LAPORAN PRAKTIKUM

ELEKTRONIKA RKD203
Topik: Transistor (BJT)
Kelas: RK-A2

Anggota Kelompok:
1. Mohammad Mirza Ulhaq S. (162112233072)
2. Alifian Nur Rahman (162112233075)
3. Saddam AL Fattah Putra Adi (162112233043)
4. Vallen Muhammad Azhim Fakhri (162112233025)

Program Studi Teknik Robotika dan Kecerdasan Buatan

Fakultas Teknologi Maju dan Multidisiplin
Universitas Airlangga
2023
 I. Dasar Teori

Bipolar junction transistor (BJT) yang biasa dikenal dengan sebutan transistor bipolar
merupakan komponen elektronika yang terdiri dari tiga lapis susunan semikonduktor, baik untuk
yang bertipe PNP ataupun NPN. Istilah bipolar digunakan karena adanya elektron dan hole
sebagai muatan pembawa (carriers) didalam struktur transistor. Dari tiap lapisan yang
membentuk transistor tersebut memiliki nama-nama tersendiri (kolektor, basis, dan emitor).
Dan pada tiap lapisan tersebut terdapat kontak langsung berupa kaki konduktor untuk koneksi
ke rangkaian. dapat terlihat pada gambar berikut ini menunjukkan simbol skematik untuk
bipolar junction transistor tipe npn dan pnp.

Gambar 4.1 simbol skematik transistor BJT jenis NPN dan PNP

Pada praktikum aplikasi transistor praktikan akan menggunakan transistor 2n2222, dimana
Transistor 2N2222 merupakan salah satu jenis transistor NPN yang berdaya rendah.
Penggunaannya sering diaplikasikan pada berbagai sirkuit elektronika sederhana maupun
industri dan sangat mudah didapatkan dipasaran. Dapat terlihat pada tabel 4.1 merupakan data
rating maksimal dari transistor 2n2222 beserta fisik dari komponen sebagai acuan penggunaan
dalam praktikum pada gambar 4.2.
 Salah satu bentuk desain rangkaian penguat (amplifier) adalah menggunakan BJT jenis NPN
dengan konfigurasi Common Emitter dengan ciri-ciri output rangkaian penguat diletakan pada
terminal Collector.

Tabel 4.1 Rating maksimum pada penggunaan BJT 2n2222

Gambar 4.2 Ilustrasi petunjuk kaki transistor

 II. Data Hasil Percobaan

1. Resistor 1K Ohm

Rc (Ohm) Tegangan offset (mV) Bentuk gelombang Vout = Vce (V)

0 0,4
1k

100 0,4
150 0,4

200 0,4
250 0,4

300 0,4
350 0,4

400 0,4
450 0,8

500 1,2
550 2

600 3,6
650 4

700 6
750 8

800 8,8
850 8,4

900 6
 950 5,6

1000 4
2. Resistor 10K Ohm

Rc (Ohm) Tegangan offset (mV) Bentuk gelombang Vout = Vce (V)

0 0
10k

100 0,06
150 0,056

200 0,024
250 0,046

300 0,054
350 0,1

400 0,64
450 3,2

500 10
550 10,4

600 10,4
650 10,4

700 9,6
750 6

800 0,4
850 0,4

900 0,4
 950 0,4

1000 0,4
 III. Analisis

Pada percobaan ini kami dapatkan bahwa titik kerja transistor adalah keadaan dimana
transistor beroperasi secara stabil dan dapat menghasilkan penguatan sinyal yang optimal.
Pengaturan titik operasi ini sangat penting karena dapat mempengaruhi kinerja dan sifat transistor
dalam rangkaian elektronik.

Pada percobaan tegangan offset antara 0 sampai 1000 mV, hasil pengamatan dianalisis
untuk menentukan titik operasi optimal dari transistor. Jika tegangan offset terlalu kecil, transistor
dapat dimatikan dan tidak menghasilkan amplifikasi sinyal apapun. Sebaliknya, jika tegangan
kompensasi terlalu tinggi,transistor mungkin dalam keadaan jenuh dan tidak dapat menghasilkan
penguatan sinyal yang optimal.

Sebagai contoh, pada percobaan dimana tegangan kompensasi 500 mV dan tahanan
kolektor 10 kOhm, hasil menunjukkan bahwa transistor dalam keadaan aktif dan dapat berfungsi
sebagai penguat sinyal. Hasil yang diperoleh dari percobaan menunjukkan bahwa tegangan
kolektor-emitor (VCE) adalah 10V, yang menunjukkan bahwa titik operasi transistor dalam
kondisi optimal.

Berbeda ketika diberi tegangan offset 1000 mV, yang terjadi nilai VCE transistor menjadi
0.4 V, maka transistor berada pada kondisi yang tidak diinginkan dan tidak berfungsi sebagai
penguat sinyal. Tegangan offset yang terlalu tinggi dapat membuat transistor berada pada kondisi
jenuh (saturation), di mana aliran arus pada transistor mencapai nilai maksimumnya dan tidak
dapat meningkat lagi.
 IV. Kesimpulan

Dari percobaan di atas dapat disimpulkan bahwa titik operasi transistor sangat penting
untuk memastikan transistor beroperasi secara stabil dan menghasilkan penguatan sinyal yang
optimal. Dalam percobaan untuk menentukan titik operasi transistor, perubahan tegangan offset
dan tahanan kolektor dapat mempengaruhi nilai tegangan kolektor-emitor (VCE) dan arus kolektor
(IC) transistor. Secara umum, penguatan sinyal yang optimal dapat dicapai dengan menentukan
titik operasi transistor dalam keadaan aktif dengan tegangan kolektor-emitor yang cukup tinggi
dan arus kolektor yang tidak terlalu tinggi.

V. Referenasi

LAMPIRAN