ifll'iiSsiSiSllftti

SSS>
P P G M - L 80 - 75 T&V /DWrzrotj

•V <<*:*>->-• • v ,' *-'

PEISGAKUtl TEMPERATUK TEKHADAP

EFEK HALL
PADA SKMIKONDUKTOK Ge

Parangtopo
(FIPIA - UI)

• A V.L. <>

BADAN TENAGA ATOM NASIONAL

PUSAT PENHJTLAN "TENAGA ATOM GAMA

YOGYAKARTA—INDONESIA
We regret that some of the pages in the microfiche

copy of this report may not be up to the proper

legibility standards, even though the best possible

copy was used for preparing the master fiche.

 Himi Fisxka
KLsika Umum

Fisaka Zst Padat dan F i s i k a Zat Alir

PFCM - L 80 - 75

PENGMUH THMPlftATUd IK1HADAP

EFEK HALL

PADA SEHIKONDUKTOa Ge

Pararigtopo

(FIPIA - TJI)

1976

Badan Tenaga Atom Nasional

PUSAT PSNELITIAN TENAGA ATOM GAIA
J l . Babarsari, Kotakpos 8, telepon 3661
Yogyakarta - Indonesia
 ABSTRACT

The otudy ef H a l l e f f e c t s on Ge has "boon invea-tdgated as a

func-fcion of tempecature ranging from a very low temperature u p t o room

temperature. Our i n t e r e s t here i s on the e f f e c t s a t high tempera-

t u r e t from t h e H a l l c o e f f i c i e n t ^ c a l c u l a t i o n s were made for the d e n s i -

t y and the mobili/ty of the charge c a r r i e r i n the r a n g e of 253°K ' t o

353°K, We compare our experimental r e s u l t s with our own t h e o r e t i c a l

calculations.

ABSIHAK

P e n e l i t i a n efefc Hall untuk Ge t e l a h dilakukan sebelumnya s e -

bagai fungsi temperatur mulai d a r i temperatur rendah sampai pada tem-

(17)
peratur kamar. ' Sedang perhatian k i t a d i s i n i d i t i t t l e beratkan pada
efek-efek yang timbul pada temperatur t i n g g j . Dari k o e f i s i e n Hall d i -
hitung kerapatan dan mobHitas d a r i nuatan-iauatan pembawa arus dalos
i n t e r v a l temperatur 253°K sainpai 353°K. H a s i l - h a s i l eksperimen aid. d i -
bandingkan dengan perhitungan t e o r i t i s .

i
 I. PEN&flHUHJAN

Dalam p e n e l i t d a n s i f a t - s i f a t e l e k t r o n i s d a r i ber"bagai- "bagai

m a t e r i a l sangat pentdng untuk d i k e t a h u i banyaki^ra p a r t a k e l pembawa

arus, hahkan juga p e r l u diketahui s i f a t - s i f a t f i s i s d a r i p a r t i k e l - p a r -

t i k e l bermuatan t e r s e b u t pada bermacam-macani k o n d i s i .

TJntuk tnendapatkan d a t a - d a t a d i atas dapat dilakukan better apa

i

car a penelitdan yang diantaranya adalah : pengukuran resistivitas,

r e s i s t i v i t a s magnetdk, efek De Haas v. Alven, efek H a l l , efek Skin,

efek Kondo d U . A l t e r n a t i f d a r i pengukuran-pengukuran i n i akan s a l i n g

lengkap melengkapi, sehingga untuk mendapatkan d a t a - d a t a yang sempurna

perlu dilakukan kombinasi d a r i seluruh pengukuran-pengukuran d i atas.

Tetapi untuk melakukan seluruh pengukuran t e r s e b u t diperlukan suatu f a

s i l i t a s yang cukup besar, sehingga dalam lingkungan laboratorium kita

hanya dapat dilakukan beberapa pengukuran s a j a . Pengukuran yang telah

dilakukan dalaro batas f a s i l i t a s yang ada y a i t u efek H a l l . Untuk ekspe-

rimen i n i d i p i l i h mono k r i s t a l Germanium yang dipotong pada arah sumbu

k r i s t a l o g r a f i (111), dimana zona larangan pada arah ( H i ) untuk Ge ada

l a h yang t e r s e m p i t , dan arali yang p a l i n g menguntungkan untuk pembuatan

transistor.

Dari pengukuran efek Hall didapatkan konstanta Hall yang s a -

ngat berguna untuk mendapatkan keterangan tentang macam pembava arus,

jumlah p a r t i k e l pembawa arus persatuan volume dan juga tentang m o b i l i -

tas d a r i perabawa arus t e r s e b u t . Konstanta Hall i n i merupakan fungsi

temperatur dan medan magnet, t e t a p i pengaruh medan magnet i n i dapat d i

abaikan untuk medan yang cukup lemah. Karena i t u eksperimen dilangsung

1
 2

kail dengan v a r i a s i temper a t u r . Pemilihan v a r i a s i temperatur i n i disesu

aikan dengan kebtrfcuhan teknologi y a i t u diarabil dalam i n t e r v a l 253° &

sampai 353°K. Perubahan konstanta H a l l oleh. perubahan temper ator meru-

pakan kunci penting untuk menentukan sifat—sifat d a r i pembava arus y a -

i t u holes ataupun. elektcon.

Pada pengukuran yang t e l a h dilskukan sangat diperhatikan s e -

k a l i ukuran d a r i -probe (yang dibuat s e n d i r i ) , karena p o t e n s i a l H a l l

yang timbol sangat tergantung pada bentuk geometri d a r i pnafcenya. [1 J

Hasil eksperimen i n i disesuaikan dengan perhitungan t e o r i t i s (yang j u -

ga dihitung s e n d i r i ) yang didasarkan d a r i l i t e r atur dengan beberapa

penyesuaian terhadap k r i s t a l Ge yang k i t a m i l i k i . Anali.sa hasil-hasil

eksperimen didasarkan a t a s asumsi yang beratia pada perhitungan-perhi-

tungan t e o r e t i s i t u s e n d i r i , dengan memperkirakan kekurangan-kekurang-

an pada asumsi t e r s e b u t dan d i l a i n pihak memperkirakan kekurangan-ke-

kurangan yang berada pada prosedur eksperimen.

II. I E 0R I

Ams l i s t c i k dalam semi konduktor dilakukan oleh e l e k t r o n

pada zona konduksi atau oleh holes pada zona v a l e n s i ataupun dilakukan

oleh elektron dan holes pada zona konduksi dan zona v a l e n s i bersama-sa

ma. Karena itu. pengetahuan tentang zona-zona energi pada semi konduk-

tor sangat penting diketahui t e r l e b i h dahulu sebelum menganalisa s i f a t

(7 &)
sifat dari holes dan elektron.v ' '

Dalam pengertian'teknologi klasifikasi material menurut si- .

fat konduksinya dibagi menjadi tiga bagian s

a. Pita energi
isolator zona konduksi

- * zona larangan
T E » kT

X/y\;
z*
/\ /^Sf /^ x \ >^
V

zona valensi

N/y^/ 7 /N
^ / $

b,. Pita energi zona konduksi

semikonduktor
j-*zona larangan
E ^ kT
g
—^zona valensi

c. Pita energi —^ zona konduksi

metal-
"t—>• zona larangan
konduktor * E « kT

zona valensi
 4

material konduktivitas

isolator 1 0 - 2 2 - 10""^" mho cm*"

semikonduktor io- 1 2 - 10- 9 mho cm -1

konduktor 10~ 5 -1
121
mho cm

Dnlam penger'toan t e o r i z a t pada t pembagian ma-

kan atas lebarnya Zona larangan (energy gap) pada spektcum e n e r g i e l e k

tron d i dalam mater i a l t e r s e b u t . Apabila lebar zona larangan adalah. AE

yang merupakan s e l i s i h energi dasar zona konduksi dan energi maksijnum

zona v a l e n s i y a i t u E - E , maka untuk s

isolator AE » k l , diraana k konstanta Boltzman, dan tempera-

tur T

semikonduktor AE - kT

konduktor E «kT ( l i h a t gambar 1)

1 . Semikonduktor Germanium

Struktur zona energi germanium sudah banyak dikenal d a r i s e -

g i t e o r i maupun d a r i s e g i eksperimen dan s i f a t - s i f a t n y a sangat mirip

dengan struktur zona energi s i l i k o n dengan beberapa perbedaan khusus.

Di dalam s i l i k o n energi minimum zona konduksi yang p a l i n g utama t e r l e -

tak pada arah. sumbu k r i s t a l ( 100 ) pada zona B r i H u o i n e , sedangkan

pada germanium energi" minimum zona konduksi t e r l e t a k pada arah sumbu

k r i s t a l (111) ( l i h a t gambar 2 ) . Bentuk permukaan isoenergi pada g e r -

manium adalah e l i p s o i d e dan d a r i padanya dapat diturunkan mass a efek-

t i f l o n g i t u d i n a l m ke arah pusat zona B r i l l u o i n e dan massa e f e k t i f

t r a n v e r s a l m. pada arah yang tegak lurus pada mf« Massa e f e k t i f d a r i

 5

suaiai parti&el. pembava a r u s dirurauskan sebagax beriku.t.s

JL__X
s
O (1)
m ^2 3 k . 3 k . 'k = ko
1
3 .
E - e n e r g i pada permukaan i s o e n e r g i

#. - konstanta Hanck

k - vektar gelombang

i,3 . % 2, 3

a. Struktor zona e n e r g i Germanium

menurut perbitungan Herman. '

0XL) ( ooo) k (100)

v
222 Ge

<W

< X 1c> X 5

'(W
(x iv )x 5
< L wV

b. Slz-uktur zona energi Gerwani-um"menurut perhitungan Cardona. (10)

Gambar 2
 6

Harga minimum zona konduksi pada germanium p r a k t i s ada empa4 dan bukan

delapan, karena s e l a l u dapat digeserkan dengan s a t u vektor k i s i "balik.

H a s H eksperiraen dengan r e s o n a n s i s i k l o t r o n v J^ Tmtukm = 1,64 m

dan m. = 0,082 m . Disamping d a r i s e g i r a p a t keadaannya yang mer-upakan

sejumlah e H p s o i d e - e l i p s o i d e , sistem t e r s e b u t dapat dianggap sebagai

sistem permukaan "bola yang oassa efektifnya i s o t r o p i s :

dimana a adalah mass a diam e l e k t r o n . Zona konduksi l a i n pada ger-mani-

•UKI juga mempunyai minimum yang l a i n , t e t a p i letaknya agak l e b i h -fcinggi

dibandingkan dengan minimum utatna. Energi minimum pada arah ( i l l ) rne-

rupakan minimum yang terendah, sedang minimum yang l a i n t e r l e t a k bebe-

rapa kT d i atasnya, sehingga energi miniinuin pada arah (111) merupakan

energi yang paling rendah pada zona konduksi germanium. S-bruktur zona

v a l e n s i germanium sangat menyerupai s t r u k t u r zona v a l e n s i s i l i k o n .

Zona v a l e n s i bagian atasnya berdegenerasi pada t i t i k (0,0,O) ( l i h a t

gbi 2). Perbandingan massa e f e k t i f holes yang b e r a t dan h o l e s yang

ringan -foJm* cukup besar, karena hanya L$> holes bebas merupakan holes

yang r i n g a n . Lax &. Movroides *-*' menghitung massa e f e k t i f -untuk dua

zona pada gb.2 dan mendapatkan untuk m1 » 0,043 m dan nu = 0,36 m ,

sehingga untuk massa e f e k t i f holes didapat :

, , ( m^A
mv + m3/2 } & m 0>37nlo (2)

dimana m massa e f e k t i f d a r i h o l e s .

.••••'- 2. S t a t i s t i k elektron dan holes dalam semikondukfor

D i s i r i b u s i elektron dan holes d i dalam z a t padat pada suatu

 7

sisiem yang beradg. j a d a keadaan seidmbang -fcherrais ti^aK i a g i mcaagikuti

s t a t i s t i k klasHc, i e t a p i okan mertgiktrfci ftukum statis"fcilc ^cyan-turn -meka-

nika. Erobabildtas vm-fcuk mendapatkan e l e k t r o n pada siia'ta keadaan t e r -

t e n t u dengan energi E, menurut Fermi-ESrac adalah. :

1
: (3)
m* E - Ev

E - ting]ca"t energi elektron

Ep - energi Fermi

Gainbar 3
FvingSi d i s t r i b u s i elektron yang berdegenerasi kvjat

a - g(E) = 4 (2n Q /n 2 ) 3 / 2 ( E - E c )«

b - lin n(E) = f ( E ) g ( E ) Pada I = 0

c - n/g\ pada segaia temper atur yang t e r b a t a s i
 8

iipabila spektrum e n e r g i kontinu, maka un.'tuk sembarang energi dapat d i -

rranuskan rapa-fc s p e k t r a l gr-tf)* y a i t u bilangan yang menyatakan baayaknya

tingles t energi. d i dalara s e t i a p s a t u a a i n t e r v a l e n e r g i a n t a r a E dan. E +•

dE, Kprena i t a untuk s e t i a p temperatur t e r t e n t a harus t e r d a p a t parame-

t e r Ep sedemikian hingga dipenuhi,:

C-i

n
o = j f (E) HE) dE U)
o
dinana n adalah k o n s e n t r a s i elektron, y a i t a banyaknya e l e k t r o n pet'sa-

•fcuan volume. Pada zona E r i l l u o i n tereduksi yang p a l i n g sederhana, ha-

nya terdapat satu energi minimum dan d i s e k i t a r energi irrin&num t e r s e -

but pada permukaan i s o - e n e r g i dipenuhi r e l a s i tojadratis :

E « E + Ji^/aa (5)
c c

E - energi e l e k t r o n pada t i n g k a t keadaan t e r t e n t a

E^ ~ energi konduksi yang terendah

/i - konstanta Planck

l< - vektor gelombang

m^ - mass a e f e k t i f elektron.

(1"0
pienorut van Hove ' r a p a t s p e k t r a l adalah :

w - J jZj
f 2
dinana dS n 4ttk y a i t a permukaan i s o e n e r g i d i dalam ruang k yang
berupa bola.

V E - gradien energi di dalam ruang k.

Dengan memasukkan rumus (5) ke dalam ramus (6) didapat J

 9

HE) » Aw ( toe M 2 ) 3 / 2 (2 - E c )"^ (7)

Apabila hukum r e l a s i k u a d r a t i s pada rumus 5 t i d a k dipertahi b e r a r t i r u -

mus 7 "fcidak berlaku. Karena i t a ixntak kerapatan energi yang sangat

t i n g g i rtunus 7 memang tidak berlaku l a g i . Tetapi untuk elektron yang

t e r l e t a k jauh d i atas energi Fermi riimus 7 masih. t e t a p berlaku, karena'

elekiron-elcktron yang t e r l e t a k jauh. di atas energi Fermi boleb dnka-

takan merupakan elektron bebas. R-uraus 7 bahkan masih dapat digunakan

untuk permukaan-permukaan. isoenergi yang tidak berbentuk b o l a . .Misal-

kan bentuk pemukaan isoenerginya e l i p s o i d a , maka b e r a r t i bilangan g e -

loinbangnya tergantung pada arah sxunbu hingga mas^n efektifnyapun t e r -

gantung pada arah persuuhuan, t e t a p i ruraus 7 masih dapat dipakai d e -

ngan memasukkan harga massa e f e k t i f m = ( m m m ) 1/3 . Sama halnya

e x y z «
apabila t e r j a d i degenerasi e n e r g i , seolah-olah dua buah. z*na yang b c r -

beda dengan massa e f e k t i f m1 dan m„ bersinggungan pada t i t i k ekstriirrum

dan ramus 7 n a s i h t e t a p berlaku apabila -untuk massa efektifnya diam-

bii ( l 2 ) : :]/
3/2 _ 3/2^2/3
m
o = X V' +»2 >
Misalkan t e r d a p a t suatu zona yang memiliki e n e r g i minimum E , dinana

formula 7 berlaku untuk s e t i a p keadaan e l e k t r o n yang t e r l e t a k di ; a t a s '

t i n g k a t energi Fermi. Sebagai akibat adanya e x i t a s i termis pndaV;'liap

satuan volume didapat n elekbron, yang mendnduki t i n g k a t keadaan t c r -

tentu pada zona t e r s e b a t . Tinggi rendahnya c n e r g i Fermi Ep, terhadnp E

sangat tergantung pada harga n dan juga pada temperaturnya, karena

 10

n_. = J, H/E^ dE = J| f(E)S(E)<

-AJS; /^g^dE

f 4ir( 2 m / h 2 ) 3 / 2 ( E - F , ) ^ Z

(8)
n =
o
c

Apabila k o n s e n t r a s i elektron n sangat besar dan temperatur-

nya T rendah hanya mungkin apabila E-, l e b i h besar d a r i E . Hampir s e -

luruh e n e r g i jenuh hingga kT atau 2kl d i s e k i t a r energi Fermi» Pada

semdkonduktar derajad degenerasi elektronnya l e b i h rendah dibandingkan

dengan metal. Apabila temperaturnya t i d a k t e r l a l u rendah dan konsentra

s i pembawa arus tidak t e r l a l u besar, maka energi Fermi EL akan l e b i h

k e c i l dibanding dengan E . Dalam h a l i n i bahkan untuk tingkat energi

c
yang paling rendahpun hanya sebagian k e c i i yang jenuh y a i t u 3 &T a t a u
4 kT d i s e k i t a r E . Sistem e l e k t r o n yang demikian tidak berdegenerasi,
c
karenanya perubahan temperatur dapat mengubah segala keadaan d i dalam

sistem t e r s e b u t . Dalam h a l i n i gas elektron dapat dianggap mengikuti

sistem s t a t i s t i k k l a s i k terutama apabila energi Fermi t e r l e t a k bebera-

pa kT'di bawah E . I n i b e r a r t i bahwa d i s t r i b u s i Fermi-Dirac dapat d i -

gantikan dengan d i s t r i t a u s i Maxv/ell-Boltzman.

I n t e g r a l Fermi-Dirac

Apabila pada i n t e g r a l £} diberikan paramotor-parame-ter yang

disebut sebagai energi reduksi dan energi Fermi reduksi :

E-E EL, - E
e = £ dan c » J £ (9)
kT * kT
 11

Dan E dapat dipakai sebagai pangkal perhitungan pada ruraus 8, s e h i n g -

ga menjadi :

r 2a kT ^ 3 ' 2 r cx

° I h2 J J 1 + exp( e - r T )

dimana U d i s e b u t sebagai kerapatan e f e k t i f dan besarnya adalah :

3
r 2m kT -, ^2

e^de- (11)
= Uir }
W " TTexp (e^)
o
Apabila untuk i n t e g r a l Fermi-Dirac pada runius 11 diberikan bentuk yang
l e b i h unum l a g i maka :
1
- 77 *e ;J3 *'
^ da)
J<V "rCj+lT I 1 + expCa-ep)
O
Dapat dimengerti bahv;a l e t a k energi Fermi s e s u a i dengan konsentrasi

elektron t e r t e n t u , atau sebaliknya seraua harga F. mendekati bentuk

exp(cp) untuk sembarang £„ << 0.

Sistern holes

Konsentrasi elektron dalam semikonduktor t e l a h dirumuskan

pada 10, yang dihubungkan dengan beaarnya energi Fermi dan kerapatan

e f e k t i f N • Pada pendekatan k l a s i k jumlah e l e k t r o n pada zona konduksi

sama dengan apabila seluruh tLngkat H memiliki energi E , Saraa halnya

c c

untuk zona valensi dimana massa efektifnya adalah m , apabila energi

Fermi jauh lotaknya di atac cncrgi cxtrimum E (cnergi yang tertinggi

pada zona valensi), maka iumlah holes bebas dalam zona valerisi adalah
 12

soma dengan apabila seluruh xingkat kerapatan keadaan

N = 2(2*m kT/h 2 ) 3 ' 2 holes efektif memiliki energi E . Apabila £ (E)
V TT "V P

berarxd probabilixas didapaxkan holes dalam zona valensi dengan energi

E sama dengan probabilitas xddak didapaxkannya elektron ada zona valen

si dengan energi E, maka :

m 1- t (13)
'p(E) (E) 1 + exp{( Ep - E )/kT>

Apabila mass a e f e k t i f m t e r l e t a k d i bawah E , maka k o n s e n t r a s i holes

adalah :
V
P =
o j e(E) f P (E) dE
'v ( E - E )2dE
2 3/2
= 4ir ( 2 m v / h ) (14)
1 + exp xC-E-Z—}
kT '

S e p e r t i pada 9
E
e =
- ^ dan
kT

e' = 5LZI = 5LLJC + Eo - E

- - , . - (15)
p a
kT kT kT
e
. lebar zona larangan yang tereduksi. Seperti rumus 10 tmtuk konsen-
trasi elektron, maka untuk holes pada nanus 14 menjadi :

e£ de
P - ' N P P (16)
(2^ 1 + exp (e -»r, •»£ )
p x r

P • » F , v( . E . - e p )
o v -i- i F '
 13

^zona konduksi

a. Pita energi c
semikonduktor
tipe n
(donor) >zona larangan E

zona valensi

zona konduksi

b. Pita energi
semikonduktor
tipe p —^ zona larangan E
(aseptor) ""E

zona valensi

Gamhar 4
 U

Habungan antara k o n s e n t r a s i elektron dengan l e t a k ebergi Fermi

Pada nanus 10 dilukiskan konsentcasi e l e k t r o n dalam zona

konduksi sebagai fungsi energi reduksi, dimana r a p a t s p e k t c a l e f e k t i f -
nya

N = 2 (2mn kT/h 2 ) ^ 4,831.10 T 5 (m/m ) 3 ^ 2 T ^ c m " 3 .

C U 6 0

Jelas bahwa tdngkat energi Fermi Ep seharusnya monoton n a i k dengan t u -

runnya -bomperatur pada suata konsentrasi e l e k t r o n n yang t e t a p , Demi-

kian juga halnya energi Fermi tereduksi e ? akan t e t a p monoton naik d e -

ngan kenaikan n pada temperatur yang t e t a p . Pada temperatur yang s a -

ngat rendah s i s tern elektron akan berdegcuerasi sempurna. Dalam h a l i n i

energi Ferminya menjadi ES dan apabila pada 0°K e l e k t r o n masih. t e t a p

bebas; maka

nQ = V3 ( 2 n > 9 3 / 2 (Ep - E ^ 3 ' 2

E« * E c + h 2 / 2 n e (3no/87r ) 3 / Z (17>

Di s e k i t a r temperator yang rendah energi Fermi sangat dekat dengan E5J

karena i t u i n t e g r a l Fermi Dirac dapat diuraikan menjadi d e r e t

=
F*(%) 43/2V3n*( 1 +Ri(Ep)

R£(Ep) = * 2/Se2 - 7 * V^Oe^ + Wv'/lWZ^

maka untuk energi Fermi didapat :

Ep = E / - U kT) 2 /l2(E|. - E c ) . (18)

Dari rumus 10 dan 17 didapat r e l a s i :

3/2
Eg
( ^ k~ ) - 3Jr*/4Fi(Ep) (19)
 15

Rumus i n i -un-fcuk m e n i l a i konsentrasi elektron pada sembarang temperatur,

Semikonduktar s i s i p a n

Pada semikonduktar a s l i jumlah elektron dan holesnya sama n =

p , sehingga l e t a k energi Fermi t e p a t d i tengah-tengah zona larangan.

o
Pada semlkonduktcr s i s i p a n y a i t a semikonduktor a s l i yang ke dalamnya d i

masukkan atom-atom l a i n dengan jumlah. yang sangat k e c i l dan t e r b a t a s .

Diantara zona-zona konduksi dan v a l e n s i y a i t a pada zona larangan akan

timbul t i n g k a t - t i n g k a t energi s u b s t i t u s i . Apabila atom-atom s i s i p a n i t u

adalah. atom-atom yang sanggup melepaskan elektron d a r i k u l i t atom ter-

luarnya, maka atom s i s i p a n t e r s e b u t d i s e b u t atom donor ( t i p e n ) , Sedang

kan apabila atom t e r s e b u t sanggup menangkap elektcon dari laiar aaka

atom s i s i p a n t e r s e b u t dinamakan atom aseptor ( t i p e p ) . Pandang suatu

.semikonduktor t i p e n ( l i h a t gb.4) dengan energi s i s i p a n E ; s e d i k i t d i -

bawah energi E . Pada umumnya t i n g k a t energi E i n i akan berfluktuasi

C CL
dengan i A . Maka jumlah tdngkat keadaan pada interval E _ E - A dan

E - E + A harus mengikuti syarat :

E - E„ + A
c d
g ( E ) dE =N
d
E - E. - 4
c d

dimana Nn adalah k o n s e n t r a s i atom donor,

d
Jumlah atom-atom donor i n i , tidak seluruhnya akan t e r i o n i s i r , sebagian

masih dalam keadaan n e x r a l , karena i t u jumlah atom yang t e r i o n i s i r (N-, •=

N, - N ) sama dengan jumlah seluruh atom donor dikurangi atom-atom yang

tinggal netral.

Kenurut Boltzman jumlah atom-atom yang t e r i o n i s i r adalah:

 16

mate, j ^ _ = __ _ ^ (21)
dn ~ E - EL, - E
-i , _ 'ft J d\
1 + exp ( rs
"kl" ')

E.-UKUS 21 belim maaperhitungkan degenerasi s p i n d a r i t i n g k a t ikeadaan

donornya s e n s i r i . Atcm-ataa yang berada d i dalam keadaan n e x r a l memi- *

l i k i beban staidsxdk dua k a l i lebih. besar ditiandingkan dengan yang t a r

i o n i s i r , sehingga : N
H
dn= l + i e x p ^ ^ . E ^ / k T ) ) (22>

Pada uniumnya koefisien degenerasi spin tingkat doner tidak sama dengan

j>, tetapi cukup dituliskan sebagai 0 .

Probibilitas didapatkannya elektron pada tingkat energi sisipan dengar:

energi E dapat dituliskan sebagai:

P 1 (23)
(E ) - E ,E.
r 1+
fr«pC J ^r 3 E >
-1
8 atau 8 tergantung d a r i l e b i h besar atau l e b i h kecilnya d a r i s a -

tu, untuk donor 8

= 2 , sedang untuk aseptor 8 = 2 . Sadang untulc
_1
struktur zona yang lebih komplex lagi 8 ataupun g lebih besar dari
2.

ifeSSSajfliUaaail kr.nflentr-a.qi elektron n, dengan l e t a k energi Fermi pada

FLftmikonduktor t i p e doncap tanna komnensasi

Pada semikonduktor t i p e doner tanpa kompensasi b e r a r t d pada

semikonduktor t i p e i n i t i d a k ada aseptornya.

Misalkan pada t i a p satuan volume didapat N t i n g k a t koadaan dengan

energi E ; d i bauah Zona konduksi dengan k o e f i s i e n degenerasi 8" •

 17

Jumlah e l e k t r o n pada zona, konduksi teiah. dirrasuskan pada 10, sedangkan

menurut 22 k o n s e n t r a s i e l e k t r o n pada "tingkat donor akan sanggup meZLin-

t a s i zona konduksi dan akan merupakan tambahan k o n s e n t r a s i elekfcron pa-

da zona konduksi t e r s e b u t ;

n + N . . = N.
o da. d ,

tt
1 + B exp - ( kj, )

N
c
V
* 1+8 exp ( - £ H kT
SI! &
)

E
kalau didef i n i s i k a n c . = T"£ ,
d kT '
1-1 e fC ^ r- \
maka didapat: n
0 * N c F ^(e ) B N d 1 + e
exp( + ^ ) "' - 1 (24)

Apabila konsentrasi donor tidak terlalu tinggi, sedangkan energi ioni-

sasi cukup tinggi, mungkin elektron tetap tidak berdegenerasi disegala
temperatur, dalam hal ini energi Fermi akan terletak beberapa kT di
bawah E • Pada temperatur yang sangat rendah degenerasi lenyap, karena
seluruh elektron kembali ketingkat donor. Dengan konaikan tempera»tur
beberapa elektron loncat ke zona konduksi dan akibatnya energi Fermi %
naik. Dengan demikian energi Fermi tereduksi akan naik melewati maximum
dan kemudian turun kembali pada temperatur tinggi, pada waktu ionisasi
atom sisipan hampir jenuh.

Apabila degenerasi disegala temperatur lenyap, persamaan 24

akan menjadi lebih sederhana, karena ^x,„ \ ^ exp EL, didapat :
 IS

n { 1 +C» /6 H )exp E 3 ) = SL
o o c d a
hasilnya adalah.:

a . 3 to)
s
° 1 + V i + 4( V V
exp E,

Pada daerah -temperatur rendah rumus 25 menjadx:

n r = (S NM d )* exp ( - EjZcl) (26)

Syara-fc-syarat peinakaian ruraus 26 adalah:

1. Degenerasi lenyap sempurna.

2. Jumlah pembawa arus n yang mengalir pada zona konduksi jauh lebih.

k e c i l dibandingkan dengan N. ( n << N ) ,

3 . Apabila jumlah aseptar jauh l e b i h k e c i l dibandingkan dengan n

( n <.< n « K ) .
a o d
Pada temperatur yang sangat t i n g g i k o n s e n t r a s i e l e k t r o n pada
zona konduksi sangat dekat dengan N,, dan t e r j a d i l a h kejenuhan jumlah
par'bikel pembawa a r u s . Pada daerah temperatur rendah hampir t i d a k ada
atom donor yang t e r i o n i s i r , sedangkan pada temperatur yang cukup t i n g -
g i hampir semua atom donor t e r i o n i s i r , dengan sendirinya t i n g k a t e n e r -
g i Fermi E^ akan turun dengan kenaikan temperatur l e b i h lainjut.
Apabila degenerasi lenyap, maka s e l a l u ada hubungan antara energi F e r -
mi dengan n
o
E p - Eo = kT e p = k l In ( n o / N c ) . ^

Apabila untuk n /N diaTibil d a r i ruinus 2$, maka akan didapat:

 19

Apabila tempera-tur sangat iabaggi, maka 2 /kT « H /N sehingga energi

Fermi menjadi

% = E c - k I ^CV^) (zr) b
Uirtrik dacrah -teraperatctT' t i n g g i , fcrmule i n i berlaku -untuk T » 100 K

dengan i o n i c a s i k i r a - k i r a mencapai 90$« Pada penurunan temperatur k r n -

cen-irasi pembawa e l e k i r o n berkurang, sehingga energi Fermi akan mende-

k a t i dasar zona konduksi. Sesuai dengan rxunus 22 energi Fermi E^ akan

mencapai S^ - E... +npat pada i-rcktu perbaniingan atcm-atcm doner yang

n c t r a l dengan seluruh juralah atom donor sama dengan (1 + s) , yaitu

k i r a - k i r a pada temper atur 32 K. Apabila atom donor yang t e r i o n i s i r s a -

ngat s e d i k i t maka t i r g k a t energi Fermi EU akan mendekati harga E—|- E

dan rumus 27 a menjadi

Ep = E c - ^ E d - -ptf I n (N c /6N d ) (2?) c

pada temperatur yang sangat rendnh.

Semikonduktcr r j . i l

Fada semikonduktor yang r i i l s e l a l u t e r d a p a t kompensasi ter-

hadap atom substi-fcasi, a r t i n y a ajiabila d i dalam semikonduktcr yang me-

m i l i k i donor s e l o l u d i dalamnya terdapat atom-atom kompensasi yang me-

rupakan. aseptor, Kcrcipc ^,asi i n i didapat dengan sengaja maupun t i d a k de

rigan sengaja pada v;ak-!ai mempersiapkan bahan-bah.r.1 pembaatnya. Kai*ena

i t u semikonduktor yang- r i i l pada umumnya sangat komplex. Beberapa atom

s u b s t i t u s i mungkin dapat menangkap ataupun melepaskan l e b i h dari satu

elektron. Elektron dapat ditangkap oleh atcm-atom s u b s t i t u s i t i d a k h a -

nya pada t i n g k a t - t i n g k a t dasar saja, t e t a p i mungkin juga pada tingkat

exitafji, Sedangkan degonerasi cpin maupun o r b i t a l senbarang keadaan,

keadaan nungki.n s e k e H berhaibungan dengan medart inagne-fc msipm. <f.or j a n

defcraasi e l a s t i s yang a n i s o t r o p i s . I p a b i l a konserrfcrasi aseptor adalah

N , maka N e l e k t r o n yang menduduki -tingkat aseptor hanya niungkin b e r -

a s a l d a r i t i n g k a t donor, maka jumlah elektron pada tingkat donor t i n g -

g a l hanya H, - N dan bukan K,. Konsentrasi elektron bebas t i d a k alcan

melebihi N, - N , karena i t u jumlali atom-a-fcom donor yang t e r i o n i s i r

adalah sama dengan n + N a t a u juga sama dengan N, - N . Karena Hbj.

untuk semikonduktor yang r i l l berlaku :

nQ + N a = N d [1 + $- 1 exp(e d + e^l"" 1 (23)

Menurut rumus 10, n = N Fa (e_) sehingga

N [1 + 3- 1 exp( E - + BO FJ
T
1
= *A(e ) +
d V " c V T F' " Ma

[1 + e - 1 e x p ( e , + &_)J 3~ 1 = A e T ^ J e J + » /K, (29)

d y ~ d V F' a! d
2
2(2mirE./h
e a' )
dimana A = merupakan konsti*nta tak berdiraensi.
d

Untuk Ep < 1,3 fungsiF (£-) = n /N , maka persamaan 29 dapat d i s e l e -

saikan dengan mudah sehingga didapat -untuk harga :

2 ( M. - N )
d a
n. SB
0
jjl + (Ha/ BNc)exp(ed)J +[|_1 + i\/s\)^PieJ]Z +
~~
( 4/feNc)(Nd - N a ) acpCe d )l* (30)

Konsentrasi N yang sangat kecilpun sangat berpengaruh pada jumlali kor,-

s e n t r a s i elektron n • Kalau k o n s e n t r a s i atom kompensasi tidak ada maka

rumus 30 menjadi rumus 25.

Pada temperatur rendah dan untuk konsentrasi atom kojiper.csi yang sr.ngab
 21

3cecxl "S^ « 5u, a t a u II « n « N , maka rumus 30 menjadi

sehingga i n = (-glT lO"3" exp (-E,/2k!r) sama dengan rumus 26.

Pada ~x3i.d5ngin»n l e b i i i l a n j u t akhirnya n akan mendekati harga U dan k e -

mudian menjadi k e c i l l a g i d a r i pada N (n « N ).

•a o a
TJntuk temperatur yang sangat rendah rumus 10 menjadi :
H . - IT •- • • •
n o - UNQ - 4 ^ exp ( - e d ) OD
a

untuk : n « 21 < N,
p a d

Energi Fertrd yang sohubungan dengan rumus 30 menjadi :

S F - E c =-. kTE.f = k T ^ ( n o / K c ) (32)

2B(H d - » )
E-. - E =-. IcTln (- . j -)
*(N c *N a expe d ) + ^ ( W ^ N e x p ^ ) 2 + 4N, ( N ^ ) exp e ^ 2

Apabila n Q » N a maka rumus 32 menjadi rumus 27a, sedang b i l a n « N

rumus 32 menjadi :
N - N
Ey , E o .- S d + kTia (-_^)
a
Tingkat energi Fermi pada 0°K berimpit dengan letak energi doner, dan ber-

arti letak energi Fermi pada temperatur tersebut tidak tergantung pada

atom kompensasi ( dalam hal ini aseptor ) .

Rumus 28 dapat diubah menjadi :

exp e-s/.n + N ) , , v
_JL-fl.^-a- =-. Ngexp (- E,/kT) (33)
a
. N, - H - n
d a 0
 2

^> zona kcnduksi.

—> zona larangan

-> zona valenai

fenrr 5
'" • <ol ?'>.rnilto.yju.Vcuor t i p s n dengan konpensasi
?wgJcc-?-3 dcuyan tiurkat donor yang fcerexitasi.
7. - tJa.'^kafc donor yang t^.'exitaslkan
13: -• v.in£k£.b tlcnor d?sar
Nn - tin.ckat ato.n brjipsnsssi as3ptor>
 22

frpah-n r. diketalmi n maka akan didapa-fc harga B d a r i experimen dan s e b a l i k -

aya.

SenpJconduktor tipfc _v dengan kompensasi

S e p e r t i parhitungan-perhrfcungan d i a t a s untuk seinikcnduktor t i p e

p dengan kompensasi donor untuk rumus 33 dapat diganxi menjadi :

P fp + W )
z
a d o

Koefisien degenerasi s p i n aseptor biasanya l e b i h besar d a r i pada s a t u .

Grafik yang didapat d a r i rumus 34 untuk germanium dengan sispan indium . .
(13)
N
dan kompensasi stibium t e l a h disesuaikan dengan experimen ' dan ternya- •
t a sangat sesuai untuk suatu i n t e r v a l temperatur yang cukup panjang dan
yang p a l i n g sesuai adalah untuk 5=4.

Periffaruh. koadaan . e x i t a s i

F-.c'u ctcci doner yang bervalensi s a t u s e p e r t i pada atom z a t air,'' ,;

elektron mungkin berada pada t i n g k a t energi dasar E ~ E ataupun pada •••''-'•''
t i n g k a t e x i t a s i lainnya,

Pada gb. 5 diH.uld.skan spektrum energi semikonduktor t i p e n d e - i •

ngan konipensasi dan e x i t a s i energi donor. Keadaan i n i jnemiliki degenerasiv';.
spin g . . Siap t i n g k a t keadaan e x i t a s i memiliki degenerasi spin 3cndiri'-\Vv
E kTe dan
senddri •& ~ .yang s e s u a i dengan t i n g k a t energinya r -j_ = r i '^."f'^'
l e t a k d i a t a s keadaan d a s a r . Misalkan dipandang s a l a h s a t u t i n g k a t kea-^;%?
daan e x i t a s i t e r t e n t u E - E -i- E ^ dan faktor degenerasinya S^".:;--1-^-:-^.;
Apabila konsentrasi donor yang.dapat menangkap elektron pada t i n g k a t ; k e ^ ; - j
, . ' . - • - " . . • .•..••?jyr.. ^

maka :
' adaan . r . adalah . . N ^ » .
 23

E E
dnr 1+ »rffliPp - d + rl ;

Fenjumlahan dilakukan -uirbuk semua tdngkat energi k e c u a l i r , karena ±bx :

d sjfcr dns d dnr s dns

= (N. - S , ) + TS- = N , . + N- (36)

v
d dn dnr dx dnr
masukkan 36 ke dalam 35 didapat :

N, _!
-SSI = 6 exp ( e „ + e , - G ) s e p e r t i rumus 2 1 .
JJ 1? -^ v F d r l
di
Seluruh k o n s e n t r a s i atom-atom donor yang n e t r a l didapat dengan menjumlah-

kan selurtih. r .
00 .

N, = N-. E , g exp ( E „ + £ . - £ J (37)

M v
dn d i x=l r F d r l' ,
karena N * V . = N . maka didapat :

H f Si - CXD v(e „ + e , - E -,)

N - a r= r * F d_ r l
dn " * -1 , . (38)
1 +S
r=ler «P<eF + e d - e n >

N
dan N,. = — .v-.
di

Diketahui bahwa N_. = n + II , maka :

di o a*

»o = W C P s —"— :
- H
a (39)

Apabila jumlah elektron tidak t e r l a l u t i n g g i dan energi Fermi, t e r l e t a k d i

bav;ah zona kcnduksi maka tintuk cxp(e-,) dapat diambil n /N .
rx r
i'' o c
n + N s N,
SL
0 a
V+CnA>*r-l*r «Pfed"epl)
 24

Persamaan i n i dapat diubah menjadi :

n o (n o * Ma ) _ *
®
H n
d " *a - o W Br 1 ** (E
d ~ erl>

C M e ( £ }
- l c ^ - d (40)

S e p e r t i pada rxraius 33 hanya berbeda pada penjumlahan keadaan e x i t a s i s a j a .

'.Apabila diketahui bahwa k o n s e n t r a s i e l e k t r o n pada zona konduksi pada sega-

l a temperstar sangat k e c i l , maka 5%(e „) menjadi lebih. sederhana.

Misalkan : ™ ft-,
Z exp £
^z r r n=F
Make, rtiraus 40 manjadi ?

(41)
H. - I ~ r. 1 + F
d a o
Fungsi F tcrgantung pada temperatur.. s i f a t ketergantungan n terhadap tem-

per atur berlainan dengan rtunus 33* dalara h a l i n i E, s e d i k i t tergantung

terhadap temperatur- '"••• „ Pada temperatur yang cukup rendah F << 1 rumus

33 dan 40 identik» Di l a i n piiiak pada temperatur yang sangat t i n g g i energi

Fermi akan t e r l e t a k d i bawah t i n g k a t - t i n g k a t energi donor, sehingga N -

N - R, - Pengaruh. fungsi F pada jumlah e l e k t r o n n sangat tampak pada

temperatur p e r a l i h a n d a r i t i n g g i ke rendah. Diketahui bahwa perbedaan

t i n g k a t keadaan e x i t a s i e l e k t r o n d i dalam k r i s t a l dan t i n g k a t keadaan d i

dalam atcm Bohr disebabkan adanya pengertdan massa e f e k t i f dan s u s e p t i -

b i l i t a s l i s t r i k d i dalani k r i s t a l . Dengan demikian t i n g k a t e x i t a s i d i da-

lorn k r i s t a l -untuk t i n g k a t - t i n g k a t s, p, d, d l l . dapat d i k a r e k c i , kareha

 is

itu
e ^ = r* dan E ^ = E d (l - * 2 )

dan harga fungsi F menjadi :

F = 4exp(-3ed/4) + 9exp(-ged/9) + I6exp(-I5e(3yl6) + "* ^

Dengan j a l a n sama dapat dirurauskan untuk semikonduktor t i p e p dengan

kompensasi donor, juralah holes persatuan volura '

(43)
H - N, - p 1 + F
a d o
Defarmasi plastis sangat inempengaruhi tingkat keadaan donor dan aseptcr,
(15)
sehingga rumus 41 dan 43 menjadi berubah.

3» Fen^arr^medan magnet pa_da disjyibusJ^jTgrjvLlcel pembayfo arus pada

semlkonduktor

Pengaruh medan magnet pada suatu m a t e r i a l menyebabkan peru-

bahan struktur zona e n e r g i , dimana pada zona-zona energi akan t e r j a d i

sub-aub zona energi oleh karena adanya t i n g k a t - t i n g k a t e n e r g i Landau

(16)
. Dari p r i n s i p mekanika klasrUc diketahui, apabila ada e l e k t r o n d e -

ngan massa e f e k t i f m _ diletakkan pada medan magnet yang sear ah dengan

sumbu z, y a i t u H , maka gerakan e l e k i r o n t e r s e b u t pada bidang ( x, y )

akan merupakan suatu lingkaran dengan frekwensi sudut :

eH.
o>„ = _ £ (44)
"H " ra
ef c

Dengan adanya medan magnet i n i persamaan Schrodinger akan monjadi *

£ 2 _ ^z £ (x3/3y - y3/3x)0 _ o V ( x 2 + y2)* + E = 0

an ef ' an ef c i an ef . c 2
 26

Dan S e i t s "fcelah. rciemecahkan persamaan Scbrodinger ± n i dan mendapat-

^ m eigenvalue E sebagai b e r i k u t :

jtV ejta
E ar E + 1 + ( n + i )
C
2m m
ef c
el

Dengan demikian j a r a k a n t a r a dua buah -tingkat e n e r g i Landau, adalah

)iw = 1,16.10" (m /m )H eV. Sebagai a k i b a t adanya t i n g k a t energi

Landau i n i r a p a t s p e k t r a l g/ E \ akan mengalatni perubahan sebagai b e r i -

ktrfc :

o/o max
^
g = 2ir (45)
(E) 2
U J nto E - Ec - (n + £)jfofc ¥
Untulc medan magnet yang sangat k e c i l rumus 45 akan kembali, menjadi r u -

^us 7« Maka dengan menggunakan rumus 4 dan raemasukkan ke dalamnya r u -

rous 3 dan 45 akan didapat :

3/2 «\ — n
J^jjdl
max
n = / ^ef \ 2rr
zL n=0 E-E-.
(1+exp — ) E - Ec - ( n + J ) j k
kT B
E + (n+£)jfW
H
Setelali disederhanakan menjadi

n 9 F
o '- » I -i s f - ( n + i )0 (46)
h=0

n = bilangan b u l a t sembarang dan 6 = J&aH/kT.

H'
Dari rumus 46 tampak bahwafflftcLanmagnet menyebabkan penurun-

^JL.eng£iii.J£&£ai terhadap E , dan selanjutnya akan memperlemah degene-

 ZI

r a s i e n e r g i . Apatdla elektron. t i d a k berdegenerasi pada saa-b medan mag—

netnya t i d a k bekerja, maka i n t e g r a l Feri-Dirac pada ramus IJo menjadi

fungsi exponensial dan rumus 46 menjadi :

n = N exp €„ ( -i-Gcosechg-e) (47)

O C r

J i k a medan yang mempengaruhi sistem eCLekxron sangat k u a t , B » 1 , maka

rumus 46 menjadi :
n (E 9) (/
o - V\ F -* +8)
Medan magnet akan mengubah harga E , E, maupun E . karena i t u d i da-

lam medan magnet yang sangat k u a t timbul beberapa s i f g t l a i n yang l u a r

biasa.< 1 0 >

Atom s u b s t i t u s i d i dalam semikonduktor dapat bertindak seba-

g a i donor maupun aseptor tergantung d a r i l e t a k energi Fermi pada zona

larangan. Atom s u b s t i t u s i demikian sebagai premisi amfoter.. Salah s a t u

contoh d a r i premisi amfoter adalah emas d i dalam germanium»

Pengaruh defek pada semikonduktar sangat b e r a r t i terhadap

d i s t r i b u s i elektron pada temper atur rendah, karena mungkin t e r j a d i pem,.

bekuan defek. Dan defek k r i s t a l i n i merupakan vakansi yang dapat rce-

m i l i k i s i f a t sebagai aseptor, sehingga medan magnet yang bekerja pada

semikonduktor pada temperatur rendah akan menimbulkan komplikasi.

.4. Kine.tJka e.lektron dan .holes_dalain jgemikonduktor

Pada pembahasan konduktivitas b e r a r t i semikonduktor dianggap

berada dalam keadaan t i d a k seimbang. Misalkan pada semikonduktor diker-

jakan medar. l i s t e i k e , raakn d i dalam semikonduktor t e r s e b u t akan tdur.~

bul arus l i s t r i k yang dibawakan oleh e l e k t r o n maupun oleh h o l e s .

 23

SLekrcan den h o l e s akan menjalar sepazyang vahiE' semikanduktar dan

akan bertumbuk dengan segala ion-ion yang dianggap xetap secara e l a s -

t i s . Pada pengaruh medan l i s x r i k e l e k t r o n maupun holes akan dipercepat,

t e t a p i sebagai akibat turabukan dengan i o n - i o n akan kehilangan impuls-

nya dan akhirnya p a r t i k e l - p a r t d k e l pembawa arus xersebut akan d i p e r -

lambat, Selanjutnya gerakan p a r x d k e l - p a r t i k e l pembawa arus t e r s e b u t

akan menjadi s t a s i o n e r , sehingga d i s x r i b u s i parxdkel-parxikel berniuat-

an t e r s e b u t sebagai fungsi meomenxura y a i t u f ( p t p . p ) a t a u f(p)«

Fungsi d i s i r i b u s i dalam keadaan stasioner i n i akan berbeda dibanding-

kan dengan d i s x r i b u s i dalam keadaan s t a t d s f0/ \ (distribusi statis).

K e c u a l i . i t u fungsi d i s x e i b u s i stasioner merupakan fungsi d a r i komponen

impulsnya dan bukan fungsi d a r i harga impuls absolut.

Apabila arah medan l i s t r i k diambil pada arah sumbu z, ma~

ka fungsi disxribusinya akan tergantung pada komponen p . Pada penga-
z
r u n medan yang homogen fungsi d i s t r i b u s i t i d a k tergantung pada koar-

d i n a t ruang. Untuk fun/jsi d i s t r i b u s i f (p . P , P ) berlaku persamaan

k i n e t i k Boltzman, dan karena fungsi d i s x r i b u s i adalali s t a s i o n e r , taaka

fungsi d i s t r i b u s i t e r s e b u t tidak tergantung pada waktu.

Persamaan IcLnetik Boltzman :

3f/3t +(p/m)9f/3r + F3f/3p = I (49)

karena s i f a t s t a t i o n e r diketahui bahwa :

3f/3t = 0 ; 3f/3r = 0, sehingga .

Fsf/ap = I ' <50)

p,m adalah impuls dan massa efektif, sedang

 29

1? = ee adalah gaya l i s t r i k , F = F = 0
z x y
I =s i n t e g r a l tumbukan.

I n t e g r a l tunbukan dapat dipermudah bentuknya apabila kecepat-

an e l e k t r o n cukup "besar dibandingkan kecepatan ion-ionnyaj sehingga

(a)
i o n dapat dianggap diam. -ftimbukan antar e l e k t r o n dan antar holes

diabaikan, meskipun kerapatannya cukup t d n g g i . Turabukan yang d i p e r h i -

tungkan hanya -fcumbukan e f e k t i f y a l t u tuabukan dengan i o n - i o n .

I n t e g r a l tumbukan t
I =
( P ' ) -- X (f/p ) da
TN :

v - kecepatan e l e k t r o n a t a u h o l e s .

K - k o n s e n t r a s i elektron atau holes'

a - cross s e c t i o n tumbukan
p.. p ' - impuls sebelum dan sesudah tum'bukan

ft - sudut ruang

sehingga persamaan Boltzraan pada 50 menjadi s

ee 3 f (p) / 3 p z . v* for^a ) £ f ( p l ) - f(p)/ dfl (51)

(n)

Pemecahan persainaan i n t e g r a l i n i digunakan methode Lorentz , yaitu

dengan menguraikan fungsi d i s t r i b u s i s t a t i o n e r f/ > yang a n i s o t r o p i s s

f f
(px, P y, Pz)""- (P) - f°(P) +
PzrKP) +
• — <*>

dimana p ^ / \ « ?o( \, t e t a p i j u s t r u harga i n i sangat pen-

ting artinya.

Karelia impula p pada arah z y a i t u pada arah medan l i s t r i k e, raaka

p, ^'E . Apabila-(52) ddmasukkan ke dalam 51 dengan nengabaikan

 30

3£-/3p , didapat persaoaan :

(53)

Apatrila p = p cos6, persamaan d i a t a s menjadi

e£ 3f0Apz = -rtj'tp, a) 3*1 (p) [^086 -COseJ^ ^

dinana 9 sudut hamburan.

Dan j i k a cross s e c t i o n xurabukan i s o t r o p i s , raaka ar \ ~ ar \ dan

ee 3f 8p
0/ 2 = -*-tr N v p cosef
n(p)

- -trN v
VKP)

jo, \ ccos9'
os9' - cos ee|dn = ^a^,cos e

maka untuk i n t e g r a l xumbukan d i d a p a t s

I = -o^Nvp^^pj = - ( v / x ^ ) Pcos f l ( p ) (55)

3f 0 /3P 2 = (3f0/ap)(Pz/p)

Masukkan harga i n i ke dalam persamaan 54 akan didapat :

fl(p) = -—|—(l/p)(3fo/9p)=(-A|r/v)eE(l/p)(3fo/3E)(aE/9p)
tr
dan akhirnya :

f
KP) -• - " t r e E (1/P)9fc/3E
dimana
X. = 1/HCT, adalah l i n t a s a n bebas t r a n s l a s i .
xr tr
Fungsi d i s t r i b u s i stasioncr d i dalan pent-aruh nedan luar menjadi :

f
(p) " f°(p) +
V 1<p) " f
o " ^^Of^Ejcoe 6 (56)
 31

iaea
£~l(v) J a , 3 i P°si^Lf _ M i a 6 < - I T , dan n e g a t i ? .Mia e> % xtn-
-fcuk elektcon dan sebaliknya -untufc h o l e s .

Kerapaian arus yang meliTjata penampang l i n t a n g 1 cm pada arah. z ada-

3
a - e f v z f ( P ) d P c e r vcos£ ( P ) d p
cos e
= e fv ( f o / } - \ t _ e e 3 £ / 3 E COS e)dp
00 %.

= - e2* J^ ^ ^ " V a E ^ (57)

Icarena i n t e g r a l yang mengandung f t i d a k tergantung d a r i sudut hambur

dan integralnya menjadi n o l . Dari ruang phase diketahui bahwa J

dp = ( 4 m3^2/^2) \/(E/2)dE s i n e d8d$ :

Dengan demikian didapat •untuk kerapatan arus pada arah. z :

CO

3Z - - Oe J ^ E S f / B E dE, (58)

dimana
16 m e
C -
3b?
E - Ep
Un-fcuk menyederhanakan bentuk i n t e g r a l 53 diarabil untuk . —— * ep

Sehingga s

1-1 s
T X -tr E 3 f c/ £ E d E

s
A t r * % + k T ^ >afc/3£FdeT
 32

— £p/TJj *= — *°, dan. ^ r / 3 £ p adalai. menyerupai fungsi Dirac

«edang X, iidak: tergantung dard. energi, maka

&arena x t a
ffix
3.z = ^/r > EP (59)
t r< % ) * *
KonduktrTitas senrikonduktor tersebixt dapat d i o a r i dengan trukum Ohm. :

= 3 2 /E = JfeL X^Ep (60)

Konduktivitas dan kerapatan arus ber banding langsung dengan l i n t a s a n

bebas r a t a - ^ a t a pada t i n g k a t energi Fermi, sedang X s e n d i r i "tergan-

tung pada temper a t u r .

jfeek_Ha_Il djilp.ni soroikondjuktor

Apabila pada konduktar ataupun semiJconduktor yang d i a l i r x

arus lis-brik pada arah sumba x dan padanya diker jakan medan magnet p a -

da arah sunbu z, maka pada sarapel t e r s e b u t akan timbul medan U s t r i k

pada arah sumbu y sebcsar e . sebagal a k i b a t adanya gaya Iorentz yang

beker ja pada p a r t i k e l - p a r t i k e l pembawa a r u s . Gaya l i s i r i k F pada p e r -

samaan Boltzman d a r i rursus 50 t e r d i r i d a r i komponen-kcmponen gaya s

F = ee + (e/c.)Hv
x x y
F = ee + ( - e/c)Hv
y y ' x
F = 0
z

Sehingga persamaan 50 dcpat d i t u l i s k a n scbagai

+
eK M * >H> 3 f / 3 P + * c v - ( v / c )H} 3f/ap v = I (60)
 33

Untuk medan yang cukup lemah persamaan BaLtzman i n i dapat d i c a r i peme-

caharmya dengan methode Laureate, dengan menguraikan ±ongsi dis-fcriba-
sanya menjadi :

r f + p
(p) * °(p) xfKP) +
V2(P) +
• - C62)

Maka xmtuk i n t e g r a l tumbukan juga mem-n-iy^ kamponen-kampanen £ ../ \ dan

f 2 / -\ dan ramus 55 dalain nedan magnet menjadi :

I = - ( VpAfe. ) ( f i c o s e +
^ 2 s i n 6) (63)

9' - s-udut haratouran a n t a r a arah inpuls dengan sumbu x.

Apabila ke dalam persamaan 61 ddmastikkan harga-harga pada ruraus 62 dan
63 dengan mengebaikan suku-suku.,

ExPx8f1/3Px dan v ^ p / O a f ^

maka didapat :

ve ( e^fJzE - Hfg/e) + ( vp/\ )f i cos 8 +

p e ( e 3fySE + Hf Jc ) + (vpA^fJ s±n 6 = 0

Humus i n i berlaku untuk sembaranr S karena i t u

( e/n)ex*£jiE - (eH/mc-Jf,, - - (v/^)^

( e/m) £ y 3f 0 /3li: + (eH/ m c )f 1 = . (v/^)^ "

eH
Kalau u.j = / n c > raaka untuk f^ dan f didapat :

H
X. e ( e + ( * )e )

vm j + (> W v ) 5
 ;
x
2 ir x !zi__(3£/ 3 E)

vm 1 + {^S.)'

Urrtok rapa-fc a r a s pada arah strabu x ?

e
r
J~ = /V<pV* - C
(£xL1-%L2) (64)

r>
V " JV(p)dp =e C(£
yL1+eyL2> 0 (65)

Dimana

L.
r XE
(3f/3E)dE
1 'J Xu> 2
1 +(—2-)

X Li.
'K
L
2 -
f7E< )
( 9 f 0 /3E)dE
X m 2
1+ (—£-)

dan. fv
/ f p dp = 0

•Kabila H •* 0, maka s

L
1~^ / W 8 E > d E » sedan
S L
2 - °f
sehingga arus j s e p e r t i dirumuskan pada 59.

"Untuk menghitung ^ dan 1>Z secara eksak digunakan s i f a t fungsi" Dirac

3f o /3E sehinfga didapat :

X E -*^
I rFr
T _ • T _
ra
*• n T
(66)
1 • c& >•
 35

X„, Tp adalah "KTvfcggaTi "bebas r a t a - r a t a dan kecepatan pada pernrukaan

Fermi yang energinya sama dengan. Ep -.

Konduktivitas l i s t r i k dalaia pengaruh. medan. magnet H adalan :

o-/„\ = — , sedang- medan HaXLnya e ,

x

Dari persamaan 64 dan. 65 didapat s

L eHj
e s= 2Jx _ °x (67)
y
mcEpVpC

E — Vx
X
C(L ? + L|).

maka -untuk kondukrtivitas dan k o e f i s i e n H a l l menjadi

C( 1$ + lA )
*(H) = ] L. (68)

R = (69)
(H) -H^7 Tp5

Dari rumus 58 dengan menganggap elektron dan h o l e s t i d a k berdegenerasi

d i dalam semlkonduktar, maka kerapatan arus tanpa medan magnet s

iJ = - Ce J!°_ / X E3/3E{exp( - */&)) dE

x x JT^ f "tr

n te2* n
C6
3X • x-TT ^ * T = ^ " e- (7
°a)
c
/2nmkl
 36

dinana d i s i r i b u s i e l e c t r o n dan holes pada keadaan -fcLdak berdegenerasi

£ o diambil :

n , . ,. n,
f = ft 5-3/2 : e a p-( —
- # k l )- = — 2 - exp ( - E/kT ) (70b)

h2

Dan konduktivitas semikonduktar tanpa medan l i s t r i k didapat :

4e'A3s a e ^. n.
0
tJ 3m V m

dimana T »• x / v adalah waktu r e l a k s a k s i dan- a adalah koefisien •'•' •

yang harganya dekat dengan s a t u .

.ApabHa p a r t i k e l - p a r t i k e l pembawa arias t e r d i r i d a r i elektron dan holes» :•

maka konduktivitas tanpa medan magnet adalali : •

2 e l ' 2 h i • ' •.-:.-:.

a e-i n a e~n V" ^ V'-v
a J 2
(0)=— ~ - V. + - ^°-. T (7.1)-*-

Apabila dihitung konduktivitas semikonduktor dalam medan magnet'. dariV." v

ruraus 68 dengan nemasukkan harga numerik d a r i rumus 66, '•"'•';- '"'••'•' •••'•'•"

eH\ \ / -,. • . - •.:'../.'''':-,.'.

dimana LV L i = —.-9 \/-s2L. maka akan didapat runus 71 juga/aU"
"= ' 4mc VkT . '::.;N;';A
I . • ' , ' • . ' •'.'".-.' , : , .'..'-y'>v-^
sehingga berlaku : ': ' ••''•:.'•''.-i.-.^i*^'

• ' •• '•-••:• :• ->; - S ? f l r S e

. . - . • • • ••••.i;'jJ;As^isi^

Ternyata bahua untuk nedan nagnet yang cukap lemah Clebih kecil.'dari'y^.-)
• •• J ' " ; ^ i i ^ S i
20.000 Gauss) konduktivitas l i s i r i k tidak tergantung pada riedan-mag-"!%51;
•. •• ' ^ - i v . f t w
netnya. Koefisien Hall R/,T\ dapat dihitung d a r i rumus 69 dennran mema-il-;:?
sukkan ke dalatmya persainaan 71 sehingga :
 37

(
*(H) V-^T -*T ^ o " * ?o> • (72)

I e j — miatan a b s o l u t d a r i e l e k t r o n a t a u hcQ.es.

Rumus i n i berlaku. apabila degenerasi d i dalam semikonduktar diabaikan

a t a u dengan perkataan l a i n k o n s e n t r a s i e l e k t r o n atau holes sangat k e -

. c i l . i D i dalam beberapa seraikonduktor k o n s e n t r a s i par t d k e l - p a r t i k e l pem

bava arus i n i t i d a k t e r l a l u k e c i l sehingga p a r t i k e l - p a r t d k e l yang b e r -

muatan t e r s e b u t berdegenerasi lemah, nrLsalnya d i dalam Ge; Karena i t u

untuk memperhixungkan konduktivitas p e r l u diperhatdkan. d e k l i n a s i d a r i

d i s t r i b u s i Maxwell yang digunakan. Dan tentunya akan didapat farmulasi

yang b e r l a i n a n d a r i rumua 7 2 .

.Dari runus 68 dan 69 didapat k o e f i s i e n Hall secara unium s

- L
"?_, (73)
CH (L* + I*)

Masukkan ke dalam rumus 73 harga ruraus 66 akan didapat :

R = H
CHvpEp

dan 3eianjutnya

R = "H
CHvFEp

3 ^3 \J 2-nm ]
-3
R . K L -x. I " (74)
2
l6inn ec Ep

R-unus 74. i n i . sangat rcenguntungkan, karena d i dalamnya mengandung a r t i

. yang-lebih vunum dan berlaku untuk p a r t i k e l pembawa arus y a n g b e r d e g e -

 38

n e r a s i maupun tddek. Keuntungan l a i n y a i t u k o e f i s i e n H a l l langsung &i~

ftubungkan dengan energi Fermioya. Bengali deroikian perbdtuiigan energi

Fermi d a r i eksperiaen akan dipermudan* Sedangkan xtatrik msngni-fcong kon-

s e n t r a s i p a r t i k e l - p a r t i k e l yang berdegensrasi dapat dianiMZl d a r i ztcsiis

10 "untuk. e l e k t r c n dan rumos 10 -untulc holes dimana d i daian. f a n g s i

F^Csp) mengandung bcsaran energi Fermi yacg d a p a t diambi"L d a r i tabeX

(17)
raathejnatas. Dengan diketaliainya Iconsenti-asi partUcel-part'Jkcl pern

"bawa arus dengan mudah. dapat diliitung mobilitasnya y 9:12s dasar i-narus:

" » up° + py° (75)

Pada efek Hall s eTnikonduktor s i s i p a n didapat s u a t u kekhususan l a g i ,

Dengan menanibahkan Iconsentrasi atom-atom asing pada semikondvJctor tec~

sebirt koefisien Hal 1 nya alcan naik secara kontnxtu Iiingga menoapai suatu

k o n s e n t r a s i "tertentu (Hi h a t rtmrus 331 34 dan 4** > 43 )•> keimidian alcan

t e r j a d i kenaikan mendadak d a r i konsentrasi p a r t a k e l - p a r t i l c e l ternebirb

sehingga k o e f i s i e n Hallnya alcan mendekati n o l dan kemudian k o e f i r i o n

EaHnya berubah tanda. Hal i n i dibenarkan oleh eksperimcn pada PdH (pa

ladiun hidrogen). ' ^

Penambahan atom-atom asing l e b i h l a n j u t ke dalam senikondul;-

tor akan menyebabkan s i s trim t e r s e b u t hilang keteratarannya (completely

d i s o r d e r e d ) . B..'Jones'." t e l a h rcengliitong secara t e o r i t i s kondulcti-

v i t o s Hall untuk siote:n t a r s e t u t dan msnynnpullcan bahua konduktivitss

Hall terubah tandanya uakta energi Fermi -b^pat t e r l c t a k d i bawah zona

konduksi dauar dan besarnya sama dengan konduktivitas r e s i d u pada ba-

tao -bersebut. Efek Hall sdulah sengat tergantung pada temperatur dan

k o n s e n t r a s i p a r t i k e l pembavra arus ( l i h a t ruims 72 dan 74)» • E* Svirina '

 39

t e l a h mengukur k o e f i s i e n HaU sebagai fungsi d a r i -temperatur untuk

f e r i t NiFeVO dimana didapatkan bahwa kenaikan "temperatur pada sample

yang d i a l i x i arris t e t a p , p o t e n s i a l Hallnya EU dapat berubah tandanya.

(300°K - 600°K). Hal i n i disebabkan karena pembentukan-penbentukan

struktur f er amagnetdk yang sub l a t t d c e n y a (kisinya) menjadi dua t a l i

sub k i s i f e r i t . Pada k o e f i s i e n Hall beberapa semikonduktor t i p e n s e -

p e r t i IhSb, lads dan GaAs dapat diamatd efek magnetophonon, dinana-po-

t e n s i a l H a l l b e r o s i l a s i pada medan l i s i r n k lemah dan berada pada tem-

(21)

peratur yang sangat tlnggi. Pada medan magnet yang sangat tinggi

koefisien Hall tidak lepas dari pengaruh medan magnet, tetapi koefisi-

en Hall tersebut sudah akan merupakan fungsi dari medan magnet. Dengan

perubahan medan magnet koefisien Hallnya akan berubah pada medan yang

sangat tinggi, seperti :^

1 1_+' (O) H T)'
V2
~* (76)
R =
U-p) e c &Slf + (»HT)2
(n-p)

Sedang k o n s e n t r a s i p a r t d k e l - p a r t i k e l pembawa arusnya dapat dxhitung

d a r i rumus 47 maupun 4 8 .

Ca-tatan :
Dari rumus 34 dan 43 dihitung k o n s e n t r a s i holes untiik g e r -

manium Ge t i p e P dengan s i s i p a n indium In dongan porbandingan 1&,7 ng

In ke dalam 53 gr C-e yang dilakukan dengan kcmputer. Dan kemudian ko-

e f i s i o n Hall dihitung d a r i rumis 72 dan sclanjutnya dihitung n o b i l i -

tasnya dcngan reenggunakan runus 4 5 . Hasil k a l k u l a s i disesuaikan dengan

100)
experimen yang dilakukan oleh T.M.S. Sugandiv ' dan akan dibahas pada
bab H I .
 4o

Pastaka

1. Martoa - Method of Exp.Phys. v o l . 6 , p a r t B, p 145 - 160 - 1959.

2. C. K i t t e l - Introduction t o s o l i d s t a t e physics - Iff - 1956.

3 . Dresselhaus. C. K i t t e l - Fhys. Rev. 98, p 368 - 1955.

4 . Dexter Zeiger, Lax - Phys*Rev. 104, P 637 - 1956.

5. Lax &Movroides - Phys.Rev. 100, p 1650 - 1955.

6. Herman - Phys .Rev. 93, p "1214 & 95, P 847 - 1954.

7 . Herman - Proc. IRE 4 3 , p 1703 - 1955-

8. J. Ziman - P r i n c i p l e s of "the theory of s o l i d - Cambridge Univ. I964.

9. F. Seitz - Modern theory of s o l i d s - W - 1940.

10. G. Moldner - The theory of condensed p-.tter ICTP, p 276 - 1967»

11. I . Van. Hove - Phys. Rev. 89, p 1189 - 1953.

12. Wilson - Proc.Roy.Soc. London - A134 - p 277 - 1931.

13. Blakemore - Phil.Mag. Ser. 8, 4 , p 560 - 1959.

14. Elcock & Landsberg - Proc.Phys.Soc.London - B70, p 161 - 1957.

15. Khon - Solid s t a t e physics v o l . 5 M - 1957.

16. Landau - Z s . f.Phys. 64, P 629 - 1930.

17. Blakemore - Senrikonductor s t a t i s t i c - p 366 - 1962 - Pentagon

Press USA.

18. R. Yisnieyski. & A.J.Rostocki - Piiys.Rev.13 v o l 3 - p 251 - 1971.

19. R. Jones Phys. C Solid s t a t e phys. v o l 3 - P 202 - 1970.

20. E.P.Svirina & E.N.Fclwanova - Soviet Physics - Solid s t a t e vol 12

- No 9 - p 2042 - 1971.

21. R.A.Wood & R-A.S-tradling, I.P.Molodyan - J.Phys.C _ Tetters t o

the Editors L 154 - 159 - 1970.

22. l.M.S.Sugandi - S k r i p s i sarjana F i s i k a FIPIA-UI - 1973. . .