DIODA SEMIKONDUKTOR

1.1 PENGENALAN
Sekitar 50 tahun tahun yang lalu sejak transistor pertama kali diperkenalkan pada
23 Desember 1947. Mereka yang berpengalaman mengubah tabung sungkup kaca
menjadi era kepadatan, masih tampak seperti beberapa tahun yang lalu. Edisi pertama
teks ini mengandung cakupan berat tabung, dengan berhasil melibatkan keputusan
penting berapa banyak cakupan nahrus didedikasikan untuk tabung da berapa banyak
untuk perangkat semikonduktor. Sepertinya tidak berlaku lagi untuk menyebutkan
tabung sama sekali atau untuk membaandingkan keuntungan antara yang satu dnegan
yang lain kita tegas dalam era benda padat.
Miniaturisasi yang telah dihasilkan meninggalkan kita pertanyaan tentang batasbatasnya. Sistem yang lengkap sekarang muncul di ribuan wafer dari waktu yang lebih
kecil dari dia elemen tunggal dari jaringan sebelumnya. Desain baru dan sistem
permukaan mingguan. Insinyur yang lebih dan lebih terbatas menjadi di atau
pengetahuan tentang berbagai kemajuan itu cukup sulit hanya untuk tetap mengikuti
perubahan dalam satu bidang penelitian atau pengembangan. Kami juga telah mencapai
titik di mana tujuan utama wadah hanya untuk memberikan beberapa cara penanganan
perangkat atau sistem dan menyediakan mekanisme untuk dipasang pada jaringan.
Miniaturisasi muncul dibatasi oleh tiga faktor (masing-masing akan dibahas dalam teks
ini): kualitas bahan semikonduktor sendiri, teknik desain jaringan, dan batas-batas
manufaktur dan pengolahan peralatan.

1.2 DIODA IDEAL

Alat elektronika pertama yang diperkenalkan disebut dioda. Alat tersebut merupakan
alat sederhana dari alat semikonduktor tetapi memiliki peran yang penting dalam sistem
elektronika, memiliki karakteristik yang mirip dengan sebuah saklar sederhana. Itu akan
nampak dalam jarak penggunaan, memperpanjang dari yang sederhana menjadi sangat
kompleks. dalam penambahan detail dari pembuatan dan karakteristik, data dan grafik
sangat penting dalam menemukan lembar spesifikasi yang trecakup dalam memahami
terminologi dan mendemontrasikan informasi yang berkaitan dengan jenis yang sesuai
dari pabrik.
Istilah ideal akan lebih sering digunakan dalam buku ini
sebagai alat baru yang diperkenalkan. Itu mengarahkan kepada
berbagai alat atau sistem yang mempunyai karakteristik idealsempurna dalam segala hal. Hal itu menjadi dasar untuk
pembandingan, dan menunjukkan bahwa kemajuan masih bisa
dibuat.

Dioda

ideal

memiliki

terminal,

sembol

dan

karakteristiknya seperti yang terlihat pada gambar 11.a dan b

Idealnya, dioda akan menghantarkan listrik yang arahnya sesperti yang ditunjukkan oleh
tanda panah pada simbol dan bertindak seperti rangkaian terbuka untuk melakukan
penetapan arus dalam arah yang berlawanan. Intinya:

Karakteristik dari sebuah dioda yang ideal adalah jika sebuah penghubungan bisa
menghantarkan arus hanya dalam satu arah.
Dalam deskripsi unsur diikuti, sangat penting bahwa berbagai surat, simbol,
polaritas tegangan, dan arah arus didefinisikan. Jika polaritas tegangan yang diberikan
konsisten dengan yang terlihat pada gambar 1.1a, bagan dari karakteristik akan
dipertimbangkan seperti gambar 1.1b adalah benar dari arah sumbu vertikal. Jika

tegangan berlawanan diberikan, karakteristiknya adalah bagian kiri yang berhubungan.

Jika arus melewati dioda yang arahnya ditandai dalam gambar 1.1a, bagian dari
karakteristik untuk dipertimbangkan adalah di atas sumbu horizontal, saat pembalikan
dalam arah memerlukan karakteristik di bawah sumbu. Sebagian besar dari karakteristik
alat akan dijelaskan dalam buku ini, koordinat ( atau sumbu y) akan enjadi sumbu arus,
sementara absis (atau sumbu x) akan menajdi sumbu tegangan.
Salah satu parameter penting untuk dioda adalah pada bagian resistansi atau
bagian dari operasi. Jika kita mengingat bagian penghantar oleh arah dari
polaritas dari

dan

pada gambar 1.1a ( sebelah kanan atas arah 90 dari gambar 1.1b), kita

akan menemukan bahwa nilai dari hambatan maju,

, didefinisikan oleh hukum Ohm

adalah
( hubung singkat)
Dimana

adalah tegangan maju yang melewati dioda dan

adalah arus maju yang

melewati dioda

Oleh karena itu, dioda ideal, adalah hubung singkat untuk bagian dari pengahantaran
Mengingat daerah yang negatif berlaku potensial ( kuadran 3) dari gambar 1.1b
( rangkaian tebuka)
Dimana

adalah tegangan balik yang melewati dioda dan

adalah arus balik yang

melewati dioda

Oleh karena itu, dioda ideal adalah sebuah rangkaian terbuka dalam bagian derah yang
bukan pengahantar
Dalam meninjau ulang, menggambarkan keadaan pada gambar 1.2 adalah diterapkan

Gambar 1.2 (a) hantaran dan (b) bukan hantaran dari dioda ideal dengan menggunakan
penyim pangan
Pada umumnya, relatif sederhana untuk menentukan apakha sebuah dioda adalah
termasuk dalam bagian penghantar atau bukan penghantar dipastikan oleh arah dari
arus

ditetapkan oleh sebuah penggunaan tegangan. Aliran yang biasa ( berlawanan

dengan aliran elektron), jika resultan arus dioda telah mempunyai arah yang sama pada
ujung tanda panah dari simbol doda, dioda beroperasi dalam menghantarkan
digambarkan dalam gambar 1.3a. jika menghasilkan arus yang berlawanan dengan arah,
seperti terlihat pada gambar 1.3b, setara rangkaian terbuka yang tepat adalah

Gambar 1.3 (a) penghantaran dan (b) bukan penghantaran dari dioda ideal ditentukan
oleh arah arus konvensional yang dibentuk oleh jaringan
Telah

ditandai

dari

awal,

tujuan

pokok

dari

bagian

ini

adalah

untuk

memperkenalkan karakteristik dari alat ideal untuk dibandingkan dengan karakteristik

dari jenis perdagangan. Kita akan membahas lebih lanjut pada bagian selanjutnya,
simpan pertanyaan berikut dalam pikiran

Seberapa dekat akan kemajuan atau resistansi dari dioda praktis yang diinginkan pada
level 0 ?
Apakah resistansi bias balik yang cukup besar memungkinkan rangkaian pendekatan
terbuka?

BAHAN SEMIKONDUKTOR
Label semikonduktor sendiri memberikan sebuah tanda karakteristiknya. Awalan
semi pada biasanya digunakan untuk batas dari level pertengahan jalan antara dua
perbatasan.
Istilah konduktor digunakan untuk berbagai bahan yang didukung aliran muatan ketika
sebuah sumber tegangan dari yang besarnya terbatas diberikan melewati terminal.
Insulator adalah sebuah bahan yang menawarkan tingkat dari konduktivitasnya
yang sangat rendah dibawah tekanan dari sumber tegangan yang diberikan. Oleh karena
itu, semikonduktor adalah bahan yang memiliki tingkat

konduktivitas berada diantara

perbedaan yang besar dari sbeuah insulator dan konduktor.

Kebalikan yang berhubungan untuk konduktivitas dari
sebuah bahan resistansi untuk aliran dari muatan
atau arus. Itu adalah tingkat konduktivitas tertinggi,
tingkat

resistansi

terendah.

Dalam

tabel,

istilah

resistivitas ( , dalam bahasa latin dibaca rho) sering

digunakan ketika dibandinkan dengan tingkat resistansi dari bahan. Dalam satuan metrik,
resistivitas dari dari sebuah bahan diukur dalam cm atau m. Satuan dari cm
didapat dari subtitusi dari satuan dari masing-masing kuantitas dari gambar 1.4

kedalam persamaan berikut ( didapat dari persamaan umum resistansi R = :

( )(
Faktanya, jika area dari gambar 1.4 adalah 1

)
dan panjangnya 1 cm, besar resistansi

dari kubus pada gambar 1.4 adalah sam dengan besar resistansi dari bahan seperti di
bawah ini:
| |

| |

Fakta ini akan membantu untuk mengingat seperti kita membandingkan tingkat
resistansi pada diskusi berikut
Pada tabel 1.1 nilai jenis resistansi dibagi menjadi tiga kategori besar dari bahan.
Walaupun kamu mungkin sudah biasa dengan sifat elektrikal dari tembaga dan mika dari
pelajaran sebelumnya, karakteristik dari bahan semikonduktor dari germanium (Ge) dan
silikion (Si) mungkin relatif baru. Sepertinya kamu akan menemukanannya di bab berikut,
mereka tentunya bukanlah hanya bahan semikonduktor. Bagaimanapun, mereka adalah
dua bahan yang memiliki batas paling luas dari perkembangan terakhir dari alat
semikonduktor. Di tahun terakhir perubahan dengan manta ke arah silikon dan menjauh
dari germanium, tetapi germanium masih dalam produksi.
Tabel 1.1 jenis nilai resistansi
Konduktor

Semikonduktor

Insulator

( germanium)
( tembaga)

(silikon)

(mika)

Catatan pada tabel 1.1 perbedaan yang sangat jauh antara bahan konduktor dan
insulator untuk panjang 1 cm (luas 1

) dari bahan. Penempatan 18 tempat terpisah

dari angka desimal untuk satu angka ke yang lainnya. Ge dan Si mempunyai perhatian
mereka mempunyai alasan untuk angkanya. Satu hal yang menjadi pertimbangan

penting adalah faktanya mereka bisa menghasilkan tingkat kemurnian yang sangat
tinggi. Kenyataannya, kemajuan yang baru saja telah dikurangi tingkat kemurnian pada
bahan murni untuk 1 bagian dalam 10 milyar ( 1: 10.000.000.000). satu kemungkinan
dipertanyakan jika tingkat ketidakmurnian rendah adalah sesuatu yang sangat penting.
Tentunya jika kamu mempertimbangkan bahwa penambahan satu bagian yang tidak
murni (dari jenis yang tepat) per milyar ke dalam biskuit dari bahan silikon bisa
mengubah bahan tesebut dari konduktor yang relatif buruk menjadi konduktor yang
bagus dari listrik. Kita sungguh-sungguh berhadapan dengan spektrum baru dalam
tingkat

perbandingan

ketika

kita

perlakukan

dengan

perantara

semikonduktor.

Kemampuan untuk mengubah karakteristik dari bahan secara khusus melewati proses ini,
dikenal sebagai doping ini adalah alasan lain mengapa Ge dan Si harus diberikan
perhatian yang luas. Alasan yang lebih lanjut termasuk bahwa kenyataannya karakteristik
mereka bisa diubah secara khusus melalui aplikasi dari panas atau pencahayaan sebuah
pertimbangan penting

dalam perkembangan dari panas dan alat peka cahaya.

Beberapa kualitas unik dari Ge dan Si disebutkan di

atas adalah karena struktur atom mereka. Bentuk atom
dari kedua bahan tersebut sangat jelas polanya secara
periodik dalam alam. Satu pola yang lengkap disebut
kristal dan susunan atom yang periodik disebut kisi. Untuk
kristal Ge dan Si memiliki struktur berlian tiga dimensi dari
gambar 1.5. materi yang hanya terdiri dari pengulangan
sruktur kristal dari jenis yang sama disebut struktur kristal tunggal. Untuk bahan
semikonduktor aplikasi praktis di bidang elektronik, ada fitur kristal tunggal ini, dan,

dalam penambahan periodisitas dari struktur tidak dapat diubah secara khusus dengan
penambahan dari ketidakmurnian dari proses doping.
Mari kita sekarang memerikasa struktur dari atom itu sendiri dan catat bagaimana
kemungkinan mempengaruhi karakteristik listrik dari bahan. Anda menyadari, atom
disusun dari tiga partikel dasar: elektron, proton dan neutron. Di dalam kisi atom,
neutron dan proton dalam bentuk nukleus, sementara elektron mengelilingi sekitar
nukleus dalam lintasan yang tetap. Model Bohr dari dua jenis yang paling sering
digunakan semikonduktor, germanium dan silikon ditunjukkan pada gambar 1.6
Seperti yang ditunjukkan oleh gambar 1.6a atom germanium memiliki 32 elektron
yang mengorbit, sementara silikon memiliki 14 elektron yang mengorbitinya. Dalam
kasus yang lain, terdapat 4 elektron pada kulit terjauh (valensi). Potensial ( ion potensial)
dibutuhkan untuk menghilangkan satu dari 4 elektron valensi yang lebih rendah dari
yang dibutuhkan untuk setiap elektron lainnya dalam struktur. Dalam sebuah germanium
murni atau kristal silikon 4 elektron valensi terikat dengan 4 atom yang berdampingan,
seperti pada gambar 1.7 untuk silikon. Kedua Ge dan Si disebut sebagai atom tetravalen
karena mereka mempunyai empat elektron valensi.
Ikatan atom diperkuat dengan berbagi elektron disebut ikatan kovalen.

Bagaimanapun ikatan kovalen akan menghasilkan sebuah ikatan yang paling kuat
antara elektron valensi dan atom induk, itu mungkin untuk elektron valensi menyerap
energi kinetik yang cukup dari sebab-sebab alamiah untuk memecahkan ikatan kovalen
dan menganggap kondisi bebas. Istilah bebas menyatakan bahwa gerakan mereka
sangat sensitif terhadap medan listrik seperti yang diterapan oleh sumber tegangan atau
perbedaan potensial. Sebab-sebab alamiah ini termasuk pengaruh seperti sebuah energi
cahaya dalam bentuk dari foton dan energi termal dari perantara disekelilingnya. Pada
suhu ruangan sekitar

kecepatan bebas dalam sentimeter kubik dari bahan

silikon yang sebenarnya.

Bahan intrinsik adalah mereka semikonduktor yang telah hati-hati disempurnakan untuk
mengurangi ketidakmurnian ke tingkat yang sangat rendah-pada utamanya semurni
dapat tersedia melalui teknologi modern
Elektron bebas dalam bahan disebabkan hanya karena penyebab alami disebut
sebagai pembawa intrinsik. Pada suhu yang sama, bahan germanium intrinsik akan
memiliki sekitar

kecepatan bebas per sentimeter kubik. Perbandingan dari

angka dari pembawa dalam germanium dengan silikon lebih besar dari

dan akan

ditandai bahwa germanium sebagai bahan konduktor yang lebih baik pada suhu
ruangan. Hal ini mungkin benar, tetapi keduanya masih dipertimbangkan sebagai
konduktor yang buruk dalam keadaan intrinsik. Catatan pada tabel 1.1 bahwa resistansi
juga berbeda oleh perbandingan sekitar 1000:1, dengan silikon mempunyai nilai terbesar.
Ini harus terjadi, tentu, sejak resistansi dan konduktivitas memiliki hubungan yang
berbanding terbalik. Peningkatan suhu semikonduktor dapat mengakibtkan pengingkatan
sebstansial jumlah elektron bebas dalam bahan.
Karena suhu naik dari 0 absolut (0 K), peningkatan angka dari elektron valensi
menyerap cukup energi panas untuk memutuskan ikatan kovalen dan berkontribusi pada
pembawa kebebasan seperti dijelaskan di atas. Peningkatan jumlah pembawa akan
meningkatkan

indeks

konduktivitas dan menghasilkan tingkat resistansi yang lebih

rendah.

Bahan semikonduktor seperti Ge dan Si menunjukkan reduksi dalam resistansi dengan

peningkatan suhu dikatakan mempunyai koefisien suhu negatif
Kamu mungkin akan ingat bahwa resistansi dari konduktor akan meningkat
dengan suhu. Ini disebabkan fakta bahwa angka dari pembawa sebuah konduktor tidak
akan bertambah secara khusus dengan suhu, tetapi pola getaran mengenai lokasi relatif
tetap akan membuat semakin sulit bagi elektron untuk lewat. Peningkatan suhu
menghasilkan peningkatan tingkat resistansi dan koefisien suhu positif.

TINGKAT ENERGI
Dalam struktur atom terisolasi diskrit (individual) tingkat energi diasosiasi dengan
masing-masing elektron yang mengorbit, seperti pada gambar 1.8a. setiap bahan akan,
dalam kenyataannya, memiliki sendiri tingkat energi yang diizzinkan untuk elektron
dalam struktur atomnya.

Elektron yang lebih jauh dari nukleus, keadaan energi tertinggi, dan elektron yang
meninggalkan induk atom mempunyai keadaan energi yang lebih tinggi dibandingkan
elektron yang berada pada struktur atom

Antara tingkat energi diskrit banyak celah yang tidak memiliki elektron dalam
struktur atom yang terisolasi bisa muncul. Sebagai atom dari sebuah bahan yang dibawa
lebih dekat bersama untuk membentuk struktur kisi kristal, terdapa interaksi antara atom
yang akan menghasilkan elektron dalam sebuah orbit tertentu satu atom memiliki tingkat
energi yang sedikit berbeda dari orbit yang sama dari atom yang berdekatan. Hasil
akhirnya

merupakan

perluasan

dari

tingkat

diskrit

yang

keadaan

energinya

memungkinkan untuk elektron valensi dengan pita seperti pada gambar 1.8b. catatan
bahwa terdapat tingkat batasan dan keadaan energi maksimum yang elektron dalam kisi
atom bisa menemukan itu sendiri, dan masih ada daerah terlarang antara pita valensi
dan tingkat ionisasi. Mengingat bahwa ionisasi adalah mekanisme dimana sebuah

elektron bisa menyerap cukup energi untuk memisahkan diri dari struktur atom dan
masuk ke pita penghantar. Kamu akan mencatat bahwa energi diasosiasi dengan masingmasing elektron diukur dalam elektron volt (eV). Satuan pengukuran yang tepat adalah
eV

(1.2)

Berasal dari mendefinisikan persamaan untuk tegangan

. Muatan Q adalah

muatan yang diasosiasi dengan sebuah elektron tunggal.

Mensubtitusikan muatan dari sebuah elektron dan sebuah perbedaan potensial
dari 1 volt ke Eq. (1.2) akan menghasilkan sebuah tingkat energi yang ditujukan sebagai
satu elektron volt. Karena energi juga diukur dalam joule dan mengubah 1 elektron =
coulomb.
(
Dan

)(

)
1 eV=

(1.3)
Pada 0 K atau nol absolut ( -273,15 ), semua elektron valensi dari bahan
semikonduktor menemukan dirinya akan terkunci dalam kulit terluar atom mereka
dengan tingkat energi yang diasosiasi dengan pita valensi dari gambar 1.8b.
bagaimanapun, pada suhu ruangan ( 300 K, 25 ) sebuah nilai besar dari elektron valensi
diperoleh cukup energi untuk meninggalkan pita valensi, menyeberangi celah energi
yang didefinisikan oleh
Untuk silikon

pada gambar 1.8b dan masuk ke dalam pita penghantar.

adalah 1,1 eV, untuk germanium 0,067 eV, dan untuk galium arsenid 1,41

eV. Jelas bahwa

terendah adalah germanium untuk peningkatan nilai dari pembawa

dalam bahan sebagai perbandingan untuk silikon pada suhu kamar. Catatan untuk
insulator bahwa perbedaan energi sebesar 5 eV atau lebih, dengan batas nilai dari
elektron dapat masuk ke pita penghantar pada suhu kamar. Konduktor memiliki elektron
dalam pita pengahantar bahkan pada 0 K. Oleh karena itu, sungguh jelas, pada suhu

kamar terdapat lebih dari cukup pembawa kebebasan untuk menemukan pada bagian
1.5 bahwa jika ketidakmurnian ditambahkan ke bahan intrinsik semikonduktor, keadaan
energi pada pita terlarang akan terjadi yang disebabkan oleh berlurangnya nilai hasil
akhir pada

untuk kedua bahan semikonduktor-dengan konsekuensi, peningkatan

kerapatan pembawa dalam pita penghantar pada suhu kamar!

BAHAN EKSTRINSIK- JENIS n- DAN p

Karakteristik dari bahan semikonduktor bisa diubah secara khusus dengan
penambahan dari atom yang tidak murni kedalam bahan semikonduktor yang relatif
murni. Meskipun ketidakmurnian ini hanya akan memungkinkan 1 bagian dari 10 milyar,
dapat mengubah struktur pita untuk benar-benar mengubah sifat kelistrikan dari bahan.
Sebuah bahan semikonduktor yang telah mengalami prose doping dinamakan sebagai

bahan ekstrinsik
Terdapat dua bahan ekstrinsik yang penting dalam bahan pembuatan perangkat
semikonduktor: tipe n dan tipe p. Masing-masing akan dijelaskan pada paragraf berikut

Bahan tipe n
Kedua bahan tipe n dan p dibentuk dnegan penambahan jumlah tertentu dari
atom yang tidak murni kedalam sebuah dasar germanium atau silikon. Tipe n dibuat oleh
pengenalan elemen yang tidak murni yang mempunyai lima elektron valensi(pentavalent,
seperti antimoni, arsenik, dan posporus. Pengaruh unsur ketidakmurnian seperti
ditunjukkan pada gambar 1.9 ( menggunakan antimoni sebagai dasar ketidakmurnian
sebuah silikon)

Catatan bahwa ikatan empat kovalen masih ada. Namun, penambahan elektron
kelima karena atom yang tidak

murni, yang tidak berasosiasi dengan ikatan kovalen

tertentu. Elektron yang bebas ini, secara bebas terikat dengan atom induknya (antimoni),
yang relatif bebas untuk bergerak sehingga terbentuk bahan baru jenis n. Karena
dimasukkan atom yang tidak murni telah menyumbangkan relatifitaskebebasan
elektron untuk strukturnya.

Ketidakmurnian yang tersebar dengan lima elektron valensi disebut donor atom
Penting untuk menyadari bahwa meskipun sejumlah besar bebas pembawa telah
ditetapkan dlama bahan tipe n, kelistrikan masih netral karena idealnya jumlah proton
yang bermuatan positif

dalam inti masih sama dengan jumlah bebas dan elektron

bermuatan negatif yang mengorbit dalam struktur.

Pengaruh proses doping pada konduktivitas relatif dapat digambarkan melalui
penggunaan diagram pita energi pada gamabr 1.10. dicatat bahwa tingkat energi diskrit
(disebut tingkat donor) muncul dalam pita terlarang dengan

secara signifikan lebih

kecil dari bahan intrinsik. Elektron mereka bebas karena penambahan ketidakmurnian
yang berada di tingkat energi ini dan mengalami kesulitan menyerap cukup energi panas
untuk pindah ke pita penghantar pada suhu kamar. Hasilnya adalah bahwa pada suhu
kamar, ada sejumlah besar pembawa di tingkat konduksi dan konduktivitas kenaikan

bahan signifikan. Pada suhu kamar dalam bahan intrinsik Si ada elektron bebas untuk
setiap

atom ( 1 hingga

milyar (

), perbandingan (

). Jika takaran kita pada tingkat 1 hingga 10

) akan menunjukkan bahwa konsentarsi

pembawa telah ditingkatkan oleh sebuah perbandingan dari 100.000:1

Bahan Tipe P
Bahan tipe P adalah dibentuk doping germanium dan silicon kristal dengan
ketidakmurnian inti atom yang mempunyai tiga elektron valensi. Sebagian besar unsurunsur sering digunakan untuk tujuan ini adalah boron, gallium, dan indium. Pengaruh
dari satu dari unsur-unsur, boron, atas dasar silicon ditandai pada gambar 1.11

Mengingat bahwa sekarang terdapat batasan jumlah elektron untuk melengkapi

ikatan kovalen dari kisi yang terbentuk. Kekosongan yang dihasilkan disebut hole dan
diwakili oleh lingkaran kecil atau tanda positif karena tidak adanya muatan negatif,
karena kekosongan yang dihasilkan segera akan menerima elektron bebas :

ketidakmurnian disebarkan dengan elektron valensi tiga yang disebut atom

akseptor .
Bahan p-tipe yang dihasilkan netral, dengan alasan yang sama dijelaskan untuk
bahan n-tipe.
Elektron Dibandingkan Aliran Hole
Pengaruh hole pada konduksi ditunjukkan pada gambar 1.12.

Jika elektron

valensi memperoleh energi kinetik yang cukup untuk memutuskan ikatan kovalen dan
mengisi kekosongan dibuat oleh hole, maka kekosongan, atau hole, akan dibuat dalam
ikatan kovalen yang dilepaskan elektron. Oleh karena itu ada transfer hole ke kiri dan
elektron ke kanan, seperti yang ditunjukkan pada gambar 1.12 arah yang akan digunakan
dalam teks ini adalah bahwa aliran konvensional, yang ditandai dengan arah aliran hole.

Mayoritas Dan Minoritas Operator

Dalam kondisi intrinsik, jumlah elektron bebas di Ge atau Si disebabkan hanya
untuk mereka beberapa elektron pada pita valensi yang telah memperoleh energi yang
cukup dari sumber panas atau cahaya untuk memecah ikatan kovalen atau beberapa
ketidakmurnian yang tidak bisa dihilangkan. Kekosongan yang tertinggal dalam struktur

ikatan kovalen merupakan suplai kami sangat terbatas hole. Dalam bahan n-tipe, jumlah
hole tidak berubah secara signifikan dari tingkat dari dalam ini. Hasil akhirnya adalah
bahwa jumlah elektron jauh melebihi jumlah hole. Untuk alasan ini:

Dalam bahan n-tipe (gambar 1.13a) elektron disebut pembawa mayoritas dan
hole pembawa minoritas.
Untuk bahan p-tipe hole adalah pembawa mayoritas dan elektron, seperti yang
ditunjukkan pada gambar 1.13b. Oleh karena itu:

dalam bahan p-tipe hole adalah pembawa mayoritas dan elektron adalah
pembawa minoritas.
Ketika elektron kelima atom donor meninggalkan atom induk, atom yang tersisa
memperoleh muatan positif bersih: maka tanda positif dalam mewakili donor-ion. untuk
alasan yang sama, tanda negatif muncul dalam ion akseptor.
Bahan n dan p-tipe merupakan dasar utama perangkat semikonduktor. Kita akan
menemukan di bagian berikutnya bahwa dari bahan n-tipe tunggal dengan bahan tipe-p
akan menghasilkan elemen semikonduktor hal penting dalam sistem elektronik.

1.6 DIODA SEMIKONDUKTOR

Dalam bagian 1.5 baik bahan n- dan p-tipe diperkenalkan. Dioda semikonduktor
dibentuk dengan hanya membawa bahan ini bersama (dibuat dari basis sama-Ge atau

Si), seperti yang ditunjukkan pada gambar 1.14, menggunakan teknik yang akan
dijelaskan dalam bab 20. Pada instan dua bahan bergabung dengan elektron dan hole di
daerah dekat sambungan.

daerah ini ion positif dan negatif tercakup disebut daerah berkurangnya akibat
berkurangnya pembawa daerah ini ini.
Karena dioda adalah perangkat dua-terminal, penerapan tegangan di terminal
membuat tiga kemungkinan: tidak ada bias (
bias (

), bias maju ((

), dan reverse

). masing-masing adalah suatu kondisi yang akan menghasilkan respon

bahwa pengguna jelas harus memahami jika perangkat diterapkan secara efektif.

Tidak Ada Bias Yang Diterapkan (

Di bawah tidak ada bias (tidak ada tegangan yang diberikan) kondisi, minoritas
pun membawa (hole) dalam bahan n-tipe yang menemukan diri mereka dalam daerah
penurunan akan melewati langsung ke bahan p-tipe. Semakin dekat pembawa minoritas
adalah sambungan, semakin besar daya tarik bagi lapisan ion negatif dan kurang oposisi

dari ion positif di daerah penurunan bahan n-tipe. untuk tujuan diskusi masa depan kita
akan berasumsi bahwa semua minoritas membawa bahan n-tipe yang menemukan diri
mereka di daerah penurunan karena gerakan acak mereka akan melewati langsung ke
bahan p-tipe. diskusi serupa dapat diterapkan pada minoritas membawa (elektron) dari
bahan p-tipe. aliran pembawa ini telah ditunjukkan dalam gambar 1.14 pembawa
minoritas dari masing-masing bahan.
Operator mayoritas (elektron) dari bahan n-tipe harus mengatasi kekuatan
menarik dari lapisan ion positif dalam bahan n-tipe dan perisai ion negatif dalam bahan
p-tipe untuk bermigrasi ke daerah melebihi daerah penurunan dari bahan p-tipe. Namun,
jumlah pembawa mayoritas dengan energi kinetik yang cukup untuk melewati daerah
penurunan menjadi bahan p-tipe. lagi, jenis yang sama diskusi dapat diterapkan pada
pembawa mayoritas (hole) dari bahan p-tipe. Aliran yang dihasilkan karena pembawa
mayoritas juga ditunjukkan pada gambar 1.14.
Mempelajari secara dekat dalam gambar 1.14 akan mengungkapkan bahwa
besaran relatif dari vektor aliran sedemikian rupa sehingga aliran bersih dua arah adalah
nol. Pembatalan ini vektor telah ditandai dengan garis silang. Panjang vektor yang
mewakili aliran hole telah ditarik lebih lama dari itu untuk aliran elektron untuk
menunjukkan bahwa besarnya masing-masing tidak perlu sama untuk pembatalan dan
bahwa tingkat doping untuk setiap bahan dapat mengakibatkan aliran pembawa yang
tidak merata hole dan elektron . Singkatnya, oleh karena:

dengan tidak adanya tegangan bias diterapkan, aliran bersih cuma-cuma satu
arah untuk dioda semikonduktor adalah nol.

simbol untuk dioda diulang dalam gambar 1.15 dengan n- dan p-tipe daerah terkait.
dicatat bahwa panah dikaitkan dengan komponen p-tipe dan bar dengan daerah n-tipe.
seperti yang ditunjukkan, untuk (

Kondisi reverse-Bias(

), saat ini segala arah 0 mA.

jika potensi dari luar tegangan V diterapkan di persimpangan p-n sehingga

terminal positif dihubungkan dengan bahan tipe-n dan terminal negatif dihubungkan
dengan bahan tipe-p seperti yang ditunjukkan pada gambar 1.16, jumlah ion positif
tercakup dalam wilayah penurunan bahan n-tipe akan meningkat karena banyaknya
"bebas" elektron tertarik pada potensi positif dari tegangan yang diberikan. untuk alasan
yang sama, jumlah ion negatif tercakup akan meningkat dalam bahan tipe-p. Efek bersih,
karena

itu

pelebaran

wilayah

penurunan.

melebarnya

daerah

penurunan

akan

membentuk terlalu besar penghalang bagi pembawa mayoritas untuk mengatasi, efektif
mengurangi pembawa mayoritas mengalir ke nol seperti yang ditunjukkan pada gambar
1.16

Kejenuhan arus balik jarang sekali lebih dari beberapa microamperes kecuali
untuk perangkat daya tinggi. pada kenyataannya, dalam beberapa tahun terakhir tingkat
biasanya dalam kisaran nanoampere untuk perangkat silikon dan dalam kisaran rendahmicroampere untuk germanium. kejenuhan istilah berasal dari fakta bahwa mencapai
tingkat maksimum dengan cepat dan tidak berubah secara signifikan dengan
peningkatan potensi reverse-bias, seperti yang ditunjukkan pada karakteristik dioda ara
1,19 untuk Vd <0V. Kondisi sebaliknya -bias digambarkan pada gambar 1.17 untuk
simbol dioda. catatan, khususnya, bahwa khusus, bahwa arah Is bertentangan dengan
panah simbol. perhatikan juga bahwa potensi Negatif terhubung ke bahan p-tipe dan
potensi positif terhadap materi n-tipe, perbedaan huruf digarisbawahi untuk masingmasing daerah mengungkapkan kondisi reverse-bias.

Bias Maju ((

Maju bias atau "on" didirikan oleh menerapkan potensi positif terhadap bahan
tipe-p dan potensi negatif terhadap bahan tipe-n seperti yang ditunjukkan pada gambar
1.18. untuk referensi di masa mendatang, oleh karena itu:

dioda semikonduktor maju-bias ketika asosiasi tipe-p dan positif dan tipe-n dan
negatif telah ditetapkan

Penerapan maju bias potensial VS akan "tekanan" elektron dalam bahan tipe-n
dan hole di bahan tipe-p untuk bergabung kembali dengan ion dekat perbatasan dan
mengurangi lebar daerah penurunan seperti yang ditunjukkan pada gambar 1.18. aliran
minoritas-carrier yang dihasilkan dari elektron dari bahan tipe-p dengan bahan n-tipe
(dan hole dari bahan tipe-n dengan bahan tipe-p) tidak berubah dalam besaran (karena
tingkat konduksi dikendalikan terutama dengan jumlah terbatas kotoran dalam bahan),
namun pengurangan lebar daerah penurunan telah menghasilkan aliran mayoritas berat
di sambungan. Elektron dari bahan tipe-n sekarang "melihat" penghalang menurun pada
sambungan karena daerah penurunan dan daya tarik yang kuat bagi potensi positif
diterapkan pada bahan tipe-p. Seperti meningkatkan bias yang diterapkan besarnya
wilayah penurunan akan terus menurun lebar sampai banjir elektron dapat melewati

sambungan, sehingga kenaikan eksponensial dalam saat seperti yang ditunjukkan di

daerah maju-bias karakteristik gambar 1.19. Perhatikan bahwa skala vertikal gambar 1,19
adalah milliamperes terukur (meskipun beberapa dioda semikonduktor akan memiliki
skala Vertikal diukur dalam ampere) dan skala horisontal dalam dioda maju-bias akan
kurang dari 1 V. Perhatikan juga, seberapa cepat naik saat ini melebihi lutut kurva.

dapat ditunjukkan melalui penggunaan fisika keadaan padat bahwa karakteristik

umum dari dioda semikonduktor dapat didefinisikan oleh persamaan berikut untuk
daerah maju dan mundur bias:

Where Is = saturasi balik saat ini

k=

dengan = 1 untuk Ge dan

=2 untuk Si untuk tingkat relatif rendaah

arus yang dioda dibawah kurva dan =1 untuk Ge dan Si untuk tingkat yang lebih tinggi
dari arus dioda (di bagian meningkat pesat kurva)
Tk= Tc +

Untuk nilai-nilai positif dari VD persamaan di atas akan menjadi sangat cepat dan
mengalahkan efek dari jabatan kedua. hasilnya adalah bahwa nilai-nilai positif dari VD, ID
akan menjadi positif dan tumbuh sebagai fungsi y = ex muncul di gambar. 1.20. Pada
VD = 0 V, persamaan

(1.4) becomes

di tampilkan

pada gambar 1.19. Untuk untuk nilai negatif dari VD istilah pertama akan segera
menurunkan di bawah Iss, sehingga ID = -IS, yang hanya garis horizontal gambar 1.19.
Istirahat dalam karakteristik di VD = 0 V hanya karena perubahan secara dramatis skala
dari mA ke A.

Perhatikan pada gambar 1.19 bahwa satuan yang tersedia secara komersial
memiliki karakteristik yang bergeser ke kanan dengan beberapa sepersepuluh volt. Hal
ini disebabkan "tubuh" hambatan dari dalam dan dari luar "kontak" resistensi dari dioda.
Masing-masing memberikan kontribusi untuk tegangan tambahan pada tingkat saat ini
sama seperti yang ditentukan oleh hukum ohm (V = IR). Waktu, karena metode produksi
meningkat, perbedaan ini akan berkurang dan karakteristik yang sebenarnya mendekati
persamaan. (1.4).

Penting untuk dicatat perubahan perubahan dalam skala untuk sumbu vertikal
dan horisontal. untuk nilai-nilai positif dari ID skala dalam milliamperes dan skala saat ini
di bawah sumbu dalam microamperes (atau mungkin nanoamperes). untuk VD skala nilainilai positif dalam sepuluh volt dan nilai-nilai negatif skala adalah dalam puluhan volt.
Awalnya, persamaan (1.4) itu muncul agak rumit dan dapat mengembangkan
ketakutan yang tidak beralasan bahwa hal itu akan diterapkan untuk semua aplikasi
dioda untuk mengikuti. Untungnya, sejumlah pendekatan akan dilakukan pada bagian
selanjutnya dengan minimal kesulitan matematika.
Sebelum meninggalkan subjek keadaan maju-bias subjek maju-bias yang
menyatakan kondisi untuk konduksi ("on" state) yang berulang pada gambar 1.21
dengan bias polaritas yang diperlukan dan arah yang dihasilkan dari aliran maoritycarrier. Perhatikan khususnya bagaimana arah konduksi sesuai dengan panah simbol
(seperti diungkapkan untuk dioda ideal).

Daerah Zener
Meski skala gambar 1.19 dalam puluhan folt di daerah negatif, ada titik di mana
penerapan terlalu negatif tegangan akan menghasilkan perubahan yang tajam dalam
karakteristik, seperti yang ditunjukkan pada gambar. 1.22 saat ini meningkat pada tingkat

yang sangat cepat dalam arah yang berlawanan dengan yang ada pada daerah tegangan
positif. Potensi reverse-bias yang menghasilkan perubahan dramatis dalam karakteristik
disebut zener potensi dan diberi simbol Vz.

Sebagai tegangan meningkat dioda di wilayah reverse-bias, kecepatan minoritas

membawa bertanggung jawab atas saturasi arus balik Apakah juga akan di lipatan.
Akhirnya, kecepatan dan energi kinetik terkait (

akan cukup untuk

melepaskan tambahan membawa melalui tabrakan dengan struktur atom yang stabil
yaitu, proses ionisasi akan menghasilkan dimana elektron valensi menyerap energi yang
cukup untuk meninggalkan atom induk. Tambahan ini kemudian dapat membantu proses
ionisasi ke titik di mana arus longsoran tinggi didirikan dan

gangguan longsoran

ditentukan.
Longsoran daerah (Vz) dapat dibawa lebih dekat ke sumbu vertical dengan
meningkatkan tingkat doping dalam p dan tipe-n material. Namun, sebagai Vz menurun
ke tingkat yang sangat rendah, seperti - 5 V, mekanisme lain, yang disebut Zener
longsoran, akan memberikan kontribusi pada perubahan tajam dalam karakteristik. itu

terjadi karena ada lapangan electrik yang kuat di wilayah persimpangan yang dapat
mengganggu kekuatan ikatan dalam atom dan "menghasilkan" membawa. Meskipun
mekanisme Zener breakdown adalah kontributor yang signifikan hanya pada tingkat
yang lebih rendah dari Vz, perubahan tajam ini karakteristik di tingkat manapun disebut
daerah zener dan dioda bagian unik dari karakteristik sambungan p-n disebut dioda
zener. Telah dijelaskan secara rinci dalam bagian 1.14.
Wilayah zener dioda semikonduktor yang dijelaskan harus dihindari jika respon
sistem tidak sepenuhnya diubah oleh perubahan tajam dalam karakteristik di wilayah
reverse-tegangan ini.

potensi bias yang reverse maksimum yang diterapkan sebelum memasuki wilayah
zener disebut tegangan puncak terbalik (disebut hanya sebagai rating PIV) atau
tegangan puncak revers (dilambangkan dengan Peringkat PRV)
Jika aplikasi membutuhkan penilaian PIV lebih besar dari satu unit, sejumlah dioda
karakteristik yang sama dapat dihubungkan secara seri. juga terhubung secara paralel
untuk meningkatkan kapasitas pembawa arus.
Silikon Dibandingkan Germanium
Dioda silicon memiliki tinggi PIV, arus dan suhu berkisarlebih lebar dari dioda
germanium. Peringkat PIV untuk silikon dapat berada pada lingkungan 1000 V,
sedangkan nilai maksimum untuk germanium lebih dekat ke 400 V. Solicon dapat
digunakan untuk aplikasi di mana suhu akan naik menjadi sekitar 2000 C (4000F),
sedangkan germanium memiliki penilaian maksimum jauh lebih rendah (100`0 C).
Kelemahan dari silikon dibandingkan dengan germanium, seperti yang ditunjukkan dalam
gambar. 1.23, adalah lebih tinggi

tegangan forward-bias yang diperlukan untuk mencapai wilayah menggesekkan ke atas.

Itu merupakan ciri khas yang besarnya mulai dari 0,7 V untuk dioda silikon yang tersedia
secara komersial dan 0,3 V untuk dioda germanium ketika dibulatkan ke persepuluh
terdekat. Peningkatan untuk mengimbangi silikon terutama disebabkan oleh faktor
pada persamaan (1.4). Faktor ini berperan dalam menentukan bentuk kurva hanya saja
pada saat ini levelnya masih sangat rendah. Setelah kurva naik secara vertikal, faktor
menurun menjadi 1 (nilai konstan untuk germanium). Hal ini dibuktikan dengan
kesamaan dalam kurva setelah potensial pada keadaan seimbang tercapai. Potensial
dimana kenaikan ini terjadi sering disebut sebagai ambang batas. Sering kali, huruf
pertama dari istilah yang menggambarkan jumlah tertentu yang digunakan dalam notasi
untuk kuantitas tertentu. Namun, untuk memastikan kurangnya kesalahan dengan istilah
lain, seperti tegangan output
buku ini, dari kata ambang.
Pada ulasan:

dan tegangan maju

, notasinya telah diadopsi untuk

Jelas, semakin dekat ayunan ke atas adalah sumbu vertikal, perangkat lebih "ideal".
Namun,

karakteristik

lain

dari

silikon

dibandingkan

dengan

germanium

masih

membuatnya menjadi pilihan di sebagian besar unit yang tersedia secara komersial.

Efek Temperatur
Suhu dapat memiliki efek yang ditandai pada karakteristik semikonduktor dioda silikon
seperti ciri khas dioda silikon pada gambar 1.24. Telah ditemukan secara eksperimen
bahwa: arus saturasi balik
suhu

akan hampir dua kali lipat besarnya untuk setiap kenaikan

Tidak jarang untuk dioda germanium dengan

memiliki arus bocor dari

urutan 1 atau 2

pada suhu dari

pada

. Saat ini level sebesar ini

di wilayah bias-balik pasti akan mempertanyakan kondisi sirkuit terbuka yang kita
inginkan di wilayah reverse-bias. Nilai khas dari

untuk silikon jauh lebih rendah

daripada germanium untuk tingkat daya dan saat ini sama seperti yang ditunjukkan pada
gambar 1.23. Hasilnya adalah bahwa bahkan pada suhu tinggi tingkat

untuk dioda

silikon tidak mencapai tingkat tinggi yang sama diperoleh untuk germanium alasan
terpenting bahwa perangkat silikon berada pada tingkat signifikan lebih tinggi dari
pengembangan dan pemanfaatan dalam desain. Pada dasarnya, rangkaian ekuivalen
terbuka di wilayah reverse-bias lebih menyadari setiap suhu dengan silikon daripada
dengan germanium.
Semakin tingginya tingkat dari
dari

tegangan

ambang,

meningkatkan tingkat
ini. Tentunya, level dari
meningkatnya tingkat

seperti

dengan suhu untuk tingkat yang lebih rendah

yang

ditunjukkan

pada

gambar

1.24.

Cukup

pada persamaan (1.4) dan perhatikan kenaikan awal dioda saat

juga akan meningkat dalam persamaan yang sama, namun
akan mengalahkan perubahan persen lebih kecil pada

Sebagai suhu di lipatan karakteristik depan benar-benar menjadi lebih "ideal", tapi kita
akan menemukan ketika kita meninjau spesifikasi lembaran yang suhu di luar rentang
operasi normal dapat memiliki efek yang sangat merugikan pada daya maksimum dioda
dan level saat ini. Di wilayah reverse-bias tegangan rusaknya meningkat dengan suhu,
tetapi perhatikan peningkatan yang tidak diinginkan dalam saturasi balik saat ini.

1.7 Tingkat Resistansi

Sebagai titik operasi dari dioda bergerak dari satu daerah ke daerah lain resistansi
dari dioda juga akan berubah karena bentuk nonlinear dari kurva karakteristik. Itu akan
diperlihatkan dalam beberapa paragraf berikutnya bahwa jenis tegangan atau sinyal
diterapkan akan menentukan tingkat resistansi. Tiga tingkat yang berbeda akan
diperkenalkan di bagian ini yang akan muncul lagi seperti saat memeriksa perangkat lain.
Itu merupaka tiga hal penting bahwa tekad mereka dipahami dengan jelas.

DC atau Resistansi Statis

Penerapan tegangan dc ke sirkuit yang berisi dioda semikonduktor akan
menghasilkan titik operasi pada curvethat karakteristik tidak akan berubah dengan waktu.
Hambatan dari dioda pada titik operasi dapat ditemukan hanya dengan mencari tingkat
yang sesuai

dan

seperti yang ditunjukkan pada gambar 1.25 dan menerapkan

persamaan berikut:

Tingkat resistensi dc di tengah dan di bawah akan lebih besar dari tingkat
resistensi yang diperoleh untuk bagian kenaikan vertikal karakteristik. Tingkat resistensi di
wilayah bias balik akan cukup tinggi. Karena ohmmeters biasanya menggunakan sumber
yang relatif konstan saat ini, resistansi yang ditentukan akan berada pada tingkat saat ini
yang telah ditetapkan (biasanya, beberapa milliampere).

Tentukan tingkat resistensi dc untuk dioda pada gambar 1.26

Solusi

AC atau Resistansi Dinamis

Hal ini jelas dari persamaan 1.5 dan 1.1 contoh bahwa resistansi dc dioda adalah
independen dari karakteristik di wilayah sekitar tempat tujuan. Jika sinusoidal daripada dc
input

diterapkan,

situasi

akan

berubah

sama

sekali.

Berbagai

masukan

akan

memindahkan sesaat operasi titik atas dan ke bawah daerah karakteristik dan dengan
demikian mendefinisikan perubahan tertentu dalam arus dan tegangan seperti pada
gambar 1.27. Dengan tidak diterapkan sinyal bervariasi, titik operasi akan menjadi titik Q
yang muncul di angka 1,27 ditentukan oleh tingkat dc diterapkan. Penunjukan titik Q
berasal dari kata diam, yang berarti "diam atau tidak berubah."

Sebuah garis lurus bersinggungan dengan kurva melalui titik Q seperti pada
gambar 1.28 akan menentukan perubahan tertentu dalam tegangan dan arus yang dapat
digunakan untuk menentukan ac atau resistansi dinamis untuk daerah ini dari
karakteristik dioda. Upaya yang harus dilakukan untuk menjaga perubahan tegangan dan
arus sekecil mungkin dan berjarak sama untuk kedua sisi dari titik Q. Dalam persamaan:

di mana

menandakan perubahan terbatas dalam kuantitas.

Pada kemiringannya, nilai kurang dari

untuk perubahan yang sama pada

dan

kurang dari resistansi tersebut. Karakteristik hambatan ac di wilayah vertikal bertingkat,

oleh karena itu cukup kecil, sedangkan resistansi ac jauh lebih tinggi pada level saat ini
rendah.
Contoh 1.2 Untuk karakteristik tokoh 1,29:
(a) menentukan resistansi ac pada
(b) menentukan resistansi ac pada

.
.

(c) membandingkan hasil bagian (a) dan (b) dengan resistansi pada setiap tingkat saat
ini.

Solusi
(a)

untuk

; garis singgung di

digambar seperti yang ditunjukkan

pada gambar dan ayunan dari

atas dan di bawah dioda dipilih saat

tertentu.

Pada

dan

pada

Perubahan mengakibatkan arus dan tegangan yang

(b) untuk

, garis singgung di

ditunjukkan pada gambar dan ayunan dari

di gambar seperti yang

atas dan di bawah dioda dipilih

saat tertentu. Pada

, dan pada

Perubahan mengakibatkan arus dan tegangan yang

Kami telah menemukan grafik resistansi dinamis, tapi ada definisi dasar dalam
kalkulus diferensial yang menyatakan: Turunan dari fungsi pada suatu titik sama dengan
kemiringan garis singgung yang ditarik titik itu.
Persamaan (1.6), seperti yang didefinisikan oleh tokoh 128, oleh karena itu, pada
dasarnya menemukan turunan dari fungsi pada titik Q operasi. Jika kita menemukan
turunan dari persamaan umum (1.4) untuk dioda semikonduktor dengan hormat t
diterapkan maju-bias dan kemudian membalikkan hasilnya, kita akan memiliki persamaan
untuk perlawanan dinamis atau ac di wilayah thet. Artinya, mengambil turunan dari
persamaan (1.4) sehubungan dengan bias diterapkan akan menghasilkan

menyusul manuver dasar beberapa diferensial kalkulus. Secara umum,

di bagian

kemiringan vertikal karakteristik dan

Mengganti

untuk Ge dan Si di bagian vertikal bertingkat karakteristik, kita

mendapatkan

dan pada suhu kamar,

Membalik hasil untuk menentukan rasio resistensi (R = V / I) memberi kita

Pentingnya persamaan (1.7) harus dipahami dengan jelas. Ini menyiratkan bahwa
perlawanan dinamis dapat ditemukan hanya dengan mengganti nilai diam dari dioda
saat ini ke dalam persamaan. Tidak perlu memiliki karakteristik yang tersedia atau
khawatir tentang sketsa tangen seperti yang didefinisikan oleh persamaan (1.6). Hal ini
penting untuk diingat, bagaimanapun, bahwa persamaan (1.7) adalah akurat hanya untuk
nilai-nilai

di bagian vertikal bertingkat kurva. Untuk nilai yang lebih rendah dari

(silikon) dan nilai

diperoleh harus dikalikan dengan faktor 2. Untuk nilai kecil

di bawah tengah kurva, persamaan (1.7) menjadi tidak pantas.

Semua tingkat resistensi ditentukan sejauh ini telah ditetapkan oleh p-n dan tidak
termasuk hambatan dari bahan semikonduktor itu sendiri (disebut daya tahan tubuh) dan
resistansi diperkenalkan oleh hubungan antara bahan semikonduktor dan konduktor
logam eksternal (disebut resistansi kontak ). Tingkat ini resistensi tambahan dapat
dimasukkan dalam persamaan (1.7) dengan menambahkan resistensi dilambangkan
dengan

muncul dalam persamaan (1.8). Resistansi

resistensi dinamis didefinisikan oleh persamaan 1.7 dan

Faktor

, oleh karena itu, termasuk

resistance saja diperkenalkan.

dapat berkisar dari biasanya 0,1 ohm untuk perangkat daya tinggi 2 ohm untuk

beberapa daya rendah, tujuan umum diodes.For contoh 1.2 resistansi ac pada 25 mA
dihitung menjadi 2 persamaan ohm. Dengan menggunakan persamaan

(1.7), kita

memiliki

Perbedaan

dari

Untuk contoh

sekitar

ohm

dapat

diperlakukan

sebagai

kontribusi

1.2 resistansi ac di 2 mA dihitung menjadi 27.5 ohm. Dengan

menggunakan persamaan (1.7), tetapi mengalikan dengan faktor 2 untuk daerah ini (di
tengah kurva

),

Perbedaan dari 1,5 dapat diperlakukan sebagai kontribusi karena

Pada kenyataannya, menentukan r_d ke tingkat akurasi yang tinggi dari kurva
karakteristik menggunakan persamaan (1.6) adalah proses yang sulit di terbaik dan
hasilnya harus diperlakukan dengan sebutir garam. Pada tingkat rendah dioda saat ini
faktor biasanya cukup kecil dibandingkan untuk

untuk mengizinkan mengabaikan

dampaknya terhadap resistansi ac dioda. Pada tingkat tinggi saat ini tingkat
mendekati bahwa dari

mungkin

, tapi karena ada yang sering akan menjadi elemen resistif lain

dari nilainnya jauh lebih besar secara seri dengan dioda kita akan menganggap dalam
buku ini bahwa resistansi hanya ditentukan oleh

dan dampak

akan diabaikan

kecuali dinyatakan lain. Perbaikan teknologi tahun terakhir menunjukkan bahwa tingkat
akan terus berkurang besarnya dan akhirnya menjadi faktor yang pasti bisa diabaikan
dibandingkan dengan

Diskusi di atas telah berpusat hanya pada daerah maju bias. Di wilayah reversebias kita akan mengasumsikan bahwa saat ini perubahan sepanjang garis

adalah nihil

dari 0V ke wilayah Zener dan resistansi ac yang dihasilkan dengan menggunakan

persamaan (1.6) adalah cukup tinggi untuk memungkinkan sirkuit pendekatan terbuka.
Resistansi AC Rata-rata
Jika sinyal input cukup besar untuk menghasilkan ayunan yang luas seperti yang
ditunjukkan pada gambar 1.30, resistansi yang terkait dengan perangkat untuk wilayah
ini disebut resistansi ac rata-rata. Resistansi ac rata-rata, menurut definisi, resistansi
ditentukan oleh garis lurus yang ditarik antara dua persimpangan yang ditetapkan oleh
nilain maksimal tegangan input.

Angka 1.30 menentukan perlawanan ac rata-rata antara batas yang ditunjukkan.

Ditambang oleh garis lurus yang ditarik antara dua persimpangan yang ditetapkan oleh
nilai-nilai maksimum dan minimum dari tegangan input dalam bentuk persamaan
(perhatikan gambar 1.30),

(1.9)

dan
dengan

Jika resistansi ac ( ) ditentukan pada

= 2 mA nilainya akan lebih dari 5

, dan jika

ditentukan pada 17 mA akan kurang. Diantara resistansi ac akan membuat transisi dari
nilai tinggi pada 2 mA. Persamaan (1.9) telah menetapkan nilai yang dianggap rata-rata
nilai ac dari 2 sampai 17 mA. Fakta bahwa satu tingkat resistansi dapat digunakan
berbagai karakteristik akan terbukti sangat berguna dalam definisi sirkuit yang setara
untuk diode pada bagian selanjutya.
Seperti dengan dc dan resistansi tingkat ac, semakin rendah tingkat arus yang
digunakan untuk menentukan ketahanan rata-rata maka lebih tinggi tingkat resistansinya.
Tabel 1.2 dikembangkan untuk memperkuat kesimpulan penting dari beberapa
halaman terakhir dan untuk menekankan perbedaan diantara berbagai tingkat resistansi.
Eperti yang ditunjukkan sebelumnya, isi bagian ini adalah dasar untuk sejumlah
perhitungan perlawanan yang akan dilakukan dalam bagian bab berikutnya.
Tabel 1.2 Tingkat Resistansi
Jenis

Persamaan

Karakteristik
Khusus

DC
statis

atau

Didefinisikan
sebagai
karakteristik
pada titik

Penentuan Grafik

AC

atau

dinamis

Didefinisikan
oleh

garis

singgung pada
titik-Q

Rata-rata

Didefinisikan

AC

oleh garis lurus

antara

batas

pengoperasian

1.8 Sirkuit Dioda setara

Rangkaian ekuivalen adalah kombinasi dari unsur-unsur benar dipilih untuk terbaik
mewakili karakteristik terminal sebenarnya dari sebuah perangkat, system, atau seperti di
daerah pengoperasian tertentu.
Dengan kata lain, setelah rangkaian setara didefinisikan, symbol perangkat dapat
dihapus dari skema dan rangkaian ekuivalen dimasukkan ke

dalam tempatnya tanpa

sangat mempengaruhi perilaku actual dari system. Hasilnya sering jaringan yang dapat
diselesaikan dengan menggunakan teknik analisis rangkaian tradisional.

Rangkaian Setara Piecewise Linear

Satu teknik untuk mendapatkan rangkaian ekivalen untuk diode adalah untuk

mendekati karakteristik perangkat dengan segmen-garis lurus, seperti yang ditunjukkan

pada gambar 1.31. Rangkaian ekivalen piecewise linear. Itu harus jelas dari arah 1.31
bahwa segmen garis lurus tidak mengakibatkan duplikasi yang tepat dari karakteristik
yang sebenarnya, terutama di wilayah pertengahan. Namun, segmen yang dihasilkan
cukup dekat dengan kurva yang sebenarnya untuk membentuk rangkaian ekivalen yang
akan memberikan pendekatan actual yang sangat baik dari perangkat. Untuk bagian
miring kesetaraan yang hambatan ac rata-rata diperkenalkan pada bagian 1.7 adalah
level hambatan yang muncul dalam rangkaian ekivalen gambar 1.32 sebelah perangkat
yang sebenarnya. Pada dasarnya, ia mendefinisikantingkat hambatan perangkat bila
dalam di tempat. Dioda yang ideal disertakan untuk menetapkan bahwa hanya ada

satu arah konduksi melalui perangkat, dan kondisi yang ditujukan biasa akan
menghasilkan tempat rangkaian terbuka untuk perangkat.

1.31 mendefinisikan rangkaian piecewise linear setara dengan segmen garis lurus untuk
mendekati kurva karakteristik

1.32 Komponen Rangkaian Ekuivalen Piecewise Linear

Karena

dioda

silikon semikonduktor

tidak

mencapai

keadaan konduksi

sampai

mencapai 0,7 V dengan bias maju (seperti yang ditunjukkan pada gambar 1.31),
baterai

menentang arah konduksi harus muncul dalam rangkaian ekuivalen seperti

yang ditunjukkan pada gambar 1.32. Baterai hanya menentukan bahwa tegangan
perangkat harus lebih besar dari tegangan baterai ambang sebelum konduksi melalui
perangkat kea rah ditentukan oleh dioda ideal dapat dibentuk. Ketika konduksi didirikan
hambatan dari dioda akan menjadi nilai tertentu
Perlu diingat, bahwa bagaimanapun

dalam rangkaian ekuivalen bukan sumber

tegangan independen. Jika voltmeter ditempatkan disebuah dioda terisolasi di bagian

atas bangku laboratorium, pembacaan 0,7 V tidak akan diperoleh. Baterai hanya

merupakan horizontal offset dari karakteristik yang harus dilampaui untuk membangun
konduksi.
Tingkat perkiraan

biasanya dapat ditentukan dari titik operasi tertentu pada

lembar spesifikasi (akan dibahas pada bagian 1.9). Contoh, unttuk diode silicon
semikonduktor, jika

= 10 mA (arus konduksi ke depan untuk dioda) di

=0,8 V, kita

tahu bahwa silicon pergeseran dari 0,7 V diperlukan sebelum karakteristik naik dan

Seperti yang diperoleh pada gambar 1.30

Penyederhanaan Rangkaian Ekuivalen
Untuk sebagian besar aplikasi,hambatan

cukup kecil untuk diabaikan dibandingkan

dengan unsur-unsur lain dari jaringan. Penghapusan

dari rangkaian setara

Gambar 1.33 Disederhanakan rangkaian setara untuk diode silicon semokonduktor

Adalah sama dengan

menyiratkan bahwa karakteristik diode muncul seperti yang

ditunjukkan pada gambar 1.33. Memang, pendekatan ini digunakan dalam analisis
rangkaian semikonduktor seperti yang ditujukan dalam bab 2. Rangkaian ekuivalen
dikuranngi muncul pada gambar yang sama. Menyatakan bahwa bias dioda silicon maju
dalam system elektronik dalam kondisi dc memiliki setetes 0,7 V diatasnya dalam
keadaan konduksi pada setiap tingkat arus dioda (dalam penilaian, tentu saja, tentu saja).

Rangkaian Ekuivalen yang Ideal

Sekarang

yang telah dihapus dari rangkaian ekuivalen mari kita mengambil langkah

lebih lanjut dan menetapkan bahwa 0,7 V tingkat sering dapat diabaikan dibandingkan
dengan tingkat tegangan yang diberikan. Dalam hal ini rangkaian ekuivalen akan
berkurang dengan sebuah dioda ideal seperti yang ditunjukkan pada gambar 1.34
dengan karakteristiknya. Dalam bab 2 kita akan melihat bahwa pendekatan ini sering
dibuat tanpa kerugian yang serius dalam akurasi.
Dalam industry subtitusi populer untuk kata rangkaian setara dioda model diode
model dengan definisi menjadi representasi dari perangkat, objek,system yang ada, dan
sebagainya. Pada kenyataannya, terminology pengganti ini akan digunakan hampir
secara eksklusif dalam bab-bab untuk mengikuti.

Gambar 1.34 Dioda ideal dan karakteristiknya

Tabel Ringkasan
Untuk kejelasan, model diode digunakan untuk berbagai parameter rangkaian dan
aplikasi yang disediakan dalam tabel 1.3 dengan karakteristik linear piecewise-mereka.
Masing-masing akan diselidiki secara lebih rinci dalam bab 2.selalu ada pengecualian
untuk aturan umum, tapi itu cukup aman untuk mengatakan bahwa model setara
disederhanakan akan digunakan paling sering dalam analisis system elektronik
sedangkan dioda ideal sering diterapkan dalam analisis system catu daya dimana
tegangan yang lebih besar ditemui.

1.9 Lembar Spesifika Dioda

Data pada perangkat semikonduktor tertentu biasanya disediakan oleh produsen di salah
satu dari dua bentuk. Paling sering, itu adalah deskripsi yang sangat singkat terbatas
mungkin satu halaman. Jika tidak, itu adalah pemeriksaan menyeluruh karakteristik
menggunakan grafik, tabel karya seni, dan sebagainya. Dalam kedua kasus, ada
potongan khusus dari data yang harus dimasukkan untuk pemanfaatan yang tepat dari
perangkat. Mereka termasuk:
1. Tegangan maju
2. Maksimum
3. Saturasi balik

(pada saat tertentu dan suhu)

maju pada saat suhu tertentu

saat ini pada tegangan dan suhu tertentu

4. Peningkatan tegangan balik (PIV atau PRV atau V BR) dimana BR berasal dari
istilah breakdown pada suhu tertentu
5. Tingkat disipasi daya maksimum pada suhu tertentu pada suhu tertentu
6. Tingkat kapasitansi ( sebagaimana disebutkan dalam persamaan 1.10 )
7. Waktu pemulihan

sebagaimana disebutkan dalam persamaan 1.11

8. Operasi kisaran suhu

Tergantung pada jenis diode sedang dipertimbangkan, data tambahan juga
mungkin disediakan seperti rentang frekuensi tingkat kebisingan waktu beralih
tingkat tahan panas dan nilai-nilai berulang puncak. Untuk aplikasi dalam pikiran
pentingnya data biasanya akan lebih jelas jika daya maksimum atau reting dispasi
juga disediakan dapat dipahami sesuai produk berikut:

(1.10)

Dimana

dan

adalah arus diode dan tegangan pada pengoperasian titik

tertentu
Jika kita menerapkan model sederhana untuk aplikasi tertentu (kejadian umum), kita
dapat menggantikan

= 0,7 V untuk diode silicon pada persamaan (1.10) dan

menentukan disipasi daya yang dihasilkan untuk perbandingan terhadap rating daya
maksimum yaitu,
(1.11)

Chapter 1 Dioda Semikonduktor

Salinan dari data yang diberikan untuk tegangan tinggi/ rendah kebocoran diode muncul
dalam sebuah ara 1.35 dan contoh 1.36. Ini akan memperluas daftar data dan

karakteristik. Penyearah adalah istilah yang diterapkan pada diode bila sering digunakan
dalam proses perbaikan yang akan dijelaskan pada bab 2.

1.9 Lembar spesifikasi Dioda

Keterangan:
a. Dalam tegangan balik minimum untuk sebuah dioda ditetapkan pada saturasi
arus balik
b. Temperatur adalah sbuah karakteristik yang dapat ditandai. Catatan yang
menggunakan derajat celcius dan pemanfaatan rata-rata dari lebarnya (air akan

membeku pada 32 derajat fahrenheit yang setara dengan 0 derajat celcius dan air
mendidih pada 212 derajat fahrenheit yang setara dengan 100 derajat celcius)
c. Energi

maksimum terjadi pada 500 mW. Pengurangan kecepatan power rating

maksimum yaitu 3,33 mW sedikit demi sedikit kenaikan temperatur akan

mencapai suhu ruang yaitu 25 derajat celcius. Hal ini dapat terlihat jelas dari
indikasi kurva power derating
d. Selanjutnya arus maksimumnya yaitu IFmaks= 500 mA (catatan tersebut
menjelaskan tentang perbandingan antara arus maksimum dengan temperatur)
e. Nilai rata-rata Vf pada If= 200 mA. Den gan catatan tegangan VT tidak boleh
melebihi 0,7 volt untuk keduanya
f.

Rata-rata nilai dari Vf pada If = 1,0 mA. Dengan catatan area limitnya berada
dalam 0,7 V

g. Pada VR= 20 V dan operasi temperatur IR= 500 nA = 0,5 A sementara pembesar
tegangan balik IR jatuh pada 5 nA=0,005 A
h. Kapasitas diantara terminal adalah 8pF untuk dioada pada tegangan VR= VD=0V
dengan frekuensi yang dipergunakan adalah 1 MHz
i.

Adanya waktu balik adalah 3 s dalam kondisi operasionalnya.

Dalam kurva digunakan derajat logaritma. Sebuah uraian singkat dari bagian 11.2

akan dibantu dengan pembacaan pada grafik. Dengan catatan gambar dibagian kiri atas
tentang bagaimana kenaikan Vf dari 0,5 volt sampai pada 1 volt sedangkan pada If
kenaikan dari 10 mikro amper sampai keadaan maksimum pada 100 mA. Dibagian
bawah gambr ditemukan saturasi dari arus balik dalam mengubah sedikit kenaikan VR
tetapi kurang dari 1 nA pada suhu kamar pada VR= 125 volt. Sebagai keterangan dari

gambar cukup untuk menaikkan saturasi arus balik dengan menggunakan temperatur
(dengan memberikan hipotesis terlebih dahulu).
Keterangan dibagian atas kanan gambar tentang penurunan kapasitas seiring
dengan kenaikan tegangan bias balik dan keterangan dibawah gambar tertulis
resitansinya (Rd) 1 Ohm pada 100 mA. Dengan kenaikan hambatan sebesar 100 ohm
maka arus akan berkurang setidaknya 1 mA (sebagai bagian dari perencanaan awal).
Dengan rata-rata arus yang diganti, selanjutnya arus puncak akan berulang dan
dilanjutkan puncak gelombang arus dari spesifikasi dari semuanya memberi defenisi
sebagai berikut:
1. Rata-rata arus yang diganti. Separuh gelombang yang diganti (deskripsinya di
bagian 2.8) Iav =0,318 Ipeak adalah rata-rata dari nilai yang didefenisikan. Ratarata dari rating arus adalah pelambat selanjutnya atau puncak gelombang arus
selanjutnya karena separuh gelombang dari bentuk gelombang arus yang seketika
akan memiliki nilai yang tinggi kemudian akan menjadi rata-rata dari nilainya
2. Puncak gelombang arus berikutnya. Yang seketika akan menjadi nilai maksimum
dari gelombang arus ini. Dengan keterangan singkat dari interval waktu pada
keadaan ini akan menjadi pembesar untuk keadaan selanjutnya.
3. Puncak gelombang arus berikutnya. Keadaan ini akan terus berlanjut, kehilangan
fungsinya, dan akan selalu berlangsung. Pada saat itu arus akan membesar
dengan uraian interval waktunya. Penjelasan dari nilai rating maksimum dan
interval waktu untuk gelombang arus.

1.10 Peralihan dan penyebaran kapasitansi

Komponen elektronik tak dapat terpisahkan dengan frekuensi tinggi sebagian besar efek
kapasitif dapat mengabaikan frekuensi rendah disebabkan karena reaktansi Xc= 1/2fC

yang tinggi dalam rangkaian ekuivalen terbuka. Bagaimanapun dalam frekuensi tak dapat
diabaikan reaktansi kapasitif akan menjadi nilai yang seharusnya menjadi cukup kecil
untuk

sebuah

resistansi

rendah.

Pada

dioda

semikunduktor

p-n

yang

akan

mempertimbangkann dua efek kapasitif. Kedua tipe tersebut akan ada pada area balik
selanjutnya, tetapi satu dari kapasitif tersebut akan sangat dipertimbangkan terutama
dari efek yang ditimbulkan untuk area tersebut.
pada area bias balik akan terjadi peralihan atau penipisan pada area kapasitansi sedang
pada area bias selanjutnya akan mengalami penyebaran atau penyimpanan kapasitansi
Persamaan yang mendefenisikan kapasitansi kapasitor dari untuk rangkaian paralel
dan seri adalah C= A/d dimana permitivitif dari dielektrik diantara piringan area A
terpisah dari jarak yang digunakan yaitu d. Dalam area bias balik akan terjadi penipisan.
Selama terjadi penipisan pada lebar d akan terjadi kenaikan dengan kenaikan potesial
bias balik, akan menghasilkan peralihan kapasitansi

akan mengalami pengurangan,

dapat dilihat pada gambar 1.37. hal ini akan membuat kapasitansi akan bergantung pada
penggunaan potensial bias balik pada aplikasi sistem elektronik. Pada pelajaran 20 ini
mengenai dioda akan diperkenalkan operasi dioda secara keseluruhan dalam fenomena
ini.
Walaupun efeknya menggambarkan efek yang dijelaskan di atas, ini juga diteruskan
ke area bias, disertai oleh efek capasitance yang bergantung pada tingkat banyaknya
yang dimasukkan

area luar daerah penipisan. Hasilnya adalah peningkatan arus

dan

terjadi penyebaran kapasitansi. Namun, peningkatan ini pada peningkatan ini akan
menurunkan tingkat resistansi Assosiated, dan waktu yang dihasilkan konstan (

),

dan yang sangat penting dalam aplikasi kecepatan tinggi adalah tidak terjadi kelebihan.

Efek kapasitif dijelaskan di atas diwakili oleh capasitor di parallel dengan

digunakan dioda ideal, seperti yang ditunjukkan pada gambar 1.38. untuk frekuensi
rendah

atau pertengahan frekuensi pada aplikasi. Untuk itu bagaimanapun, kapasitor

biasanya tidak termasuk dalam simbol dioda.

1.11 Pemulihan Waktu Balik

Ada bagian tertentu dari data yang biasanya disediakan pada spesifikasi dioda yang
disediakan oleh produsen. Salah satu kuantitas sehingga belum dianggap belum
merupakan waktu pemulihan terbalik, dilambangkan dengan trr. Dalam keadaan bias
yang diteruskan itu menunjukkan bahwa ada sejumlah besar elektron dalam tipe-p dan
dan diteruskan melalui bahan tipe-n membentuk sejumlah pembawa minoritas di setiap
materi. Jika tegangan yang diberikan harus dibalik untuk membentuk situasi bias balik,
dapat dikatakan bahwa dioda dengan segera dapat berubah dari sifat konduksi ke sifat
nonkonduksi. Namun, karena besar nilai minoritas di masing-masing bahan, dioda saat
ini hanya akan berbalik seperti yang ditunjukkan pada gambar 1.39. dan dapat diukur
pada periode untuk waktu ts (waktu penyimpanan) yang diperlukan sebagai pembawa
minoritas untuk kembali ke area nilai mayoritas pada materi yang berlawanan. Pada
dasarnya, dioda akan tetap dalam keadaan rangkaian sederhana dengan arus I yang

berbalik ditentukan oleh parameter jaringan. Dan ketika fase penyimpanan ini telah
berlalu, kemudian akan mengurangi dayanya untuk berhubungan dengan nonkonduksi.
Periode kedua waktu dilambangkan dengan selang t. Waktu pemulihan untuk berbalik
dari jumlah dua interval tersebut yaitu trr = ts + ti. Tentu, itu merupakan pertimbangan
penting dalam aplikasi berkecepatan tinggi. Kebanyakan dioda memiliki trr dalam kisaran
beberapa nanodetik untuk 1 mikrosekon. Namun, bagaimanapun trr hanya memiliki
beberapa ratus picosecond.

NOTASI DIODA SEBAGAI SEMIKONDUKTOR

Notasi yang paling sering digunakan untuk dioda semikonduktor diberikan dalam
gambar 1.40. Untuk sebagian besar dioda ditandai dengan titik, seperti yang ditunjukkan
pada gambar 1.40, yang muncul di ujung katoda. Anoda dan katoda adalah sisa-sisa dari
notasi vakum. Anoda mengacu pada tinggi atau potensial positif, dan katoda mengacu
pada terminal yang lebih rendah atau negatif. Kombinasi tingkat Bias akan menghasilkan
bias yang akan diteruskan dioda. Dioda sebagai semikonduktor dapat terlihat pada
gambar 1.41. Beberapa spesifikasi dari penyusunan komponen seperti yang terlihat
dalam gambar 1.41 disediakan dalam bab 12 dan 20.

1.13 PENGUJIAN DIODA

Dalam

pengujian

dioda

dilakukan

dengan

memeriksa

fungsi

dioda,

pengujian

menggunaka Ohm meter, dan dengan kurva.

Memeriksa Fungsi Dioda
Sebuah penguji digital dengan memeriksa kemampuan dioda seperti yang
tampak pada gambar 1.42. Dengan memperhatikan simbol dioda akan diketahui bahwa
dialnya berputar. Bila diatur dalam posisi tertentu dan terhubung seperti yang
ditunjukkan pada gambar 1.43a, dioda harus dalam pada area dan layar akan
memberikan indikasi tegangan

bias yang diteruskan yaitu 0,67 V dan memiliki arus

konstan internal (sekitar 2 mA) yang akan menentukan tingkat tegangan seperti yang
ditunjukkan dalam gambar 1.43b. indikasi OL dengan hookup dari gambar 1.43a terbuka
berarti dioda telah rusak. Jika lead dibalik, indikasi OL harus menghasilkan rangkaian

terbuka sederhan untuk dioda. Oleh karena itu, indikasi OL merupakan cara untuk
mengetahui apakah dioda rusak atau masih baik.

Pengujian dengan Ohm meter

Pada bagian 1.7 dapat diketahui bahwa resistansi bias yang diteruskan dioda
semikonduktor cukup rendah dibandingkan dengan tingkat bias balik. Oleh karena itu,
jika kita mengukur resistansi dari dioda menggunakan hubungan yang ditunjukkan dalam
gambar 1.44a,. Indikasi ohmmeter yang dihasilkan akan menjadi fungsi dari arus yang
ditetapkan melalui dioda dengan baterai internal (1,5 V) dari rangkaian ohmmeter.
Kemudian resistansinya akan berkurang. Untuk situasi bias balik skala yang dibaca adalah

yang memiliki resistansi yang tinggi yang terlihat pada alat ukur, seperti yang
ditunjukkan dalam gambar 1.44b. Resistansi tinggi yang terbeca menunjukkan kondisi
terbuka (cacat perangkat) sementara resistansi yang sangat rendah dengan membaca
kedua arah mungkin akan menunjukkan perangkat yang korsleting.
Dengan Menggunakan Kurva
Kurva pada gambar 1.45 dapat menampilkan karakteristik komponen-komponen lain
yang sejenis, termasuk dioda semikonduktor. Dengan ini dapat dihubungkan dioda untuk
panel uji di bagian tengah bawah dengan menyesuaikan kontrolnya, yang terlihat pada
gambar 1.46.

Dapat diketahui bahwa skala vertikal adalah 1 mA / div. Dan untuk sumbu horisontal
skala adalah 100 mV / div. Untuk kondisi 2-mA seperti yang didefinisikan untuk sebuah
DDM, tegangan yang dihasilkan akan berkisar pada 625 mV = 0,625 V. Meskipun pada
awalnya terlihat cukup kompleks, instruksi manual dan beberapa paparan akan diketahui
bahwa hasil yang diinginkan biasanya dapat diperoleh tanpa jumlah yang berlebih antar

usaha dan waktu. Kondisi yang sama akan muncul lebih dari satu kali untuk mengetahui
karakteristik dari berbagai komponen.

DIODA ZENER

Pada area zener dapat dilihat pada gambar 1.47 dibahas secara rinci dalam bagian 1.6.
Penurunan karakteristik pada potensi bias balik disimbolkan
dengan Vz. Dapat dilihat bahwa kurva turun ke bawah dan jauh
dari sumbu horisontal dan menuju ke area VD menjelaskan zener
memiliki arah yang berlawanan dengan sebuah dioda bias.Wilayah
karakteristik unik yang digunakan dalam desain dioda zener,
memiliki simbol grafis yang terlihat dalam gambar 1.48a. Kedua
dioda

semikonduktor

dan

dioda

zener

ditampilkan

secara

berdampingan dalam gambar 1.48 untuk memastikan bahwa arah

konduksi masing-masing jelas dipahami bersama-sama dengan
polaritas yang diperlukan dari tegangan yang diberikan. Untuk dioda semikonduktor

akan mendukung arus ke arah panah yang terlihat dalam simbol. Untuk dioda zener arah
konduksi berlawanan dengan panah di simbol seperti yang ditunjukkan dalam pengantar
untuk bagian ini. Perhatikan juga bahwa polaritas VD dan VZ adalah sama seperti yang
akan diperoleh jika masing-masing adalah elemen resistif. Lokasi daerah zener dapat
dikontrol dengan memvariasikannya. Dioda Zener memiliki potensi zener dari 1,8-200 V
dengan rating daya dari hingga 50 W. Karena suhu yang lebih tinggi dan kemampuan
saat ini, silikon biasanya disukai dalam pembuatan dioda zener. Rangkaian ekuivalen
lengkap dioda zener di area zener termasuk resistansi dan baterai DC kecil sama dengan
potensi zener, seperti yang ditunjukkan pada gambar 1.49. Namun, hal itu akan dianggap
sebagai bahwa resistor eksternal jauh lebih besar dan besarnya setara dengan zener
pada rangkaian ekuivalen yang ditunjukkan dalam gambar 1.49b. Gambar

tersebut

sebagai area zener yang dapat dilihat dalam gambar 1.50, adapun untuk deskripsi dari
zener dapat terlihat dalam tabel 1.4 untuk 10 V, 500 mW, dioda 20%. Kemudian terkait
dengan VZ yang menunjukkan bahwa itu adalah nilai rata-ratanya, dengan 20% dioda,
maka nilai zener adalah 10 V

20%.

Tabel 1.4 Komponen elektronik (diukur pada temperatur 25 )

Nilai

Arus,

Hambatan

Hambatan

Tegang

Teganga

Pengatur

Koefisien

teganga

(IZT)

maksimum

tengah

an

arus

temperatur

n pada

, ZZT pada

maksimum

balik

zener,

IZT

ZZK pada IZK

maksi

()

() (mA)

mum,

IZM

VZ

(mA)

(V)

VR

IR pada

maksimu

(V)

mA

7,2

32

%/

VR
(
10

12,5

8,5

700 0,25

)
10

+0,072

atau dari 8 hingga 12 V batas pemakaian. juga terdapa 10 % dan 5% dioda dengan
spesifikasi yang sama. pengujian arus Izt

adalah arus yang didefenisikan 1/4 tingkat

kemampuannya, dan Zzt merupakan impedansi dinamis pada tingkat arus tersebut.
impedansi setengah maksimum terjadi saat tengah arus dari Izk. batas ketahanan arus
balik merupakan syarat pada tingkat potensial tertentu dan Izm merupakan arus
maksimum pada 20 %.
keofisien temperatur menggambarkan

perubahan persentase pada Vz dengan

temperatur. dapat dirumuskan

(

Dimana

(1.12)
merupakan hasil perubahan dari diode zener untuk berbagai

temperatur. gambar pada 1.51a adalah koefisien temperatur yang dapat menjadi positif,
negatif bahkan nol untuk tingkat zener yang berbeda . nilai positif akan menghasilkan
peningkatan nilai pada Vz terhadap kenaikan temperatur. sedangkan nilai negatif akan
menghasilkan penurunan nilai terhadap kenaikan temperatur. 24 v, 6,8 v dan 3,6 v
tingkat mengacu pada tiga dioda zner memiliki nominal yang sama dalam kelompok
dioda zner. kurva untuk zener 10 v secara langsung akan berada di antara kurva dari 6,8

v Dan 24 v. pada persamaan (1,12). T0 adalah suhu di mana Vz ( suhu kamar 250) Dan
T adalah tingkat yang baru. Contoh 1.3 akan diselesakan menggunakan persamaan (1.12)
karakteristik

listrik

untuk

1V0-500mV

dioda

zener

contoh:
tentukn tegangan nominal untuk dioda zener dari tabel 1.4 pada temperature 100C
penyelesaian:
dari persaman (1.12)
)

1.14 dioda zener

subtitusi nilai dari hasil tabel 1.4

(

)(

)(

v
dan karena, koefisien temperatur postif, petensial zener baru didefenisika sebagai V'z
adalah
V'z= Vz+ 0,54
10,54 V

Jenis impedansi dinamis (fundamental, resistansi seri) dengan arus yang tampak
pada gambar 1.51 b. zener 10 v kembali muncul antara zener 6,8 V dan 24 V. Perlu
dicatat bahwa arus yang lebih kuat (atau lebih jauh ke kenaikan vertikal dapat dilihat
pada gambar 1.47) nilai resistansi lebih sedikit . Juga dicatat bahwa ketika garis turun di
bawah pertengahan kurva, hambatan meningkat secara signifikan.
identifikasi terminal dan Penutup untuk berbagai dioda zener terdapat pada
gambar. 1.52. gambar

1.53 merupakan

sebuah foto yang sebenarnya dari berbagai

komponen zener. Perlu dicatat bahwa wujud dioda zener sangat mirip dengan dioda
semikonduktor. Beberapa aplikasi untuk dioda zener dapat dilihat bab 2

1.15 LIGTH EMITTING DIODE

Meningkatnya Penggunaan tampilan kalkulator digital, jam tangan, dan segala
bentuk alat elektronik lainnya telah memberikan kontribusi keuntungan yang besar saat

ini yang akan memancarkan cahaya ketika bias benar. Dua jenis yang umum digunakan
saat ini yang memiliki fungsi memancarkan adalah dioda cahaya (LED) dan layar kristal
cair (LCD) . Sejak LED merupakan bagian dalam kelompok komponen p-n Junction dan
terdapat pada beberapa bab berikutnya, LED akan dijelaskan pada bab ini. Layar LCD
akan dijelaskan pada bab 20.
Seperti namanya, LED merupakan dioda yang akan memancarkan cahaya tampak
ketika memilik energi. Biasanya pada bagian depan bias p-n junction ini berada , dalam
susunannya dan pada bagian belakang junction, gabungan dari lubang dan elektron. .
Gabungan ini memerlukan energi masukan dari elektron bebas yang akan ditransfer ke
tempat lain.

Dalam semua semikonduktor pn junction, sebagian energi ini akan

dilepaskan sebagai panas dan beberapa dalam bentuk foton. dalam silikon dan
germanium persentase yang lebih besar diberikan dalam bentuk panas dan cahaya yang
dipancarkan sedikit. Dalam bahan lain, seperti gallium arsenide phosphide (GaAsP) atau
galium phospide (GaP), jumlah foton energi cahaya dipancarkan cukup untuk membuat
sumber cahaya sangat terang.

proses pemberian pemancaran cahaya dengan menerapkan sumber listrik dari energi ini
disebut electroluminescence
seperti yang ditunjukkan pada gambar fig.1.54 dengan simbol grafis, permukaan
konduksi terhubung ke materi p yang lebih kecil, untuk memungkinkan munculnya
jumlah maksimum foton energi cahaya.Ppada gambar ini gabungan dimasukkan
sehingga mengakibatkan hasil di bagian depan-bias cahaya yang dipancarkan di tempat
gabungan terjadi.. Mungkin ada, tentu saja, ada beberapa penyerapan

energi foton

dalam susunan itu sendiri, tapi persentase yang sangat besar sehingga dapat diabaikan,
seperti yang ditunjukkan pada gambar

fig. 1.54

Tampilan dan karakteristik dari miniatur efisiensi tinggi lampu solid- yang
diproduksi oleh Hewlett-packard pada gambar 1.55.

Perhatikan pada gambar. 1.55.b

pada puncak arus adalah 60 mA, dengan 20 mA, rata-rata arus saat ini. Kondisi
pengujian yang tercantum dalam gambar. 1.55.c, , adalah untuk arus meningkat dari 10
mA. Tingkat Vd dalam kondisi maju-bias terdaftar sebagai Vf dan membesar dari 2.2 v - 3
V.

Dengan kata lain, kita dapat melakukan operasi

10 mA pada 2,5 V untuk emisi

cahaya yang baik.

Namun jumlah keduanya terdefenisi

dapat terlihat dibawa,

Karakteristik

listrik/optikal pada TA= 25C . Keduanya adalah aksial bercahaya intensitas (IV) dan
keberhasilan bercahaya ( v). Intensitas cahaya diukur dalam candela. Satu candela
memancarkan fluks cahaya dari 4 ohm lumens dan membentuk ilumination dari 1 kaki
cahaya pada area 1-ft 1 kaki dari sumber cahaya. Meskipun deskripsi ini mungkin tidak

memberikan pemahaman yang jelas tentang candela sebagai satuan ukuran, namun
dapat dibandingkan antara tingkat komponen sejenis. istilah effisiasi didefenisikan
sebagai, ukuran kemampuan komponen untuk menghasilkan efek yang diinginkan. untuk
LED ini adalah rasio jumlah lumen per watt yang dihasilkan pada penggunaan energi
listrik. efisiensi relatif didefinisikan oleh intensitas cahaya per unit saat ini, seperti yang
ditunjukkan pada 1.55.d.
karena LED adalah komponen pn junction, sehingga LED

memiliki karakteristik

depan-bias (fig1.55.e) yang mirip dengan kurva respon dioda. perhatikan peningkatan
dalam intensitas cahaya hampir menunjukkan garis lurus (gambar 1,5 f.) Gambar 1.55.h,
menyatakanbahwa semakin lama durasi getaran pada frekuensi paricula, semakin rendah
arus puncak yang diinginkan (setelah melewati nilai batas dari tp). Gambar 1.55 i
menatakan bahwa intensitas sederhanamemiliki

intensitas lebih besar pada 0 (atau

diatasnya) dan paling sedikit pada 90 (Jika melihat komponen disamping)

fig. 1.55

Gambar. 1.55.

Miniatur kecil Hewlett-Packard, efisiensi tinggi lampu padat merah (a)

bentuk, (b) nilai absolut maksimum; (c) listrik / karakteristik optik; (d) intensitas cahaya
relatif terhadap panjang gelombang; (e) arus terusan

terhadap tegangan erusan ; (f)

intensitas cahaya relatif terhadap terusan saat ini; (g) efisiensi relatif dibandingkan
puncak arus; (h) maksimum saat puncak dengan durasi pulsa; (i) intensitas cahaya relatif
terhadap perpindahan sudut

Layar LED yang ada saat ini dalam berbagai ukuran dan bentuk yang berbeda. Daerah
yang memancarkan cahaya memiliki panjang dari 0,1 sampai 1 In. . Nila dapat dibuat

oleh bagian seperti yang ditunjukkan pada gambar. 1.56. dengan menerapkan bias maju
dengan jenis p bagian bahan yang tepat, sejumlah dari 0 sampai 9 dapat ditampilkan

Ada juga dua-lead lampu LED yang berisi dua LED, sehingga kebalikan bias akan
berubah warna dari hijau menjadi merah, atau sebaliknya. LED saat ini tersedia dalam
warna merah, hijau, kuning, oranye, dan putih,dengan biru akan segera tersedia secara
komersial. Secara umum, LED beroperasi pada tingkat tegangan 1,7-3,3 V, yang
membuat LED benar-benar cocok pada tempat rangkaiannya.

LED memiliki cepat waktu

respon (nanodetik) dan memberikan perbedaan rasio yang baik untuk jarak penglihatan.
Kekuatan persyaratan biasanya 10-150 mW dengan seumur hidup 100,000+jam. LED
konstruksi semikonduktor menambahkan faktor kekasaran yang signifikan.
1.16 Susunan Dioda-Rangkaian terpadu
Karakteristik unik dari rangkaian terpadu akan dikenalkan dalam Bab 12. Namun, telah
mencapai

batasan

yang

luas

di

pengantar

ini

memungkinkan setidaknya pemeriksaan permukaan

rangkain tepadu

ke

rangkaian

elektronik

yang

susunan dioda dalam kelompok

Anda akan menemukan bahwa rangkaian terpadu bukan sebuah

komponen yang unik dengan karakteristik yang sama sekali berbeda dengan yang tIni
hanyalah sebuah Teknik kemlah kita kaji sebelumnya pada bagian pengantar. asan yang
memungkinkan penurunan yang signifikan dalam ukuran sistem elektronik. Dengan kata
lain, internal ke rangkaian terpadu adalah sistem dan komponen diskrit yang tersedia
jauh sebelum rangkaian terpadu seperti yang kita kenal sekarang menjadi asli

Satu susunan yang mungkin muncul pada Gambar. 1,57. Perhatikan bahwa delapan
dioda internal untuk susunan dioda. Artinya, dalam tempat yang ditunjukkan pada
Gambar. 1.58 terdapat dioda yang diatur dalam satu jenis silikon yang memiliki semua
anoda terhubung ke pin 1 dan katoda dari masing-masing untuk pin 2 sampai 9.
Perhatikan pada gambar yang sama bahwa pin 1 dapat ditentukan sebagai ke kiri
tonjolan kecil dalam kasus jika kita melihat dari bawah ke arah kasus ini. Angka-angka
lain kemudian mengikuti urutan. Jika hanya satu dioda akan digunakan, maka hanya pin
1 dan 2 (atau sejumlah 3-9) akan digunakan. Dioda yang tersisa akan dibiarkan
menggantung dan tidak mempengaruhi jaringan pada pin 1 dan 2 yang terhubung.
susunan dioda yang lain nampak pada Gambar. 1,59 (lihat halaman 44). Dalam hal ini
paket berbeda tetapi urutan penomoran muncul dalam garis besarnya. Pin 1 adalah pin
langsung di atas lekukan kecil ketikakita melihat ke bawah pada komponen

1.17 PSPICE WINDOWS

Komputer saat ini telah menjadi suatu bagian kesatuan dari industri elektronik yang
kemampuan kerja "alat" ini harus diketahui sejak dini. Bagi siswa yang tidak memiliki
pengalaman menggnakan komputer sebelumnya pada umumnya memiliki ketakutan
awal sistem yang kuat tampaknya rumit ini. Dengan mengingat komputer ini analisis
buku

ini

dirancang

untuk

membuat

sistem

komputer

lebih

"ramah"

dengan

mengungkapkan relatif mudah dengan yang dapat diterapkan untuk melakukan

beberapa sangat bantuan

Tugas yang banyak dan khusus dalam jumlah waktu minimum dengan tingkat
akurasi yang tinggi. Isinya ditulis dengan asumsi bahwa pembaca tidak memiliki
pengalaman komputer sebelumnya atau paparan istilah yang akan diterapkan. Ada juga
saran bahwa isi buku ini cukup untuk memungkinkan pemahaman yang lengkap tentang
bagaimana dan mengapa yang akan muncul. Tujuannya di sini adalah semata-mata
untuk

memperkenalkan

beberapa

istilah,

membahas

beberapa

hal

kemampuan,

mengungkapkan kemungkinan yang tersedia, menyentuh pada beberapa keterbatasan,

dan menunjukkan fleksibilitas dengan sejumlah contoh yang dipilih dengan cermat.
Secara umum, analisis komputer dari sistem elektronik dapat mengambil salah
satu dari dua pendekatan: menggunakan bahasa seperti BASIC, fortran, pascal, atau C;
atau pemanfaatan paket perangkat lunak seperti PSpice, Microcap II, papan tempat
memotong roti, atau sirkuit utama, untuk beberapa nama. Sebuah Bahasa, melalui notasi
simbolik, membentuk jembatan antara pengguna dan komputer yang memungkinkan
dialog antara dua untuk mendirikan operasi untuk dilakukan.

Di edisi sebelumnya teks ini, bahasa yang dipilih adalah BASIC, terutama karena
menggunakan sejumlah kata dan frasa fimiliar dari bahasa Inggris yang dalam diri
mereka mengungkapkan operasi yang akan dilakukan. Ketika bahasa digunakan untuk
menganalisis sistem, program dikembangkan secara berurutan yang mendefinisikan
operasi yang akan dilakukan dalam banyak urutan yang sama dengan analisis yang kita
lakukan dalam tulisan tangan. Seperti dengan tulisan tangan, satu langkah salah hasil
yang diperoleh seluruhnya tidak berarti. Program biasanya berkembang dengan waktu
dan aplikasi sebagai jalur yang lebih efisien terhadap solusi yang jelas. Sekali didirikan
dalam bentuk "terbaik"

katalog dapat dugunakan untuk penggunaan masa depan.

Keuntungan penting dari pendekatan bahasa adalah bahwa program dapat disesuaikan
untuk memenuhi semua kebutuhan khusus dari pengguna. Hal Itu memungkinkan kreasi
"bergerak" dengan pengguna yang dapat menghasikan hasil cetak data secara informatif
dan menarik.
Dengan pendekatan alternatif tersebut di atas menggunakan paket perangkat
lunak untuk melakukan penyelidikan yang diinginkan. Paket perangkat lunak adalah
program yang ditulis dan diuji selama periode waktu yang dirancang untuk melakukan
jenis tertentu analisis sintesis dengan cara yang efisien dengan tingkat akurasi yang
tinggi.

Paket itu sendiri tidak dapat diubah oleh pengguna, dan aplikasinya
terbatas pada operasi yang dimasukan ke dalam sistem. Seorang pengguna harus
menyesuaikan

atau

keinginannya

untuk

informasi

keluaran

dengan

berbagai

kemungkinan yang ditawarkan oleh paket. Selain itu, pengguna harus memasukan
Informasi data seperti yang diminta oleh paket atau data dapat disalahartikan.
Paket perangkat lunak yang dipilih untuk buku ini adalah PSpice. * PSpice saat ini

tersedia dalam dua bentuk: DOS dan Windows. Meskipun Format DOS yang
pertama kali diperkenalkan, versi Windows Ost yang populer saat ini. Versi
windows yang digunakan dalam teks 8.0, terbaru yang tersedia. Sebuah foto dari
paket pusat desain yang lengkap muncul pada Gambar. 1.60 dengan versi 8.0
CD.ROM. juga tersedia dalam 3,5 disket. Sebuah versi yang lebih canggih disebut
hanya sebagai SPICE adalah menemukan aplikasi luas dalam industri.

Secara keseluruhan karena itu, paket perangkat lunak yang "dikemas"

untuk melakukan serangkaian spesifik perhitungan dan operasi dan memberikan
hasil

dalam

format

yang

ditetapkan.

perkembangan yang luas namun juga

Bahasa

memungkinkan

tingkat

untuk mendapatkan manfat yang besar

dari pengujian dan penelitian biasanya ditujukan untuk pengembangan paket

"terpercaya". Pengguna harus menentukan pendekatan yang paling sesuai dengan

kebutuhan saat ini. Jelas, jika paket itu ada untuk analisis atau sintesis, itu harus
dipertimbangkan sebelum beralih ke banyak waktu yang dibutuhkan untuk

mengembangkan, program yang efisien yang dapat diandalkan. Selain itu,

seseorang dapat memperoleh data yang diperlukan untuk analisis tertentu dari
paket perangkat lunak dan kemudian beralih ke bahasa untuk menentukan
format keluaran. Dalam banyak hal, kedua pendekatan berjalan beriringan. jika
ada yang bergantung pada analisis komputer secara berkelanjutan, pengetahuan
tentang penggunaan dan batas-batas kedua bahasa dan paket perangkat lunak
adalah sebuah kebutuhan. pilihan bahasa atau paket perangkat lunak untuk
menjadi akrab dengan bahasa lain dan paket perangkat lunak. Ada kesamaan
dalam tujuan dan prosedur yang huruf transisi dari satu pendekatan yang lain.
Bila menggunakan Pspice Windows, jaringan pertama ditarik pada layar
diikuti dengan analisis ditentukan oleh kebutuhan pengguna. teks ini akan
menggunakan Versi 8.0, meskipun perbedaan antara versi ini dan versi Windows
sebelumnya begitu sedikit dan relatif kecil untuk tingkat aplikasi yang satu tidak
harus peduli jika menggunakan edisi sebelumnya. Langkah pertama, tentu saja,
adalah untuk menginstal PSpice ke dalam hard-disk Bab 46 1 Semiconductor Dioda p n
memori komputer Anda mengikuti petunjuk yang diberikan oleh MicroSim. Selanjutnya,

layar skema harus diperoleh dengan menggunakan mekanisme kontrol seperti

Windows 95. Setelah dibentuk, elemen-elemen jaringan harus diperoleh dan
ditempatkan pada layar untuk membangun jaringan. Dalam hal ini, prosedur
untuk setiap elemen akan dijelaskan setelah diskusi tentang karakteristik dan
analisis masing-masing perangkat.

Karenakita baru saja selesai meliput dioda secara rinci, prosedur untuk
menemukan dioda disimpan di perpustakaan akan diperkenalkan bersama dengan
metode untuk menempatkan mereka di layar. Bab berikutnya akan memperkenalkan
prosedur untuk menganalisis jaringan lengkap dengan dioda menggunakan PSpice. Ada
beberapa cara untuk melanjutkan, tapi jalan yang paling langsung adalah dengan
mengklik simbol gambar dengan teropong di kanan atas layar skema. Anda membawa
penanda dekat kotak menggunakan mouse, pesan Get New Part akan ditampilkan. klik
kiri pada simbol dan Bagian Browser kotak dialog bassic akan muncul. Dengan memilih
Perpustakaan, kotak dialog Browser Perpustakaan akan muncul dan perpustakaan
EVAL.slb harus dipilih. Ketika dipilih, semua komponen yang tersedia di perpustakaan ini
akan muncul dalam daftar Bagian. Selanjutnya, gulir daftar bagian dan memilih te
D1N4148 dioda. hasilnya adalah bahwa Nama bagian akan muncul di atas dan
keterangan akan menunjukkan itu adalah dioda. Sekali diatur, klik OK dan kotak dialog
Basic Part Browser akan muncul kembali dengan review ful elemen yang dipilih. untuk
menempatkan perangkat pada layar dan menutup kotak dialog, cukup klik pada tempat
& Tutup pilihan. hasilnya adalah bahwa dioda yang akan muncul di layar dan dapat
diletakkan di tempat dengan klik kiri mouse. Setelah ditempatkan, dua label akan
ditampilkan yang menunjukkan bagaimana setiap dioda telah ditempatkan (D1, D2, D3,
dan sebagainya) dan yang lain nama dioda yang dipilih (D1N4148). Dioda yang sama
dapat ditempatkan di tempat lain pada layar yang sama hanya dengan menggerakkan
pointer dan kiri mengklik mouse. proses dapat berakhir dengan klik kanan pada mouse
tersebut. Salah satu dioda dapat dihilangkan hanya dengan mengklik pada mereka untuk
membuat mereka merah dan menekan tombol Delete. Jika pilihan, Edit pilihan menu bar
di bagian atas layar juga dapat dipilih, diikuti dengan menggunakan perintah Delete.

Jalan lain untuk memperoleh elemen adalah memilih Menggambar pada menu
bar, diikuti oleh Get New Part. sekali dipilih, Bagian Browser kotak dialog Bassic akan
muncul seperti sebelumnya dan prosedur yang sama dapat diikuti. sekarang kita tahu
dioda D1N4148 ada, itu dapat diperoleh secara langsung satu kotak dialog Basic Part
Browser muncul. Cukup ketik D1N4148 dalam kotak nama Bagian, diikuti oleh Tempat &
Tutup, dan dioda akan muncul di layar.
Jika dioda harus dipindahkan, cukup klik kiri pada sekali, sampai berubah merah.
kemudian klik lagi dan tahan clicker bawah pada mouse. Pada saat yang sama,
memindahkan dioda untuk setiap lokasi yang Anda inginkan, dan, ketika diatur, naikkan
clicker. Ingat bahwa apapun merah dapat dioperasi. untuk menghapus status merah,
cukup menghapus pointer dari elemen dan klik sekali. dioda akan berubah berubah

menjadi hijau dan biru menunjukkan bahwa lokasi dan informasi yang terkait
diatur dalam memori. Untuk semua hal di atas dan untuk bab untuk mengikuti,
jika Anda kebetulan memiliki amonochromatic (hitam-andwhite) layar, Anda akan
hanya harus ingat apakah perangkat dalam tempat aktif. Jika label atau
parameter dioda yang harus diubah, cukup klik pada elemen sekali (untuk
membuatnya merah) dan pilih Edit, diikuti oleh Model. Sebuah kotak dialog Edit
Model akan muncul dengan pilihan mengubah referensi Model (D1N4148), teks
yang terkait dengan masing-masing parameter, atau parameter yang menentukan
karakteristik dioda.
Seperti disebutkan di atas, komentar tambahan mengenai penggunaan
dioda akan dilakukan dalam bab-bab selanjutnya. Untuk saat ini, kita setidaknya
mengetahui bagaimana menemukan dan menempatkan elemen pada layar. Jika

waktu memungkinkan, meninjau unsur-unsur lain yang tersedia dalam berbagai

perpustakaan untuk mempersiapkan diri menyelesaiakan pekerjaan.

SOAL
1.2 Dioda Ideal
1. Jelaskan dengan kata-kata Anda sendiri arti dari kata ideal seperti yang diterapkan
ke perangkat atau sistem.
2. Jelaskan dengan kata-kata Anda sendiri karakteristik dioda ideal dan bagaimana
mereka

menentukan

dan mematikan kondisi perangkat. Artinya, menjelaskan mengapa arus pendek dan
setara sirkuit terbuka sesuai.
3. Apa satu perbedaan penting antara karakteristik saklar sederhana dan diode ideal ?
1.3 Bahan Semikonduktor
4. Dengan kata Anda sendiri, menentukan semikonduktor, resistivitas, hambatan
sebagaian, dan resistansi kontak ohmik.
5. (a) menggunakan Tabel 1.1, menentukan resistensi dari sampel silikon yang memiliki
luas

dan

panjang 3 cm.
(b) Ulangi bagian (a) jika panjangnya 1 cm dan luas 4 cm2.
(c) Ulangi bagian (a) jika panjangnya 8 cm dan luas 0,5 cm2.
(d) Ulangi bagian (a) untuk tembaga dan bandingkan hasilnya.
6. Gambarkan struktur atom tembaga dan mendiskusikan mengapa itu adalah
konduktor yang baik dan bagaimana struktur berbeda dari germanium dan silikon.

7. Dengan kata Anda sendiri, menentukan bahan intrinsik, koefisien temperatur negatif,
dan

kovalen

ikatan.
8. Konsultasikan perpustakaan referensi dan daftar tiga bahan yang memiliki koefisien
suhu

negatif

dan tiga yang memiliki koefisien temperatur positif.

1.4 Tingkat Energi
9. Berapa banyak energi dalam joule diperlukan untuk memindahkan muatan dari 6 C
melalui perbedaan potensial dari 3 V?
10. Jika 48 eV energi yang dibutuhkan untuk memindahkan muatan melalui beda
potensial 12 V, menentukan biaya yang terlibat.
11. Konsultasikan perpustakaan referensi Anda dan menentukan tingkat Misalnya untuk
GaP dan ZnS, dua semikonduktor bahan nilai praktis. Selain itu, menentukan nama yang
tertulis untuk setiap materi.
1.5 ekstrinsik Bahan-n dan p-Type
12. Jelaskan perbedaan antara tipe-n dan tipe-p bahan semikonduktor.
13. Jelaskan perbedaan antara donor dan akseptor kotoran.
14. Jelaskan perbedaan antara mayoritas dan minoritas operator.
15. Sketsa struktur atom silikon dan memasukkan pengotor arsenik seperti yang
ditunjukkan untuk silikon pada Gambar. 1.9.
16. Ulangi Soal 15 tetapi memasukkan pengotor indium.
17. Konsultasikan perpustakaan referensi Anda dan menemukan penjelasan lain dari
lubang dibandingkan aliran elektron. Menggunakan kedua deskripsi, menjelaskan dalam
kata-kata Anda sendiri proses lubang konduksi.

1.6 Semiconductor Diode

18. Jelaskan dengan kata-kata Anda sendiri kondisi yang ditetapkan oleh majudan kondisi bias mundur pada pn dioda dan bagaimana arus yang dihasilkan
dipengaruhi.
19. Jelaskan bagaimana Anda akan ingat maju-mundur dan bias negara bagian
pn dioda. Artinya, bagaimana Anda akan ingat yang potensial (positif atau
negatif) yang diterapkan pada terminal yang?
20. Menggunakan Persamaan. (1.4), menentukan arus dioda pada 20 C untuk
dioda silikon dengan Is? 50 nA dan bias maju diterapkan dari 0,6 V.
21. Ulangi Soal 20 untuk T? 100 C (titik didih air). Asumsikan bahwa Is telah
meningkat menjadi 5.0 A.
22. (a) Menggunakan Persamaan. (1.4), menentukan arus dioda pada 20 C untuk
dioda silikon dengan Is? 0.1 A pada potensi reverse-bias? 10 V.
(b) Apakah hasil yang diharapkan? Mengapa?
23. (a) Plot fungsi y? ex untuk x dari 0 hingga 5.
(b) Berapakah nilai dari y? ex pada x? 0?
(c) Berdasarkan hasil bagian (b), mengapa faktor? 1 penting dalam Pers. (1.4)?
24. Di wilayah reverse-bias arus saturasi dari dioda silikon adalah sekitar 0,1 A (T?
20

C).

Tentukan nilai perkiraan apabila suhu meningkat 40 C.

25. Bandingkan karakteristik silikon dan dioda germanium dan menentukan Anda
akan

memilih untuk menggunakan untuk aplikasi yang paling praktis. Memberikan

beberapa rincian. Mengacu pada daftar dari produsen dan membandingkan
karakteristik germanium dan dioda silikon maksimum yang sama peringkat.
26. Tentukan drop tegangan maju melintasi dioda yang karakteristik muncul pada
Gambar.

1.24

pada suhu? 75 C, 25 C, 100 C, dan 200 C dan arus 10 mA. Untuk setiap
suhu,
menentukan tingkat kejenuhan saat ini. Bandingkan ekstrem masing-masing dan
komentar
pada rasio dari dua.

1.7 Tingkat Perlawanan

27. Tentukan resistensi statis atau dc dari dioda tersedia secara komersial pada
Gambar. 1,19 di depan sebuah arus 2 mA.
28. Ulangi Soal 26 pada arus maju dari 15 mA dan membandingkan hasil.
29. Tentukan resistensi statis atau dc dari dioda tersedia secara komersial pada
Gambar. 1,19 pada reverse tegangan? 10 V. Bagaimana dibandingkan dengan
nilai yang ditentukan pada tegangan kebalikan dari ? 30 V?
30. (a) Tentukan dinamis (ac) perlawanan dari dioda Gambar. 1,29 pada arus maju
dari
mA menggunakan Persamaan. (1.6).

10

(b) Tentukan dinamis (ac) perlawanan dari dioda Gambar. 1,29 pada arus
maju

dari

10

mA menggunakan Persamaan. (1.7).

c) Bandingkan solusi bagian (a) dan (b).
31. Hitung dc dan ac perlawanan untuk dioda Gambar. 1,29 pada arus maju dari
10

mA

dan

membandingkan besaran mereka.

32. Menggunakan Persamaan. (1.6), menentukan resistensi ac pada arus dari 1
mA

dan

15

mA

untuk

dioda

Gambar.

1.29.

Bandingkan

solusi

dan

mengembangkan kesimpulan umum mengenai resistensi ac dan meningkatkan

tingkat arus dioda.
33. Menggunakan Persamaan. (1.7), menentukan resistensi ac pada arus dari 1
mA dan 15 mA untuk dioda Gambar. 1.19. Memodifikasi persamaan yang
diperlukan untuk tingkat rendah dioda saat ini. Bandingkan dengan solusi
diperoleh pada Soal 32.
34. Tentukan resistansi ac rata-rata untuk dioda Gambar. 1,19 untuk wilayah
antara

0,6

dan

0,9 V.
35. Tentukan resistensi ac untuk dioda Gambar. 1,19 sebesar 0,75 V dan
dibandingkan dengan rata-rata ac resistensi yang diperoleh pada Soal 34.

1.8 Diode Sirkuit Equivalent

36. Cari rangkaian ekuivalen piecewise-linear untuk dioda Gambar. 1.19. Gunakan
segmen garis lurus yang memotong sumbu horizontal pada 0,7 V dan terbaik
mendekati kurva untuk daerah lebih besar dari 0,7 V.
37. Ulangi Soal 36 untuk dioda Gambar. 1.29. masalah 49 p n

1.9 Diode Spesifikasi Lembar

*38. Plot JIKA dibandingkan VF menggunakan skala linear untuk dioda Gambar.
1,36. Perhatikan bahwa grafik yang disediakan mempekerjakan skala log untuk
sumbu vertikal (log timbangan yang dibahas dalam bagian 11.2 dan 11.3).
39. Komentar pada perubahan tingkat kapasitansi dengan peningkatan potensi
reverse-bias untuk dioda Gambar. 1,36.
40. Apakah arus saturasi kebalikan dari dioda Gambar. 1,36 perubahan signifikan
dalam besarnya untuk potensi reverse-bias dalam kisaran? 25 sampai? 100 V?41.
Untuk dioda Gambar. 1,36 menentukan tingkat IR pada suhu kamar (25 C) dan
mendidih
itik air (100 C).
*41.Apakah perubahan signifikan? Apakah tingkat hampir dua kali lipat untuk
setiap 10 C peningkatan suhu?
42. Untuk dioda Gambar. 1,36 menentukan ac maksimum (dinamis) hambatan
pada

arus

maju

0,1, 1,5, dan 20 mA. Bandingkan tingkat dan mengomentari apakah hasil
mendukung kesimpulan diturunkan dalam bagian awal bab ini.

43. Menggunakan karakteristik Gambar. 1.36, menentukan tingkat disipasi daya

maksimum untuk dioda pada suhu kamar (25 C) dan 100 C. Dengan asumsi
bahwa VF tetap tetap sebesar 0,7 V, bagaimana telah tingkat maksimum IF
berubah antara dua tingkat suhu?
44. Menggunakan karakteristik Gambar. 1.36, menentukan suhu dimana dioda
akan

saat

50% dari nilai pada suhu kamar (25 C).

1.10 Transisi dan Difusi Kapasitansi

*45. (a) Mengacu ke Gambar. 1.37, menentukan kapasitansi transisi pada potensial
reverse-bias? 25 dan? 10 V. Berapa rasio dari perubahan kapasitansi dengan
perubahan tegangan?
(b) Ulangi bagian (a) untuk potensi reverse-bias? 10 dan? 1 V. Tentukan rasio
perubahan kapasitansi dengan perubahan tegangan.
(c) Bagaimana rasio yang ditentukan dalam bagian (a) dan (b) membandingkan?
Apa memberitahu Anda tentang yang kisaran mungkin memiliki lebih banyak
wilayah aplikasi praktis?
46. Mengacu pada Gambar. 1.37, menentukan kapasitansi difusi pada 0 dan 0,25
V.
47. Jelaskan dengan kata-kata Anda sendiri bagaimana difusi dan transisi
kapasitansi

berbeda.

48. Tentukan reaktansi ditawarkan oleh dioda dijelaskan oleh karakteristik

Gambar.

1,37

pada

Potensi maju dari 0,2 V dan potensi kebalikan dari? 20 V jika frekuensi yang
digunakan adalah 6 MHz.

1.11 reverse Pemulihan Waktu

49. Sketsa gelombang untuk i dari jaringan Gambar. 1.61 jika tt? 2TS dan total
pemulihan terbalik Waktu adalah 9 ns.

Figure 1.61

Gambar 1.61 Soal 49

1.14 Zener Dioda

*50. karakteristik sebagai berikut ditentukan untuk Zener diode tertentu: VZ? 29 V, VR?
16,8

V,

IZT? 10 mA, IR? 20 A, dan IZM? 40 mA. Sketsa kurva karakteristik dengan cara yang
ditampilkan pada Gambar. 1,50.
51. Pada suhu akan 10-V Zener diode Gambar. 1,50 memiliki tegangan nominal 10,75 V?
(Petunjuk: Perhatikan data pada Tabel 1.4.
52. Tentukan koefisien suhu 5-V Zener diode (dinilai 25 C nilai) jika nominal tegangan
turun menjadi 4,8 V pada suhu 100 C.
53. Menggunakan kurva pada Gambar. 1.51a, apa tingkat koefisien suhu yang Anda
harapkan

untuk

20-V dioda? Ulangi untuk dioda 5-V. Asumsikan skala linier antara tingkat tegangan

nominal

dan

tingkat saat ini sebesar 0,1 mA.

54. Tentukan impedansi dinamis untuk dioda 24-V di IZ? 10 mA untuk Gambar. 1.51b.
Perhatikan

bahwa

itu adalah skala log.

*55. Bandingkan tingkat impedansi dinamis untuk dioda 24-V dari Gambar. 1.51b pada
tingkat

saat

ini

0,2, 1, dan 10 mA. Bagaimana hasilnya berhubungan dengan bentuk karakteristik di

daerah ini?
1.15 Dioda Light-Emitting
56. Mengacu pada Gambar. 1.55e, apa yang akan muncul menjadi nilai yang sesuai dari
VT untuk perangkat ini? Bagaimana bila dibandingkan dengan nilai VT untuk silikon dan
germanium?
57. Menggunakan informasi yang diberikan pada Gambar. 1.55, menentukan tegangan
maju melintasi dioda jika intensitas cahaya relatif 1,5.
*58. (a) Apa persen peningkatan dalam efisiensi relatif dari perangkat Gambar. 1.55 jika
arus

puncak

meningkat dari 5 sampai 10 mA?

(b) Ulangi bagian (a) untuk 30 sampai 35 mA (peningkatan yang sama dalam saat ini).
(c) Bandingkan peningkatan persen dari bagian (a) dan (b). Pada titik pada kurva akan
Anda
mengatakan ada sedikit diperoleh dengan lebih meningkatkan arus puncak?
*59. (a) Mengacu ke Gambar. 1.55h, menentukan maksimum ditoleransi arus puncak jika
periode

durasi pulsa adalah 1 ms, frekuensi 300 Hz, dan maksimum ditoleransi dc saat ini
20 mA.
(b) Ulangi bagian (a) untuk frekuensi 100 Hz. 60.
60. (a) Jika intensitas cahaya pada 0 perpindahan sudut adalah 3,0 mcd untuk
perangkat Gambar. 1,55, apa sudut akan itu 0,75 mcd?
(b) Pada sudut apakah hilangnya bercahaya penurunan intensitas di bawah level 50%?
61. Sketsa kurva derating saat ini untuk rata-rata arus maju dari efisiensi tinggi LED
merah
Gambar. 1.55 seperti yang ditentukan oleh temperatur. (Catatan peringkat maksimum
absolut.) * Harap
Catatan: Tanda bintang menunjukkan masalah yang lebih sulit.