DIODA

Peralatan elektronik yang mengalirkan arus pada

satu arah lebih mudah dari pada arah sebaliknya
Diode semikonduktor
anoda katoda
Arah aliran elektron

Operasi dioda

Arus mengalir Arus tidak mengalir

Diode dibias maju Diode dibias mundur
DIODA
Pengukuran dengan voltmeter
0.7 volt adalah tegangan knee
0.7 V 6V untuk dioda silikon

- _ +
+
5.3 V 0V

6V 6V

Dibias maju: pada dioda terjadi sedikit tegangan jatuh (voltage dropped) sebesar 0.7 volt, sisa sebanyak 5.3 volt
mengalir pada lampu, sehingga lampu menyala
Dibias mundur: semua tegangan sumber dijatuhkan pada dioda, sehingga lampu tidak menyala
DIODA
Dibuat dari bahan semikonduktor yi: bahan yang bisa bersifat konduktor atau isolator, tapi sama-sama tidak
baiknya
Bahan yang digunakan adalah:
silikon Si (no atom 14) dan germanium Ge (no atom 32), keduanya merupakan atom tetravalent (memiliki 4
elektron valensi)
Bahan silikon memiliki elektron bebas lebih sedikit, dan lebih tahan panas daripada bahan germanium. Oleh
karena itulah silikon merajai pasaran semikonduktor
Proses pembuatan dioda dari bahan semikonduktor membutuhkan pengetahuan tentang mekanika kuantum
Ada dua type semikonduktor berdasarkan bahan pengotornya (impurity):
1. Type – n
di doping oleh atom pentavalen shg memiliki elektron bebas lebih banyak,
shg bersifat negatif
2. Type – p
di doping oleh atom trivalen shg memiliki hole/lubang lebih banyak,
shg bersifat positif (hole terjadi karena elektron meninggalkan pita
valensi –tereksitasi- karena dipengaruhi oleh medan listrik dari luar atom)
DIODA http://www.electronics-tutorials.ws/diode/diode_1.html

This process of adding impurity atoms to semiconductor atoms (the order of 1 impurity atom per 10 million (or more) atoms of the
semiconductor) is called Doping.

The most commonly used semiconductor basics material by far is silicon. Silicon has four valence electrons in its outermost shell
which it shares with its neighbouring silicon atoms to form full orbital’s of eight electrons. The structure of the bond between the
two silicon atoms is such that each atom shares one electron with its neighbour making the bond very stable.

As there are very few free electrons available to move around the silicon crystal, crystals of pure silicon (or germanium) are
therefore good insulators, or at the very least very high value resistors.

Silicon atoms are arranged in a definite symmetrical pattern making them a crystalline solid structure. A crystal of pure silica
(silicon dioxide or glass) is generally said to be an intrinsic crystal (it has no impurities) and therefore has no free electrons.
DIODA

In order for our silicon crystal to conduct electricity, we need to introduce an impurity atom such as Arsenic, Antimony or
Phosphorus into the crystalline structure making it extrinsic (impurities are added). These atoms have five outer electrons in their
outermost orbital to share with neighbouring atoms and are commonly called “Pentavalent” impurities.
This allows four out of the five orbital electrons to bond with its neighbouring silicon atoms leaving one “free electron” to
become mobile when an electrical voltage is applied (electron flow). As each impurity atom “donates” one electron, pentavalent
atoms are generally known as “donors”.
Antimony (symbol Sb) or Phosphorus (symbol P), are frequently used as a pentavalent additive to the silicon as they have 51
electrons arranged in five shells around their nucleus with the outermost orbital having five electrons. The resulting
semiconductor basics material has an excess of current-carrying electrons, each with a negative charge, and is therefore referred
to as an N-type material with the electrons called “Majority Carriers” while the resulting holes are called “Minority Carriers”.
When stimulated by an external power source, the electrons freed from the silicon atoms by this stimulation are quickly replaced
by the free electrons available from the doped Antimony atoms. But this action still leaves an extra electron (the freed electron)
floating around the doped crystal making it negatively charged.
DIODA

If we go the other way, and introduce a “Trivalent” (3-electron) impurity into the crystalline structure, such as Aluminium, Boron
or Indium, which have only three valence electrons available in their outermost orbital, the fourth closed bond cannot be formed.
Therefore, a complete connection is not possible, giving the semiconductor material an abundance of positively charged carriers
known as holes in the structure of the crystal where electrons are effectively missing.

As there is now a hole in the silicon crystal, a neighbouring electron is attracted to it and will try to move into the hole to fill it.
However, the electron filling the hole leaves another hole behind it as it moves. This in turn attracts another electron which in turn
creates another hole behind it, and so forth giving the appearance that the holes are moving as a positive charge through the crystal
structure (conventional current flow).

This movement of holes results in a shortage of electrons in the silicon turning the entire doped crystal into a positive pole. As
each impurity atom generates a hole, trivalent impurities are generally known as “Acceptors” as they are continually “accepting”
extra or free electrons.
DIODA
Jika semikonduktor type n dan p disambung, maka yang terjadi adalah di
(dua) oda (elektroda) jadinya DIODA disebut juga junction p-n

p n Elektron di sisi n mudah untuk berdifusi, difusi

+ + + + + + - - - - - -
elektron ke sisi p menyebabkan pembentukan ion +
+ + + + + + - - - - - - dan – pada junction. Pasangan ion ini disebut dengan
+ + + + + + - - - - - - dipole. Elektron yang masuk pada sisi p akan mengisi
hole sehingga hole lenyap, sedang sisi n kehilangan
junction
elektron sehingga terbentuk muatan positif.

p n
Tiap pole punya medan listrik yang akan memaksa
+ + + + + - + - - - - -
+ + + + + - + - - - - -
elektron kembali ke sisi n. semakin banyak elektron
+ + + + + - + - - - - - yang hijrah maka semakin besar medan listrik, hingga
suatu saat difusi terhenti karena tercapai
Lapis pengosongan keseimbangan pada lapisan pengosongan
depletion region

Simbol yg ekuivalen
DIODA http://www.electronics-tutorials.ws/diode/diode_2.html

This process continues back and forth until the number of

electrons which have crossed the junction have a large
enough electrical charge to repel or prevent any more
charge carriers from crossing over the junction. Eventually
a state of equilibrium (electrically neutral situation) will
occur producing a “potential barrier” zone around the area
of the junction as the donor atoms repel the holes and the
acceptor atoms repel the electrons.

Since no free charge carriers can rest in a position where

there is a potential barrier, the regions on either sides of the
junction no become completely depleted of any more free
carriers in comparison to the N and P type materials further
away from the junction. This area around the PN Junction is
now called the Depletion Layer.
DIODA
1. Dibias mundur
+++++ - + - - - - - Arus sulit mengalir pada rangkaian ini.
+++++ - + - - - - -
+++++ - + - - - - - Elektron pada sisi n tertarik oleh kutub positif
sumber arus, demikian pula sebaliknya
Lapis pengosongan semakin melebar, sehingga
Lapis pengosongan elektron sulit mengalir pada kristal p - n
Lapis pengosongan seakan-akan semakin
melebar

+ + + + + - + - - - - -
2. Dibias maju + + + + + - + - - - - -
+ + + + + - + - - - - -
Arus mudah mengalir pada rangkaian ini.
Pada saat elektron disisi n berdifusi maka ujung kanan kristal akan bersifat positif sedikit
Karena muatan positif sedikit, maka menarik elektron dari sumber arus. Elektron berdifusi terus ke sisi p karena sisi p
bermuatan positif, elektron tersebut akan bergerak hingga ke ujung sisi p lalu menuju ke kutub positif sumber arus,
demikian seterusnya Lapis pengosongan

Lapis pengosongan seakan-akan semakin menipis

Dioda dapat dikonduksi dengan baik pada saat
tegangan >= potensial barier, Si 0.7 V; Ge 0.3 V.
DIODA
Kurva dioda

2. Dibias mundur
Jika dibias mundur sifat konduksinya jelek, tapi
jika sudah melewati tegangan breakdown (BV),
maka dengan penambahan tegangan sedikit saja
akan secara drastis meningkatkan arus.
Jika arus besar maka akan terjadi panas
1. Dibias maju
berlebihan pada dioda, sehingga merusak atau Jika dibias maju sifat konduksi baik, setelah
memperpendek usia melewati tegangan 0,7 volt (tegangan knee =
potensial barrier), maka arus akan naik
drastis dengan penambahan tegangan yang
kecil
DIODA
Reversed Bias
DIODA
Forward Bias
DIODA
Tegangan AC pada dioda (rectifier)

+ VP
VP harga rata-rata
beban
- VDC

pi 2pi 3pi
-
beban
+
Kumparan Kumparan
primer sekunder

1. Penyearah setengah gelombang Simbol travo

pada ½ perioda positif dioda dibias maju, sedangkan pada ½ perioda negatif dioda dibias mundur, sehingga menghasilkan arus DC berdenyut

VRMS = VP/√2 = Vmax/√2 ; VDC = Vmax/π ; π = pi = 3.14; finput = foutput

Jika Vmax = 170 V
Maka VRMS = 170 V / √2 = 120 V
VDC = 170 V / π = 54.1 V
DIODA

½ periode +
positif
- i
VP harga rata-rata
+
VDC
-
pi 2pi 3pi
-
½ periode
negatif + i
fout = 2 fin
-
V
VDC ==2V
2VP/p/π
DC P
2. Penyearah tap tengah +
pada ½ perioda positif dioda atas dibias maju, sedangkan pada ½ perioda negatif dioda bawah dibias maju, sehingga menghasilkan arus DC gelombang
penuh

Kumparan Kumparan
primer sekunder

Simbol travo
DIODA
½ periode + D2
D1 i
positif
VP harga rata-rata

- D3 D4 VDC

pi 2pi 3pi
- D2
D1 i
½ periode
negatif fout = 2 fin
+ D3 D4
VVDC ==2V
2VP/p/π
DC P

3. Penyearah jembatan
pada ½ perioda positif D2, D3 dibias maju; D1, D4 dibias mundur;
sedangkan pada ½ perioda negatif D1, D4 dibias maju ; D2, D3
dibias mundur; arus mengalir pada beban dengan arah yang sama,
sehingga menghasilkan arus DC gelombang penuh

Type dioda penyearah seperti diatas didasarkan atas kapasitas kuat

arusnya: 1 A, 2A, 3A, dst.
DIODA
(rectifier) Filter input kapasitor
VP Vbeban
+ +

- Tegangan mengalir pada

- beban
0 Pada saat ¼ periode naik 0 Vbeban
kapasitor mengisi muatan
pi 2pi 3pi
VP Vbeban
-

0 + 0
Pada saat 3/4 periode berikutnya Tegangan mengalir pada
kapasitor mengosongkan muatan beban
(kondisi tRCcap > TAC

1. Penyearah setengah gelombang

ide: mendeteksi puncak gelombang arus DC berdenyut lalu
meratakannya
DIODA
+
VP Vbeban
2. Penyearah Jembatan
+
Tegangan mengalir pada
- beban
-
0 0
Pada saat ¼ periode naik VDC
kapasitor mengisi muatan
VP Vbeban
+ pi 2pi 3pi

+
0 - 0
-
Tegangan mengalir pada
beban
Pada saat ¼ periode turun
kapasitor mengosongkan muatan
(kondisi tRCcap > TAC
-
VP Vbeban

+
Tegangan mengalir pada
+ beban
-
0 0
Pada saat periode turun (½ - ¾)
kapasitor mengisi muatan
VP Vbeban
-

+
0 + 0
-
Tegangan mengalir pada
beban
Pada saat periode naik (¾ - 1)
kapasitor mengosongkan muatan
(kondisi tRCcap > TAC
DIODA
Type dioda
1. Dioda penyearah
2. LED (light emmiting dioda)
Jika dikenai tegangan maka medan listrik dalam dioda akan berubah, sehingga akan mengembalikan elektron dari pita
konduksi ke pita valensi dengan mengeluarkan cahaya. bahan: galium, arsen, phosphor
3. Photo dioda
merupakan p-n junction yang dirancang untuk beroperasi jika dibias mundur. Jika cahaya dengan panjang gelombang yang
benar jatuh pada sambungan photodiode arus mengalir dalam sirkuit internal. Alat ini akan bekerja sebagai generator arus
dengan kekuatan sebanding dengan intensitas cahaya.
4. Zener dioda
bekerja pada daerah breakdown (dibias mundur), dengan memanfaatkan karakteristik tegangan breakdown (tegangan zener)
yang konstan, maka dioda zener digunakan sebagai regulator tegangan
DIODA
Regulator Zener
Secara ideal dioda zener berlaku seperti sebuah baterei, yang menyebabkan
tegangan beban konstan. Jika tegangan catu daya tidak konstan (karena tidak
diregulasi) dan lebih besar dari tegangan breakdown, maka zener akan bekerja
pada daerah breakdown sehingga tegangan beban tetap konstan
Resistor
VIN  VOUT
pembatas seri IS 
+ RS
VIN IS
IZ  IS  IL
Catu daya
RS + VOUT  VZ
VZ +
tidak VOUT
IZ

IL
VOUT
teregulasi IL 
RL
VOUT  VZ  I Z Z Z

Agar arus zener selalu ada untuk semua sumber tegangan dan arus beban maka
resistensi pembatas arus maksimum harus diatur
VIN(MIN)  VOUT
R S(MAX) 
I L(MAX)
DIODA
Contoh:
Hitung arus yang mengalir pada resistor pembatas seri, arus beban minimum,
arus zener minimum, dan maksimum
180 ohm

RS +
Catu daya VZ =12 V RL
+
tidak ZZ = 7 ohm 200 ohm -
25 V
teregulasi tak hingga
-

Hitung pula tegangan beban maksimum, tegangan beban minimum, dan VR

(pengaturan tegangan) VR = (VOUT(max) – VOUT(min))/VOUT(min) * 100%

Dimana Vout = 25 ± 0.5 Volt