51

PERCOBAAN II
BJT DAN JFET

2.1 Tujuan Percobaan

1. Memeriksa serta menentukan jenis dari BJT (NPN dan PNP) dan JFET
(channel P atau channel N).
2. Meneliti dan mempelajari karakteristik BJT dan JFET.

2.2 Tinjauan Pustaka

Transistor adalah piranti elektronik yang menggantikan fungsi tabung
elektrontrioda, dimana transistor ini mempunyai tiga elektroda , yaitu Emitter,
Collector dan Base. Fungsi utama atau tujuan utama pembuatan transistor
adalah sebagai penguat (amplifier), namun dikarenakan sifatnya, transistor ini
dapat digunakan dalam keperluan lain misalnya sebagai suatu saklar elektronis.
Susunan fisik transistor adalah merupakan gandengan dari bahan semikonduktor
tipe P dan N. Transistor berasal dari kata transfer resistor yang dikembangkan
oleh Berdeen, Schokley, dan Brittam pada tahun 1948 di perusahaan elektronok
Bell Telephone Laboratories. Penamaan tersebut berdasarkan prinsip kerjanya,
yaitu mentransfer ataumemindahkan arus. Pada dasarnya, transistor dan tabung
vakum memiliki fungsi yang serupa; keduanya mengatur jumlah aliran arus listrik.
Untuk mengerti cara kerja semikonduktor, misalkan sebuah gelas berisi air murni.
Jika sepasang konduktor dimasukan kedalamnya, dan diberikan tegangan DC
tepat dibawah tegangan elektrolisis (sebelum air berubah menjadi Hidrogen dan
Oksigen), tidak akan ada arus mengalir karena air tidak memiliki pembawa
muatan (charge carriers). Sehingga, air murni dianggap sebagai isolator. Jika
sedikit garam dapur dimasukan ke dalamnya, konduksi arus akan mulai mengalir,
karena sejumlah pembawa muatan bebas (mobile carriers, ion) terbentuk.
Menaikan konsentrasi garam akan meningkatkan konduksi, namun tidak banyak.
Garam dapur sendiri adalah non-konduktor (isolator), karena pembawa
muatanya tidak bebas. Silikon murni sendiri adalah sebuah isolator, namun jika
sedikit pencemar ditambahkan, seperti Arsenik, dengan sebuah proses yang
dinamakan doping, dalam jumlah yang cukup kecil sehingga tidak mengacaukan
tata letak kristal silikon, Arsenik akan memberikan elektron bebas dan hasilnya
memungkinkan terjadinya konduksi arus listrik. Ini karena Arsenik memiliki 5
 52

atom di orbit terluarnya, sedangkan Silikon hanya 4. Konduksi terjadi karena

pembawa muatan bebas telah ditambahkan (oleh kelebihan elektron dari
Arsenik). Dalam kasus ini, sebuah Silikon tipe-n (n untuk negatif, karena
pembawa muatannya adalah elektron yang bermuatan negatif) telah terbentuk.
Selain dari itu, silikon dapat dicampur dengan Boron untuk membuat
semikonduktor tipe-p. Karena Boron hanya memiliki 3 elektron di orbit paling
luarnya, pembawa muatan yang baru, dinamakan "lubang" (hole, pembawa
muatan positif), akan terbentuk di dalam tata letak kristal silikon. Dalam tabung
hampa, pembawa muatan (elektron) akan dipancarkan oleh emisi thermionic dari
sebuah katode yang dipanaskan oleh kawat filamen. Karena itu, tabung hampa
tidak bisa membuat pembawa muatan positif (hole). Dapat disimak bahwa
pembawa muatan yang bermuatan sama akan saling tolak menolak, sehingga
tanpa adanya gaya yang lain, pembawa-pembawa muatan ini akan terdistribusi
secara merata di dalam materi semikonduktor. Namun di dalam sebuah transistor
bipolar (atau diode junction) dimana sebuah semikonduktor tipe-p dan sebuah
semikonduktor tipe-n dibuat dalam satu keping silikon, pembawa-pembawa
muatan ini cenderung berpindah ke arah sambungan P-N tersebut (perbatasan
antara semikonduktor tipe-p dan tipe-n), karena tertarik oleh muatan yang
berlawanan dari seberangnya.
Kenaikan dari jumlah pencemar (doping level) akan meningkatkan
konduktivitas dari materi semikonduktor, asalkan tata-letak kristal silikon tetap
dipertahankan. Dalam sebuah transistor bipolar, daerah terminal emiter memiliki
jumlah doping yang lebih besar dibandingkan dengan terminal basis. Rasio
perbandingan antara doping emiter dan basis adalah satu dari banyak faktor
yang menentukan sifat penguatan arus (current gain) dari transistor tersebut.
Jumlah doping yang diperlukan sebuah semikonduktor adalah sangat
kecil, dalam ukuran satu berbanding seratus juta, dan ini menjadi kunci dalam
keberhasilan semikonduktor. Dalam sebuah metal, populasi pembawa muatan
adalah sangat tinggi; satu pembawa muatan untuk setiap atom. Dalam metal,
untuk mengubah metal menjadi isolator, pembawa muatan harus disapu dengan
memasang suatu beda tegangan. Dalam metal, tegangan ini sangat tinggi, jauh
lebih tinggi dari yang mampu menghancurkannya. Namun, dalam sebuah
semikonduktor hanya ada satu pembawa muatan dalam beberapa juta atom.
Jumlah tegangan yang diperlukan untuk menyapu pembawa muatan dalam
 53

sejumlah besar semikonduktor dapat dicapai dengan mudah. Dengan kata lain,
listrik di dalam metal adalah inkompresible (tidak bisa dimampatkan), seperti
fluida. Sedangkan dalam semikonduktor, listrik bersifat seperti gas yang bisa
dimampatkan. Semikonduktor dengan doping dapat dirubah menjadi isolator,
sedangkan metal tidak.
Gambaran di atas menjelaskan konduksi disebabkan oleh pembawa
muatan, yaitu elektron atau lubang, namun dasarnya transistor bipolar adalah
aksi kegiatan dari pembawa muatan tersebut untuk menyebrangi daerah
depletion zone. Depletion zone ini terbentuk karena transistor tersebut diberikan
tegangan bias terbalik, oleh tegangan yang diberikan di antara basis dan emiter.
Walau transistor terlihat seperti dibentuk oleh dua diode yang disambungkan,
sebuah transistor sendiri tidak bisa dibuat dengan menyambungkan dua diode.
Untuk membuat transistor, bagian-bagiannya harus dibuat dari sepotong kristal
silikon, dengan sebuah daerah basis yang sangat tipis. Dalam dunia elektronika,
transistor disimbolkan sebagai berikut :

(a) (b)
Gambar 2.2.1 Transistor BJT (a) tipe pnp (b) tipe npn

Kedua jenis PNP dan NPN tidak ada bedanya, kecuali hanya pada cara
pemberian biasnya saja. Bentuk fisik transistor ini bermacam-macam kemasan,
namun pada dasarnya karena transistor ini tidak tahan terhadap temperatur,
maka tabungnya biasanya terbuat dari bahan logam sebagai peredam panas
bahkan sering dibantu dengan pelindung (peredam) panas (heat-sink).
 54

2.2.1 Pengujian Transistor

Dengan menganggap transistor adalah gabungan dua buah dioda, maka
anda dapat menguji kemungkinan kerusakan suatu transistor dengan
menggunakan ohmmeter dari suatu multitester. Kemungkinan terjadinya
kerusakan transistor ada tiga penyebab yaitu :
a. Salah pemasangan pada rangkaian
b. Penangan yang tidak tepat saat pemasangan
c. Pengujian yang tidak professional

Sedangkan kemungkinan kerusakan transistor juga ada tiga jenis, yaitu :

a. Pemutusan
b. Hubung singkat
c. Kebocoran

Pada pengujian transistor kita tidak hanya menguji antara kedua dioda
tersebut, tapi kita juga harus melakukan pengujian pada elektroda kolektor dan
emiternya. Menguji Karakteristik statis BJT dan JFET akan digambarkan dengan
dua cara:
a. Dengan Multimeter.
Karakteristik digambarkan menggunakan kertas milimeter blok dengan
mengukur besar arus
1. karakteristik Ic terhadap Vce dengan mengukur masing-masing besaran
2. karakteristik VBE terhadap IB untuk berbagai nilai VBE
3. karakteristik hfe terhadap IC
b. Dengan Osiloskop
Pada pengukuran ini hanya akan mengukur karakteristik IC terhadap VCE
berbagai nilai IB Input vertikal (Y) dari osiloskop digunakan untuk mengamati
besarnya IC yaitu dengan cara mengukur tegangan pada RC.
Sedangkan input horisontal (X) dari osiloskop, digunakan untuk mengamati
besarnya VCE. Gambar yang terbentuk pada layar osiloskop, sumbu horisontal
ke kiri adalah tegangan positif sedangkan arah kanan adalah negatif.
 55

- BJT
Transistor bipolar (BJT) adalah suatu jenis transistor, alat penguat atau
pemilih yang dibuat dari semikonduktor yang dikotori. Transistor bipolar adalah
gabungan dari bagian yang dikotori secara berbeda, bisa NPN atau PNP. N
berarti negatif, dan P berarti positif.

PNP

NPN

Gambar 2.2.2 Lambang rangkaian BJT tipe PNP dan NPN.

- Bias dalam Transistor BJT

Analisis atau disain terhadap suatu penguat transistor memerlukan
informasi mengenai respon sistem baik dalam mode AC maupun DC. Kedua
mode tersebut bisa dianalisa secara terpisah. Dalam tahap disain maupun
sintesis, pilihan parameter untuk level DC yang dibutuhkan akan mempengaruhi
respon AC-nya. Demikian juga sebaliknya. Persamaan mendasar dalam
transistor yang penting adalah :
𝑽 𝑩𝑬 = 𝟎, 𝟕 𝑽𝒐𝒍𝒕
𝑰𝑬 = (𝟏 + 𝛽) 𝑰𝑩 ≅ 𝑰𝑪
𝑰𝑪 = 𝛽 𝑰𝑩
Dalam mencari solusi dari suatu rangkaian, umumnya nilai arus basis IB
yang pertama dihitung. Ketika IB sudah diperoleh, hubungan persamaan di atas
bisa digunakan untuk mencari besaran yang diinginkan. Titik Operasi (Q) Bias
pemberiaan tegangan DC untuk membentuk tegangan dan arus yang tetap.
Tegangan dan arus yang dihasilkan menyatakan titik operasi (quiescent point)
atau titik Q yang menentukan daerah kerja transistor. Pada gambar di bawah
ditunjukkan 4 buah titik kerja transistor. Rangkaian bias bisa di-disain untuk
memperoleh titik kerja pada titik-titik tersebut, atau titik lainnya dalam daerah
aktif. Rating maksimum ditentukan oleh Icmax dan VCE max. Daya maksimum
dibatasi oleh kurva Pcmax. BJT bisa di-bias di luar batasan maksimum tersebut,
 56

tapi bisa memperpendek usia piranti atau bahkan merusaknya. Untuk kondisi
tanpa bias, piranti tidak bekerja, hasilnya adalah titik A dimana arus dan
tegangan bernilai nol.

Gambar 2.2.3 Grafik Bias.

Supaya BJT bisa di-bias dalam daerah linear (daerah aktif), beberapa
syarat berikut harus dipenuhi:
- Junction base-emitter dibias maju (forward bias)
- Junction base-collector dibias mundur (reverse bias)

Daerah kerja transistor (cut-off, aktif atau saturasi) ditentukan oleh bias
yang diberikan pada masing-masing junction :
1. Daerah aktif/daerah linear
- Junction base-emitter dibias maju (forward bias)
- Junction base-collector dibias mundur (reverse bias)

2. Daerah saturasi
- Junction base-emitter dibias maju (forward bias)
- Junction base-collector dibias maju (forward bias)
 57

3. Daerah cut-off
- Junction base-emitter dibias mundur (reverse bias)
- Junction base-collector dibias mundur (reverse bias)

- Fixed Bias
Bias model ini ditunjukkan pada gambar berikut.

Gambar 2.2.4 Bias Model.

Rangkaian di atas menggunakan transistor npn. Untuk transistor pnp,

persamaan dan perhitungan adalah serupa, tapi dengan arah arus dan polaritas
tegangan berlawanan. Untuk analisis DC, rangkaian bisa di-isolasi (dipisahkan)
dari input AC dengan mengganti kapasitor dengan rangkaian terbuka (open
circuit). Untuk tujuan analisis, supply tegangan VCC bisa dipisahkan menjadi
dua, masing-masing untuk input dan output. Rangkaian pengganti DC menjadi :
 58

Gambar 2.2.5 Bias Model npn.

- Bias maju basis-emitter

a. Loop basis-emitter :

Gambar 2.2.6 Loop basis-emiter

Dengan hukum tegangan Kirchhoff :

−𝑽𝑪𝑪 + 𝑰𝑩 𝑹𝑩 + 𝑽𝑩𝑬 = 𝟎
Perhatikan polaritas tegangan drop di RB. Arus basis IB menjadi :
𝑽𝑪𝑪 − 𝑽𝑩𝑬
𝑰𝑩 =
𝑹𝑩
Dan
𝑽𝑩𝑬 = 𝑽𝑩 − 𝑽𝑬
 59

b. Loop collector-emitter
𝑽𝑪𝑬 = 𝑽𝑪𝑪 – 𝑰𝑪 𝑹𝑪
𝑽𝑪𝑬 = 𝑽𝑪 − 𝑽𝑬
Saturasi transistor Transistor saturasi jika juction base collector tidak lagi
di bias mundur
𝑽𝑪𝑬 = 𝟎 𝑽
𝑽𝑪𝑪
𝑰𝑪 𝒔𝒂𝒕 =
𝑹𝑪

- Bias Emitter stabil

Gambar 2.2.7 Bias emiter stabil

a. Loop Base-Emitter
𝑽𝑪𝑪 − 𝑰𝑩 𝑹𝑩 − 𝑽𝑩𝑬 −𝑰𝑬 𝑹𝑬 = 𝟎
b. Loop Collector - Emitter
𝑽𝑪𝑪 = 𝑰𝑪 𝑹𝑪 + 𝑽𝑪𝑬 +𝑰𝑬 𝑹𝑬
Saturasi :
𝑽𝑪𝑪
𝑰𝑪 𝒔𝒂𝒕 =
𝑹𝑪 + 𝑹𝑬

- Bias Pembagi Tegangan

 60

Gambar 2.2.8 Bias pembagi tegangan

- Bias dengan umpan balik

Untuk meningkatkan stabilitas bisa dilakukan dengan memberikan umpan
balik dari collector menuju base.

Gambar 2.2.9 Bias dengan umpan balik

Persamaan tegangan untuk loop di sebelah kiri ( loop base-emitter) :

𝑽𝑪𝑪 − 𝑰′𝑪 𝑹𝑪 − 𝑰𝑩 𝑹𝑩 − 𝑽𝑩𝑬 −𝑰𝑬 𝑹𝑬 = 𝟎
Perhatikan bahwa arus IC yang masuk ke kaki collector berbeda dengan
I’C, dimana :
𝑰′𝑪 = 𝑰𝑩 + 𝑰𝑪
 61

Tapi nilai IB yang jauh lebih kecil bisa diabaikan untuk memperoleh

persamaan yang lebih sederhana (asumsi I’C ≅ IC ≅ β IB dan IC ≅ IE):

𝑽𝑪𝑪 − 𝛽𝑰𝑩 𝑹𝑪 − 𝑰𝑩 𝑹𝑩 − 𝑽𝑩𝑬 − 𝛽𝑰𝑩 𝑹𝑬 = 𝟎
𝑽𝑪𝑪 − 𝑽𝑩𝑬 − 𝛽𝑰𝑩 (𝑹𝑪 +𝑹𝑬 ) − 𝑰𝑩 𝑹𝑩 = 𝟎
Sehingga :
𝑽𝑪𝑪 − 𝑽𝑩𝑬
𝑰𝑩 =
𝑹𝑩 + 𝛽(𝑹𝑪 +𝑹𝑬 )

a. Loop collector-emitter

Gambar 2.2.10 Loop collector-emiter

𝑰′𝑪 𝑹𝑪 + 𝑽𝑪𝑬 +𝑰𝑬 𝑹𝑬 = 𝑽𝑪𝑪

Dengan I’C ≅ IC dan IC ≅ IE maka

𝑽𝑪𝑪 = 𝑰𝑪 (𝑹𝑪 + 𝑹𝑬 ) + 𝑽𝑪𝑬
𝑽𝑪𝑬 = 𝑽𝑪𝑪 − 𝑰𝑪 (𝑹𝑪 + 𝑹𝑬 )

- Perbedaan BJT dan JFET

Perbedaan utama antara JFET dengan BJT adalah apabila pada JFET
gerbang dibias mundur sedangkan pada BJT basis dibias maju. Hal ini berarti
arus keluaran pada JFET dikendalikan oleh tegangan gerbang (VGS) sedangkan
pada BJT arus keluaran dikendalikan oleh arus basis (IB). Berdasarkan
 62

pembawa muatan mayoritasnya, JFET dibagi menjadi 2 tipe yaitu tipe-n dan tipe
p. Perbandingan antara JFET tipe-n dan tipe-p ditampilkan dalam tabel berikut:

Table 1.1 Perbandingan JFET tipe-n dan tipe-p

No Keterangan JFET
Kanal n Kanal p

1. Simbol

2. Kurva Karakteristik

𝑉𝐺𝑆
3. Rumus ID 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − )
𝑉𝑃

4. Kurva Tracer

5. Mode Operasi Depletion

- JFET
FET (juga dinamakan transistor unipolar) hanya menggunakan satu jenis
pembawa muatan (elektron atau hole, tergantung dari tipe FET). Dalam FET,
arus listrik utama mengalir dalam satu kanal konduksi sempit dengan depletion
zone di kedua sisinya (dibandingkan dengan transistor bipolar dimana daerah
Basis memotong arah arus listrik utama). Dan ketebalan dari daerah perbatasan
 63

ini dapat dirubah dengan perubahan tegangan yang diberikan, untuk mengubah
ketebalan kanal konduksi tersebut.
JFET (Junction FET) terdapat isolasi oleh sambungan pn (junction).
Dalam hal ini akan dibahas mengenai bangun JFET saluran n. Ada 2 jenis JFET,
yaitu JFET saluran n dan JFET saluran p. Dalam JFET saluran n terdapat 1
bahan semikonduktor n yang membentuk saluran arus antara kedua sambungan
pada ujungnya. Kedua sambungan ini disebut dengan drain (D) atau
pengosongan dan source (S) atau sumber. Di samping balok saluran n dibentuk
dua daerah semikonduktor p+. Semikonduktor p+ adalah semikonduktor p
dengan konsentrasi atom asing yang tinggi, sehingga terdapat banyak pembawa
muatan positif (maka dinamakan p+). Kedua daerah semikonduktor p+
tersambung dan membentuk sambungan keluaran yang disebut sebagai gate (G)
atau gerbang. Antara semikonduktor p dan semikonduktor n terdapat daerah
pengosongan dimana tidak ada pembawa muatan. Karena konsentrasi atom
asing dalam semikonduktor p+ jauh lebih tinggi daripada yang terdapat dalam
semikonduktor n, maka daerah pengosongan lebih jauh masuk ke dalam daerah
semikonduktor n. Besar arus yang mengalir dari drain ke source ditenyukan oleh
resistivitas dari saluran n yang terdapat antara kedua daerah pengosongan di
samping saluran. Resistivitas tersebut tergantung dari konsentrasi pembawa
muatan n dan dari ukuran saluran (panjang, lebar dan tinggi saluran n).

- Grafik Keluaran JFET

Pada voltase drain-source yang kecil arus naik dengan cepat dengan
kenaikan VDS sampai nilai arus tertentu, kemudian arus manjadi hampir konstan
dan hanya naik sedikit ketika VDS semakin besar. Daerah dalam grafik dimana ID
konstan disebut daerah saturasi. Daerah saturasi dimulai pada voltase VDS yang
lebih tinggi daripada voltase VCE pada transistor bipolar yang mana daerah aktif
transistor tercapai. Voltase dimana daerah saturasi mulai disebut sebagai
threshold voltage VT. Besar dari threshold voltage VT tergantung dari voltase VGS
antara gate dan source. Threshold voltage ini merupakan voltase dimana pinch
off mulai terjadi.
 64

Ketika I VGS I semakin besar, VT semakin kecil. Terdapat hubungan

sebagai berikut :
𝑽𝑻 = 𝑽𝑮𝑺 − 𝑽𝑷 = |𝑽𝑷 − 𝑽𝑮𝑺 |
dimana
VP : Voltase pinch off, yaitu voltase gate – source dimana arus drain menjadi nol
(kecuali adanya arus bocor yang kecil)

2.2.2 Nilai Batas Suatu Transistor

Sebagaimana telah disebutkan bahwa bahan semikonduktor akan
berubah sifat jika menerima panas yang berlebihan. Suhu maksimal sutu
transistor Germanium adalah sekitar 75o C sedangkan jenis Silikon sekitar 150o
C. Daya yang disalurkan pada sebuah transistor harus sedemikian rupa sehingga
suhu maksimalnya tidak dilampaui dan untuk itu diperlukan bantuan pendingin
baik dengan Heat Sink atau dengan kipas kecil (Fan). Pada saat penyolderan
kaki-kaki transistor, harus dipertimbangkan juga temperatur solder dan selain itu
biasanya digunakan alat pembantu dengan jepitan (tang) guna pengalihan
penyaluran panas. Peralihan panas transistor ke pendingin yang baik adalah
dengan bantuan Pasta Silikon yang disapukan antara transistor dengan badan
pendinginnya. Selain itu biasanya pendingin tersebut diberi cat warna hitam guna
memudahkan penyaluran panas. Doping pada bagian tengah diberikan lebih
sedikit dibandingkan dengan bagian luar (sekitar 10:1). Doping rendah ini
mengurangi konduktiviti material dengan membatasi jumlah elektron bebas.
Istilah bipolar berasal dari kenyataan bahwa elektron dan holes berpartisipasi
dalam proses pembangkitan arus. Kaki kolektor pada transistor NPN selalu
berada pada kutub positif, sedangkan kaki kolektor pada transistor PNP selalu
pada kutub negatif.
Pada badan transistor juga tertera huruf dank kode – kode lain. Berikut ini
adalah arti huruf – huruf pengkodean pada komponen elektronika buatan Eropa :
1. Huruf pertama menyatakan bahan semikonduktir yang digunakan untuk
membuat komponen tersebut.
A = Germanium
B = Silikon
C = Arsenida Galium
D = Antimonida Indium
 65

E = Sulfida Cadmium
2. Huruf kedua manyatakan fungsi penerapannya pada rangkaian elektronika.
A = dioda detektor, dioda pencampur, dioda kecepatan tinggi,
B = dioda kapasitas variable,
C = transistor frekuensi rendah,
D = transistor daya frekuensi rendah,
E = dioda terobosan,
F = transistor frekuensi radio,
G = macam ragam keperluan
L = transistor daya frekuensi radio,
N = kopling foto,
P = detektor radiasi seperti dioda foto, transistor foto,
Q = generator radiasi seperti LED,
R = piranti kemud dan saklar, seperti TRIAC, dsb,
S = transistor saklar, daya rendah,
T = piranti kemudi dan switching, seperti TRIAC,
U = transistor saklar daya tinggi,
X = dioda pengganda,
Y = penyearah, dioda efisiensi
X = dioda zener, pengatur (regulator).
3. Huruf – huruf atau angka – angka yang lain menyatakan nomor seri. Untuk
transistor – transistor buatan Amerika, kode yang biasa digunakan adalah
1N, 2N, dan sebagainya. Berbeda dengan Jepang, karena Jepang
menggunakan kode lain lagi, yaitu 2SA, 2SB, dan lain – lain.

2.2.3 Operasi Transistor

Pada gambar 2.2.11a diperlihatkan keping horizontal transistor jenis NPN.
Pengoperasian transistor dapat diterangkan secara kualitatif dalam hal distribusi
potensial pada sambungan (gambar 2.2b). Sambungan emitor berpanjar maju,
dengan efek dari tegangan panjar eb V terjadi penurunan tegangan penghalang
pada sambungan emitor dan memberi kesempatan pada elektron melakukan
injeksi ke basis dimana pada daerah ini miskin elektron (minoritas). Sambungan
kolektor berpanjar mundur; sebagai efek dari pemasangan tegangan panjar CB V
akan menaikkan potensial penghalang pada sambungan kolektor. Karena daerah
 66

basis sangat tipis, hampir semua elektron yang terinjeksi pada basis tersapu ke
kolektor dimana mereka melakukan rekombinasi dengan lubang yang
“disediakan” dengan pemasangan baterai luar. (Sebenarnya terjadi pengambilan
elektron oleh baterai eksternal, meninggalkan lubang untuk proses rekombinasi).
Sebagai hasilnya terjadi transfer arus dari rangkaian emitor ke rangkaian kolektor
yang besarnya hampir tidak tergantung pada tegangan kolektor-basis. Seperti
akan kita lihat, transfer tersebut memungkinkan pemasangan hambatan beban
yang besar untuk mendapatkan penguatan tegangan.

(a) (b)
Gambar 2.2.11 Pengoperasian transistor jenis NPN a). kondisi panjar b). distribusi
potensial

2.2.4 Karakteristik DC
Karakteristik DC dari BJT dapat diprediksi dengan melihat aliran
pembawa muatan melewati sambungan dan ke basis. Dengan sambungan
emitor berpanjar maju dan sambungan kolektor berpanjar mundur (biasa disebut
operasi normal, pengoperasian di daerah aktif).
Komponen terbesar dari arus emitor IE terdiri atas elektron yang mengalir
melewati penurunan tegangan potensial (VO - VEB) ke sambungan emitor-basis.
Efisiensi emitor ( γ ) berharga mendekati satu sehingga arus hampir terdiri atas
semua elektron yang terinjeksi dari emitor. Komponen lain adalah aliran lubang
dari basis yang juga difasilitasi oleh penurunan tegangan penghalang tersebut.
Daerah basis memiliki tingkat doping yang lebih rendah dibandingkan daerah
emitor, sehingga arus lubang relatif lebih rendah. Kedua jenis muatan mengalir
melalui proses difusi.
 67

Elektron yang “terinjeksi” dari emitor ke basis dapat mengalir melalui

sambungan emitor-basis secara bebas karena beberapa sebab :
1. tidak ada tegangan yang melawannya,
2. hanya terdapat jarak yang pendek pada daerah basis (tipis) dan
3. hanya terdapat jumlah lubang yang relatif rendah sehingga tidak banyak
elektron yang tertangkap lubang dan hilang, yaitu dengan proses
rekombinasi.
Dengan proses pabrikasi transistor yang benar, kurang lebih 99 - 99,9%
elektron yang terinjeksi berhasil mencapai sambungan basis-kolektor (factor α
biasanya berharga sekitar 0,98). Elektron tersebut tidak mengalami kesulitan
akibat penurunan tegangan penghalang.
Arus elektron α iE mendominasi besarnya arus kolektor. Komponen lain
dari arus kolektor berupa arus drift melewati sambungan kolektor-basis dari
pembawa muatan minoritas hasil generasi termal. Jika kita memasang tegangan
VEB pada sambungan emitor-basis, kita menginjeksi arus yang diberikan oleh
persamaan arus diode :
−𝑉𝐸𝐵
⁄𝑉
−𝑖𝐸 = 𝐼𝐶𝐵𝑂 𝑒 𝑇 −1
dimana VT = 25 mV pada temperatur ruang. ICBO adalah penulisan yang benar
namun biasanya lebih sering ditulis sebagai IO . Fuge factor ( η ) untuk transistor
biasanya tidak diperlukan. Tanda negatif hanya untuk memenuhi perjanjian
konvensional, tidak perlu terlalu dirisaukan. Harga arus iE sangat tergantung
pada tegangan VEB .
Sebagian besar elektron mencapai kolektor atau
𝒊𝑪 ≈ −𝜶𝒊𝑬
dimana = 1. Arus lain sebesar
𝒊𝑬 − 𝜶𝒊𝑬 = 𝒊𝑬 (𝟏 − 𝜶)
terlihat sebagai arus basis
𝒊𝑩 = −𝒊𝑬 (𝟏 − 𝜶)
𝒊𝑪
𝒊𝑩 = 𝜶
⁄𝟏 − 𝜶
𝒊𝑪
𝒊𝑩 =
𝜷
yaitu
𝒊𝑪 = 𝜷𝒊𝑩
 68

disebut penguatan arus (current gain ), dimana harganya akan sangat bervariasi
dari satu transistor ke yang lain walaupun mempunyai seri dan tipe yang sama,
dapat berharga serendah 20 dan dapat berharga setinggi 2000, namun biasanya
berharga sekitar 100-200.

2.2.5 Karakteristik Keluaran

a. Konfigurasi Basis-Bersama (Common-Base Configuration).
Rangkaian transistor seperti pada gambar 2.2.12 disebut konfigurasi
basis bersama karena i-v basis digunakan untuk terminal masukan maupun
keluaran. Karakteristik BJT dengan konfigurasi ini dapat kita kembangkan dari
pemahaman kita tentang diode dan pengoperasian transistor.

Gambar 2.2.12 Transistor dengan konfigurasi basis bersama

Karena sambungan emitor-basis seperti diode berpanjar maju, maka

karakteristik masukan rangkaian ini (gambar 2.2.13-b) mirip dengan karakteristik
diode (gambar 2.2.13-a). Terlihat bahwa efek dari tegangan kolektor-basis VCB
cukup kecil. Dengan VCB berharga positif dan emitor hubung terbuka, iE = 0 volt
dan bagian basis - kolektor pada dasarnya berpanjar mundur. (VCB berharga
negatif akan membuat sambungan kolektor - basis berpanjar maju dan akan
mengalir iC berharga negatif). Untuk iE = 0, iC ≈ iCBO (lihat gambar 2.2.13-c),
karakteristik kolektor mirip dengan karakteristik diode gambar 2.2.13-a pada
kuadran tiga. Untuk iE = -5 mA, arus kolektor meningkat sebesar iE ≈ +5 mA dan
𝛽
menampakkan bentuk kurva. Karena faktor selalu lebih kecil dari satu ⁄𝛽 + 1

maka secara praktis konfigurasi basis -bersama tidak baik sebagai penguat arus.
 69

(a) (b) (c)

Gambar 2.2.13 Karakteristik transistor NPN untuk konfigurasi basis-bersama
a) karakteristik basis, b) karakteristik emitter, c) karakteristik kolektor

b. Konfigurasi Emitor-Bersama (Common-Emitter Configuration)

Konfigurasi emitor-bersama seperti diperlihatkan pada gambar 2.2.14
lebih sering digunakan sebagai penguat arus. Sesuai dengan namanya emitor
dipakai bersama sebagai terminal masukan maupun keluaran. Arus input dalam
konfigurasi ini adalah iB , dan arus emitter iE = -iC + iB , karenanya besarnya arus
kolektor adalah
𝒊𝑪 = −𝜶𝒊𝑬 + 𝑰𝑪𝑩𝑶 = 𝜶(𝒊𝑪 + 𝒊𝑩 ) + 𝑰𝑪𝑩𝑶
atau
𝜶 𝑰𝑪𝑩𝑶
𝒊𝑪 = 𝒊𝑩 +
𝟏−𝜶 𝟏−𝜶
 70

Gambar 2.2.14 transistor dalam konfigurasi emitter bersama

Untuk menyederhanakan persamaan diatas kita telah mendifinisikan

“nisbah transfer arus” sebagai
𝜶
𝜷=
𝟏−𝜶
dan kita dapat mencatat besarnya arus cutoff kolektor sebagai
𝑰𝑪𝑩𝑶
= (𝟏 + 𝜷)𝑰𝑪𝑩𝑶 = 𝑰𝑪𝑬𝑶
𝟏−𝜶
Dengan demikian bentuk sederhana persamaan arus keluaran (kolektor)
dalam bentuk arus masukan (basis) dan nisbah transfer-arus adalah
𝒊𝑪 = 𝜷𝒊𝑩 + 𝑰𝑪𝑬𝑶

(a) (b)
Gambar 2.2.15 Karakteristik transistor NPN untuk konfigurasi emitter bersama
a) karakteristik basis, b) karakteristik kolektor
 71

Bentuk karakteristik emitor-bersama diperlihatkan pada gambar 2.2.15.

besarnya arus masukan iB relatif kecil untuk tegangan kolektor-emitor lebih besar
1 V, dan harganya tergantung pada besarnya tegangan sambungan emitor-
basis. Untuk BJT silicon misalnya, untuk tegangan panjar maju sekitar 0,7 V akan
memberikan iB yang cukup besar.
Pada gambar 2.2.15-b, untuk iB = 0 , arus iC berharga relatif kecil dan
hampir konstan pada harga ICEO . Setiap ada kenaikan arus iB , akan diikuti
kenaikan arus iC sebesar βiB . Untuk α = 0.98, β = α /1- α = 0.98 / 1 - 0.98 = 49
jelas sedikit perubahan pada iB akan memberikan kenaikan yang sangat besar.
Sedikit kenaikan pada α akan menghasilkan perubahan yang lebih besar pada β,
dan efek dari VCE pada konfigurasi ini akan lebih nampak dibandingkan pada
konfigurasi basis-bersama.

2.2.6 Karakteristik Masukan

Karakteristik transistor lain yang perlu diketahui adalah karakteristik
masukan, yaitu hubungan eksponensial I-V pada sambungan emiter-basis.
Karakteristik masukan pada konfigurasi basis bersama adalah hubungan antara
VBE dengan iE , sedangkan pada konfigurasi emitor-bersama adalah hubungan
antara VBE dengan iB.

2.2.7 Karakteristik Transfer-Arus

Karakteristik transfer-arus berupa plot iC terhadap iB untuk suatu harga
VCE tertentu. Ini dapat diperoleh dengan mudah dari karakteristik keluaran.
Kemiringan dari kurva yang diperoleh secara langsung akan memberikan harga
dari hubungan :

2.2.8 Karakteristik Transfer

Karakteristik i-v dari FET menunjukkan bahwa arus keluaran dapat
dikontrol oleh tegangan masukan, dengan demikian FET dapat digunakan
sebagai “saklar” dengan tegangan sebagai pengontrol. Jika arus keluaran
dilewatkan pada suatu resitor, tegangan yang terjadi mungkin akan lebih besar
dibandingkan tegangan masukan, atau FET dapat digunakan sebagai “penguat”.
Karena karakteristik piranti secara individu tidak dapat diketahui secara pasti,
 72

maka biasanya digunakan analisa pendekatan. Pada daerah jenuh, yaitu antara
pinch-off atau turn-on dengan daerah breakdown, arus D ( iD ) hampir tidak
tergantung pada besarnya tegangan D-S ( VDS ), dan “karakteristik transfer” yang
menggambarkan hubungan antara arus keluaran dengan tegangan masukan
diperlihatkan seperti pada gambar 2.2.16.
Dari analisis teori dan pengukuran praktis, dapat diperlihatkan bahwa
karakteristik transfer untuk ketiga jenis FET dapat didekati berbentuk parabolik.
Untuk JFET, arus D pada daerah arus-konstan adalah

Gambar 2.2.16 karakteristik transfer pada arus konstan untuk JFET

𝑽𝑮𝑺 𝟐
𝒊𝑫 = 𝒊𝑫𝑺𝑺 (𝟏 − )
𝑽𝑷
dimana iDS = arus D pada daerah arus-konstan
IDSS = nilai iDS dengan G terhubung langsung dengan S
VP = tegangan pinch-off

2.2.9 Penguat Sumber-Bersama (Common-Source Amplifier)

Konfigurasi sumber bersama (common-source) paling banyak digunakan
pada penguat FET. Dalam berbagai hal konfigurasi ini mirip dengan konfigurasi
emitor-bersama pada BJT. Isyarat masukan dikenakan pada G-S dan isyarat
keluaran diambil dari D-S. Titik S terhubung dengan masukan dan keluaran.
Salah satu bentuk praktis rangkaian sumber bersama diperlihatkan pada gambar
2.2.17. Pada prinsipnya rangkaian ini sama dengan rangkaian dasar penguat
JFET yang telah kita bahas sebelumnya. Pada rangkaian dapat dipasang piranti
 73

JFET, D-MOSFET atau E-MOSFET. Karakteristik rangkaian pada dasarnya

sama untuk ketiga piranti tersebut.

Gambar 2.2.17 Penguat JFET sumber bersama (common-source)

Isyarat yang akan diproses pada sumber bersama diumpankan pada GS.
Panjar mandiri pada rangkaian diperoleh dengan memasang resistor sumber R2.
Tegangan ini menentukan karakteristik statik titik pengoperasian rangkaian.
Tegangan isyarat yang datang akan tergabung (superimpossed) dengan
tegangan G. Ini menyebabkan tegangan G bervariasi mengikuti AC. Variasi ini
akan diikuti oleh arus drain ID . Tegangan keluaran yang diambil dari S-D akan
mengalami pembalikan 1800 . Penguatan tegangan adalah sebesar AV = VDS/VGS
dengan harga sekitar 5 – 10. Impedansi masukan berharga sangat tinggi
(berorde mega ohm). Impedansi keluaran relatif cukup tinggi (beberapa kilo ohm)
dan pada dasarnya tidak tergantung pada harga RL .

2.2.10 Penguat Gerbang-Bersama (Common-Gate Amplifier)

Konfigurasi gerbang-bersama (common-gate) dalam berbagai hal mirip
dengan konfigurasi basis-bersama pada BJT. Isyarat masukan dikenakan pada
S-G dan isyarat keluaran diambil dari D-G. Konfigurasi gerbang-bersama dapat
digunakan sebagai penguat tegangan tetapi mempunyai penguatan arus lebih
kecil dari satu. Konfigurasi ini dapat digunakan untuk piranti JFET, DMOSFET
atau E-MOSFET.
 74

Gambar 2.2.18 Penguat JFET sumber bersama (common-source)

Salah satu bentuk praktis rangkaian gerbang-bersama diperlihatkan pada

gambar 2.2.18. Pada rangkaian ini digunakan penguat JFET. Panjar mandiri
pada rangkaian diperoleh dengan memasang resistor sumber R1 . Tegangan ini
menentukan karakteristik statik titik pengoperasian rangkaian. Isyarat masukan
dikenakan pada R1 melalui C1 . Variasi yang terjadi pada isyarat masukan
menyebabkaan perubahan pada tegangan S. Pada periode positif isyarat
masukan akan membuat S semakin positif, ini akan membuat ID semakin negatif.
Demikian halnya pada saat periode isyarat masukan negatif, akan terjadi
kenaikan ID. Penurunan tegangan pada R2 akan mengalami kenaikan atau
penurunan mengikuti masukan. Dengan kata lain isyarat masukan sefase
dengan isyarat keluaran.
Penguat gerbang-bersama mempunyai karakteristik yang agak spesifik.
Besarnya penguatan tegangan relatif lebih rendah dibandingkan penguat sumber
bersama, yaitu berharga sekitar 2 - 5. Penguat ini memiliki impedansi masukan
yang sangat rendah (sekitar 200 – 1500 ) dan impedansi keluaran sedang
(sekitar 5 – 15kΩ). Konfigurasi ini banyak dipakai untuk penguat isyarat frekuensi
radio (RF).
 75

2.2.11 Penguat Saluran-Bersama (Common-Drain Amplifier)

Penguat saluran-bersama mempunyai isyarat masukan yang dikenakan
pada G dan isyarat keluaran diambil dari S. D terhubung baik dengan masukan
maupun dengan keluaran. Penguat ini juga disebut sebagai pengikutsaluran
(drain follower) dan memiliki karakteristik mirip dengan rangkaian pengikut emitor
pada transistor BJT. Gambar 2.2.19 memperlihatkan bentuk praktis rangkaian
saluran-bersama dengan menggunakan JFET saluran-n.
Konfigurasi ini memiliki impedansi masukan yang sangat tinggi dengan
memasang R1. Titik operasi transistor ditentukan oleh R2. Pada rangkaian ini,
resistor R3 telah digeser dari D ke S. Kombinasi resistor R2 dan R3 membentuk
hambatan beban dan akan menjadi impedansi keluaran.

Gambar 2.2.19 Penguat JFET saluran-bersama (common-drain).

Saat isyarat masukan AC diumpankan ke G, maka akan terjadi

perubahan tegangan G. Titik operasi DC ditentukan oleh resistor R2 . Pada
periode positif isyarat masukan, akan membuat G negatif. Ini akan membuat
saluran-n menjadi semakin konduktif. Dengan bertambahnya arus yang melewati
R3 dan R2 , maka S akan berubah/bergoyang positif. Demikian sebaliknya pada
saat periode isyarat masukan negatif, akan membuat saluran-n menjadi kurang
konduktif. Penguat saluran-bersama banyak digunakan sebagai piranti
penyesuai impedansi (impedance-matching), yaitu untuk menyambung rangkaian
 76

dengan beban impedansi tinggi dengan rangkaian dengan beban impedansi

rendah.

2.2.12 PENGGUNAAN TRANSISTOR

Sebagaimana tujuan dari pembuatan transistor, maka transistor awalnya
dibuat untuk menguatkan (amplifier) signal-signal, daya, arus, tegangan dan
sebagainya. Namun dikarenakan karakteristik listriknya, penggunaan transistor
jauh lebih luas dimana transistor ini banyak digunakan juga sebagai saklar
elektronik dan juga penstabil tegangan.

a. Transistor sebagai saklar

Dengan memanfaatkan sifat hantar transistor yang tergantung dari
tegangan antara elektroda basis dan emitter (Ube), maka kita dapat
menggunakan transistor ini sebagai sebuah saklar elektronik, dimana saklar
elektronik ini mempunyai banyak kelebihan dibandingkan dengan saklar
mekanik, seperti :
a. Fisik relative jauh lebih kecil,
b. Tidak menimbulkan suara dan percikan api saat pengontakan.
c. Lebih ekonomis.

Prinsip saklar elektronik dengan transistor diperlihatkan seperti gambar

2.2.20 dimana dalam gambar tersebut diperlihatkan kondisi ON dan OFF nya.

Gambar 2.2.20. Prinsip Saklar Transistor

Kondisi OFF terjadi jika IC . RL = 0, dimana dalam kondisi ini tegangan

UBE lebih kecil dari tegangan konduk transistor, sehingga tegangan UCE = UCC.
 77

Sedangkan kondisi ON atau disebut juga kondisi saturasi akan terjadi jika IC . RL
= UCC , dimana dalam kondisi ini UBE sudah mencapai tegangan konduk
transistor sehingga UCE = 0. Selain itu prinsip switching ini juga diterapkan
dalam rangkaian kaskade , yaitu rangkaian yang terdiri dari dua buah transistor
dengan pengutuban berbeda PNP dan NPN yang dihubung seri seperti gambar
2.2.20 dimana saklar ini akan terbuka jika persambungan antara Kolektor
transistor –1 (Q1) dan Basis transistor-2 (Q2) diberikan signal penyulut (trigger).

Gambar 2.2.21 Rangkaian Kaskade Transistor

b. Transistor sebagai pengatur tegangan (Voltage-Regulator)

Gambar 2.2.22. Regulator Tegangan dengan Transistor

Jika terjadi fluktuasi tegangan jala-jala pada sisi input atau jika ada
perubahan beban RL, maka tegangan UCB akan berubah dengan jumlah yang
sama, karena UZ tetap konstan sedangkan Ui = UCB + UZ. Pada saat terjadi
perubahan tegangan ini, Uo akan konstan karena UBE praktis tidak terpengaruh
oleh perubahan UCB.
 78

Transistor mempunyai tiga buah elektroda, yaitu Emiter, Basis dan

Kolektor dan juga terdiri atas dua jenis pengutuban yaitu PNP dan NPN.
Transistor dibuat untuk keperluan penguatan arus, tegangan, daya (Amplifier).
Karena karakteristik listriknya, transistor penggunaannya lebih luas diantaranya
dapat digunakan sebagai saklar elektronik. Kondisi transistor dapat diuji dengan
sederhana dengan menggunakan alat ohmmeter dari sebuah multitester pada
tiga titik pengutuban dan dua arah (Forward dan Reverse), Suhu maksimal untuk
transistor jenis germanium sekitar 75oC, sedangkan silikon sekitar 15oC Karena
transistor tidak tahan terhadap temperature yang berlebihan, maka biasanya
digunakan peralatan pendingin seperti Heat-Sink, Fan atau Pasta Silikon guna
menurunkan suhu tersebut agar terhindar dari kerusakan.

Transistor Darlington
Transistor Darlington adalah rangkaian elektronika yang terdiri dari
sepasang transistor bipolar (dwi kutub) yang tersambung secara tandem (seri).
Sambungan seri seperti ini dipakai untuk mendapatkan penguatan (gain) yang
tinggi, karena hasil penguatan pada transistor yang pertama akan dikuatkan lebih
lanjut oleh transistor kedua. Keuntungan dari rangkaian Darlington adalah
penggunaan ruang yang lebih kecil dari pada rangkaian dua buah transistor
biasa dengan bentuk konfigurasi yang sama. Penguatan arus listrik atau gain
dari rangkaian transistor Darlington ini sering dituliskan dengan notasi β atau
hFE.
Rangkaian transistor Darlington ditemukan pertama kali oleh Sidney
Darlington yang bekerja di Laboratorium Bell di Amerika Serikat. Jenis rangkaian
hasil penemuannya ini telah mendapatkan hak paten, dan banyak dipakai dalam
pembuatan Sirkuit terpadu (IC atau Integrated Circuits) chip. Jenis rangkaian
yang mirip dengan transistor Darlington adalah rangkaian pasangan Sziklai yang
terdiri dari sepasang transistor NPN dan PNP. Rangkaian Sziklai sering dikenal
sebagai rangkaian 'Complementary Darlington' atau 'rangkaian kebalikan dari
Darlington'. Transistor Darlington bersifat seolah-olah sebagai satu transistor
tunggal yang mempunyai penguatan arus yang tinggi. Penguatan total dari
rangkaian ini merupakan hasil kali dari penguatan masing-masing transistor yang
dipakai:
𝜷𝑫𝒂𝒓𝒍𝒊𝒏𝒈𝒕𝒐𝒏 = 𝜷𝟏 × 𝜷𝟐
 79

Nilai penguatan total dari transistor Darlington bisa mencapai 1000 kali
atau lebih. Dari luar transistor Darlington nampak seperti transistor biasa dengan
3 buah kutub: B (basis), C (Kolektor), dan E (Emitter). Dari segi tegangan
listriknya, voltase base-emitter rangkaian ini juga lebih besar, dan secara umum
merupakan jumlah dari kedua tegangan masing-masing transistornya, seperti
nampak dalam rumus berikut:
𝑽𝑩𝑬 = 𝑽𝑩𝑬𝟏 + 𝑽𝑩𝑬𝟐

2.3 Daftar Komponen dan Alat

a. modul praktikum elektronika dasar.
b. Osiloskop dua channel.
c. 2 buah multimeter analog maupun digital.
d. 2 buah variable Power supply
e. kertas milimeter block
f. disket 3½ “ 1,44 MB
g. flash disk
h. mistar
i. Datasheet transistor yang digunakan

2.4 Cara Kerja

2.4.1 Testing kondisi BJT dan JFET
 Untuk BJT periksalah kondisi transistor, dengan cara memeriksa dioda
emiter dan dioda kolektor dari transistor.
 isilah tabel 2.1.
 Untuk JFET periksalah hambatan antara drain dan source untuk gate
pada keadaan terbuka. Kemudian periksa pula hubungan antara gate
dengan source.
 Isilah tabel 2.2
 80

Tabel 2.1 Resistansi dioda BJT

No BJT AVO Hambatan Dioda Keterangan Keterangan
No Type Meter Basis Emiter Basis Kolektor keadaan
Baik Buruk
Seri Analog
1 BC547 NPN
Digital

Analog
2 BC557 PNP
Digital

Tabel 2.2 Resistansi channel JFET

FET AVO Hambatan Keterangan
Keterangan
No Seri Type Meter Drain Source Gate Source keadaan
Baik Buruk

Analog
2SK19 channel-N
Digital

2.4.2. Karakteristik BJT dan JFET

1.Karakteristik BJT
 Buat rangkaian seperti pada gambar 2.1.
 Aturlah tegangan catu basis dan tegangan catu kolektor sehingga
didapatkan harga-harga IB dan VCE sesuai dengan tabel 2.3.
 Gunakan multimeter untuk mengukur IB (Tegangan dari RB), IC (tegangan
dari RC), dan VCE.
 Catat pengamatan anda pada tabel 2.3
 81

Gambar 2.4.1 Rangkaian karakteristik BJT

Tabel 2.3 Hasil pengamatan karakteristik BJT

N
IB VCE VRE IC IE β Keterangan
o

1 0.1
2 0.2
3 0.3
4 0.4
5 0.5

2. Karakteristik JFET
 Buat rangkaian seperti pada gambar 2.2
 Aturlah tegangan agar harga VGS dan VDS sesuai dengan tabel 2.4
 catat besar ID pada tabel 2.4
 82

Gambar 2.4.2 Rangkaian karakteristik JFET

Tabel 2.4 Hasil Pengamatan karakteristik JFET

No VGS VDS VRD ID IG Keterangan

1 1.5
2
3

4 2.5
5

2.4.3 Konfigurasi BJT

2.4.3.1 Emiter stabilized bias
 sebelum transistor dirangkai, ukurlah dahulu besarnya hfe transistor
dengan multimeter digital.
 Buatlah rangkaian seperti pada gambar 2.6
 Setiap mulai mengukur, matikanlah dulu catu daya selama 5 menit (agar
transistor dingin).
 Kemudian on-kan catu daya dan segera ukur dan catat nilai dari IB, IC,
VCE, dan VBE.
 Setiap 5 menit catatlah nilai dari IB, IC, VCE, dan VBE. Isi tabel 2.6
 83

Gambar 2.4.5 Konfigurasi Emiter stabilized bias

Tabel 2.6 Hasil Pengamatan Konfigurasi Emiter stabilized bias

No IB IC VCE VBE β Keterangan

2.4.3.2 Voltage divider bias

 sebelum transistor dirangkai, ukurlah dahulu besarnya hfe transistor
dengan multimeter digital.
 Buatlah rangkaian seperti pada gambar 2.7
 Setiap mulai mengukur, matikanlah dulu catu daya selama 5 menit (agar
transistor dingin).
 Kemudian on-kan catu daya dan segera ukur dan catat nilai dari IB, IC,
VCE, dan VBE.
 Setiap 5 menit catatlah nilai dari IB, IC, VCE, dan VBE. Isi tabel 2.7
 84

Gambar 2.4.6 Konfigurasi Voltage divider bias

Tabel 2.7 Hasil Pengamatan Konfigurasi Voltage divider bias

No IB IC VCE VBE β Keterangan

2.4.4 Konfigurasi JFET

2.4.4.1 Fixed bias
 Buatlah rangkaian seperti pada gambar 2.9
 Setiap mulai mengukur, matikanlah dulu catu daya selama 5 menit (agar
transistor dingin).
 Kemudian on-kan catu daya dan segera ukur dan catat nilai dari ID, IG,
VDS, dan VGS.
 Setiap 5 menit catatlah nilai dari ID, IG, VDS, dan VGS. Isi tabel 2.9
 85

Gambar 2.4.7 Konfigurasi Fixed bias

Tabel 2.9 Hasil Pengamatan Konfigurasii Fixed bias

No ID IG VDS VGS Keterangan

2.4.4.2 Voltage divider bias

 Buatlah rangkaian seperti pada gambar 2.11
 Setiap mulai mengukur, matikanlah dulu catu daya selama 5 menit (agar
transistor dingin).
 Kemudian on-kan catu daya dan segera ukur dan catat nilai dari ID, IG,
VDS, dan VGS.
 Setiap 5 menit catatlah nilai dari ID, IG, VDS, dan VGS. Isi tabel 2.11
 86

Gambar 2.4.8 Konfigurasi Voltage divider bias

Tabel 2.11 Hasil Pengamatan Konfigurasi Voltage divider bias

No ID IG VDS VGS Keterangan

2.5 Lembar Kerja dan Data Hasil Percobaan

Tabel 2.12 Hasil Pengukuran Konfigurasi emitter dan stabilized bias

No IB IC VB VC VCE VBE β keterangan

1 11,09x10-4 0,0137 16,63 17,30 10,63 9,97 0,156 Baik

Tabel 2.13 Hasil Pengamatan Konfigurasi Voltage divider bias

No IB IC VB VC VCE VBE β keterangan

1 1,93x10-4 0,032 1,933 10,22 8,80 0,499 0,25 Baik

 87

Tabel 2.14 Hasil Pengamatan Konfigurasi Fixed Bias

No ID IG VDS VG VD VGS keterangan

1 7,5x10-3 4,8x10-7 7,53 0,476 7,53 0,478 Baik

Tabel 2.15 Pengamatan Konfigurasi Voltage Divider Bias

No ID IG VDS VG VD VGS keterangan

1 12,18x10-3 1,098x10-4 12,8 1,098 12,18 1,098 Baik

2.6 Analisa Pembahasan Hasil Percobaan

2.6.1 Konfigurasi BJT
2.6.1.1 Emitter Stabilized Bias

Gambar 2.6.1 Konfigurasi Emitter Stabilized Bias

Tabel 2.16 Hasil Pengamatan Konfigurasi Emitter Stabilized Bias

No IB IC VB VC VCE VBE β keterangan

1 11,09x10-4 0,0137 16,63 17,30 10,63 9,97 12,35 Baik

 88

Untuk menentukan nilai IB dan IC seperti pada tabel diatas, dapat

diperoleh dengan menggunakan rumus analisa berikut :

IB = VB / RB
dan
IC = VCC - VCE / RC

Untuk VCC = 12 V, VB = 16,63 V dan VCE = 10,63 V

dimana: RB = 15 KΩ dan RC = 100 Ω
16,63V 12V  10,63V
IB = IC =
15k 100
= 11,09x10-4 A = 0,0137 A

Dengan menggunakan cara yang sama seperti diatas maka akan

diperoleh hasil analisis untuk mencari nilai IB dan IC seperti yang terdapat dalam
tabel. Sedangkan untuk mencari nilai β dapat diperoleh dengan menggunakan
rumus analisa berikut :
β = I C / IB

Untuk IC = 0,0137 A
IB = 1,109 A
IC
maka,  
IB
= 0,0137 A / 11,09x10-4 A
= 12,35

Dengan cara yang sama seperti data yang didapatkan pada tabel di atas.
 89

2.6.1.2 Voltage Divider Bias

Gambar 2.6.2 Konfigurasi Voltage Divider Bias

Tabel 2.17 Hasil Pengamatan Voltage Divider Bias

No IB IC VB VC VCE VBE β keterangan

1 1,93x10-4 0,032 1,933 10,22 8,80 0,499 165,80 Baik

Untuk menentukan nilai IB dan IC seperti pada tabel diatas, dapat

diperoleh dengan menggunakan rumus analisa berikut :
IB = VB / RB
dan
IC = VCC - VCE / RC

Untuk VB = 1,933 V, VCC = 12 V dan VCE = 8,80 V

dimana: RB = 10 K  dan RC = 100 
1,933V 12V  8,80V
maka: IB = IC =
10 K 100
= 1,93x10-4 A = 0,032 A

Dengan menggunakan cara yang sama seperti diatas maka akan

diperoleh hasil analisis untuk mencari nilai IB dan IC seperti yang terdapat dalam
 90

tabel. Sedangkan untuk mencari nilai β dapat diperoleh dengan menggunakan

rumus analisa berikut :
β = I C / IB

Untuk IC = 0,032 A
IB = 1,93x10-4 A
IC
maka,  
IB
= 0,032 A / 1,93x10-4 A
= 165,80

Dengan cara yang sama seperti data yang didapatkan pada tabel di atas.

2.6.2 Konfigurasi JFET

2.6.2.1 Fixed Bias

Gambar 2.6.3 Konfigurasi Fixed bias

 91

Tabel 2.18 Hasil Pengamatan Konfigurasi Fixed Bias

No ID IG VDS VG VD VGS keterangan

1 7,5x10-3 4,8x10-7 7,53 0,476 7,53 0,478 Baik

Untuk mencari nilai ID dan IG dalam tabel dapat diperoleh dengan menggunakan
rumus analisa berikut :
ID = VD / RD
dan
IG = VG / RG

Untuk VD = 7,53 V dan VG = 0,476 V

dimana: RD = 1 KΩ dan RG = 1 MΩ , maka
7,53 V 0,476V
maka: ID = IG =
1K 1M
= 7,5x10-3 A = 4,8x10-7 A
Nilai IG bernilai 0 hal ini disebabkan karena pada saat proses perhitungan
VG didapatkan hasil yang bernilai 0 . Ini disebabkan oleh karena ID dan IG selalu
berbanding lurus dengan VD dan VG.

2.6.2.2 Voltage Divider Bias

Gambar 2.6.4 Konfigurasi Voltage divider bias

 92

Tabel 2.19 Hasil Pengamatan Konfigurasi Voltage Divider Bias

No ID IG VDS VG VD VGS keterangan

1 12,18x10-3 1,098x10-4 12,8 1,098 12,18 1,098 Baik

Untuk mencari nilai ID dan IG dalam tabel dapat diperoleh dengan menggunakan
rumus analisa berikut :
ID = VD / RD
dan
IG = VG / RG

Untuk VD = 12,18 V dan VG = 1,098 V

dimana: RD = 1 KΩ dan RG = 10 KΩ ,maka
12,18 V 1,098V
maka: ID = IG =
1K 10 K
= 12,18x10-3 A = 1,098x10-4 A

2.7 Pertanyaan dan Tugas

1. Jelaskan apa yang dimaksud dengan daerah cut-off, aktif, dan saturasi?
2. Dari percobaan karakteristik transistor dengan multimeter, buatlah grafik,
a. IC terhadap VCE
b. VBE terhadap IB
c. hFE terhadap IC.

3. Tentukan titik Q pada BJT dan FET, pada tiap konfigurasi!

4. Berdasarkan percobaan yang sudah anda lakukan jelaskan cara kerja
BJT dan FET!
5. Sebutkan kegunaan dari BJT dan JFET serta aplikasinya?
6. Apa syarat – syarat transistor yang beroperasi pada daerah cut-off, aktif
dan saturasi, jelaskan jawaban anda menurut hasil percobaan!
7. Dari keempat jenis bias pada BJT, mana yang paling stabil (pergeseran
titik kerjanya sangat kecil)? Jelaskan!
8. Menurut anda apakah definisi dan kegunaan dari bias?
 93

9. Apa yang dimaksud dengan IDSS,VP,IGSS?

10. Apa ciri ketiga daerah operasi dari JFET?
11. Terangkan perbedaan antara BJT dan JFET menurut hasil percobaan
(minimal 5 perbedaan)!
12. Jika hasil percobaan anda tidak sesuai dengan teori, mungkinkah
disebabkan oleh kerusakan transistor? jelaskan jawaban anda menurut
data percobaan yang diperoleh dan data sheetnya!
13. Bandingkanlah hasil pengukuran dengan perhitungan jelaskan dan beri
kesimpulannya
14. Berikan kesimpulan anda pada tiap-tiap percobaan dan berikan
kesimpulan umumnya pada akhir percobaan.

2.7.1 Jawaban :
1. - Daerah Cut-Off
Jika kemudian tegangan VCC dinaikkan perlahan-lahan, sampai
tegangan VCE tertentu tiba-tiba arus IC mulai konstan. Pada saat
perubahan ini, daerah kerja transistor berada pada daerah cut-off yaitu
dari keadaan saturasi (OFF) lalu menjadi aktif (ON). Perubahan ini
dipakai pada system digital yang hanya mengenal angka biner 1 dan 0
yang tidak lain dapat direpresentasikan oleh status transistor OFF dan
ON.

- Daerah Aktif
Daerah kerja transistor yang normal adalah pada daerah aktif, dimana
arus IC konstans terhadap berapapun nilai VCE. Dari kurva ini diperlihatkan
bahwa arus IC hanya tergantung dari besar arus IB. Daerah kerja ini biasa
juga disebut daerah linear (linear region).
 94

Jika hukum Kirchhoff mengenai tegangan dan arus diterapkan pada

loop kolektor (rangkaian CE), maka dapat diperoleh hubungan :
VCE = VCC - ICRC
Dapat dihitung dissipasi daya transistor adalah :
PD = VCE.IC
Rumus ini mengatakan jumlah dissipasi daya transistor adalah
tegangan kolektor-emitor dikali jumlah arus yang melewatinya. Dissipasi
daya ini berupa panas yang menyebabkan naiknya temperatur transistor.
Umumnya untuk transistor power sangat perlu untuk mengetahui
spesifikasi PDmax. Spesifikasi ini menunjukkan temperatur kerja
maksimum yang diperbolehkan agar transistor masih bekerja normal.
Sebab jika transistor bekerja melebihi kapasitas daya PDmax, maka
transistor dapat rusak atau terbakar.

- Daerah Saturasi
Daerah saturasi adalah mulai dari VCE = 0 volt sampai kira-kira 0.7 volt
(transistor silikon), yaitu akibat dari efek dioda kolektor-base yang mana
tegangan VCE belum mencukupi untuk dapat menyebabkan aliran
elektron.

2. a. Grafik VCE terhadap IC

IB (µA) 11 12 12 12 12

VCE (V) 10,91 10,76 10,6 10,44 10,24

IC (µA) 230 260 300 330 370

 95

b. Grafik VBE terhadap IB

IB (µA) 11 12 12 12 12

VCE (V) 0,51 0,53 0,55 0,55 0,55

 96

c. Grafik hFE terhadap IC.

IB (µA) 11 12 12 12 12

VCE (V) 10,91 10,76 10,6 10,44 10,24

IC (µA) 230 260 300 330 370

h fe (dB) 26 25,5 24,9 24,4 23,9

3 a. Bias Tetap : Titik Q point terjadi saat Ic saturasi mencapai maximum

dan berpotongan dengan Vce saturasi.
b. Bias Emiter Terstabilkan : Titik Q point terjadi pada perpotongan garis
Ibo dan garis yang menghubungkan Vcc dan Vcc / Rc+Re
c. Bias Pembagi Tegangan : Titik Q point terjadi pada pertemuan garis
dari k dan Vge.
4. Dalam pengoperasian JFET saluran n, drain disambungkan positif
terhadap source, sehingga electron akan masuk ke dalam saluran dari
source dan keluar dari drain. Gate disambungkan dengan voltase negatif
terhadap source sehingga saluran pn antara gate dan saluran n dibias
balik. Ketika sambungan pn tersebut dibias balik, lebar daerah
 97

pengosongan akan bertambah. Lebarnya akan tergantung dari voltase

antara daerah semikonduktor p+ dan daerah semikonduktor n. Semakin
besar voltase, semakin lebar daerah pengosongan.
5. Kegunaan dari BJT diantaranya berfungsi sebagai saklar. Satu contoh di
mana transistor dipakai sebagai saklar adalah dalam rangkaian
elektronika digital. Dalam elektronika digital biasanya hanya terdapat dua
keadaan, yaitu voltase ada dan voltase nol atau dengan kata lain hanya
terdapat keadaan on dan off.
Kegunaan dari JFET salah satunya adalah penguat pemotong.
Membangun sebuah penguat tergandeng langsung dengan mangambil
kapasitor penggandeng dan bypass kapasitor serta manghubungkan
keluaran tiap tingkatan langsung pada input dari tingkatan berikutnya.
dengan cara ini tegangan dc digandeng, seperti tegengan ac. Rangkaian
yang dapat menguatkan sinyal ac dinamakan dengan penguat dc.
Keuntungan utama dari penggandengan langsung adalah drift yaitu,
pergeseran rendah tempat tegangan keluaran dc akhir dihasilkan dengan
perubahan kecil pada tegangan catu, parameter transistor, dan variasi
suhu.
6. Syarat transistor beroperasi pada daerah cut-off adalah arus kolektor
kecil, maka titik cut-off hamper menyentuh ujung bawah garis beban.
Titik cut-off menyatakan tegangan kolektor emitter maksimum yang
mungkin dalam rangkaian. VCE maksimum yang mungkin sekitar 15 V,
yaitu tengangan catu kolektor.
Daerah saturation : Pada semua kondisi sering dipilih hambatan basis
yang menghasilkan gain arusnya 10. Karena di sana lebih dari cukup
arus basis untuk menjenuhkan transistor.
Daerah Aktif : Pada daerah ini transistor sebagai garis aliran amplifier ( I C
= B * IB). Beta adalah salah satu dari parameter transistor, bagian dari
base transistor. Dimana nilainya berkisar dari 50 – 200, tapi bisa juga
sampai 800. Berada pada daerah aktif VBE = 0.6 – 0.7 V .
7. Dari keempat jenis bias BJT di atas yang paling stabil adalah Bias
pembagi tegangan. Karena berdasarkan pada prototype bias emitter
disebut dengan bias pembagi teganyan. Kita dapat mengenalinya dengan
adanya pembagi tegangan pada rangkaian basis.
 98

8. Bias ada dua macam yaitu Forward bias (bias maju) adalah hubungan
yang dihasilkan oleh pusat sumber negatif dihubungkan dengan beban
tipe-n dan pusat positif dihubungkan dengan beban tipe-p. Reverse Bias
adalah hubungan yang terjadi saat pusat negative baterai dihubungkan
pada sisi-dan pusat positif baterai dihubungkan dengan sisi-n.
9. IDSS adalah arus batas atas untuk memutuskan atau mencegah kenaikan
arus kanal penghubung yang sempit.
VP adalah tegangan Pinchoff dimana tegangan minimum pada daerah
aktif JFET.
IGSS adalah arus yang menunjukkan drai arus ke sumber dengan gate
yang dihubungsingkatkan. Ini adalah arus drain maksimum yang dapat
dihasilkan sebuah JFET.
10. Daerah ohmic cirri-cirinya adalah bagian yang hamper vertical pada kurva
drain di bawah pichoff. Daerah Aktif ciri-cirinya adalah persamaan
garisnya telah melewati tegangan pinchoff dan sampai pada batas VDS
max. Daerah breakdown ciri-cirinya adalah tegangan JFET telah
mencapai VDS max.
11. BJT dibentuk berdasarkan dua tipe muatan sedangkan JFET satu tipe
muatan. BJT memiliki kolektor, basis dan emitter sedangkan JFET
memiliki Drain, gate dan source.
12. Tidak sesuainya hasil percobaan dengan teori bisa saja disebabkan oleh
rusaknya transistor. Karena kurangnya perawatan atau mungkin umur
alat yang sudah lama. Kerusakan transistor bisa saja terjadi karena
transistor telah melewati daerah breakdown.
13. Hasil dari pengukuran yang telah dilakukan pada saat percobaan
memberikan hasil yang berbeda dari hasil perhitungan berdasarkan teori
yang ada. Hal ini kemungkinan disebabkan oleh kesalahan didalam
pembacaaan skala pada alat ukur multimeter.
14. - Kondisi BJT dan JFET
* BJT dan JFET dapat dikatakan baik jika memiliki hambatan diode
atau hambatan diodenya dapat dihitung.
- Karakteristik BJT dan JFET
* Penambahan VCE secara konstan tidak menyebabkan
perubahan IC atau perubahan IC sangat kecil (tidak signifikan)
 99

* Besar β ditentukan oleh besar IC dan IB

* Besar arus colektor dan emiter adalah sama
- Konfigurasi BJT
* Nilai IB, IC, VBE, dan β tetap konstan walaupun terjadi
perubahan waktu tetapi VCE mengalami perubahan nilai (tidak
signifikan)
- Konfigurasi JFET
* Nilai ID, IG, dan VGS tetap konstan walaupun terjadi perubahan
waktu tetapi VDS mengalami perubahan nilai (tidak signifikan)

2.8 Kesimpulan
Dari hasil percobaan yang telah dilakukan dapat ditarik kesimpulan
bahwa BJT memiliki beberapa jenis bias diantaranya adalah fixed bias, Emiter
stabilized bias,voltage divider bias dan voltage feedback bias. Sedangkan JFET
juga memiliki beberapa jenis bias diantaranya fixed bias, self bias, dan voltage
divider bias.
BJT memiliki kaki-kaki yang dinamai kolektor, basis dan emitter
sedangkan JFET memiliki kaki-kaki yang disebut drain, gate dan source. BJT dan
JFET memiliki daerah Aktif, cut-off, saturasi dan breakdown.

2.9 Daftar Referensi Buku

- Malvino, A.P.;Prinsip-Prinsip Elektronika, buku satu; Penerbit Salemba
Teknika, 2003
- Blocher Richard, Dipl.Phys.;Dasar Elektronika, Penerbit Andi, 2004
- http://www.scribd.com/doc/33212205/Bjt-Dan-Jfet
- http://id.wikipedia.org/wiki/Transistor_efek%E2%80%93medan
- http://elka.ub.ac.id/praktikum/de/de.php?page=4
- http://elka.ub.ac.id/praktikum/de/de.php?page=3
- http://www.electronics-tutorials.ws/transistor/tran_1.html