ELEKTRONIKA DAYA

ASSIGMENT 1
REVIEW PERALATAN ELEKTRONIK

Disusun Oleh :

I Gusti Agung Teguh Bhuana

1705541037

PROGRAM STUDI TEKNIK ELEKTRO

FAKULTAS TEKNIK
UNIVERSITAS UDAYANA
2019
 KATA PENGANTAR

Puji syukur kehadirat Allah SWT yang telah memberikan rahmat dan
hidayah-Nya sehingga saya dapat menyelesaikan tugas yang diberikan oleh dosen
Adapun tujuan dari penulisan dari makalah ini adalah untuk memenuhi
tugas dari Bapak Ir. Cokorde Gede Indra Partha, M.Erg., MT pada mata kuliah
Elektronika Daya. Selain itu, makalah ini juga bertujuan untuk menambah
wawasan mengenai Elektronika Daya bagi para pembaca dan juga bagi penulis.
Saya mengucapkan terima kasih kepada Bapak Ir. Cokorde Gede Indra
Partha, M.Erg., MT, selaku dosen mata kuliah Elektronika Daya yang telah
memberikan tugas ini sehingga dapat menambah pengetahuan dan wawasan
sesuai dengan bidang studi yang saya tekuni.
Saya juga mengucapkan terima kasih kepada semua pihak yang telah
membagi sebagian pengetahuannya sehingga saya dapat menyelesaikan makalah
ini.
Saya menyadari, makalah yang saya tulis ini masih jauh dari kata
sempurna. Oleh karena itu, kritik dan saran yang membangun akan saya nantikan
demi kesempurnaan makalah ini.

Denpasar, 19 September 2019

 DAFTAR ISI

HALAMAN SAMPUL ..................................................................................... i

DAFTAR ISI ..................................................................................................... ii
BAB 1. PENDAHULUAN ............................................................................... 1
1.1 Latar Belakang .................................................................................... 1
1.2 Tujuan.................................................................................................. 1
1.3 Metode ................................................................................................ 2
BAB 2. PEMBAHASAN .................................................................................. 3
2.1 Elektonika Daya .................................................................................. 3
2.2 Fungsi Peralatan Semikonduktor......................................................... 4
2.3 Komponen Semikonduktor pada Elektronika Daya............................ 6
DAFTAR PUSTAKA ....................................................................................... 20
 BAB I
PENDAHULUAN

1.1 Latar Belakang

Elektronika Daya merupakan salah satu bidang ilmu yang mempelajari
dan membahas aplikasi elektronika yang berkaitan dengan peralatan listrik yang
berdaya cukup besar. Berbagai macam peralatan dan aplikasi nyata di industri
yang menggunakan sumber listrik memiliki kapasitas daya yang sangat besar
seperti motor listrik, pemanas, pendingin, fun, kompresor, pompa, conveyor dan
aplikasi-aplikasi lainnya. Elektronika daya mulai populer setelah berbagai
pengaturan secara konvensional kurang dapat memenuhi kebutuhan industri.
Pengaturan berbagai aplikasi di industri secara konvensional tidak efektif dan
menimbulkan rugi-rugi yang cukup besar sehingga diperlukan mekanisme
pengaturan yang lebih baik. Salah satu pilihan adalah dengan menggunakan
perangkat elektronika.
Untuk dapat melakukan pengaturan berbagai macam peralatan di industri
diperlukan peralatan kontrol yang mampu beroperasi pada tegangan dan arus yang
cukup besar. Elektronika Daya memberikan solusi terhadap permasalahan di
dunia industri untuk dapat melakukan pengaturan peralatan-peralatan dengan
menggunakan rangkaian yang dapat bekerja dengan arus dan tegangan yang besar.
Beberapa aplikasi di industry bekerja pada arus yang mencapai ratusan bahkan
ribuan amper dan tegangan yang tinggi 220 V, 380 V, 600 V, 3,8 KV bahkan ada
yang lebih tinggi lagi. Pengaturan peralatan yang berdaya besar ini tidak mungkin
dilakukan dengan rangkaian elektronika yang berdaya kecil seperti peralatan
rumah tangga yang arusnya kurang dari 5 Ampere dan tegangannya kurang dari
60 V.
1.2 Tujuan
1. Memenuhi tugas mata kuliah Elektronika Daya
2. Mengetahui komponen-komponen pada sistem sistem elektronika daya

1.3 Metode
1. Metode Textbook
2. Metode Bantuan melalui internet
 BAB II
PEMBAHASAN

2.1 Elektronika Daya

Elektronika Daya (Power Electronics) didefinisikan sebagai sebuah
aplikasi elektronika yang menitikberatkan pada pengaturan peralatan listrik yang
berdaya besar dengan cara melakukan pengubahan parameterparameter listrik
(arus, tegangan, daya listrik). Aplikasi elektronika disini dimaksudkan rangkaian
yang menggunakan peralatan elektronika terutama semikonduktor yang
difungsikan sebagai saklar (switching) untuk melakukan pengaturan dengan cara
melakukan pengubahan tipe sumber dari AC – AC, AC – DC, DC – DC dan DC –
AC. Peralatan semikonduktor yang digunakan adalah solid-state electronics untuk
melakukan pengaturan yang lebih efesien pada sistem yang mempunyai daya dan
energy yang besar.
Bidang ilmu Elektronika Daya mencakup berbagai bidang ilmu yang
mendasari perkembangan ilmu ini. Beberapa bidang ilmu yang terkait dengan
Elektronika daya diantaranya adalah: 1) Elektronika, 2) Teori rangkaian, Sistem
control, Elektromagnetika, Mesin-mesin listrik, Sistem Tenaga Listrik, Komponen
semikonduktor dan computer. Secara lengkap, ruang lingkup materi bahasan
Elektronika Daya seperti pada gambar di bwah ini.
1. Sistem Elektronika
Sistem elektronika merupakan dasar utama pada aplikasi elektronika
daya. Sistem elektronika akan membahas tentang peralatan elektronika
yang terdiri dari semikonduktor dan komponen lainnya dalam suatu
rangkaian elektronika. Untuk mempelejari elektronika daya diperlukan
pemahaman terhadap materi rangkaian elektronika baik analog
maupun digital.
2. Sistem Tenaga Listrik
 Objek utama dalam apliksasi elektronika daya adalah peralatan dan
sistem yang memiliki daya (tegangan dan arus) listrik yang cukup
besar. Oleh karena itu untuk lebih memahami elektronika daya
diperlukan pemahaman yang baik terhadap sistem tenaga listrik.
3. Sistem Kontrol
Aplikasi elektronika daya pada umumnya untuk melakukan
pengontrolan aplikasi di industri. Oleh karena itu diperlukan
pemahaman yang baik terhadap teknik dan sistem kontrol berbagai
peralatan yang digunakan di industri. Contoh pengaturan yang paling
sering ditemui adalah pengaturan kecepatan putar motor listrik,
pengaturan torsi motor listrik, pengaturan kecepatan aliran (flow)
minyak, gas, pengaturan temperature, pengaturan tekanan, pengaturan
kecepatan conveyor, pengaturan gerakan peralatan di industri dan
pengaturan-pengaturan parameter lainnya.
4. Sistem Komputer
Aplikasi industri sekarang ini kebanyakan sudah terintegrasi dengan
sistem komputer. Untuk melakukan pengaturan berbagai peralatan di
industri dilakukan secara remote dan hasilnya dapat dimonitor dengan
tampilan yang terintegrasi dengan database yang dioleh dalam
komputer.
2.2 Fungsi Peralatan Semikonduktor
Peralatan semikonduktor pada sistem elektronika daya mempunyai fungsi
utama sebagai berikut :
1. Switching
Fungsi utama semikonduktor pada aplikasi elektronika daya adalah
sebagai saklar atau switching. Proses switching merupakan dasar dari materi pada
elektronika daya sehingga perlu difahami dengan baik. Switching dilakukan
secara elektronik dengan kecepatan tinggi yang dapat diatur sesuai dengan
kebutuhan.

Gambar 2.1 Switching dengan lebar pulsa50% dan 12.5%

 2. Converting
Fungsi yang kedua dari peralatan semikonduktor elektronika daya adalah
untuk melakukan pengubahan atau converting dari tipe sumber. Konversi dapat
dilakukan dari AC ke DC, AC ke AC, DC ke DC maupun dari DC ke AC. Proses
pengubahan besaran meliputi pengubahab bentuk gelombang arus, tegangan
maupun besaran lainnya.

Gambar 2.2 Konversi parameter listrik dalam elektronika daya

3. Controlling
Fungsi yang ketiga dari peralatan semikonduktor elektronika daya adalah
untuk melakukan pengaturan aplikasi elektronika industri sesuai dengan yang
diinginkan. Contoh pengaturan adalah pengaturan tegangan, pengaturan arus,
pengaturan daya listrik dan pengaturan besaran-besaran lainnya. Dengan
melakukan pengaturan besaran listrik akan berpengaruh pada sistem kerja pada
sistem yang bekerja di industri seperti kecepatan putaran, tekanan, suhu,
kecepatan gerak, dan sistem kerja lainnya.

2.3 Komponen Semikonduktor pada Elektronika Daya

Bahan semikonduktor memiliki sifat bisa menjadi penghantar atau bisa
juga memiliki sifat menghambat arus listrik tergantung kondisi tegangan eksternal
yang diberikan. Ketika diberikan tegangan bias maju, maka semikonduktor akan
berfungsi sebagai konduktor. Tetapi ketika diberikan bias mundur, bahan
semikonduktor memiliki sifat sebagai isolator. Beberapa komponen elektronika
daya meliputi: Diode, Transistor, Thyristor, Triac, IGBT dan sebagainya. Diode
yang dipakai elektronika daya memiliki syarat menahan tegangan anoda-katode
(VAK) besar, dapat melewatkan arus anoda (IA) yang besar, kemampuan
menahan perubahan arus sesaat di/dt serta kemampuan menahan perubahan
tegangan sesaat dv/dt. Komponen transistor daya harus memenuhi persyaratan
memiliki tegangan kolektor-emiter (VCEO) yang besar, arus kolektor (IC)
terpenuhi, penguatan DC (β) yang besar, mampu menahan perubahan tegangan
sesaat dv/dt. Demikian juga dengan komponen thyristor mampu menahan
tegangan anodakatoda (VAK), mengalirkan arus anoda yang besar (IA), menahan
perubahan arus sesaat di/dt, dan mampu menahan perubahan tegangan sesaat
dv/dt.
1. Diode

Gambar 2.3 Simbol Dioda

Dioda merupakan semikonduktor (komponen) elektronika daya yang

memilki dua terminal, yaitu: anoda dan katoda. Dalam rangkaian elektronika
daya, dioda difungsikan sebagai sakelar. Gambar 1.1 (a), (b), dan (c) masing-
masing ditunjukkan simbol dioda, karakteristik diode, karakteristik ideal dioda
jika dioperasikan sebagai sakelar. Sebagai sakelar, sebagaimana Gambar 1 (c),
dioda akan konduksi (ON) jika potensial pada anode lebih positif daripada
potensial pada katoda, dan dioda akan memblok (OFF) jika potensial pada anoda
lebih negatif daripada potensial pada katoda.

Gambar 2.4 (a) simbol diode, (b) karakteristik diode, (c) karakteristik ideal diode
sebagai sakaler

Jika diode dalam kondisi ideal, ketika dioda dalam kondisi ON memiliki
karakteristik tegangan pada dioda sama dengan nol dan arus yang mengalir pada
diode sama dengan arus bebannya. Sebaliknya, dioda dalam kondisi OFF
memiliki karakteristik tegangan pada dioda sama dengan tegangan sumbernya dan
arus yang mengalir sama dengan nol. Dalam kondisi dioda ON dan OFF ini dapat
dinyatakan tidak terjadi kerugian daya pada dioda.
2. Thyristor

Gambar 2.5 Simbol Thyristor

Thyristor adalah komponen semikonduktor untuk pensaklaran yang

berdasarkan pada struktur PNPN. Komponen ini memiliki kestabilan dalam dua
keadaan yaitu on dan off serta memiliki umpan-balik regenerasi internal.
Thyristor memiliki kemampuan untuk mensaklar arus searah (DC) yaitu jenis
SCR, maupun arus bolak-balik (AC), jenis TRIAC.
a. Silicon Controlled Rectifier (SCR)
SCR merupakan jenis thyristor yang terkenal dan paling tua,
komponen ini tersedia dalam rating arus antara 0,25 hingga ratusan
amper, serta rating tegangan hingga 5000 volt.

Gambar 2.6 Symbol SCR

Kondisi awal dari SCR adalah dalam kondisi OFF (A dan K tidak
tersambung). Salah satu cara untuk meng-ON kan (menyambungkan
antara A dan K) adalah dengan memberikan tegangan picu terhadap G
(gate). Sekali SCR tersambung maka SCR akan terjaga dalam kondisi
ON. Untuk mematikan sambungan A-K, maka yang perlu dilakukan
adalah dengan memberikan tegangan balik pada AK-nya, atau dengan
menghubungkan G ke K.

b. TRIAC
Triac dapat dianggap sebagai dua buah SCR dalam struktur kristal
tunggal, dengan demikian maka Triac dapat digunakan untuk
melakukan pensaklaran dalam dua arah (arus bolak balik, AC).
Karena secara prinsip adalah ekivalen dengan dua buah SCR yang
disusun secara paralel dengan salah SCR dibalik maka Triac memiliki
sifat-sifat yang mirip dengan SCR. Jika TRIAC sedang OFF, arus tidak
dapat mengalir diantara terminal-terminal utamanya (saklar terbuka).
Jika TRIAC sedang ON, maka dengan tahanan yang rendah arus
mengalir dari satu terminal ke terminal lainnya dengan arah aliran
tergantung dari polaritas tegangan yang digunakan (saklar tetutup).
Arus rata-rata yang dialirkan pada beban dapat bervariasi oleh adanya
perubahan harga waktu setiap perioda ketika TRIAC tersebut ON. Jika
porsi waktu yang kecil saat kondisi ON, maka arus rata-ratanya akan
tinggi.
Kondisi suatu TRIAC pada setiap perioda tidak dibatasi hingga 180o,
dengan pengaturan picu dia dapat menghantarkan hingga 360o penuh.
Tegangan gate untuk pemicu buasanya diberi notasi VGT , dan arus
gate pemicu dinotasikan dengan IGT. Selama setengah perioda
negative, muatan negative akan berada pada plat bagian atas kapasitor
dan jika tegangan yang berada pada kapasitor telah mencukupi, maka
TRIAC akan ON.

Gambar 2.7 Struktur dan Simbol TRIAC

Kecepatan pengisian kapasitor diatur oleh hambatan R2, dimana jika

R2 bernilai besar, maka pengisisannya akan lambat sehingga terjadi
penundaan penyalaan yang panjang dan arus rata-ratanya kecil. Jika
R2 bernilai kecil, maka pengisian kapasitor akan cepat dan arus
bebannya tinggi.
 Gambar 2.8 DIAC sebagi pengendali TRIAC

Rangkaian tersebut menggunakan DIAC sebagai pengen dali picu.

Prinsip kerjanya, jika tegangan input berada pada setengah periode
positif, maka kapasitor akan terisi muatan melebihi beban dan
hambatan R. jika tegangan kapasitor mencapai tegangan breakover
DIAC, maka kapasitor mulai mengosongkan muatan melalui DIAC ke
gerbang (gate) TRIAC. Pulsa trigger TRIAC akan menghantarkan
TRIAC pada setengah perioda tadi dan untuk setengah perioda
berikutnya (negative) prinsipnya sama. Sekali TRIAC dihidupkan,
maka dia akan menghantarkan sepanjang arus yang mengalir
melaluinya tetap dipertahankan. TRIAC tidak dapat dimatikan oleh
arus balik layaknya suatu SCR. TRIAC dapat dimatikan dan kembali
pada kondisi menghambat, ketika arus beban AC yang melewatinya
berharga nol (0), sebelum setengah perioda lainnya digunakan. Faktor
ini akan membatasi frekuensi respon yang dimiliki oleh TRIAC
tersebut.
Bagi beban-beban resitif, waktu yang tersedia guna mematikan suatu
TRIAC akan lebih panjang dari titik ketika arus bebannya jatuh
hingga waktu dimana tegangan balik mencapai nilai yang dapat
menghasilkan arus latching yang dibutuhkan. Sedangkan bagi
bebanbeban induktif komutasinya akan lebih rumit lagi, dimana jika
arus beban jatuh dan TRIAC berhenti menghantar, maka tegangan
masih ada pada piranti tersebut. Jika tegangannya muncul terlalu
cepat, maka akibat yang dihasilkan oleh persambungan kapasitansi
 adalah tetap menghantarnya TRIAC tersebut. Untuk itu maka sering
digunakan rangkaian pengaman yang dapat mengubah nilai perubahan
(Range of Change) tegangan TRIAC.
3. Gate Turn Off (GTO)
GTO merupakan anggota keluaran thyristor yang dapat di-on kan dengan
menerapkan signal gerbang yang positif da dapat dipadamkan dengan pemberian
signal gerbang yang negatif. GTO adalah perangkat pembawa minoritas yg
mengontrol arus (yaitu bipolar). GTO berbeda dari thyristor konvensional, GTO
dirancang untuk mematikan ketika arus negatif megalir melewati gate (sehingga
menyebabkan pembalikan arus gate.
Secara relatif saat arus gate tinggi maka perlu untuk mematikan perangkat
dengan penguatan pada kisaran 4-5 Selama konduksi, pada sisi lain, kerja
perangkat seperti halnya sebuah thyristor dengan kondisi ON yg sangat rendah
serta drop tegangan stabil. Seperti halnya thyristor, GTO juga terdiri dari empat
lapisan p-np-n dan tiga junction. Dalam rangka untuk mendapatkan efisiensi
tinggi emitor pada ujung katoda, lapisan katoda n+ dibuat dengan doped.
Akibatnya, fungsi tegangan breakdown terhadap J3 (junction ketiga) rendah
(biasanya 20-40V). Untuk menjaga efisiensi emitor tetap baik pada tingkat doping
ini , maka Lapisan harus rendah. Di sisi lain, dari sudut pandang yang baik maka
properties harus dimatikan. Secara resistif lapisan ini harus serendah mungkin
unyuk memenuhi tingkat doping pada wilayah ini agar menjadi tinggi.
Oleh karena itu, tingkat doping lapisan ini sangat diperhitungkan. Selain
itu, dalam rangka mengoptimalkan kapasitas arus yg diputus, junction gate katoda
harus diubah menjadi lebih tinggi. 3000 Amp GTO dapat terdiri dari hingga 3000
segmen katoda individu yang diakses melalui kontak utama.
Gambar 2.9 (a) Arus yg terpicu dari GTO jauh lebih tinggi daripada thyristor dgn
rating serupa. b) Zona antara kurva min dan max mencerminkan variasi parameter
antara masing-masing GTO.

Pulsa ON dan OFF untuk GTO yang dikomunikasikan ke unit masing-

masing gate melalui kabel serat optik. Sinyal-sinyal optik dikonversikan ke sinyal
listrik oleh konverter sinyal optik-listrik. Sinyalsinyal listrik melalui kontrol
logika kemudian menghasilkan keluaran sinyal ON dan OFF yang berupa arus
gate positif dan negatif yg mengalir ke GTO.
Logika kontrol juga dapat mengawasi konduksi GTO dengan cara
memantau tegangan gate-katoda. Setiap kesalahan dikirim kembali melalui kabel
serat optik ke kontrol utama. Suplai daya untuk unit drive gate berasal dari catu
daya utama melalui frekuensi tinggi pengaturan SMPS (Blok A, B & C).
 Gambar 2.10 (a)Blok Diagram (b)Rangkaian Diagram Keluaran

4. Bipolar Juction Transistor (BJT)

Bipolar Junction Transistor (BJT) atau Transistor persambungan bipolar
merupakan transistor yang tersusun atas tiga terminal semikonduktor terdoping
yang dipisahkan oleh dua sambungan pn. 3 terminal tersebut adalah Base (B),
Collector (C), dan Emitter (E). Daerah base merupakan semikonduktor dengan
sedikit doping dan sangat tipis bila dibandingkan dengan emitter (doping paling
banyak) maupun kolektor (semikonduktor berdoping sedang). Fungsi utama
pembuatan transistor BJT adalah sebagai penguat (amplifier). Karena sifatnya,
transistor ini juga dapat digunakan dalam keperluan lain, seperti sebagai saklar
elektronis
Prinsip Transistor sebagai Penguat (amplifier), artinya transistor bekerja
pada wilayah antara titik jenuh dan kondisi terbuka (cut off), tetapi tidak pada
kondisi keduanya.
Prinsip Transistor sebagai penghubung (saklar) yaitu, transistor akan
mengalami Cutoff apabila arus yang melalaui basis sangat kecil sekali sehinga
kolektor dan emitor akan seperti kawat yang terbuka, dan Transistor akan
mengalami jenuh apabila arus yang melalui basis terlalu besar sehingga antara
kolektor dan emitor bagaikan kawat terhubung dengan begitu tegangan antara
kolektor dan emitor Vce adalah 0 Volt dari cara kerja diataslah kenapa transistor
dapat difungsikan sebagai saklar.
5. Field Effect Transistor (MOSFET)
MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) adalah
salah satu jenis transistor efek medan merupakan salah satu jenis transistor r yang
memiliki impedansi masukan (gate) sangat tinggi. Poin penting dalam prinsip
pengoperasian MOSFET adalah alat pengontrol tegangan mayoritas. Sesuai
namanya, perpindahan pembawa mayoritas dalam MOSFET yang dikontrol
adalah tegangan dengan menggunakan kontrol eletroda.

Gambar 2.11 Kurva MOSFET

Pada daerah saturasi MOSFET mendapatkan bias input (Vss) secara

maksimum sehingga arus drain pada MOSFET juga akan maksimum dan
membuat tegangan Vds = 0V. Pada kondisi saturasi ini MOSFET dapat dikatakan
dalam kondisi ON secara penuh (Fully-ON).
Pada daerah Cut-Off MOSFET tidak mendapatkan tegangan input (Vin =
0V) sehingga tidak ada arus drain Id yang mengalir. Kondisi ini akan membuat
tegangan Vds = Vdd. Dengan beberapa kondisi diatas maka pada daerah cut-off
ini MOSFET dikatakan OFF (Full-Off). Kondisi cutoff ini dapat diperoleh dengan
menghubungkan jalur input (gate) ke ground, sehingga tidaka ada tegangan input
yang masuk ke rangkaian saklar MOSFET.
 MOSFET pada kondisi saturasi (ON) dan kondisi cut-off (OFF). Membuat
tegangan Vds = 0 v. Pada kondisi saturasi ini MOSFET dapat dikatakan dalam
kondisi ON secara penuh (Fully-ON). Membuat tegangan Vds = Vdd. Dengan
kondisi diatas maka pada daerah cut-off ini MOSFET dikatakan OFF (Full-Off).
6. Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
IGBT merupakan komponen elektronika daya yang memiliki karakteristik
gabungan antara MOSFET, transistor, dan GTO. Seperti MOSFET, IGBT
memiliki impedansi gerbang yang tinggi sehingga hanya memerlukan arus yang
kecil untuk mengaktifkannya. Serupa dengan transistor, IGBT memiliki tegangan
kondisi-ON yang kecil meskipun komponen ini mempunyai rating tegangan yang
besar dan mampu memblok tegangan negatif seperti halnya GTO. Gambar 1.6 (a),
(b), dan (c) masing-masing ditunjukkan simbol IGBT, karakteristik IGBT, dan
karakteristik ideal IGBT sebagai sakelar. Seperti halnya semikonduktor daya di
muka, IGBT dalam kondisi ON dan OFF tidak terjadi kerugian daya pada IGBT
sebagai sakelar.

Gambar 2.12 (a) simbol IGBT, (b) karakteristik IGBT, (c) karakteristik ideal
IGBT sebagai sakelar
 DAFTAR PENGANTAR

Ali, Muhamad. 2011. “Elektronika Daya”. Yogyakarta: Universitas Negeri

Yogyakarta.
http://staffnew.uny.ac.id/upload/132256208/pendidikan/Materi+Elektronika+Daya.pdf
Universitas Negeri Yogyakarta,2010. “SEMIKONDUKTOR DAYA”
http://staffnew.uny.ac.id/upload/132256208/pendidikan/Materi+Elektronika+Daya+
(Komponen+Elektronika+Daya+2).pdf