LAPORAN PRAKTIKUM

ELEKTRONIKA TKN 212206

MODUL EA-2

Jumat, 22 April 2022

Kelompok : E2

Disusun Oleh :
Rahmi Agusnur Rizita (20/460474/TK/51063)

Asisten Praktikum :
Muhammad Ilham Akbar (19/443955/TK/49151)

LABORATORIUM SENSOR DAN SISTEM TELEKONTROL

DEPARTEMEN TEKNIK NUKLIR DAN TEKNIK FISIKA
FAKULTAS TEKNIK
UNIVERSITAS GADJAH MADA
2022

1
 Daftar Isi
Cover
Daftar Isi..................................................................................................................2
A. Tujuan Praktikum...............................................................................................3
B. Dasar Teori..........................................................................................................3
C. Alat dan Bahan ...................................................................................................5
D. Prosedur/Langkah percobaan..............................................................................6
E. Hasil dan Pembahasan.........................................................................................7
a. Hasil .............................................................................................................7
i. Foto Rangkaian Asli.............................................................................7
ii. Tangkapan Layar Hasil Rangkaian......................................................8
iii. Hasil Simulasi Rangkaian ...................................................................10
b. Pembahasan..................................................................................................11
F. Kesimpulan..........................................................................................................13
G. Kritik dan Saran .................................................................................................13
H. Daftar Pustaka ....................................................................................................13
I. Lampiran .............................................................................................................14

2
A. Tujuan
Tujuan dari praktikum Rangkaian Penguat Tegangan adalah memahami operasi dan
karakteristik dari rangkaian penguat tegangan CE (Common Emitter Amplifier).

B. Dasar Teori
Transistor merupakan salah satu komponen elektronika yang termasuk ke
dalam jenis semikonduktor. Transistor bipolar atau biasa di sebut BJT
(Bipolarjunction Transistor) adalah komponen yang memilki tiga terminal yang
terbuat dari semikonduktor. Terdapat dua tipe transistor bipolar, yaitu tipe NPN dan
PNP. Kedua transistor ini mirip antara satu sama lain, tetapi perbedaan utamanya
adalah bahwa mereka membutuhkan power supplay dengan polaritas yang berbeda
dimana rangkaian NPN umumnya bermassa negatif sedangkan PNP bermassa positif.
Hampir semua BJT yang digunakan saat ini adalah NPN karena pergerakan elektron
dalam semikonduktor jauh lebih tinggi daripada pergerakan lubang, memungkinkan
operasi arus besar dan kecepatan tinggi. Transistor NPN terdiri dari selapis
semikonduktor tipe-p di antara dua lapisan tipe-n. Arus kecil yang memasuki basis
pada tunggal emitor dikuatkan di keluaran kolektor. Dengan kata lain, transistor NPN
hidup ketika tegangan basis lebih tinggi daripada emitor. Tanda panah dalam simbol
diletakkan pada kaki emitor dan menunjuk keluar (arah aliran arus konvensional
ketika peranti dipanjar maju).
Transistor 2N3904 berada di bawah kategori sinyal kecil NPN, daya rendah,
transistor tujuan umum, terutama berlaku untuk switching dan penguatan sinyal.
Transistor ini terbuat dari bahan silikon dan merupakan transistor persimpangan
bipolar NPN yang biasanya digunakan untuk tujuan amplifikasi dan dapat
memperkuat frekuensi hingga 100 MHz. Transistor 2N3904 digunakan pada sakelar
muatan kecil yang memiliki tegangan saturasi rendah dan gain tinggi [1]. Saat
digunakan sebagai komponen dasar penguat, transistor harus berada di daerah kerja
aktif. Nilai ambang pada transistor merupakan nilai saat arus mulai mengalir pada
basis, yang artinya tegangan pada basis telah melebihi potensial barrier minimum.
Hasil bagi antara sinyal output dengan sinyal input disebut sebagai faktor penguatan
arus. Pada daerah saturasi nilai resistansi pada penyambungan kolektor dan emitor
akan sama dengan nol di keadaan standar. Sedangkan pada daerah penyumbatan, nilai
resistensi penyambungan kolektor dan emitor akan sama dengan tak hingga atau

3
terminal kolektor dan emitter terbuka yang menyebakan tegangan pada kolektor dan
emitor sama dengan tegangan sumber [2].
Rangkaian inverting amplifier merupaka rangkaian pembalik yang tegangan
outputnya berbanding terbalik 180 derajat dari tegangan inputnya. Rangkaian
inverting merupakan rangkaian penguat sinyal yang membalik tegangan keluaran
sebesar 180° dari tegangan masukannya artinya setelah nilai inputan dikuatkan dari
tegangan positif menghasilkan tegangan negatif dan berlaku sebaliknya. Frekuensi
kurva respon yang digambarkan pada Gambar (a) diukur di bawah 20dBm daya input
pada tegangan bias nilai antara 24V dan 28V. Dapat dilihat bahwa respon pada
frekuensi rendah mengikuti perilaku yang sama seperti kurva DC-gain. Gambar (b)
menunjukkan respon frekuensi yang disimulasikan. Terlihat jelas dari gambar bahwa
respons frekuensi rendah meningkat dengan meningkatkan tegangan bias hingga
26.5V dan kemudian menurun lagi, sedangkan bagian frekuensi tinggi di atas sekitar
9GHz terus meningkat [3].

4
C. Alat dan Bahan
- Alat dan bahan yang digunakan ketika praktikum luring :

Tabel 1. Alat dan Bahan Praktikum Luring

- Alat dan bahan yang digunakan ketika praktikum daring :

 Modul praktikum EA-2
 Laptop
 Simulator Multisim

5
D. Prosedur Praktikum

a. Percobaan 1 : Tegangan dc b. Percobaan 2 : Gain tegangan

dan ac pada penguat CE penguat CE dan inversi fase

Flowchart 2. Prosedur Percobaan 2

Flowchart 1. Prosedur Percobaan 1

6
c. Percobaan 3 : Respon d. Percobaan Menggunakan Multisim
frekuensi dari penguat CE

Flowchart 4. Prosedur Percobaan Menggunakan

Multisim

Flowchart 3. Prosedur Percobaan 3

E. Hasil dan Pembahasan

a. Hasil
i. Foto Rangkaian Asli

Gambar 1. Rangkaian Percobaan Secara Luring

7
ii. Tangkapan Layar Hasil Rangkaian

Gambar 2. Rangkaian Percobaan 1 dan 2 Menggunakan Multisim

Gambar 3. Rangkaian Percobaan 3 Menggunakan Multisim

8
Gambar 4. Hasil Simulasi Rangkaian Percobaan 2 dengan RL = 1.5k Ω

Gambar 5. Hasil Simulasi Rangkaian Percobaan 2 dengan RL = 5k Ω

9
 Gambar 6. Hasil Simulasi Rangkaian Percobaan 2 dengan RL = 10k Ω

iii. Hasil Simulasi Rangkaian

Perbandingan antara hasil perhitungan teoritis dengan hasil pengukuran
- Percobaan 1 : Tegangan dc dan ac pada penguat CE
Teganga Perhitungan Pengukuran Galat(%)
n VB(V) VE(V) VC(V) VB(V) VE(V) VC(V) B E C
0.37614
dc 1.79 1.09 5.8 2.1 1.5 5.96 0.173184 0.027586
7
ac 0.06945 0 6.2 0.2 0.09 4 1.87977 error 0.354839
Tabel 2. Tegangan DC dan AC pada penguat CE, RL= 5k ohm

- Percobaan 2 : Gain tegangan penguat CE dan inversi fase

Perhitungan Pengukuran Galat
RL
re' Av 𝜑 Vin(mV) Vout(V) Av 𝜑 Av 𝜑
1.5k Ω 22.94 Ω 42.27 180 120 4.22 35.16667 180 0.168047 0
5k Ω 22.94 Ω 95.46 180 120 6.72 56 180 0.413367 0
10k Ω 22.94 Ω 121.6 180 120 7.42 61.83333 180 0.491502 0
Tabel 3. Gain Tegangan Penguat CE dan Inversi Fase

10
 - Percobaan 3 : Respon frekuensi dari penguat CE
Data ke- f Vin(V) Vout(V) Av Gain
1 1 0.0184 0.258 14.02174 22.93604
2 10 113 3.71 32.83186 30.32591
3 20 130 4.09 31.46154 29.9556
4 30 134 4.14 30.89552 29.79791
5 40 135 4.31 31.92593 30.08287
6 50 134 4.53 33.80597 30.57987
Tabel 4. Respon Frekuensi

Grafik Gain Tegangan (dB) terhadap Frekuensi

35
30
25
Gain (dB)

20
15
10
5
0
0 10 20 30 40 50 60
Frekuensi (kHz)

Gambar 6. Grafik Hubungan f dengan gain

b. Pembahasan
Telah dilaksanakan Praktikum Elektronika modul EA-2: Rangkaian Penguat
Tegangan yang bertujuan untuk memahami operasi dan karakteristik dari
rangkaian penguat tegangan CE (Common Emitter Amplifier) pada Jumat, 22
April 2022. Percobaan ini dilakukan dengan mengoperasikan software Multisim
pada laptop/pc dalam melakukan simulasi. Praktikum EA-2 ini terdiri dari 3
percobaan yaitu, Tegangan dc dan ac pada penguat CE, Gain tegangan penguat
CE dan inversi fase, dan Respon frekuensi dari penguat CE.
Pada percobaan 1 dilakukan pengukuran Tegangan AC dan DC pada kaki-kaki
BJT dengan referensi ground. Nilai pengukuran pada percobaan 1 diperloleh dari
percobaan secara langsung di lab dan didapatkan perbandingan hasil simulasi
dengan teoritis sebagai berikut :

11
 Perhitungan Pengukuran Galat(%)
Tegang
VE( VC(V VB( VE( VC(
an VB(V) B E C
V) ) V) V) V)
0.1731 0.3761 0.0275
dc 1.79 1.09 5.8 2.1 1.5 5.96
84 47 86
0.0694 1.8797 0.3548
ac 0 6.2 0.2 0.09 4 error
5 7 39
Dari hasil pagurian dengan menggunakan simulator terdapat error dimana kaki
Emiter masih memiliki tegangan meskipun seharusnya tidak memiliki tegangan.
Berdasarkan hasil pengukuran terlihat bahwa nilai VC jauh lebih besar dari nilai
VB. Hal ini sudah sesuai dengan teori rangkaian penguat tegangan dan fungsi dari
rangkaian tersebut yaitu untuk memperkuat nilai tegangan keluaran. Kemudian
nilai galat dan error yang diperloleh kemungkinan disebabkan oleh kinerja
komponen pada rangkaian ada yang kurang optimal atau rusak.
Pada percobaan 2 dilakukan pengukuran Gain dari rangkaian yang sama
dengan percobaan 1. Perbedaannya adalah adanya variasi RL 1,5 k𝛺, 5 k𝛺, dan 10
k𝛺 dengan perbandingan hasil simulasi dengan teoritis sebagai berikut :
Perhitungan Pengukuran Galat
RL
re' Av 𝜑 Vin(mV) Vout(V) Av 𝜑 Av 𝜑
1.5k Ω 22.94 Ω 42.27 180 120 4.22 35.16667 180 0.168047 0
5k Ω 22.94 Ω 95.46 180 120 6.72 56 180 0.413367 0
10k Ω 22.94 Ω 121.6 180 120 7.42 61.83333 180 0.491502 0
Nilai AV lebih rendah dibandingkan nilai teoritis karena Vout yang diperoleh
dari percobaan lebih kecil dibandingkan teoritis sehingga ada kemungkinan
terdapat kesalahan saat menyusun komponen rangkaian. Dari hasil perhitungan
dan percobaan semakin besar nilai RL maka nilai gain tegangan juga akan semakin
besar. Hal ini sudah sesuai dengan teori tentang rangkaian penguat tegangan. Nilai
beda fase antara pengukuran dan perhitungan mendapat nilai yang sama yaitu
180⁰. Hasil ini sudah tepat dan sama dengan teori yang ada bahwa nilai beda fase
antara masukkan dan keluaran adalah 180⁰.
Pada percobaan 3 dilakukan pengukuran gain pada variansi frekuensi 1 kHz
sampai 50 kHz untuk mengetahui grafik respon gain terhadap frekuensi. Dari
grafik tersebut diketahui bahwa gain akan meningkat jika frekuensi ditingkatkan
hingga nilai tertentu dan setelah itu gain akan konstan. Hasil ini sudah sesuai
dengan teori yang ada tentang rangkaian penguat tegangan makan nilai voltage

12
 gain akan menurun saat frekuensi yang dimasukkan bernilai sangat besar sampai
dengan frekuensi cut-off tinggi. Saat melebihi nilai ini maka gain tegangan akan
menurun. Hal ini disebabkan karena adanya kapasitor yagn terpasang pada sebuah
rangkaian penguat. Nilai gain tegangan bertambah seiring dengan pertambahan
nilai frekuensi. Namun, saat nilai frekuensi mencapai sekitar 15kHz besar gain
tegangan akan melandai sampai nilai frekuensi 50 kHz.

E. Kesimpulan
Telah dilaksanakan Praktikum Elektronika pada hari Jumat, 22 April 2022
dengan judul modul praktikum EA-2: Rangkaian Penguat Tegangan yang bertujuan
untuk memahami operasi dan karakteristik dari rangkaian penguat tegangan CE
(Common Emitter Amplifier). Berdasarkan percobaan yang telah dilakukan
disimpulkan bahwa rangkaian CE biasa digunakan untuk menguatkan tegangan
karena akan menghasilkan tegangan keluaran yang nilainya berkali-kali lipat daripada
tegangan masuk. Besar tegangan keluaran dipengaruhi oleh hambatan R L dimana
semakin besar hambatan semakin besar juga tegangan keluaran. Frekuensi dari arus
input juga mempengaruhi gain amplifier di mana nilai gain bisa semakin naik, sama,
atau semakin menurun.

F. Kritik dan Saran

Praktikum kali ini sudah sangat menarik karena saat praktikum luring
praktikan dapa secara langsung mencoba komponen-komponen praktikum bersama
teman sekelompok. Namun, sebaiknya juga diadakan tutorial sebelum melakukan
praktikum agar praktikan dapat lebih memahami jalannya praktikum.

G. Daftar Pustaka
[1] H. I. F. Sulistiyawati Dewi K., “BJT DC Analisis,” JURNAL ELEKTRONIKA
DASAR II, 2022.

[2] R. R. T. S. R. ,. M. A. S. V. C. D. P. C. R. S. H L Swami, “Experimental study

of neutron irradiation effect on elementary semiconductor devices using Am-Be
neutron source,” Indian Journal of Pure & Applied Physics, vol. 59, pp. 40-47,
2021.

13
 [3] Wissem Sfar Zaoui, Hui-Wen Chen, John E. Bowers, Yimin Kang, Mike Morse,
Mario J. Paniccia, Alexandre Pauchard, and Joe C. Campbell, "Frequency
response and bandwidth enhancement in Ge/Si avalanche photodiodes with over
840GHz gain-bandwidth-product," Opt. Express 17, 12641-12649 (2009).
H. Lampiran

Gambar 7. Lampiran Rangkaian Praktikum Luring

Gambar 7. Lampiran Rangkaian Praktikum Luring

14
Gambar 9. Lampiran Bukti Screenshoot Halaman Depan Jurnal Sitasi [1]

Gambar 10. Lampiran Bukti Screenshoot Halaman Depan Jurnal Sitasi [2]

15
Gambar 10. Lampiran Bukti Screenshoot Halaman Depan Jurnal Sitasi [3]

16