MODUL 4
KARAKTERISTIK DAN PENGUAT FET
Rikki Naldo Napitupulu (14S15038)
Asisten :
Tanggal Percobaan : 10/04/2017
ELS2104- Praktikum Elektronika
Laboratorium Dasar Teknik Elektro - Institut Teknologi Del
Abstrak
Abstrak Pada praktikum Modul IV ini dilakukan
beberapa percobaan diataranya melakukan
testing transistor. Dari kurva karakteristik Id-
Vgs kita dapat mengetahui besarnya tegangan
threshold transistor. Dari kurva karakteristik Id-
Vds kita dapat mengetahui daerah kerja
transistor yaitu daerah triode, daerah saturasi
(transistor digunakan sebagai penguat), dan
daerah cut off transistor. Dengan menggunakan
kurva Id – Vds lalu ditarik garis linear mulai dari
Vds 15 V (nilai Vdd) hingga Id 6 mA. Dari garis
tersebut kita dapat menentukan nilai Vds, Vgs,
Id, dan Rd. Kemudian untuk mencari nilai gm
dapat dilakukan dengan 2 pendekatan yaitu
dengan perhitungan menggunakan rumus dan
dengan perngukuran kemiringan kurva.
Selanjutnya pada percobaan rangkaian bias,
dapat diperoleh nilai-nilai tegangan dan
resistansi pada gate, drain dan source yang
selanjutnya nilai tersebut digunakan untuk
menbuat rangkaian amplifier untuk ketiga
konfigurasi transistor. Ketiga konfigurasi
tersebut yaitu Common Source (input pada Gate
dan output pada drain), Common Gate (input
pada Source dan output pada drain), dan
Common Drain (input pada Gate dan output
pada Source). Kemudian dilakukan percobaan
untuk menghitung besarnya penguatan,
resistansi input, dan resistansi output untuk
ketiga kofigurasi.
Kata kunci: Transistor, MOSFET, Common Source,
Common drain, Common Gate.
1. PENDAHULUAN
Pada praktikum yang keempat ini, bertujuan agar
praktikan dapat melakukan percobaan secara
langsung mengenai karakteristik dan Penguat FET
dengan komponen elektriknya yaitu transistor.
Tujuan dari praktikum ini antara lain :
i. Mengetahui dan mempelajari
karakteristik transistor FET
ii. Memahami penggunaan FET
sebagai penguat untuk konfigurasi
Common Source, Common Gate, dan
Common Drain
iii. Memahami resistansi input dan
output untuk ketiga konfigurasi
tersebut.
2. STUDI PUSTAKA
2.1. Transistor FET
Transistor FET adalah transistor yang bekerja
berdasarkan efek medan elektrik yang dihasilkan
oleh tegangan yang diberikan pada kedua ujung
terminalnya. Mekanisme kerja transistor ini
berbeda dengan transistor BJT. Pada transistor ini,
arus yang dihasilkan/dikontrol dari Drain (analogi
dengan kolektor pada BJT), dilakukan oleh
tegangan antara Gate dan Source (analogi dengan
Base dan Emiter pada BJT). Bandingkan dengan
arus pada Base yang digunkan untuk menghasilkan
arus kolektor pada transistor BJT.
Jadi, dapat dikatakan bahwa FET adalah transistor
yang berfungsi sebagai “konverter” tegangan ke
arus.Transistor FET memiliki beberapa keluarga,
yaitu JFET dan MOSFET. Pada praktikum ini akan
digunakan transistor MOSFET walaupun
sebenarnya karakteristik umum dari JFET dan
MOSFET adalah serupa.
Karakteristik umum dari transistor MOSFET dapat
digambarkan pada kurva yang dibagi menjadi dua,
yaitu kurva karakteristik ID vs VGS dan kurva
karakteristik ID vs VDS. Kurva karakteristik ID vs
VGS diperlihatkan pada gambar berikut. Pada
gambar tersebut terlihat bahwa terdapat VGS
minimum yang menyebabkan arus mulai mengalir.
Tegangan tersebut dinamakan tegangan threshold,
Vt. Pada MOSFET tipe depletion, Vt adalah
negative, sedangkan pada tipe enhancement, V t
adalah positif.
point dicapai, maka transistor telah dapat
digunakan sebagai penguat, dalam hal ini, sinyal
yang diperkuat adalah sinyal kecil (sekitar 40-50
mVp-p dengan frekuensi 1-10 kHz).
Terdapat 3 konfigurasi penguat pada transistor
MOSFET, yaitu

 Common Source
 Common Gate
 Common Drain

Ketiganya memiliki karakteristik yang berbeda-

beda dari faktor penguatan, resistansi input, dan
resistansi output. Tabel berikut ini merangkum
karakteristik dari ketiga konfigurasi tersebut.
Pada gambar tersebut terlihat bahwa terdapat VGS
minimum yang menyebabkan arus mulai mengalir.
Tegangan tersebut dinamakan tegangan threshold, 3. METODOLOGI
Vt. Pada MOSFET tipe depletion, Vt adalah Berikut peralatan dan komponen yang digunakan
negative, sedangkan pada tipe enhancement, V t untuk percobaan-percobaan pada modul.
adalah positif.
1. Sumber tegangan DC (2buah)
2. Generator Sinyal (1 buah)
Kurva karakteristik ID vs. VDS ditunjukkan oleh 3. Osiloskop (1 buah)
gambar di bawah ini. Pada gambar tersebut terdapat 4. Multimeter (3 buah)
5. Kit Transistor sebagai switch
beberapa kurva untuk setiap VGS yang berbeda-
6. Breadbord (1 buah)
beda. Gambar ini digunakan untuk melakukan 7. RG = Potensiometer 1 MΩ (1 buah)
desain peletakan titik operasi/titik kerja transistor. 8. RD = Potensiometer 10 kΩ (1 buah)
Pada gambar ini juga ditunjukkan daerah saturasi 9. RS = Potensiometer 1 kΩ (2 buah)
dan Trioda. 10. Resistor 1 MΩ (1 buah)
11. Kapasitor 100 uF (3 buah)
12. Kabel-kabel

3.1. Kurva Karakteristik Transistor

MOSFET
A. Kurva ID vs VGS

Buatlah Rangkaian seperti pada modul

2.2. Penguat FET

Untuk menggunakan transistor MOSFET sebagai Atur VGS sessuai pada modul, kemudian cari I0
penguat, maka transistor harus berada dalam
daerah saturasinya. Hal ini dapat dicapai dengan
memberikan arus ID dan tegangan VDS tertentu.
Cara yang biasa digunakan dalam mendesain Buat Plot kurva Karakteristik ID VS. VGS, tentukan
penguat adalah dengan menggambarkan garis tegangan threshold
beban pada kurva ID vs VDS. Setelah itu ditentukan
Q point-nya yang akan menentukan ID dan VGS
yang harus dihasilkan pada rangkaian. Setelah Q
 B. Kurva ID vs. VDS
Dibuat sinyal input sinusoidal sebesar 50 mVpp
Buatlah Rangkaian seperti pada modul dengan frekuensi 10 kHz.

Atur VDS sessuai pada modul, kemudian cari I0

untuk setiap VGS

Buat Plot kurva Karakteristik ID VS. VDS, tentukan

daerah saturasi, dan daerah triode

C. Desain Q point

Tentukan nilai Rd pada rang. penguat

Hubungkan sinyal input tersebut ke rangkaian

dengan memberikan kapasitor kopling seperti yang
ditunjukkan oleh gambar di bawah ini.
Cari nilai K dengan rumus:
id = K (vgs -Vt)2
gm = 2K (vgs -Vt)

Ditentukan nilai gm dengan melihat kemiringan

kurva titik Q point pada kurva karakteristik Id vs
Vgs. Dibadingkan kedua nilai gm yang diperoleh.

3.2. Penguat Common Source

a. Faktor Penguatan
Digunakan osiloskop untuk melihat sinyal pada Gate
Rangkai seperti pada modul 4
dan Drain transistor.

Tentukan penguatannya (Av = Vo/Vi).

Aturlah VDD, potensiometer RG, RD, dan RS
agar transistor berada pada titik operasi yang
diinginkan.

Naikkan amplitudo generator sinyal dan perhatikan

sinyal output ketika sinyal mulai terdistorsi.
Catatlah tegangan input ini.
 Bandingkan nilai penguatan yang diperoleh dari Hubungkan osiloskop pada kapasitor Drain
percobaan ini dengan nilai dari hasil perhitungan transistor ,Aturlah resistor variable tersebut sampai
dengan menggunakan tabel karakteristik penguat amplitudo sinyal output menjadi ½ dari sinyal
FET. output tanpa resistor variable.

b. Resistansi input
Catatlah nilai Rvar yang menyebabkan hal tersebut
Hubungkan rangkaian di atas dengan sebuah resistor terjadi. Jadi, Rout = Rvar
variable pada inputnya seperti pada gambar di bawah
ini.
3.3. Penguat Common Gate

Dilakukan percobaan Faktor Penguat, Resistansi Input,

Hubungkan osiloskop pada Gate transistor, dan Resistansi Output seperti pada Common Source,
Aturlah resistor variable tersebut sampai amplitudo namun dengan konfigurasi rangkaian diatas
sinyal input menjadi ½ dari sinyal input tanpa
resistor variable.
3.4. Penguat Drain
Lakukan percobaan Faktor Penguatan, Resistansi
input, dan Resistansi Output seperti pada Common
Catatlah nilai Rvar yang menyebabkan hal tersebut
Source, namun dengan konfigurasi rangkaian di
terjadi. Jadi, Rin = Rvar
bawah ini.
c. Resistansi output
Hubungkan rangkaian di atas dengan sebuah
resistor variable pada inputnya seperti pada
gambar di bawah ini.
Mengakhiri Peercobaan
Selesai praktikum dirapikan semua kabel dan
dimatikan osiloskop, generator sinyal serta dipastikan
juga multimeter analog, multimeter digital
ditinggalkan dalam keadaan mati (selector
menunjukan ke pilihan off).

Dimatikan MCB dimeja praktikum sebelum

meninggalkan ruangan.

Diperiksa lembar penggunaan meja

DIpastikan asisten telah menandatangani catatan

percobaan kali ini pada Buku Catatan Laboratorium.
 4. ANALISIS DAN PEMBAHASAN
4.1. Karakteristik Transistor FET
 Kurva ID dan VGS
VGS ID(mA)
0 0.01
1.5 0.03
2 0.13
2.5 0.3
3.5 0.5
4 1.13
5 2.07
7.5 5.86
dari table diatas , disimpulkan jika semakin besar VGS yang diberikan maka I D yang mengalir pada FET
semakin besar juga

 Kurva ID vs. VDS

Setelah diperoleh kurva Id-Vgs selanjutnhya dilakukan testing Id-Vds dengan mencoba rangkaian yang ada pada
modul, kemudian diukur arus Id dengan mengganti Vds dan Vgs sesuai dengan Tabet, sehingga didapat :
ID(mA)
VDS
VGS = 2V VGS=2.5V VGS=3V VGS=4V VGS=5V VGS=7V VGS=9V
0 4.81 4.81 4.81 4.81 4.81 4.81 4.81
0.25 6 6.125 5.998 5.97 5.95 5.93 5.94
0.5 7.07 7.34 7.23 7.22 7.2 7.17 7.19
1 9.875 10.37 10.23 10.2 10.19 10.16 10.18
2 16.76 17.33 17.11 17.05 17.04 16.98 17.03
3 25.48 26.33 25.91 25.83 25.82 25.73 25.29
4 36.71 37.7 37.35 37.17 37.18 37.05 37.14
5 47.3 49.9 49.2 49 49 48.7 48.9
6 58.6 62 61.5 61.4 61.3 61 61.2
7 72 74.4 73.7 73.8 73.5 73.3 73.5

4.2. Penguat Common Source
a. Resistansi Input
Pada amplifier dengan konfigurasi Common
Source ini diperoleh nilai resisansi input
yaitu sebesar 130 kΩ. Berdasarkan teori nilai
ini seharunya mendekati nilai Rg yaitu
sebesar 227.5 kΩ.
b. Resistansi Output
Pada amplifier dengan konfigurasi Common
Source diperoleh nilai resistansi output
sebesar 5.5 kΩ.
Nilai yang diperoleh dengan rumus
Av = -gm(RD||ro)
Av = -(3.09)(2.5 k ||323.6)
Av = -0.885 V/V
Rin = Rg = 227.5 kΩ
Rout = (RD||ro) = 286.51 Ω
4.3. Penguat Common Gate
a. Resistansi Input
Pada penguatan transistor FET dengna
konfigurasi Common gate diperoleh nilai
resistansi input sebesar 400 Ω. Berdarsarkan
rumus yang terdapat pada karakteristik transistor
FET (bernilai 323.6 Ω), nilai resistansi input ini
tidak jauh berbeda yaitu masih dalam orde
ratusan ohm dan nilainya cukup berdekatan.
Sehingga dapat disimpulkan bahwa resistansi
input yang dimiliki Amplifier dengan konfigurasi
Common Gate memiliki resistansi input yang
cukup kecil atau masih dalam orde ratusan ohm).
b. Resistansi Output
Pada amplifier dengan konfigurasi Common Gate
diperoleh nilai resistansi output sebesar 300 Ω.
Nilai ini juga tidak jauh berbeda dengan nilai
resistansi output yang diperoleh dari hasil
perhitugan yaitu 286.51 Ω. Dari kedua nilai ini ,
dapat disimpulkan bahwa resistansi output untuk
penguat transistor dengan konfigurasi Common
Gate memiliki nilai resistansi output yang cukup
kecil (masih dalam orde ratusan ohm).
4.4. Penguat Common Drain
pada percobaan kali ini, kami tidak
melakukan percobaan tentang penguat
Common Drain dikarenakan waktu
praktikum yang telah ditetapkan tidak
memungkinkan kelompok kamis
5. Kesimpulan
Dari percobaan didapatkan kesimpukan :
 Kurva Id Vgs menunjukan bahwa transistor
MOSFET mulai berfungsi pada saat nilai
tegangan gate dan source pada nilai tertentu.
Nilai tegangan ini dinamakan tegangan
Threshold (VT),
 Kurva Id – Vds menunjukan daerah kerja
transoistor yaitu pertama daerah saturasi
(daereah kerja transistor yang digunakan
 sebagai pernguat) saat kurva bernilai tetap
(konsisten) terhadap perubahan Vds , daerah
triode yaitu saat hubungan Id dan Vds
berbanding lurus (linear), dan terakhir daerah
cut off yaitu saat transistor tidak aktif.
 Penguatan dengan konfigurasi Common
Source memiliki karakteristik sinyal input
outputnya bersifat inverting (berbeda fasa
1800), memiliki penguatan tegangan yang
kecil dan bernilai negatif, memiliki high
input impedance (Resistansi input besar) dan
moderate output impedance (Resistansi
output sedang).
 Penguatan dengan konfigurasi Common Gate
memiliki karakteristik sinyal input output
tidak besifat inverting (berbedafasa 00,
memiliki penguatan tegangan yang kecil,
memiliki resistansi input yang kecil (low
voltage impedance) dan memiliki resistansi
output yang cukup besar (high output
impedance).
DAFTAR PUSTAKA
1. Pandapotan Siagian, Praktikum
Elektronika 1, Laboratorium Dasar
Teknik Elektro ITDEL,Laguboti,2017
2. Modul Praktikum Elektronika 1
3. http://id.wikipedia.org/wiki/Transistor_e
fek%E2%80%93medan
LAMPIRAN

Penguat Common Source

1. Resistansi Input

2. Resistansi output