LAPORAN PRAKTIKUM ELEKTRONIKA DASAR II

KARAKTERISTIK BIAS PEMBAGI TEGANGAN PADA

PENGUAT COMMON EMITOR

Nama : Aan Hanifah

NIM : 195090700111005

Kelompok : 2 (Dua)

Tgl. Praktikum : 23 November 2020

Nama Asisten : Rieke Dyah A

LABORATORIUM INSTRUMENTASI DAN PENGUKURAN

JURUSAN FISIKA
FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM
UNIVERSITAS BRAWIJAYA
 MALANG
LEMBAR PENILAIAN PRAKTIKUM LAPORAN
ELEKTRONIKA DASAR II
KARAKTERISTIK BIAS PEMBAGI TEGANGAN PADA
PENGUAT COMMON EMITOR

Tanggal Masuk Laporan : _____________________________________________________

Pukul : _____________________________________________________

Korektor Asisten

............................... Rieke Dyah A

CO Asisten

Rieke Dyah A

Catatan:
___________________________________________________________________________
___________________________________________________________________________
___________________________________________________________________________
____________________________________

Tanggal Masuk Revisi : ______________________________________________________

Pukul : ______________________________________________________

Nilai Sementara Nilai Akhir

 BAB 1
PENDAHULUAN
1.1 TUJUAN
Tujuan dari percobaan kali ini adalah supaya dapat dilakukan, diamati dan dipelajarinya
karakteristik dari rangkaian bias pembagi tegangan untuk penguat transistor konfigurasi
common emitor.

1.2 DASAR TEORI

Pada bias pembagi tegangan terdapat empat resistor yaitu R₁, R₂, Rc dan Rᴇ dimana resistor
R₁ dan R₂ sebagai pembagi potensial yang memberikan tegangan tetap teerhadap titik β yang
bertindak sebagai basis. Ketika arus kolektor semakin tinggi dikarenakan adanya perubahan
suhu atau perubahan b, maka arus emitor Iᴇ juga akan semakin meningkat pula serta penurunan
tegangan kembali meningkat. Hal tersebut terjadi untuk memperkecil nilai perbedadaan
tegangan antara basis dan emitor (Vвᴇ) yang disebabkan oleh adanya penurunan Vвᴇ, maka
arus basis Iв dan arus kolektor Ic juga akan semakin berkurang. Sehingga, konsep tersebut dapat
dikatakan bahwa umpan balik negative terjadi pada sirkuit bias emitor, sedangkan pengurangan
Ic arus kolektor ini akan mengkompensasi perubahan asli di Ic. Untuk contoh gambar rangkaian
bias pembagi tegangan dapat dilihat pada gambar 1.2.a (Bakhsi dan Godse, 2008).

Gambar 1.2.a Contoh rangkaian bias pembagi tegangan (Bakhsi dan Godse, 2008).

Bias pembagi tegangan biasa disebut juga dengan bias emitor (self bias), bias ini
merupakan metode yang berfungsi untuk menyalurkan bias dan stabilitasi ke transistor.
Sambungan basis emitor telah dimiliki oleh tegangan supply Vcc, walaupun hambatan R₁, R₂,
Rc dan Rᴇ masing-masing. Pada metode bias pembagi tegangan, resistansi R₁ dan R₂ terhadap
bias, sedangkan resistansi emitor Rᴇ terhadap stabilitasi. Jika RL adalah nol, maka bias emitor
ini atau bias pembagi tegangan ini dapat berfungsi untuk memperbaiki stabilisasi (Agrawal,
dkk; 2007).

Pada stabilisasi, jika Ic meningkat, maka arus dalam Rᴇ pun meningkat. Hal tersebut
juga menyebabkan adanya penurunan tegangan yang meningkat serta yang melewati Rᴇ akan
meningkatkan bias cadangan dan melewati persimpangan basis emitor, sehingga arus basis
akan berkurang. Maka dari itu, keadaan tersebut akan mengakibatkan nilai Ic kembali ke nilai
aslinya karena nilai Iв-nya semakin kecil (Agrawal, dkk; 2007).

Gambar 1.2.b Rangkaian JFET saluran-n dengan bias pembagi tegangan (Bakhsi dan
Godse, 2009).
Pada rangkaian yang ditunjukkanoleh gambar 1.2.b merupakan rangkaian JFET saluran-
n dengan bias pembagi tegangan. Tegangan paa sumber JFET harus lebih besar daripada
tegangan pada gerbang untuk menjaga tegangan gerbang denggan tegangan bias. Tegangan
sumbernya dapat ditulis dengan persamaan 2.1.1 berikut (Bakhsi dan Godse, 2009).

(2.1.1).
Tegangan gerbang diatur oleh resistor R₁ dan R₂ seperti yang ditunjukkan oleh
persamaan 1.2.2 berikut (Bakhsi dan Godse, 2009).

(2.1.2).

(2.1.3).
Analisis DC rangkain bias pembagi tegangan dapat dibuat dengan memasang kembali
bagian input dari rangkaian tersebut seperti yang ditunjukkan pada gambar 1.2.c berikut
(Surjono, 2011).
 Gambar 1.2.c Pemasangan kembali bagian input pada rangkaian (Surjono, 2011).
Jaringan input pada gambar 1.2.c tersebut dapat disederhanakan dengan menggantinya
menggunakan sebuah sumber tegangan Vth dan sebuah resistansi Rth. Metode tersebut juga
dinamakan dengan metode Thevenin. Vth dengan Rth dalam rangkaian tersebut dipasang seri.
Dalam analisa penguat transistor tegangan Thevenin (Vth) dikenal dengan sebutan Vвв,
sedangkan resistansi Thevenin dikenal dengan sebutan RB, rangkaian yang sudah
disederhanakan tersebut dapat dilihat pada gambar 1.2.d berikut (Surjono, 2011).

Gambar 1.2.d Rangkaian ekivalen Thevenin pada input transistor (Surjono, 2011).
 BAB II
METODOLOGI
2.1 PERALATAN PERCOBAAN
Peralatan yang digunakan pada percobaan kali ini adalah multimeter DC,
amperemeter DC, tahanan Rв, R₂, Rc, Rᴇ, dan transistor Q₁ 2N3904/ Q₂ 2N222 / Q₃ BC547 /
Q₄ C945 / Q₅ BD139.

2.2 TATA LAKSANA PERCOBAAN

Pada tatalaksana percobaan untuk penerapan sumber tegangan (10) pada rangkaian
uji, langkah pertama yaitu dihubungkannya saklar S₂. Kemudian langkah kedua adalah
dipilihnya mode DC pada voltmeter. Setelah itu, langkah ketiga yaitu dihubungkannya kaki (+)
voltmeter ke titik A dan kaki (-) voltmeter ke titik D. Lalu, langkah keempat yaitu diterapkannya
tegangan 10 V pada power supply. Langkah selanjutnya yaitu diperhatikannya tegangan yang
terbaca pada voltmeter DC. Jika, dirasa masih kurang dari 10 V, dialkukannya penaikan atau
penurunan 1 step berkali-kali sampai dirasa cukup dekat dengan nilai 10 V, dipasstikan tidak
dilakukannya pengubahan tegangan kembali.

Pada tatalaksana untuk pengukuran tegangan pada tahanan R₁, R₂, Rᴄ, dan Rᴇ, langkah
pertama yaitu diukurnya tegangan pada tahanan R₁ (VR1=VAB) dengan cara dihubungkannya
kaki (+) voltmeter ke titik A dan kaki (-) voltmeter ke titik B. Kemudian langkah kedua
diukurnya tegangan pada R₂ (VR2=VBD) dengan dihubungkannya kaki (+) voltmeter ke titik
B dan kaki (-) voltmeter ke titik D. Lalu langkah ketiga yaitu diukurnya tegangan pada tahanan
Rᴄ (VRC = VAC) dengan dihubungkannya kaki (+) voltmeter ke titik A dan kaki (-) voltmeter
ke titik C. Setelah itu, langkah keempat yaitu diukurnya tegangan pada tahanan Rᴇ (VRE =
VED) dengan dihubungkannya kaki (+) voltmeter ke titik E dan kaki (-) voltmeter ke titik D.

Pada tatalaksana untuk pengukuran tegangan pada transistor, langkah pertama yaitu
diukurnya tegangan VCB transistor, dengan dihubungkannya kaki (+) voltmeter ke titik C dan
kaki (-) voltmeter ke titik B. Kemudian langkah ketiga yaitu diukurnya tegangan VBE
transistor, dengan dihubungkannya kaki (+) voltmeter ke titik B dan kaki (-) voltmeter ke titik
E. Setelah itu, langkah ketiga yaitu diukurnya tegangan VCE transistor dengan dihubungkannya
kaki (+) voltmeter ke titik C dan kaki (-) voltmeter ke titik E.

Pada tatalaksana untuk pengukuran arus, langkah pertama yaitu diukurnya arus IB (=
I2) dengan ditempatkannya ampemeter di posisi I2. Kemudian hasil pengukuran pada
amperemeter DC tersebut dibaca dan dicatat. Langkah selanjutnya yaitu diukur arus IC (= I3)
dengan ditempatkannya ampemeter di posisi I3, lalu hasil pengukuran melalui amperemeter DC
tersebut dibaca.

2.3 GAMBAR ALAT DAN RANGKAIAN PERCOBAAN

Gambar rangkaian percobaan pada praktikum bias pembagi tegangan.

Gambar multimeter DC Gambar amperemeter DC

 BAB III
HASIL DAN PEMBAHASAN
3.1 DATA HASIL PERCOBAAN

R1 = 27 kΩ

R2 = 4,67 kΩ

RC = 3,20 kΩ

RE = 667,5 Ω
Tabel 3.1 Data Hasil Percobaan

VCC = VIN 10 V
VR1 10.2 V
VR2 0.4 V
VRC 5.45 V
VRE 1.037 V
VCB 1.925 V
VBE 0.673 V
VCE 5.85 V
IB 104,8 µA
IC 1951 µA

3.2 PERHITUNGAN
.
𝑉 = 𝑉 = 𝑉 = (10 𝑉) = 8.53 𝑉
( . )

𝑉 = 𝑉 − 𝑉 = 8.75 𝑉 − 0,7𝑉 = 7.83 𝑉

(Untuk bahan Si, maka VBE = 0,7V)

( . . )
𝐼 = = = = 11770.787 µA
.

𝐼 = 𝐼 = 11771 µA (nilai pendekatan)

𝑉 = 𝑉 − (𝑉 + 𝑉 )

=𝑉 − 𝐼 (𝑅 + 𝑅 ) = 10 − 1951(10 )(3.2 + 0.6675)(10 ) = 2.513 𝑉

𝐼 ( ) = = = 2585.64 µA
( . )

𝑉 ( ) ≅ 𝑉 ≅ 10 𝑉 V
3.3 GRAFIK

Chart Title
14

12

10

0
0 5 10 15 20 25 30

VCE VCEQ, ICQ

Grafik 1. Grafik karakteristik bias pembagi tegangan.

3.4 PEMBAHASAN
3.4.1 ANALISA PROSEDUR
3.4.1.1 FUNGSI ALAT
Peralatan yang digunakan pada percobaan kali ini adalah multimeter DC,
amperemeter DC, tahanan Rв=27 kΩ, R₂=4,67 kΩ, Rc=3,20 kΩ, Rᴇ=667,5 Ω,
dan transistor Q₁ 2N3904/ Q₂ 2N222 / Q₃ BC547 / Q₄ C945 / Q₅ BD139.
Multimeter DC digunakan untuk diukurnya nilai tegangan pada rangkaian.
Sedangkan amperemeter DC digunakan untuk diukurnya arus pada suatu titik
yang terdapat dalam rangkaian tersebut. Serta transistor digunakan sebagai
penguat tegangan.

3.4.1.2 FUNGSI PERLAKUAN

Pada tatalaksana percobaan untuk penerapan sumber tegangan 10 V pada
rangkaian uji, langkah pertama yaitu dihubungkannya saklar S₂. Hal tersebut
dilakukan supaya dapat disambungkannya rangkaian dengan aliran listrik.
Kemudian langkah kedua adalah dipilihnya mode DC pada voltmeter. Hal
tersebut dilakukan supaya arus dapar diarahkan dengan satu arah saja. Setelah
itu, langkah ketiga yaitu dihubungkannya kaki (+) voltmeter ke titik A dan kaki
(-) voltmeter ke titik D. Hal tersebut supya dapat disambungkannya arus listrik
serta arah arus listrik tidak error dari kutub positif ke kutub negative. Lalu,
langkah keempat yaitu diterapkannya tegangan 10 V pada power supply. Hal
tersebut dilakukan supaya sumber tegangan yang digunakan sebesar 10 V.
Langkah selanjutnya yaitu diperhatikannya tegangan yang terbaca pada
voltmeter DC. Jika, dirasa masih kurang dari 10 V, dilakukannya penaikan atau
penurunan 1 step berkali-kali sampai dirasa cukup dekat dengan nilai 10 V,
dipasstikan tidak dilakukannya pengubahan tegangan kembali. Hal tersebut
supaya tegangan sesuai dengan yang diharapkan.

Pada tatalaksana untuk pengukuran tegangan pada tahanan R₁, R₂, Rᴄ,
dan Rᴇ, langkah pertama yaitu diukurnya tegangan pada tahanan R₁
(VR1=VAB) dengan cara dihubungkannya kaki (+) voltmeter ke titik A dan kaki
(-) voltmeter ke titik B. Hal tersebut dilakukan supaya dapat diketahuinya nilai
tegangan yang berada pada tahanan R₁. Kemudian langkah kedua diukurnya
tegangan pada R₂ (VR2=VBD) dengan dihubungkannya kaki (+) voltmeter ke
titik B dan kaki (-) voltmeter ke titik D. Hal tersebut dilakukan supaya dapat
diketahuinya nilai tegangan yang berada pada tahanan R₂. Lalu langkah ketiga
yaitu diukurnya tegangan pada tahanan Rᴄ (VRC = VAC) dengan
dihubungkannya kaki (+) voltmeter ke titik A dan kaki (-) voltmeter ke titik C.
Hal tersebut dilakukan supaya dapat diketahuinya nilai tegangan yang berada
pada tahanan Rᴄ. Setelah itu, langkah keempat yaitu diukurnya tegangan pada
tahanan Rᴇ (VRE = VED) dengan dihubungkannya kaki (+) voltmeter ke titik E
dan kaki (-) voltmeter ke titik D. Hal tersebut dilakukan supaya dapat
diketahuinya nilai tegangan yang berada pada tahanan Rᴇ.

Pada tatalaksana untuk pengukuran tegangan pada transistor, langkah

pertama yaitu diukurnya tegangan VCB transistor, dengan dihubungkannya kaki
(+) voltmeter ke titik C dan kaki (-) voltmeter ke titik B. Hal tersebut dilakukan
supaya dapat diketahuinya nilai teganganVCB transistor. Kemudian langkah
ketiga yaitu diukurnya tegangan VBE transistor, dengan dihubungkannya kaki
(+) voltmeter ke titik B dan kaki (-) voltmeter ke titik E. Hal tersebut dilakukan
supaya dapat diketahuinya nilai teganganVBE transistor. Setelah itu, langkah
ketiga yaitu diukurnya tegangan VCE transistor dengan dihubungkannya kaki
(+) voltmeter ke titik C dan kaki (-) voltmeter ke titik E. Hal tersebut dilakukan
supaya dapat diketahuinya nilai teganganVCE transistor.

Pada tatalaksana untuk pengukuran arus, langkah pertama yaitu

diukurnya arus IB (= I2) dengan ditempatkannya ampemeter di posisi I2. Hal
tersebut dilakukan supaya dapat diketahuinya nilai arus IB. Kemudian hasil
pengukuran pada amperemeter DC tersebut dibaca dan dicatat. Hal tersebut
 dilakukan supaya data tersebut dapat tersimpan dan tidak hilang. Langkah
selanjutnya yaitu diukur arus IC (= I3) dengan ditempatkannya ampemeter di
posisi I3, lalu hasil pengukuran melalui amperemeter DC tersebut dibaca. Hal
tersebut dilakukan supaya dapat diketahuinya nilai arus IC dan datanya dapat
tersimpan juga.

3.4.2 ANALISA HASIL

Pembagi tegangan adalah sebuah rangkaian yang di mana rangakian tersebut
dapat menjadikan tegangan yang besar berubah menjadi tegangan yang lebih kecil.
Pada rangkaian pembagibtegangan juga terdapat empat resistor yang masing-masing
resistornya berperan sebagai R1, R2, Rc, dan Re. Rc merupakan tahanan dari
kolektor, sedangkan Re merupakan tahanan dari emiter.

Untuk grafik, pada daerah cut off, Ic nya yaitu sebesar 0 A, sedangkan Vcc nya
itu maksimum yaitu 10 V. Pada daerah saturasi, Ic nya itu maksimum sebesar 25,86 mA
dan Vcc nya itu minimum yaitu 0 V. Grafik yang tergambar yaitu menurun.
 BAB IV PENUTUP
4.1 KESIMPULAN
Kesimpulan dari praktikum kali ini adalah praktikan telah melakukan percobaan serta
telah memahami dan telah mempelajari rangkaian pembagi tegangan pada konfigurasi common
emitor. Dapat diambil kesimpulan juga bahwa rangakaian pembagi tegangan berfungsi untuk
memperkecil sebuah tegangan.

4.2 SARAN
Saran untuk praktikum selanjutnya diharapkan dapat lebih dipersiapkan lagi serta
praktikannya juga memahami terlebih dahulu tentang apa yang akan dipraktikumkan.
 DAFTAR PUSTAKA
Agrawal, R.K, dkk. 2007. Solid State Devices and Electronics second edition. Meerut:
Krishna Prakashan Media.
Bakhsi, U.A dan Godse, A.P. 2008. Electronic Circuits – I. Hoboken: Technical Publishing.
Bakhsi, U.A dan Godse, A.P. 2009. Electronic Devices. Hoboken: Technical Publishing.
Surjono, Herman. D. 2011. Elektronika: Teori dan Penerapan. Jember: Cerdas, ulet, kreatif
publisher.
 LAMPIRAN
LAMPIRAN DASAR TEORI

(Bakhsi dan Godse, 2008).

(Bakhsi dan Godse, 2009).

(Agrawal, dkk; 2007)

(Surjono, 2011).
 (Surjono, 2011).

FOTO RANGKAIAN PERCOBAAN

LAMPIRAN POSTEST
 DATA HASIL PRAKTIKUM
3.1 Pengukuran

VCC = VIN 10 V R1 = 27 kΩ

VR1 10.2 V R2 = 4,67 kΩ

RC = 3,20 kΩ
VR2 0.4 V
RE = 667,5 Ω
VRC 5.45 V
3.2 Perhitungan
VRE 1.036 V

VCB 1.925 V 𝑉 = 𝑉 = 𝑉 = .... V

VBE 0.673 V 𝑉 = 𝑉 − 𝑉 = 𝑉 − 0,7𝑉 = .... V

VCE 5.85 V (Untuk bahan Si, maka VBE = 0,7V)

IB 104.8 𝐼 = = = .... µA

IC 1951
𝐼 = 𝐼 = .... µA (nilai pendekatan)

𝑉 = 𝑉 − (𝑉 + 𝑉 )

=𝑉 − 𝐼 (𝑅 + 𝑅 ) = .... V

𝐼 ( ) = = .... µA

𝑉 ( ) ≅ 𝑉 ≅ .... V

3.3 Grafik Karakteristik Transistor