LAPORAN PRAKTIKUM ELEKTRONIKA DASAR I

KARAKTERISTIK TRANSISTOR

Nama : R. Achmad Nafi’ Firdausi

NIM : 205090801111026

Kelompok : 09

Tgl. Praktikum : 22 Mei 2021

Nama Asisten : Akhmad Ashabil Yamin

LABORATORIUM INSTRUMENTASI DAN PENGUKURAN

JURUSAN FISIKA

FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM

UNIVERSITAS BRAWIJAYA

MALANG
 LEMBAR PENILAIAN PRAKTIKUM LAPORAN

ELEKTRONIKA DASAR I

KARAKTERISTIK TRANSISTOR

Tanggal Masuk Laporan : _____________________________________________________

Pukul : _____________________________________________________

Korektor Asisten

............................... Nama Asisten

......
CO Asisten

Nama Co Asisten Kelas

......

Catatan:

Tanggal Masuk Revisi : ______________________________________________________

Pukul : ______________________________________________________

Nilai Sementara Nilai Akhir

 BAB I
PENDAHULUAN

1.1 TUJUAN
Tujuan dilakukannya praktikum ini adalah supaya karakteristik transistor konfigurasi
common emitor saat dibias di bagian masukan dan keluarannya dapat dipahami oleh peserta
praktikum.
1.2 DASAR TEORI
Transistor merupakan suatu perangkat semikonduktor yang mengontrol arus antara
dua terminal berdasarkan arus atau tegangan pada terminal ketiga dan digunakan untuk
amplifikasi atau switching sinyal listrik. Struktur dasar transistor pertemuan bipolar, BJT
menentukan karakteristik operasinya. Bias DC penting untuk pengoperasian transistor
dalam hal mengatur arus dan tegangan yang tepat dalam rangkaian transistor. Dua
parameter penting adalah 𝛼𝐷𝐶 dan 𝛽𝐷𝐶 (Floyd & Buchla, 2014).
Istilah transistor berasal dari kata transfer resistor. Transistor merupakan komponen
elektronika yang dapat berguna sebagai penyambung, penguat, penstabil tegangan,
modulasi sinyal, dan lain-lain. Transisor didesain supaya dapat menjadi penyalur aliran
listrik berdasarkan tegangan masukan dari sumber tegangan dan bisa mengalihkan aliran
listrik pada suatu rangkaian dengan tepat. Prinsip kerja dari transistor adalah arus yang
mengalir pada rangkaian input mempengaruhi arus yang mengalir pada rangkaian output.
Transistor memiliki dua macam, yaitu tipe PNP dan NPN seperti yang ditunjukkan pada
gambar 1.1 (Ponto, 2018).

Gambar 1.1 Transistor tipe PNP (kiri) dan tipe NPN (kanan) (Ponto, 2018).
 Transistor dibagi menjadi tiga bagian yang meliputi: emitter, basis dan kolektor. Jika
tanda panah mengarah ke arah basis, maka dapat ditunjukkan bahwa transistor tersebut
adalah transistor PNP. Jika menjauh maka itu adalah transistor NPN. Tanda panah di emitor
dapat ditentukan dengan arah arus ketika persimpangan basis emitor dibias maju. Ketika
transistor PNP dibias maju, sebuah lubang akan disuntikkan ke basis. Sehingga, lubang
berpindah dari emitor ke basis, dan arus normal mengalir ke arah lubang. Oleh karena itu,
panah akan sejajar dengan basis transistor PNP. Demikian pula, untuk transistor NPN. Arus
emitor DC dinyatakan sebagai IE, IB sebagai arus basis, dan IC sebagai arus kolektor. Ketika
arus dialirkan ke transistor, arus IE diasumsikan positif. Pada saat yang sama, VEB kembali
ke tegangan basis emitor. Tegangan emitor (E) diukur relatif terhadap basis B dan VCB dan
VCE (Kishore, 2008).

Gambar 1.2 Rangkaian transistor penguat sederhana (Lowe, 2017).

Pada umumnya, transistor digunakan sebagai penguat seperti yang ditunjukkan pada
gambar 1.2. Jenis rangkaian ini terkadang disebut dengan rangkaian common-emitter
karena bagian emitter terhubung dengan ground. Hal ini berarti sinyal masuk dan sinyal
keluarannya berbagi dengan koneksi emitter (Lowe, 2017).

Dalam menggunakan transistor sebagai penguat, terdapat dua cara lain yang disebut
dengan common base dan common collector. Penghubungan basis dan kolektor ke ground
dilibatkan pada kedua cara tersebut. Jika dibandingkan dengan rangkaian common base
dan common collector, rangkaian common-emitter lebih sering digunakan (Lowe, 2017).

Sepasang resistor digunakan sebagai pembagi tegangan seperti yang ditunjukkan

pada gambar 1.2 untuk mengontrol jumlah tegangan yang melewati basis dan emitor dari
transistor. Sinyal AC dari input kemudian ditumpangkan pada tegangan bias ini untuk
memvariasikan arus bias. Kemudian, keluaran yang diperkuat diambil dari emitor dan
kolektor. Variasi pada arus bias diperkuat dalam arus keluarannya (Lowe, 2017).
 BAB II
METODOLOGI

2.1 PERALATAN PERCOBAAN

Alat-alat yang digunakan pada praktikum kali ini antara lain, voltmeter DC,
amperemeter DC, 2 buah variable power supply¸rangkaian uji transistor, transistor Q1
2N3904, tahanan RB1 47 kΩ 2 watt, tahanan RB2 1 kΩ 1 watt, dan tahanan RC2 220 Ω 5
watt.

2.2 TATA LAKSANA PERCOBAAN

2.2.1 Kurva Karakteristik Transistor

Gambar 2.1 Rangkaian transistor.

Pada tahap persiapan, transistor T1 (2N3904) dipilih pada rangkaian uji.
Kemudian, saklar S2, S3, dan S5 diputus sebagaimana pada gambar 2.1 di atas. Mode
DC pada voltmeter dan amperemeter dipilih. Lalu, terminal voltmeter dihubungkan
ke titik X-E (terminal positif ke titik X, terminal negatif ke titik E), sehingga tegangan
keluaran variable power supply 1 atau tegangan VBB akan ditunjukkan oleh
voltmeter. Setelah itu, variable power supply 1 diatur supaya dapat tegangan
keluaran yang sekecil mungkin dapat diperoleh. Kemudian, terminal voltmeter
dihubungkan ke titik D-E (terminal positif ke titik D, terminal negatif ke titik E),
sehingga tegangan keluaran variable power supply 2 atau tegangan VCC akan
ditunjukkan oleh voltmeter. Variable power supply 2 diatur supaya dapat tegangan
keluaran yang sekecil mungkin dapat diperoleh. Setelah itu, saklar S1 dan S4
dihubungkan.
 Pada tahap pengaturan arus IB dalam pengujian karakteristik transistor untuk IB
0 𝜇𝐴, terminal voltmeter kembali dihubungkan ke titik X-E. Lalu, amperemeter
diposisikan di posisi I1. Keluaran variable power supply 1 diatur supaya didapat nilai
IB sekecil mungkin. Kemudian, tegangan VXE dan arus I1 dicatat. Setelah itu,
dilakukan tahapan pengaturan VCE yang diawali dengan terminal voltmeter
dihubungkan ke titik C-E. Lalu, amperemeter diposisikan di posisi I2. Tegangan VCE
dan arus I2 dicatat. Kemudian, tegangan VCE dinaikkan dengan cara dinaikkannya
keluaran variable power supply 2 supaya dapat diperoleh kenaikan 0,1 V. Tegangan
VCE dan arus I2 dicatat kembali. Langkah-langkah ini diulangi beberapa kali hingga
diperoleh nilai VCE setinggi mungkin.
Setelah itu, dilakukan pengujian karakteristik transistor untuk nilai IB yang
bervariasi. Langkah-langkahnya sama dengan tahapan pada paragraf 2, hanya saja
keluaran variable power supply 1 diatur supaya dapat diperoleh nilai IB sebesar 50
𝜇𝐴, 100 𝜇𝐴, 150 𝜇𝐴, 200 𝜇𝐴, 250 𝜇𝐴, dan 300 𝜇𝐴. Hasil pengukuran untuk masing-
masing nilai IB dapat dicatat dengan bantuan format tabel yang ada pada buku
pedoman praktikum.

2.2.2 Penempatan Titik Kerja Transistor (Titik Q) di Tengah Garis Beban DC

Gambar 2.2 Rangkaian transistor.

Pada tahap persiapan, langkah pertama yang dilakukan adalah transistor T1

(2N3904) dipilih pada rangkaian uji. Kemudian, saklar S2, S3, dan S5 diputus
hubungkan. Lalu, saklar S1 dan S4 dihubungkan dan terminal voltmeter dihubungkan
ke titik D-E. Setelah itu, tegangan output variable power supply 2 diatur supaya dapat
diperoleh nilai tegangan sebesar 9V.
 Setelah dilakukan tahap persiapan, pengujian dilanjutkan ke tahapan
pengaturan arus IB agar titik Q berada di tengah garis beban DC yang langkah
awalnya adalah terminal voltmeter dihubungkan ke titik C-E. Lalu, amperemeter
diposisikan di I2. Kemudian, keluaran variable power supply 1 diatur supaya dapat
diperoleh nilai VCE = 4,5 V (IC = 20,45 mA). Setelah itu, amperemeter diposisikan di
I1 dan arus IB (arus I1) dicatat. Langkah yang terakhir adalah terminal voltmeter
dihubungkan ke titik X-E dengan diselingi nilai tegangan VXE dicatat serta terminal
voltmeter juga dihubungkan ke titik B-E dan nilai tegangan VBE juga dicatat. Selain
itu, juga perlu diperhatikan bahwa, setiap pembacaan arus, amperemeter dipastikan
sudah diatur dengan range yang tepat supaya hasil pembacaannya teliti.

2.3 GAMBAR ALAT DAN RANGKAIAN PERCOBAAN

Gambar 2.3 Voltmeter DC.

Gambar 2.4 Amperemeter DC.

Gambar 2.5 Variable Power Supply.

Gambar 2.6 Rangkaian uji transistor.

Gambar 2.7 Transistor Q1 2N3904.

Gambar 2.8 Tahanan.

 BAB III
ANALISIS DAN PEMBAHASAN

3.1 DATA HASIL PERCOBAAN

3.1.1 Kurva Karakteristik Transistor
3.1.1.1 Data Karakteristik Transistor 𝑰𝑩 = 𝑰𝟏 = 𝟏𝟎𝒎𝒊𝒌𝒓𝒐𝑨
ib = i1 = 10mikroA
Vbb = Vxe = 1.00V
Vce Ic = I2
0,5 1.22 mA
0,6 1.23 mA
0,7 1.24 mA
0,8 1.25 mA
0,9 1.20 mA
1 1.21 mA
1,1 1.22 mA

3.1.1.2 Data Karakteristik Transistor 𝑰𝑩 = 𝑰𝟏 = 𝟓𝟎𝒎𝒊𝒌𝒓𝒐𝑨

ib = i1 =50mikroA
Vbb = Vxe = 3.12V
Vce Ic = I2
0,5 7.052 mA
0,6 7.367 mA
0,7 7.546 mA
0,8 7.580 mA
0,9 7.680 mA
1 7.750 mA
1,1 7.780 mA
3.1.1.3 Data Karakteristik Transistor 𝑰𝑩 = 𝑰𝟏 = 𝟏𝟎𝟎𝒎𝒊𝒌𝒓𝒐𝑨
ib = i1 =100mikroA
Vbb = Vxe = 5.64V
Vce Ic = I2
0,5 12.970 mA
0,6 13.620 mA
0,7 13.890 mA
0,8 14.320 mA
0,9 14.650 mA
1 14.970 mA
1,1 15.170 mA

3.1.1.4 Data Karakteristik Transistor 𝑰𝑩 = 𝑰𝟏 = 𝟏𝟓𝟎𝒎𝒊𝒌𝒓𝒐𝑨

ib = i1 =150mikroA
Vbb = Vxe = 7.33V
Vce Ic = I2
0,5 16,37 Ma
0,6 16,75 Ma
0,7 17,23 ma
0,8 17,62 ma
0,9 18,11 ma
1 18,49 ma
1,1 18,82 ma

3.1.1.5 Data Karakteristik Transistor 𝑰𝑩 = 𝑰𝟏 = 𝟐𝟎𝟎𝒎𝒊𝒌𝒓𝒐𝑨

ib = i1 =200mikroA
Vbb = Vxe = 10.27V
Vce Ic = I2
0,5 21,33 ma
0,6 21,90 ma
0,7 22,53 ma
0,8 23,14 ma
0,9 23,61 ma
1 24,14 ma
 1,1 25,66 ma

3.1.1.6 Data Karakteristik Transistor 𝑰𝑩 = 𝑰𝟏 = 𝟐𝟓𝟎𝒎𝒊𝒌𝒓𝒐𝑨

ib = i1 =250mikroA
Vbb = Vxe = 12.22V
Vce Ic = I2
0,5 24,07 ma
0,6 24,88 ma
0,7 25,48 ma
0,8 26,07 ma
0,9 26,59 ma
1 27,15 ma
1,1 27,71 ma

3.1.1.7 Data Karakteristik Transistor 𝑰𝑩 = 𝑰𝟏 = 𝟑𝟎𝟎𝒎𝒊𝒌𝒓𝒐𝑨

ib = i1 =300mikroA
Vbb = Vxe = 14.52V
Vce Ic = I2
0,5 27,23 ma
0,6 28,18 ma
0,7 28,70 ma
0,8 29,44 ma
0,9 30,03 ma
1 30,61 ma
1,1 31,17 ma

3.1.2 Titik Kerja Transistor

Besaran Nilai
Vcc 9v
Vce 4,34 v
i2=ic 20,45 ma
vbb=vxe 6.62 v
vbe 0,724 v
ib=i1 0,13 ma
3.2 PEMBAHASAN
3.2.1 ANALISIS PROSEDUR
3.2.1.1 FUNGSI ALAT
Dalam praktikum kali ini alat dan bahan yang digunakan diantaranya
voltmeter DC, amperemeter DC, variable power supply, dan rangkaian uji
transistor. Voltmeter DC digunakan sebagai pengukur tegangan.
Amperemeter DC digunakan sebagai pengukur arus. Variable power supply
digunakan sebagai sumber tegangan yang dapat diubah-ubah tegangannya.
Rangkaian uji transistor digunakan sebagai rangkaian yang akan diukur
tegangan dan arusnya. Komponen yang digunakan agar dapat disusunnya
rangkaian antara lain adalah sebuah transistor 𝑄1 2N3904, tahanan 𝑅𝑠1
47𝑘Ω 2watt, tahanan 𝑅𝑠2 1𝑘Ω 1watt, dan tahanan 𝑅𝑐2 220Ω 5watt yang
dimana masing-masing komponen dimiliki fungsi masing-masing dalam
rangkaian dan secara umum transistor digunakan agar arus yang masuk
rangkaian dapat diperkuat dan tahanan sebagai hambatan dalam rangkaian.
3.2.1.2 FUNGSI PERLAKUAN
Dari alat-alat yang digunakan dalam praktikum karakteristik transistor
ini dimilikinya fungsi yang berbeda-beda, perlakuan atau tata cara
penggunaan yang dimiliki setiap alat berbeda-beda dan dimilikinya tujuan
dari adanya proses demi proses. Peralatan percobaan dipersiapkan ketika
praktikum akan dimulai dengan login software Remlab dan tak lupa dengan
software VLC. Lalu dilakukan beberapa percobaan dimana pada percobaan
pertama yaitu percobaan kurva karakteristik transistor dimana arus IB
dihubungkan ke terminal voltmeter pada titik X-E, kemudian amperemeter
diletakkan pada titik I1. Nilai tegangan Vxe dicatat sebagai data hasil
percobaan. Kemudian dilakukan pengaturan untuk teganagn Vce dimana
terminal termometer dihubungkan pada titik C-E dan amperemeter
diletakkan pada titik I2. Nilai tegangan Vce kemudian dicatat sebagai data
hasil percobaan. Kemudian langkah diulangi untuk nilai IB 50A, 100A,
150A, 200A, 250A, 300A. Selanjutnya dilakukan juga percobaan
dimana titik operasi transistor (titik Q) ditempatkan pada tengah jalur beban
DC dimana nilai VCC yang digunakan adalah 9 V. Pada percobaan ini
transistor T1 dipilih , kemudian saklar S2, S3, dan S5 dimatikan dan saklar
S1 dan S4 dihubungkan. Voltmeter dihubungkan pada titik D-E, yang
kemudian output power supply diatur hinga didapatkan nilai tegangan 9 V.
 Selanjutnya untuk arus IB terminal voltmeter dihubungkan pada titik C-E
yang kemudian amperemeter diletakkan pada posisi I2. Kemudian,
dihubungkan terminal voltmeter ke titik X-E, dan dicatat voltase VXE.
Terakhir, terminal voltmeter ke titik B-E disambung dan dicatat voltase
VBE.
3.2.2 ANALISIS HASIL

Ib = 10 mikroampere
1,26
1,25
1,24
1,23
1,22
1,21
1,2
1,19
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2

Gambar 3.1 Kurva karakteristik pada Ib yang bernilai 10 𝜇𝐴.

Ib= 50 mikroampere
8
7,8
7,6
7,4
7,2
7
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2

Gambar 3.2 Kurva karakteristik pada Ib yang bernilai 50 𝜇𝐴.

Ib= 100 mikroampere

15,5
15
14,5
14
13,5
13
12,5
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2

Gambar 3.3 Kurva karakteristik pada Ib yang bernilai 100 𝜇𝐴.

 Ib= 150 mikroampere
19
18,5
18
17,5
17
16,5
16
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2

Gambar 3.4 Kurva karakteristik pada Ib yang bernilai 150 𝜇𝐴.

Ib= 200 mikroampere

30

25

20

15

10

0
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2

Gambar 3.5 Kurva karakteristik pada Ib yang bernilai 200 𝜇𝐴.

Ib = 250 mikroampere
28
27,5
27
26,5
26
25,5
25
24,5
24
23,5
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2

Gambar 3.6 Kurva karakteristik pada Ib yang bernilai 250 𝜇𝐴.

 Ib = 300 mikroampere
32

31

30

29

28

27
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2

Gambar 3.7 Kurva karakteristik pada Ib yang bernilai 300 𝜇𝐴.

Pada praktikum karakteristik transistor dilakukan sebanyak 7 kali percobaan
dengan masing-masing percobaannya dilakukan sebanyak 7 kali percobaan juga
dengan nilai tegangan 𝑉𝐶𝐸 yang berbeda-beda. Setelah melakukan pencatatan data
tegangan dan arus pada tiap tahapan percobaan, diperoleh suatu kurva karakteristik
dimana VCE bertindak sebagai sumbu x dan IC sebagai sumbu y. Pada percobaan
pertama dilakukan dengan nilai 𝐼𝐵 = 10𝜇𝐴 dan nilai 𝑉𝐵𝐵 = 𝑉𝑋𝐸 = 1,00𝑉 sehingga
didapatkan suatu kurva karakteristik yang tampak pada gambar 3.1. Dari kurva
tersebut dapat diamati bahwa, kurva mengalami fluktuasi atau naik turun dengan nilai
arus basis yang mendadak turun ke 1,2 mA pada saat tegangan mencapai 0,9 V.
Kemudian pada percobaan kedua yang memiliki nilai 𝐼𝐵 = 50𝜇𝐴 hingga percobaan
ketujuh yang memiliki nilai 𝐼𝐵 = 300𝜇𝐴 memiliki bentuk kurva karakteristik yang
hampir sama, yaitu konsisten mengalami peningkatan (naik) tanpa adanya penurunan
maupun mendatar.

Pada percobaan Penempatan Titik Kerja Transistor (Titik Q) di Tengah Garis

Beban DC didapatkan hasil 𝑉𝐶𝐶 = 9𝑉, 𝑉𝐶𝐸 = 4,34𝑉, 𝐼2 = 𝐼𝐶 = 20,45𝑚𝐴, 𝑉𝐵𝐵 =
𝑉𝑋𝐸 = 6,62𝑉, 𝑉𝐵𝐸 = 0,724𝑉, 𝑑𝑎𝑛 𝐼𝐵 = 𝐼1 = 0,13𝑚𝐴. Tegangan DC yang dibiaskan
pada rangkaian transistor bertujuan untuk memperoleh level tegangan dan arus kerja
transistor yang konstan. Dalam penguat transistor, beda potensial dan arus tersebut
akan menempatkan titik kerja pada kurva karakteristik untuk menentukan area kerja
transistor. Dikarenakan titik kerja adalah titik tetap pada kurva karakteristik, maka
disebut titik Q (atau titik statis). Pada dasarnya, titik operasi rangkaian penguat dapat
ditempatkan di mana saja pada kurva karakteristik. Untuk membuat rangkaian
penguat secara linier atau tanpa cacat memperkuat sinyal, titik kerja transistor
ditempatkan di tengah area aktif. Selain itu, untuk mencegah kerusakan pada
transistor, maka hindari penempatan titik kerja di luar batas kemampuan arus atau
tegangan maksimum yang ditentukan oleh pabrik.

Transistor dibagi menjadi dua jenis utama, yaitu transistor BJT (Bipolar
Junction Transistor) dan JFET (Junction Field Effect Transistor). Dari kedua jenis
transistor ini memiliki cara kerja yang sedikit berbeda. Transistor BJT bekerja
sebagai komponen aktif yang memiliki tiga terminal, terbuat dari bahan
semikonduktor yang berbeda, dan dapat menggunakan tegangan dan sinyal kecil
sebagai isolator atau konduktor. Kemampuan transistor untuk membuat komponen
ini sering digunakan pada sakelar (perangkat elektronik digital) atau amplifier
(perangkat elektronik analog). Sedangkan untuk cara kerja transistor JFET atau lebih
dikenal dengan nama FET adalah transistor yang menggunakan tegangan pada
terminal inputnya, hal ini dalam istilah dunia rangkaian elektronik disebut gerbang,
gerbang ini mengontrol arus yang mengalir melalui kaki terminal komponen
transistor ini dan menghasilkan arus keluaran yang sebanding dengan tegangan input.
Secara kontruksi dan karakteristik, transistor FET sama dengan transistor BJT,
penggunaan yang praktis, tahan lama dan juga murah dan dapat digunakan pada
hampir semua perangkat elektronika yang ada saat ini serta dapat menggantikan
fungsi transistor BJT.
 BAB IV
PENUTUP

4.1 KESIMPULAN

Setelah melakukan praktikum, para peserta praktikum sudah memahami bagaimana

karakteristik transistor konfigurasi common emitor saat dibias di bagian masukan dan
keluarannya.

4.2 SARAN

Berdasarkan pengalaman praktikum kali ini, maka pada percobaan selanjutnya

seharusnya dibutuhkan koneksi internet yang stabil sehingga tidak terdapat kendala,
terutama pada saat memuat video stream pada RemLab dan percobaan berjalan dengan
sesuai tujuan yang ada. Selain itu, dibutuhkan kecermatan dan fokus praktikan dalam
memperhatikan proses pengambilan data nantinya.
 DAFTAR PUSTAKA

Floyd, T. L & Buchla, D. L. 2014. Electronics Fundamentals Circuits, Devices and

Applications. Eight Edition. Harlow : Pearson Education Limited

Kishore, K. L. 2008. Electronic Devices and Circuits. First Edition. Hyderabad: BS

Publications

Lowe, D. 2017. Electronics All-in-One For Dummies. Second Edition. Hoboken: John Wiley
& Sons Inc
Ponto, H. 2018. Dasar Teknik Listrik. Edisi Pertama. Yogyakarta: Penerbit Deepublish
 LAMPIRAN

(Floyd & Buchla, 2014).

(Ponto, 2018).
(Kishore, 2008).
(Lowe, 2017).
Gambar rangkaian percobaan.
Data hasil percobaan pada tahapan kurva karakteristik transistor.

Data hasil percobaan pada titik kerja transistor.