MAKALAH BAHAN BAKU KERAMIK

“ SILIKON KARBIDA”

Disusun Oleh :
Kelompok II

Pina Andriani Pane NIM.200190009

Nabila Amalia NIM.200190011

Dosen Pengampu : Syariful Maliki, S.T., M.T

JURUSAN TEKNIK MATERIAL FAKULTAS TEKNIK

UNIVERSITAS MALIKUSSALEH
LHOKSEUMAWE
2022
KATA PENGANTAR
 Alhamdulillah Puji dan Syukur Penulis ucapkan ke hadirat Allah
Subahanahu Wa Ta’ala, zat yang ada sebelum kata itu ada, yang Maha Indah atas
segala keindahan-Nya, yang Maha Pengasih lagi Maha Penyayang. Shalawat serta
salam semoga senantiasa dilimpahkan kepada Nabi Besar Muhammad Shallallahu
‘Alaihi Wassalam, sebagai pembawa Risalah Allah terakhir dan penyempurna
seluruh risalah-Nya.
Alhamdulillah berkah Rahmat dan Hidayah-Nya penulis telah
menyelesaikan makalah ini guna memenuhi tugas kelompok untuk mata kuliah
Bahan Baku Keramik yang berjudul “Silikon Karbida”.
Penulis sadar bahwa dalam penulisan makalah ini masih terdapat banyak
kekurangan baik dari segi teknik penyajian penulisan maupun materi yang penulis
sajikan mengingat keterbatasan ilmu yang dimiliki penulis. Berdasarkan itu,
penulis sangat mengharapkan saran dan kritik yang membangun demi penulisan
makalah yang lebih baik lagi.
Akhir kata penulis berharap semoga makalah ini dapat memberikan
manfaat khususnya bagi penulis dan umumnya bagi para pembaca.

Lhokseumawe, September 2022

Penulis

DAFTAR ISI
KATA PENGANTAR......................................................................................i
DAFTAR ISI.....................................................................................................ii
BAB I PENDAHULUAN.................................................................................1
1.1 Latar Belakang .......................................................................................1
1.2 Rumusan Masalah...................................................................................2
1.3 Tujuan Masalah......................................................................................2
BAB II TINJAUAN PUSTAKA......................................................................3
2.1 Pengertian Silicon Carbide ...................................................................3
2.2 Karakterisasi Silicon Carbide ……………………………………….3
2.3 Sifat-sifat Fisika dan Kimia …………………………………………4
2.4 Pengaplikasian Silicon Carbide …………………………………….4
BAB III KESIMPULAN..................................................................................5
3.1 Kesimpulan ………………………………………………………….5
DAFTAR PUSTAKA………………………………………………………..6

BAB I
PENDAHULUAN
1.1 Latar Belakang
Dalam bidang industri elektronik telah dilakukan penelitian-penelitian
untuk mendapatkan material-material baru yang bersifat semikonduktor. Bahan
semikonduktor dapat berupa unsur maupun senyawa kimia tertentu. Salah satu
yang paling penting adalah silikon (Si). Bahan silikon adalah bahan
semikonduktor yang mendominasi teknologi elektronik dan fotonik. Bahan
semikonduktor lainnya adalah germanium (Ge). Sedangkan bahan semikonduktor
senyawa bahkan jauh lebih banyak seperti senyawa Zn (ZnO, ZnS, ZnSe), GaAs,
dan beberapa senyawa kimia lainnya. Beberapa senyawa silikon juga merupakan
bahan semikonduktor yang banyak diteliti seperti silikon nitrida (SiN) dan silikon
karbida (SiC).
SiC dijumpai di alam hanya dalam bentuk lempengan heksagonal
berukuran kecil dalam besi meteorik. Bahan yang sama (-SiC) pertama kali
disintesa secara komersial oleh E. J. Acheson (1891) dengan memanaskan
campuran clay dan serbuk C menggunakan panas busur listrik elektroda C pada
temperatur >1600oC.2 Hingga saat ini SiC (-SiC) komersial dibuat dengan
proses Acheson ini. Namun demikian banyak proses baru telah dikembangkan
untuk pembuatan SiC dengan grade lebih tingggi (murni) dalam bentuk fibers,
platelets, whiskers, serbuk, dan lapisan film. Tersedianya bentuk fibre dan platelet
SiC melahirkan ketersediaan komposit bermatriks logam dan keramik dengan
particulate (aplikasi untuk connecting rod dan piston untuk otomotif terbuat dari
matriks Al)3 dan fibrous reinforcement terbuat dari SiC.
SiC dapat diperoleh dengan mudah, karena sebagian besar bahan baku
yang memiliki kandungan silikon (Si) dan karbon (C) dapat dijadikan sebagai
prekursor untuk sintesis SiC (Anggono et al. 2007). Beberapa prekursor seperti,
SiCl4, TEOS, CH3SiCl3, dan SiO2 dapat dijadikan sebagai sumber silikon,
sedangkan karbon dapat diperoleh dari gas CO2, CH4 dan serbuk grafit C (Yang
et al. 2004, Taguchi et al. 2005, Guo et al., 2007, Ju et al. 2007, Dasog et al. 2013,
Prakash et al. 2015).

1.2 Rumusan Masalah

 1. Apakah yang dimaksud dengan silicon carbide?
2. Apa saja saja sifat fisika dan kimia dari silicon carbide?
3. Bagaimana karakteristik silicon carbide?

1.3 Tujuan
1. Mendeskripsikan pengertian silicon carbide.
2. Mendeskripsikan sifat fisika dan kimia dari silicon carbide.
3. Mendeskripsikan karakteristik silicon carbide.

BAB II
TINJAUAN PUSTAKA
2.1 Pengertian Silicon Carbide
Silicon Carbide (SiC) merupakan material keramik non-oksida yang
memiliki sifat fisika dan kimia yang baik seperti, tingginya tingkat kekerasan, titik
leleh, temperatur dekomposisi, dan konduktivitas termal. Selain berperan sebagai
material keramik, SiC juga dapat berperan sebagai material semikonduktor dan
penguat komposit sehingga dapat diaplikasikan pada bidang optoelektronik,
abrasif, dan nuklir (Anggono et al. 2007, Su et al. 2016, Avincola et al. 2017).
Silkon karbida terbentuk melalui ikatan kovalen antara unsur Si dan C.
Unsur C memiliki nomor atom 6 dengan jari-jari atom 0,078 nm. Nomor atom
unsur Si adalah 14 dengan jari-jari atom 0,117 nm (Pierson, 1996). Berbagai
bentuk SiC, seperti batang, kawat nano, lapisan tipis, busa dan serat kontinu telah
dikembangkan sejak awal 1980-an dan aplikasinya semakin meluas seperti pada
bidang militer, dirgantara, otomotif, elektronik dan industri nuklir. Secara khusus,
serat SiC digunakan sebagai penguat komposit untuk keramik suhu tinggi,
substrat pada katalis atau filter suhu tinggi (Richerson, D. W. 2006).

2.2 Karakterisasi Silicon Carbide

Berbagai bentuk SiC, seperti batang, kawat nano, lapisan tipis, busa dan
serat kontinu telah dikembangkan sejak awal 1980-an dan aplikasinya semakin
meluas seperti pada bidang militer, dirgantara, otomotif, elektronik dan industri
nuklir. Secara khusus, serat SiC digunakan sebagai penguat komposit untuk
keramik suhu tinggi, substrat pada katalis atau filter suhu tinggi (Lee, W. E. dan
Rainforth, W. M. 1994).
Keramik konvensional dapat patah atau retak dengan mudah akibat
karakteristik mekanik atau termomekanik yang disebabkan adanya retakan awal
akibat cacat atau goresan kecil. Untuk meningkatkan ketahanan retak atau fracture
toughness serat kontinu, fasa penguat diskontinu (whisker) atau partikel
(partikulat) ditambahkan pada matriks. Penguatan dengan serat keramik kontinu
merupakan cara efektif untuk meningkatkan kekerasan dan kekuatan (Sharma,
N.K., Williams, W.S., dan Zangvil, A. 1984). Meskipun sifat mekanik dari serat
sangat penting untuk kekuatan komposit, namun antarfasa serat/matriks juga
berperan penting untuk kekuatan keramik . Untuk meningkatkan sifat mekanik
SiC, umumnya dibentuk berupa komposit SiC/SiC.
Komposit SiC/SiC memiliki stabilitas mikrostruktur yang baik pada
iradiasi netron energi tinggi, menarik untuk digunakan sebagai komponen
pendukung pada reaktor fisi dan fusi. Selain itu, permeabilitas yang rendah
terhadap produk fisi menjadi satu kelebihan untuk mencegah kontaminasi produk
fisi pada cairan transfer panas. SiC juga dapat dimanfaatkan sebagai material
tahan panas karena tingginya sifat konduktivitas termalnya, temperatur
dekomposisinya, ketahanan kimiawinya, serta wettability-nya yang rendah oleh
logam cair dan perak. Adapun struktur dari silicon carbide dapat dilihat pada
gambar berikut.

Gambar 2.1 Struktur Silicon Carbide

Gambar tersebut menggambarkan struktur kubik dan kristal silikon

karbida. Susunan ini sama dengan berlian, meskipun ada perbedaan jari-jari atom
antara C dan Si.

2.3 Sifat-sifat Fisika dan Kimia

Adapun sifat fisika dan kimia silicon carbide adalah sebagai berikut:
1. Sifat Fisika Silicon Carbide
 Silicon carbide unggul tahan oksidasi, unggul tahan rayapan, kekerasan
tinggi, kekuatan mekanik baik, Modulus Young sangat tinggi, tahan korosi dan
tahan abrasi, dan berat relatif rendah, serta mampu mempertahankan ketahanan
elastisnya pada suhu tinggi.
2. Sifat Kimia Silicon Carbide
a. Konduktivitas termal yang tinggi.
b. Tahan suhu yang bagus.
c. Koefisien ekspansi termal linier rendah, yang mendukung suhu tinggi
dengan ekspansi rendah.
d. Tahan terhadap goncangan termal.
Adapun terdapat sifat umum pada silicon carbide yaitu massa molar 40,11
g / mol, kepadatan 3,16 g / cm3, titik lebur 2830 ºC, dan indeks bias 2.55.
Penampilan silicon carbide bervariasi dengan metode perolehan dan bahan yang
digunakan, Bisa berupa kristal kuning, hijau, biru kehitaman atau berwarna-warni.

2.4 Pengaplikasian Silicon Carbide

1. Sebagai abrasive
a. Silikon karbida adalah semikonduktor yang mampu menahan suhu tinggi,
tegangan tinggi atau gradien medan listrik 8 kali lebih banyak daripada yang dapat
ditahan silikon. Inilah sebabnya mengapa ini berguna dalam pembangunan dioda,
transduser, penekan dan perangkat microwave berenergi tinggi.
b. Dioda pemancar cahaya (LED) dan detektor radio pertama (1907)
diproduksi dengan senyawa ini. Saat ini, silikon karbida telah diganti dalam
pembuatan lampu LED oleh gallium nitride yang memancarkan cahaya dari 10
hingga 100 kali lebih terang.
c. Dalam sistem kelistrikan, silikon karbida digunakan sebagai penangkal
petir dalam sistem tenaga listrik, karena mereka dapat mengatur resistansi dengan
mengatur tegangan melalui.
2. Dalam bentuk keramik terstruktur
a. Dalam suatu proses yang dikenal sebagai sintering, partikel-partikel
silikon karbida - dan juga partikel dari para sahabat - dipanaskan pada suhu yang
lebih rendah daripada suhu leleh campuran ini. Dengan demikian, itu
meningkatkan kekuatan benda keramik, dengan membentuk ikatan yang kuat
antara partikel.
b. Keramik struktural silikon karbida telah memiliki berbagai kegunaan.
Mereka digunakan dalam rem cakram dan di cengkeraman kendaraan bermotor,
dalam filter partikel hadir dalam diesel dan sebagai aditif dalam minyak untuk
mengurangi gesekan.
c. Penggunaan keramik struktural silikon karbida telah menjadi luas di
bagian yang terkena suhu tinggi. Sebagai contoh, ini adalah kasus tenggorokan
dari injektor roket dan rol dari kiln.
d. Kombinasi konduktivitas termal yang tinggi, kekerasan dan stabilitas suhu
tinggi membuat komponen tabung penukar panas dengan silikon karbida.
e. Keramik struktural digunakan dalam injektor sandblasting, segel otomotif
pompa air, bantalan dan cetakan ekstrusi. Ini juga merupakan bahan cawan lebur,
yang digunakan dalam pengecoran logam.
f. Ini adalah bagian dari elemen pemanas yang digunakan dalam peleburan
kaca dan logam non-ferrous, serta dalam perlakuan panas logam.

Adapun penggunaan lainnya antara lain sebagai berikut:

1. Dapat digunakan dalam pengukuran suhu gas. Dalam teknik yang dikenal
sebagai pyrometry filamen silikon karbida dipanaskan dan memancarkan radiasi
yang berkorelasi dengan suhu dalam kisaran 800-2500 ºK.
2. Ini digunakan dalam pembangkit nuklir untuk mencegah kebocoran bahan yang
dihasilkan oleh fisi.
3. Dalam produksi baja digunakan sebagai bahan bakar.

BAB III
KESIMPULAN
3.1 Kesimpulan
Silicon Carbide (SiC) merupakan material keramik non-oksida yang
memiliki sifat fisika dan kimia yang baik seperti, tingginya tingkat kekerasan, titik
leleh, temperatur dekomposisi, dan konduktivitas termal. Selain berperan sebagai
material keramik, SiC juga dapat berperan sebagai material semikonduktor dan
penguat komposit sehingga dapat diaplikasikan pada bidang optoelektronik,
abrasif, dan nuklir.

DAFTAR PUSTAKA
Anggono, J., Anggono, J., Tjitro, S., Wijaya, E., Teknik, J., & Petra, M. K., 2007.
Pembuatan Keramik Silikon Karbida Menggunakan Campuran Serbuk
Kayu Meranti dan Silikon.
Dasog, M., Smith, L.F., Purkait, T.K., & Veinot, J.G.C., 2013. Low temperature
synthesis of silicon carbide nanomaterials using a solid-state method.
Chemical Communications, 49 (62), Page: 7004–7006.
Guo, J.Z., Zuo, Y., Li, Z.J., Gao, W.D., & Zhang, J.L., 2007. Preparation of SiC
nanowires with fins by chemical vapor deposition. Physica E: Low-
Dimensional Systems and Nanostructures, 39 (2), Page: 262–266.
Ju, Z., Ma, X., Fan, N., Li, P., Xu, L., & Qian, Y., 2007. High-yield synthesis of
singlecrystalline 3C-SiC nanowires by a facile autoclave route. Materials
Letters, 61 (18), Page: 3913–3915.
Lee, W. E. dan Rainforth, W. M. (1994), Ceramic Microstructures: Property
Control by Processing, London: Chapman and Hall.
Richerson, D. W. (2006), Modern Ceramic Engineering, pp. 373, Boca Raton:
CRC Press (Taylor and Francis).
Sharma, N.K., Williams, W.S., dan Zangvil, A. (1984), Formation and Structure
of Silicon Carbide Whiskers from Rice Hulls, J. Am. Ceram. Soc., 67 (11),
715.
Taguchi, T., Igawa, N., Yamamoto, H., Shamoto, S.I., & Jitsukawa, S., 2005.
Preparation and characterization of single-phase SiC nanotubes and C-SiC
coaxial nanotubes. Physica E: LowDimensional Systems and
Nanostructures, 28 (4), Page: 431–438.
Yang, W., Araki, H., Hu, Q., Ishikawa, N., Suzuki, H., and Noda, T., 2004. In situ
growth of SiC nanowires on RS-SiC substrate(s). Journal of Crystal
Growth, 264 (1–3), 278–283.