Nama Anggota Kelompok

Kelompok::
1.   Ahmad Samsudin
2.   Aisyah Nur Rohmah
Rohmah
3.  Dudi Abdu Rasyid
4.  Ginanjar
5.  Intan Dwi

6.  Ricky

 A.   Aplikasi Statistik

Statistik Bose-Einstein
Bose-Einstein
1.1.  Kondensasi Bose-Einstein

Gambar 1.1 Salah satu hasil pengukuran yang membuktikan fenomena kondensasi Bose-Einste
Bose-Einstein
in

Kita kembali melihat bentuk fungsi distribusi Bose-Einstein. Jumlah sistem yang
menempati keadaan dengan energi   pada suhu T adalah

         

 Tampak jelas dari ungkapan
ungkapan di atas bahw
bahwaa pada suhu yang sang
sangat
at rendah, sistem-sist
sistem-sistem
em
akan terkonsentrasi di keadaan-keadaan dengan energi sangat rendah. Jika   maka
jumlah sistem yang menempati tingkat energi paling rendah, tingkat energi kedua, ketiga
dan seterusnya makin dominan. Jumlah sistem yang menempati keadaan 0keadaan
dengan nilai energi tinggi makin dapat diabaikan. Hampir semua sistem akan berada

pada tingkat energi terendah jika suhu didinginkan hingga dalam orde

. Gambar
di atas memperlihatkan evolusi populasi boson pada tingkat energi terendah (bagian
 

tengah kurva). Pada suhu     hampir sama boson berada pada tingkat energi paling
rendah

Namun ada fenomena yang menarik di sini. Ternyata untuk boson, keadaan dengan
energi terendah dapat ditempati oleh sistem dalam jumlah yang sangat besar pada suhu
yang jauh lebih tinggi dari   Dengan kata lain, boson tiak tidak perlu menunggu
 Dengan

suhu terendah untuk mendapatkan sistem dalam jumlah yang sangat besar pada tingkat
energi terendah. Pada beberapa material, seperti helium, jumlah sistem yang sangat besar
pada tingkat energi terendah dapat diamati pada suhu setinggi  . Jadi terjadi semacam
kondensasi boson pada suhu yang jauh lebih tinggi dari prediksi klasik. Fenomena ini
dikenal dengan kondensai Bose-Einstein.

1.1.1.  Kebergantungan Potensial Kimia pada Suhu

Mari kita tengok kembali fungsi distribusi Bose-Einstein. Untuk mudahnya kita
gunakan skala energi sehingga tingkat terendah memiliki energi     Populasi
 Populasi

keadaan dengan tingkat energi sembarang diberikan oleh persamaan (1.53). Jumlah
  
populasi yang menempati tingkat energi terendah (   adalah

      
  

Pada suhu   hampir semua sistem menempati keadaan dengan energi terendah.
Dengan demikian, jumlah populasi pada tingkat ini memiliki orde kira-kira sama
dengan jumlah total sistem, atau

   
      
     
Karena nilai N sangat besar (dalam orde
    
 maka ketika  penyebut pada

1/[ 

* +-
* *  +-
*
 harus menuju nol. Jika tidak maka 1/[   tidak

*  +-

*
akan menghasilkan nilai N yang sangat besar. Nilai [   akan menuju

nol hanya jika*  + ,-

 menuju satu. Dari sifat fungsi eksponensial bahwa  


mendekati 1 jika x 
. Jadi disimpulan bahwa pada
 
 akan berlaku  

maka dapat dilakukan aproksimasi

.  /      

 

 Jadi dapat diaproksimasikan

diaproksimasikan sebagai be
berikut
rikut ini

      
     . . /     

 Atau

     
Hubungan pada persamaan (1.57) menyatakan bahwa pada suhu T menuju 0 maka
 berharga negatif dan merupakan fungsi linear dari suhu. Sebagai ilustrasi, pada
 T=1 K dan N=   maka  . Ini adalah nilai yang sangat
kecil. Bahkan nilai ini jauh lebih kecil daipada jarak antar dua tingkat energi terdekat
dalam assembli atom helium di alam kubus dengan sisi 1 cm.
c m. Kebergantungan
 pada suhu itulah yang menyebabkan peristiwa kondensasi Bose-Einstein.

 Agar lebih memahami

memahami fenomen
fenomenaa kondensasi Bose-Eins
Bose-Einstein,
tein, perhatikan sist
sistem-
em-
sistem yang berada dalam kubus dengan sisi L. Tingkat-tingkat energi yang dimiliki

assembli memenuhi
     
()   ./ (     )  

 Tingkat energi terendah

terendah bersesuaian d       
dengan
engan , yaitu
  
   ./   

        
Salah satu tingkat energi berikutnya bersesuaian dengan  
yaitu,
 

  
.
 ./ 
  
Selisih tingkat energi terendah dan tingkat energi berikutnya adalah
  
     ./  

 Jika assembli tersebut

tersebut adalah atom he     
helium
lium  dalam kubus
dengan sisi 1 cm makan    .

 Apabila kita prediksi

prediksi populasi sistem pada tingkat ener
energi
gi eksitasi pertama d
dan
an

tingkat energi terendah dengan menggunakan statistik Maxwell-Boltzman adalah

   
   
 

Pada suhu  maka

     
    

 
Hasil diatas berarti bahwa pada suhu , tingkat energi terendah dan eksitansi
pertama memiliki populasi yang hampir sama. Namun, dengan statistik Bose-

Einstein didapatkan hasil yang sangat berbeda. Dnegan asumsi N= 

 T= 1 mK maka kita
kita peroleh
  dan suhu

  
         

 Jumlah populasi
populasi yang menempati tingkat energi eks
eksitasi
itasi pertama (t
(tepat
epat di atas
tingkat energi paling rendah) adalah

          

Karena     
 maka ||      
. Lebih lanjut, mengingat  maka

        
. Dengan demikian
 
  
           

Dengan demikian, fraksi sistem pada tingkat energi eksitasi pertama adalah
   
   

 Tampak bahwa fraksi

fraksi sistem pada tingkat
tingkat energi eksitasi pertama amat kecil. In
Inii
berarti bahwa sebagian besar sistem berada pada tingkat energi terendah.

1.1.2.  Suhu Kondensasi Einstein

Kerapatan keadaan kuantum untuk sistem dengan spin nol dapat ditulis dengan  

       
Pada suhu T menuju 0 sebagian sistem menempati tingkat energi terendah dengan
jumlah yang sangat signifikan. Jumlah total sistem dalam assembli dapat ditulis

∑    ∑    



 

     
     
 

Dengan   adalah jumlah sistem pada tingkat energi terendah dan  
∫  
   dan jumlah total sistem yang menempati tingkat-tingkat energi
lainnya. Dengan mengambil skala energi      maka juml
jumlah
ah sistem pada tingkat
energi terendah dapat ditulis

  . /    

 Jumlah sistem yang menempati se

semua
mua tingkat energ
 
energii lainnya adalah
 
             
 
     
   . /    

 

Misalkan E/kT=x. Dengan demikian

     

√   √ √   

Selanjutnya integralnya dapat ditulis

 
 
         √    √  
         

 Akhirnya didapatkan
didapatkan
  
         

Dengan    dinamakan konsentrasi kuantum.

Kita definisikan suku kondensasi Bose-Einstein,  sebagai suhu ketika jumlah


sistem pada keadaan terkesitasi persis sama dengan jumlah total sistem. Jadi pada
 T=   terpenuhi    . Dengan menggunakan persamaan (1.62) didapatkan
bahwa pada suhu kondensasi Bose-Einstein terpenuhi

   
       
  

 Yang memberikan
memberikan
   
     
 

 
Gambar 1.2 Fraksi superfluida (sistem yang menempati keadaan dasar) dan fluida normal (sistem yang
menempati keadaan eksitasi) dalam assembli boson sebagai fungsi suhu ketika suhu berada di bawah suhu
kondensasi Bose-Einstein.

Pada sembarang suhu yang mendekati nol derajat, fraksi jumlah sistem pada keadaan
tereksitasi adalah

  
       
   

Berarti pula bahwa fraksi jumlah sistem pada keadaan paling rendah adalah

           
  
Gambar 1.11 adalah fraksi boson yang mempunyai keadaan energi terendah   dan boson

yang menempati keadaan terkesitasi  sebagai fungsi suhu. Boson yang terkodensasi

membentuk fase yang dinamakan superfluida dan boson yang menempati keadaan tereksitasi
dinamakan fluida normal. Superfluida hanya dijumpai ketika suhu   lebih rendah dari  .

B.   Aplikasi Statistik

Statistik Fermi-Dirac
Fermi-Dirac
2.1.  MOS Transistor
 Metal Oxida Semiconductor
Semiconductor Transistor (MOS Transistor 
Transistor  ), adalah divais simekonduktor
simekonduktor yang
bekerja berdasarkan transport elektron ataupun hole dalam pita energi. Gambar 2.1 di
bawah adalah model sebuah MOS Transistor yang berada di atas subtrat Silikon-n. MOS

 Transistor memiliki penghubungg diantaranya Source, Drain dan Gate yang bekerja
memiliki tiga penghubun
dengan prinsip : jika ada tegangan diberikan pada elektroda gate , maka transistor akan
 

hidup dan arus akan mengalir dari source menuju drain , kebalikannya jika tegangan pada
 gate dimatikan, maka transistor akan mati sehingga tidak ada arus yang mengalir dari source
ke drain.

Gambar 2.1. Desain sebuah MOS Transistor

Dalam statistik Fermi Dirac, partikel-partikel di dalam sistem (ensemble) dianggap sebagai
partikel-partikel
partikel-partikel yang tak terbedakan, tetapi partikel tersebut harus memenuhi prinsip
larangan Pauli yang menyatakan bahwa partikel tidak dapat berada pada keadaan kuantum

(keadaan energi) yang sama, artinya setiap partikel akan berada pada keadaan tertentu
yang diperbolehkan tetapi keadaan masing-masing partikel berbeda diantara satu dengan
lainnya. Harga   dalam statistik Fermi Dirac dinyatakan dengan:

   ( )  

dimana
   : Banyaknya kead
keadaan-keadaan
aan-keadaan mikro
mikro yang mungkin
mungkin terjadi pada keadaan makro k
   : bilangan okupasi
   : keadaan makro pada tingkat energi ke-j

Fermi Dirac menurunkan persamaan fungsi distribusi jumlah bilangan okupasi rata-rata
untuk setiap keadaan pada tingkat energi ke j sebagai:
̅  
 . /  

dimana
̅  : Jumlah partikel rata-rata untuk setiap keadaan makro pada tingkat energi ke j

  : Harga kuantum energi pada tingkat keadaan ke j

  
 
: potensial kimia perpartikel
: konstanta Boltzman = 1,38 × 10-23 J/K
 

 T : Temperatur sistem

Partikel yang memenuhi fungsi distribusi Fermi Dirac digolongkan sebagai fermion, dan
yang tergolong sebagai fermion (partikel dengan spin kelipatan ganjil dari ½) adalah
elektron, proton, dan inti atom dengan jumlah nukleon ganjil.

2.1.1.  Fungsi Distribusi

Distribusi Fermi Dirac dan Level Fermi
Pita konduksi adalah bagian dari semikonduktor yang terisi disediakan oleh level
energi yang kosong. Ketika mengjitung jumlah elektron yang akan mengisi level
tersebut dan dihitung dalam n, berkontrib
berkontribusi
usi pada konduktivitas, kita mengacu pada
dua faktor:
  Berapa jumlah energi level yang ada dalam memberi range energi, dalam
kasus kita yaitu pita konduksi 
  Kemungkinan masing-masing
masing-masing level penuh akan elektron 

Kemungkinan bagian kedua memberikan fungsi probabilitas yang disebut fungsi

distribusi Fermi Dirac. f(E) adalah kemungkinan level dengan energi E akan terisi
oleh elektron, ditunjukan dalam persamaan:

   {( )}
 )
 

Dimana   

  adalah konstanta Boltzman (   ), dan T adalah
temperatur dalam Kelvin.
   adalah energi Fermi atau level Fermi. Dia ditentukan dari titik energi dimana
probabilitas okupasi oleh elektron hampir 50% atau 0,5:

   
    

   