlukan element pemanas yang bisa
beroperasi sampai dengan suhu tersebut sehingga
element pemanas tipe tube menjadi pilihan. Selain
elemen pemanas diperlukan bahan isolasi yang baik.
Dengan melihat desain mesin uji konduktivitas listrik
yang ada dipasaran, kemudian rancangan pembuatan
furnace secara sederhana dilakukan dengan
menggunakan aplikasi solidwork 2011. Dari
perancangan sederhana didapatkan desain alat uji
konduktivitas listrik pada gambar 1.
Desain Alat Uji
Gambar 1. Desain alat uji konduktivitas listrik metode four-point
probe.
Correction factor
Dari berbagai cara pengukuran
konduktivitas listrik, metode four-point probe
merupakan metode yang paling banyak digunakan.
Nilai resistivity listrik material diuji dengan
menggunakan metode four-point probe gambar 2
material lingkaran dihitung dengan menggunakan
persamaan [16]:
V dilihat pada tabel 1.
=2 s ........................
I
(1)
adalah resistivity listrik (m), d adalah
diameter sampel, V adalah beda potensial listrik
(volt) dan I adalah kuat arus (A). Dari persamaan 1
didapatkan nilai resisitivity, dengan mengabaikan
correction factor dari geometri itu sendiri.
Gambar 2. Skema pengujian sampel lingkaran
Sebelumnya telah diteliti bahwa pengukuran
resistivity suatu material dengan mtode four-point
probe, tidak dapat dilepaskan dari dari geometri
faktor sampel yang diukur. Pada pengujian ini
menggunakan sampel lingkaran [17] mempunyai
formula sebagi berikut:
d
s
)
V
= C
I
............................................. (2)
Dimana C merupakan correction factor, a adalah
panjang (m), d adalah lebar (m), dan s adalah jarak
antar probe. Sifat konduktivitas listrik material
dipengaruhi oleh nilainya resistivity material
tersebut. Nilai dari resistivity berbanding terbalik
dengan konduktivitas listrik nya [10]:
1
= ..
(3)
adalah konduktivitas listrik dengan satuan
Siemen/m, adalah resistivity dari material
semikonduktor dengan satuan m. Semakin besar
nilai resistivity suatu material maka semakin kecil
nilai konduktivitas listriknya
Spesimen Uji
Probe menggunakan bahan steel dengan
menggunakan sistem pegas, jarak antar probe adalah
3.2 mm dengan material sampel stainless steel,
tembaga dan alumunium mempunyai ketebalan 2
mm. untuk material uji semikonduktor menggunakan
material berbasis Zno Dopping Cu dengan suhu
sintering 1300 C dan ketebalan 3 mm. merupakan
bahan terbaik dari penelitian yang dilakukan
sebelumnya [16]. Referensi konduktivitas listrik bisa
Tabel 1 Material yang digunakan untuk validasi
(Siemen/m)
Material
(20C 25C)
Stainless steel 1,33 x 106 [16]
Alumunium 3,82 x 107 [16]
Tembaga 4,93 x 107 [16]
HASIL DAN PEMBAHASAN
Alat uji konduktivitas listrik dengan kemampuan
menguji material padat pada suhu tinggi mencapai
500C telah dibuat. Dan untuk memastikan
pengujian dengan benar maka dilakukan pengujian
dan hasilnya di bandingkan dengan nilai referensi
sebagai validasi awal.
Validasi Awal
Pengujian menggunakan material konduktor pada
temperatur ruang 29C dengan variasi arus dari 0 A
sampai 0,5 A. hasil pengujian dapat dilihat pada
gambar 4 sampai gambar 6.
Gambar 3. Hasil uji material stainless steel
Gambar 4. Hasil uji material tembaga
Gambar 5. Hasil uji material alumunium
Dari hasil pengujian konduktivitas listrik
konduktor didapatkan nilai konduktivitas yang lebih
rendah dari nilai referensi yaitu 1,26 x 106 siemen/m
untuk stainless steel, 4,77 x 10 7 siemen/m untuk
tembaga dan 3,37 x 107 siemen/m untuk alumunium.
Hasil rata-rata tersebut menunjukan bahwa terdapat
perbedaan kurang dari 8% dari nilai referensi.
Pengaruh kenaikan temperatur terhadap
konduktivitas listrik material konduktor
Temperatur yang semakin meningkat
menyebabkan getaran atom pada kisi-kisi kristal
sehingga hambatan terhadap pergerakan elektron
semakin besar, mobilitas yang lebih rendah,
konduktivitas yang lebih rendah [1]. Kondisi yang
sama juga telah dilakukan pada penelitian
sebelumnya, dengan menggunakan material stainless
steel 30lL pada temperatur yang semakin meningkat
terjadi peningkatan nilai resitivity pada material
tersebut [8].
Gambar 6. Konduktivitas listrik sebagai fungsi dari temperature
operasional
Pengujian material semikonduktor ZnO
Dopping Cu
Material semikonduktor ZnO yang didoping Cu
yang diujikan merupakan material semikonduktor
untuk modul termoelektrik berbasis material ZnO
dengan temperatur sintering 1300C [16]. Nilai
konduktivitas listrik material semikonduktor ZnO
yang didoping Cu dapat dilihat pada tabel 2.
Tabel 2. Konduktivitas listrik material ZnO yang di dopping Cu
Temperatur Resistivity Konduktivity
(C) (.m) (siemen/m)
400 3,56 x 10-4 2,80 x 103
450 2,17 x 10-4 4,61 x 103
Dari pengujian didapatkan kenaikan
konduktivitas dari temperature 400C yaitu sebesar
2,80 x 103 Siemens/m ke temperature 450C
sebesar 4,61 x 103 Siemens/m. Penelitian lain
pada material semikonduktor Ag0.8Pb18SbTe20
juga menunjukkan bahwa konduktivitas listrik
mengalami kenaikan ketika terjadi kenaikan
temperatur. Pada temperatur 673 K mempunyai nilai
lebih dari dua kali lipat dibandingkan yang dimiliki
pada temperatur kamar 300 K. Peningkatan
konduktivitas ini disebabkan karena temperatur yang
semakin tinggi menyebabkan celah pita energi yang
semakin kecil sehingga elektron yang mengalir
semakin mudah bergerak [18].
Pada material konduktor konduktivitas listrik
mengalami penurunan sedangkan pada material
semikonduktor terjadi kenaikan. Pada material
konduktor suhu yang semakin meningkat
menyebabkan getaran atom pada kisi-kisi kristalin
yang menjadikan terhambatnya pergerakan elektron.
Hambatan yang semakin besar menyebabkan
turunnya konduktivitas listrik. Berbeda dengan
material semikonduktor yang bersifat isolator pada
suhu rendah karena terdapat gap energi yang
menyebabkan elektron tidak dapat mengalir.
Terjadinya kenaikan temperatur pada material
semikonduktor menjadikan gap energi yang semakin
kecil yang menyebabkan elektron semakin mudah
bergerak atau terjadi kenaikan konduktivitas listrik
[19]
Analisa Uncertainty
Analisa uncertainty dilakukan untuk
memperkirakan bagaimana ketidakpastian dalam
setiap pengukuran alat uji konduktivitas termal yang
dibuat. Uncertainty yang dirumuskan pada
persamaan di bawah ini:
2 sV
V 2 s
2
I I I2
= s+ V + I DAFTAR PUSTAKA
V V V
2 s 2 s 2 s
I I I Sifat Material," Edisi July, Darpulic, vol. 6,
Hasil dari perhitungan uncertainty untuk masing-
masing sampel uji sebagai berikut:
Tabel 3. Uncertainty pengujian konduktivitas listrik
(Siemen/m)
Material
(29C)
Stainless steel 1,28 x 106 3.5 %
Alumunium 3,37 x 107 3.5 %
Tembaga 4,77 x 107 3.5 %
Semua alat uji mempunyai nilai accuracy
berbeda-beda, termasuk dengan alat uji konduktivitas
listrik. Nilai accuracy setiap pengambilan data
didapatkan dari semua variable yang digunakan
seperti nano voltmeter untuk mengukur tegangan
(V), multimeter digital untuk mengukur arus (I), dan
penggunaan jangka sorong untuk mengukur dimensi
(m). Dari variable tersebut sehingga didapatkan nilai
ketidakpastian dari pengukuran konduktivitas listrik
untuk masing-masing material sebagaimana dapat
dilihat pada tabel 5. Nilai ketidakpastian pengukuran
dari konduktivitas listrik dengan menggunakan alat
ini adalah 3, 5%.
KESIMPULAN
Dari hasil penelitian ini, dapat disimpulkan
bahwa:
1. Alat uji konduktivitas listrik temperature tinggi
dengan metode four-point probe berhasil
dirancang dan dibuat dengan komponen heater,
panel, probe, nanovoltmeter dan power supply.
2. Besarnya nilai konduktivitas listrik material
stainless steel, tembaga dan alumunium diukur
dengan alat uji konduktivitas listrik mempunyai
selisih kurang dari 8% dari nilai referensi
6
masing-masing 1,26 x 10 Siemens/m
7
3,5%, 4,77 x 10 Siemens/m 3,5% dan
3,37 x 107 Siemen/m 3,5%.
3. Nilai konduktivitas listrik material
Semikonduktor ZnO yang didopping Cu, di ambil
pada temperature 400C dan 450C adalah 2,82 x
103 siemens/m dan 4,61 x 103
siemens/m.
4. Semakin besar temperatur pengujian pada
material konduktor menghasilkan nilai
konduktivitas listrik yang semakin menurun,
sedangkan pada material semikonduktor
mengalami peningkatan konduktivitas listrik.
ACKNOWLEDGEMENT
Penelitian ini disokong oleh Dana Hibah
Penelitian PUPT (Penelitian Unggulan Perguruan
Tinggi) Universitas Sebelas Maret, Surakarta.
[1] S. Sudaryanto and S. N. Utari, "Mengenal
2012.
[2] I. Setiawan, K. Abraha, and A. B. S. Utomo,
"Pembuatan Alat Ukur Konduktivitas
Listrik Konduktor Logam Menggunakan
Metode Induksi Dan Penabiran Magnetik,"
Universitas Negeri Yogyakarta, vol. 21, pp.
343-349, 2009.
[3] S. V. Lozanova and C. S. Roumenin, "A
three-point-probe method for measuring
resistivity and the Hall coefficient using
Hall devices with minimal design
complexity," Elsevier, vol. 43 pp. 385391,
2010.
[4] N. Bowler and Y. Huang, "Electrical
Conductivity Measurement of Metal Plate
Using Broadband Eddy-Current and Four-
Point Probe," Journal Measurement and
Technologi, vol. 16, pp. 219-2200, 2005.
[5] J. R. Bowler and N. Bowler, "Theory of
four-point alternating current potentialdrop
measurements on conductive plates," vol.
463, pp. 817-836, 2007.
[6] G. P. Panta and D. P. Subedi, "Electrical
characterization of aluminum (AL) thin film
measured by using four-point probe
method," Journal Of Science, Engineering
And Technology, vol. 8, pp. 31-36, 2012.
[7] S. Z. Tehrani, W. L. Lim, and L. Lee,
"Correction Factor Resistivity for Film
Measurement," Journal Measurement, vol.
45, pp. 219-155, 1 April 2011 2012.
[8] L. Saint-Sulpice, M. Larkit, S. A. Chirani,
and S. Calloch, "Variation in Electrik
Resistivity in Metastable Alloys During
Thermomechanical Loading : Effect of
Temperature, Elasticity, Plasticity and Phase
 Transformation," Mechanic of Materials,
vol. 71, pp. 1-9, 11 January 2014 2014.
[9] L. Han, Y. Jiang, S. Li, H. Su, X. Lan, and
K. Qin, "High Temperature Thermoelectric
Properties and Energy Transfer Devices of
Ca3co4Xagxo9 and Ca1Ysmymno3,"
Journal of Alloys and Compounds, vol. 509,
pp. 8970-8977, 2011.
[10] J. W. Fergus, "Oxide Materials for High
Temperature Thermoelectric Energy
Conversion," Journal of the Europe
Ceramic Society, vol. 32, pp. 525-540,
2012.
[11] D. Zhao, M. Zuo, J. Leng, and H. Geng,
"Synthesis and Thermoelectric Properties of
Cosb3/Wo3 Thermoelectric Composites,"
Intermetallics, vol. 40, pp. 71-75, 2013.
[12] S. Yilmaz, O. Turtoglu, and I. Belenli,
"Electrical Conductivity of the Ionic
Conductor Tetragonal Bi 2 O 3 Eu2 O 3 ,"
Journal Ceramika, vol. 57, pp. 185-192,
2011.
[13] S. Yilmaz, "The geometric resistivity
correction factor for several geometrical
samples," Journal Of Semiconductor, vol.
36, pp. 082001-1, 2015.
[14] S. E. Services, "User Manual Resistivity of
Semiconductors by Four Probe Method at
Different Temperatures," SES Instrument
Pvt, Ltd, India, vol. 014, 2015.
[15] T. Ying, H. Chi, M. Zheng, Z. Li, and C.
Uher, "Low-Temperature Electrical
Resistivity and Thermal Conductivity of
Binary Magnesium Alloy," Journal Acta
Materialia, vol. 80, pp. 288-295, 2014.
[16] A. Kurniawan, "Pengembangan
Semikonduktor Tipe-P Untuk Modul
Termoelektrik Berbasis Material ZnO,"
Program Pascasarjana Universitas Sebelas
Maret Surakarta, 2014.
[17] F. M. Smith, "Measurement of Sheet
Resistivities With the Four-Point Probe,"
The Bell Technical Journal, vol. 3, p. 711,
1957.
[18] Z. Min, L. JingFeng, and W. Heng,
"Fabrication and Property of High-
Performance Ag-Pb-Sb-Te System
Semiconducting Thermoelectric Materials,"
Chinese Science Bulletin, vol. 52, pp. 990-
996, 2007.
[19] J. William H Hayt and J. A. Buck,
Engineering Electromagnetics EIGHT
EDITION ed. New York: Raghotman
Srinivisan, 2012.