NIM : 215090301111003
Kelompok : 08
Korektor Asisten
...... CO Asisten
(Muhamad Zaqi Al Mubaroq)
___________________________________________________________________________
___________________________________________________________________________
___________________________________________________________________________
____________________________________
1.1 Tujuan
Setelah dilakukan praktikum ini, diharapkan pengukuran dapat dilakukan oleh prakikan.
Serta karakteristik rangkaian DC bias pembagi tegangan untuk penguat transistor konfigurasi
common emitor dapat diamati dan dipelajari oleh praktikan.
Bias pembagi tegangan banyak digunakan dalam alat listrik. Gambar 1.2 merupakan
rangkaian bias pembagi tegangan yang terdiri dari rangkaian dasar berisi pembagi tegangan R 1
dan R2. Pada rangkaian bias pembagi tegangan, arus basis harus jauh lebih kecil daripada arus
yang melalui pembagi tegangan. Hal ini dikarenakan arus basis dapat diabaikan. Sehingga jika
dicari hubungan antara pembagi tegangan dengan basis maka akan diperoleh suatu rangkaian
ekivalen pada gambar 1.3. Output dari rangkaian ini sendiri atau pembagi tegangan dapat
dituliskan dengan persamaan berikut.
𝑅2
𝑉𝐵𝐵 = (1.1)
𝑅1+𝑅2
Bias pembagi tegangan sebenarnya merupakan penyamaran dari bias emitor. Gambar 1.4
merupakan hasil rangkaian ekuivalen dari gambar 1.3. Oleh karena itu nilai arus emitor bias
pembagi tegangan konstan, serta dapat menghasilkan titik Q padat sehingga tidak bergantung
pada penguat arus (Malvino & Bates, 2016).
Gambar 1.2 Rangkaian bias pembagi tegangan (Malvino & Bates, 2016)
𝑉𝐸 = 𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐸 (1.2)
𝑉
𝐼𝐸 = 𝑅𝐸 (1.3)
𝐸
𝐼𝐶 ≈ 𝐼𝐸 (1.4)
𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶 (1.5)
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐸 (1.6)
Ketika transistor mengalami saturasi, VCE = 0, yang berarti terminal kolektor dan emitor
mengalami korslet. Keadaan ini akan menghasilkan pembagi tegangan pada rangkaian kolektor
yang hambatan totalnya sama dengan jumlah RC + RE. Dari pernyataan tersebut diperoleh
persamaan sebagai berikut.
𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐶(𝑠𝑎𝑡) = 𝑅 (1.7)
𝐶 +𝑅𝐸
(Schultz, 2016)
Sebaliknya, dengan pemutusan transistor, daerah kolektor emitor bertindak seperti sirkuit
terbuka.
(Schultz, 2016)
BAB II
METODOLOGI
Percobaan kedua yaitu pengukuran tegangan pada tahanan R1, R2, RC, dan RE. Untuk
pengukuran teganan pada tahanan R1 (VR1=VAB) dengan kaki (+) voltmeter dihubungkan ke
titik A dan kaki (-) voltmeter dihubungkan ke titik B. Untuk pengukuran teganan pada tahanan
R2 (VR2=VBD) dengan kaki (+) voltmeter dihubungkan ke titik B dan kaki (-) voltmeter
dihubungkan ke titik D. Untuk pengukuran teganan pada tahanan RC (VRC=VAC) dengan kaki
(+) voltmeter dihubungkan ke titik A dan kaki (-) voltmeter dihubungkan ke titik C. Untuk
pengukuran teganan pada tahanan RE (VRE=VED) dengan kaki (+) voltmeter dihubungkan ke
titik E dan kaki (-) voltmeter dihubungkan ke titik D.
Percobaan yang ketiga yaitu pengukuran tegangan pada transistor. Untuk pengukuran
tegangan VCB transistor, dengan kaki kaki (+) voltmeter dihubungkan ke titik C dan kaki (-)
voltmeter dihubungkan ke titik B. Untuk pengukuran tegangan VBE transistor, dengan kaki kaki
(+) voltmeter dihubungkan ke titik B dan kaki (-) voltmeter dihubungkan ke titik E. Untuk
pengukuran tegangan VCE transistor, dengan kaki kaki (+) voltmeter dihubungkan ke titik C
dan kaki (-) voltmeter dihubungkan ke titik E.
Percobaan yang keempat yaitu pengukuran arus. Untuk pengukuran arus I B (=I2) dengan
pembacaan hasil pengukuran di amperemeter DC. Untuk pengukuran arus IC (=I3) dengan
pembacaan hasil pengukuran di amperemeter DC. Kemudian Semua percobaan di atas diulangi
untuk nilai VCC yang lain, yaitu 10 V, 11 V, dan 12 V.
3.1.2 Vcc 10 V
VAB VBD VAC VED VCB VBE VCE IB IC
8,55 V 1,455V 3,92 V 0,837 V 6,09 V 0,636 V 5,27 V 5,049 µA 1,223 mA
3.1.3 Vcc 11 V
VAB VBD VAC VED VCB VBE VCE IB IC
9,35V 1,591V 4,56 V 0,979 V 4,78 V 0,640 V 5,44 V 5,842 µA 1,421 mA
3.1.4 Vcc 12 V
VAB VBD VAC VED VCB VBE VCE IB IC
10,10 V 1,718 V 5,15V 1,110 V 4,94 V 0,641 V 5,59 V 6,606 µA 1,606 mA
3.2 Perhitungan
3.2.1 Vcc 9 V
𝑅2 4,7×103
𝑉𝐵 = 𝑉2 = 𝑉𝐶𝐶 = 9 = 1,33 𝑉
𝑅1 +𝑅2 27×103 +4,7×103
𝑉 𝑉𝐵 −𝑉𝐵𝐸 1,33−0,634
𝐼𝐸 = 𝑅𝐸 = = = 0,00102 𝐴
𝐸 𝑅𝐸 680
𝐼𝐶𝑄 = 𝐼𝐸 = 0,00102 𝐴
𝑉𝐶𝐶 9
𝐼𝐶 (𝑠𝑎𝑡𝑢𝑟𝑎𝑠𝑖) = 𝑅 = 3,3 ×103 +680 = 0,00226 𝐴
𝐶 +𝑅𝐸
3.2.2 Vcc 10 V
𝑅2 4,7×103
𝑉𝐵 = 𝑉2 = 𝑅 𝑉𝐶𝐶 = 27×103 +4,7×103 10 = 1,48 𝑉
1 +𝑅2
𝑉 𝑉𝐵 −𝑉𝐵𝐸 1,48−0,636
𝐼𝐸 = 𝑅𝐸 = = = 0,00124 𝐴
𝐸 𝑅𝐸 680
𝐼𝐶𝑄 = 𝐼𝐸 = 0,00124 𝐴
𝑉𝐶𝐶 10
𝐼𝐶 (𝑠𝑎𝑡𝑢𝑟𝑎𝑠𝑖) = 𝑅 = 3,3 ×103 +680 = 0,00251 𝐴
𝐶 +𝑅𝐸
𝐼 1,223×10−3
𝛽 = 𝐼𝐶 = 5,049×10−6 = 242,226 𝐴
𝐵
3.2.3 Vcc 11 V
𝑅2 4,7×103
𝑉𝐵 = 𝑉2 = 𝑅 𝑉𝐶𝐶 = 27×103 +4,7×103 11 = 1,63 𝑉
1 +𝑅2
𝐼𝐶𝑄 = 𝐼𝐸 = 0,00146 𝐴
𝑉𝐶𝐶 11
𝐼𝐶 (𝑠𝑎𝑡𝑢𝑟𝑎𝑠𝑖) = = = 0,00276 𝐴
𝑅𝐶 +𝑅𝐸 3,3 ×103 +680
3.2.4 Vcc 12 V
𝑅2 4,7×103
𝑉𝐵 = 𝑉2 = 𝑅 𝑉𝐶𝐶 = 27×103 +4,7×103 12 = 1,78 𝑉
1 +𝑅2
𝐼𝐶𝑄 = 𝐼𝐸 = 0,00168 𝐴
𝑉𝐶𝐶 12
𝐼𝐶 (𝑠𝑎𝑡𝑢𝑟𝑎𝑠𝑖) = 𝑅 = 3,3 ×103 +680 = 0,00301 𝐴
𝐶 +𝑅𝐸
𝐼 1,606×10−3
𝛽 = 𝐼𝐶 = 6,606×10−6 = 243,112 𝐴
𝐵
3.3 Grafik
3.3.1 Vcc 9 V
3.3.3 Vcc 11 V
3.4 Pembahasan
3.4.1 Analisa Prosedur
3.4.1.1 Fungsi Alat
Adapun peralatan yang digunakan dalam praktikum ini adalah multimeter DC,
amperemeter DC, signal generator, oscilloscope. Untuk komponen pada rangkaian uji
digunakan tahanan R1, 27 kΩ, tahanan R2, 4,7 kΩ, tahanan RC, 3,3 kΩ, tahanan RE, 680
Ω, transistor Q1 2N3904, Q2 2N2222, Q3 BC547, Q4 C945, Q5 BD139. Dimana fungsi
masing-masing alat berbeda antara satu dengan yang lainnya. Multimeter DC digunakan
dalam pengukuran tegangan DC dalam rangkaian. Amperemeter DC berfungsi sebagai
pengukur nilai arus yang ada dalam rangkaian. Oscilloscope digunakan agar hasil
pengukuran yang berupa sinyal atau gelombang dapat ditampilkan. Signal generator
digunakan sebagai pembangkit sinyal. Rangkaian uji digunakan sebagai tempat
rangkaian yang akan diuji. Tahanan digunakan sebagai tahanan arus. Serta transistor
digunakan sebagai saklar ataupun penguat dalam rangkaian.
Berdasarkan data yang diperoleh dari hasil perhitungan, maka grafik garis beban DC
dapat dibuat. Pada grafik diperoleh nilai tegangan di sumbu x dan nilai arus di sumbu y.
Nilai tegangan yang ada dalam grafik yaitu tegangan VCEQ dan VCC. Nilai VCC merupakan
tegangan cut-off yang nilainya sama dengan nilai VCE maksimal. Kemudian nilai arus yang
ada dalam grafik yaitu IC(sat) dan ICQ. Daerah saturasi adalah daerah transistor dimana arus
dapat dialirkan secara maksimum dari kolektor ke emitor sehingga terjadi short pada
hubungan kolektor-emitor. Di daerah saturasi, transistor dianalogikan sebagai saklar
tertutup. Kemudian, terdapat daerah kerja transistor yang letaknya berada diantara daerah
saturasi dan daerah cut-off. Pada daerah aktif, transistor digunakan sebagai penguat sinyal.
Transistor dikatakan bekerja pada daerah aktif jika arus dari kolektor menuju emitor dapat
dialirkan transistor walaupun tidak dalam proses penguatan sinyal. Hal ini dapat dilihat di
sinyal keluaran yang tidak cacat. Daerah cut-off sering disebut sebagai daerah mati. Hal ini
karena pada daerah cut-off transistor tidak dapat mengalirkan arus dari kolektor menuju
emitor. Daerah cut-off ini adalah daerah dimana arus akan berhenti atau nilai IC=0. Pada
daerah cut-off ini transistor dianalogikan sebagai saklar terbuka.
BAB IV
PENUTUP
4.1 Kesimpulan
Konfigurasi common emitter adalah jenis konfigurasi pada transistor yang paling umum
digunakan. Hal tersebut dikarenakan tegangan dan arus antara sinyal input dengan sinyal output
dapat dikuatkan dengan konfigurasi common emitter. Pada konfigurasi common emitter, kaki
emitor transistor di-ground-kan dan digunakan secara bersamaan sebagai sinyal input dan
output. Sinyal input akan dimasukkan ke basis dan sinyal output-nya diperoleh dari kaki
kolektor.
4.2 Saran
Praktikan diharapkan mempelajari dan memahami topik terlebih dahulu, karena dalam
praktikum yang telah dilaksanakan masih terdapat beberapa kebingungan ketika tegangan
masukan tidak sesuai dengan yang diatur, hal tersebut dikarenakan kaki kaki voltmeter dan
saklar belum dihubungkan dengan benar.
DAFTAR PUSTAKA
Malvino, Albert, & Bates, David. 2016. Electronic Principles eight edition. New York :
McGraw-Hill Education.
Ponto, H. 2018. Dasar Teknik Listrik. Sleman: Deepublish.
Schultz, Mitchel E. 2016. Grob’s basic electronic 12th edition. New York : McGraw-Hill
Education.
LAMPIRAN
Dasar Teori
(Schultz, 2016)
(Ponto, 2018)
(Malvino & Bates, 2016)
Rangkaian Percobaan
Data Hasil Percobaan