untuk mengukur senyawa gas polutan yang ada di udara, seperti ammonia, alcohol, benzene, toluene, karbon monoksida, karbon dioksida, hidrokarbon, nitrooksida, dll. Applications of Gas Sensor:
Process control industries
Environmental monitoring Boiler control Fire detection Alcohol breath tests Detection of harmful gases in mines Home safety Grading of agro-products like coffee and spices Gas sensing technologies:
Metal Oxide Based Gas Sensors
Capacitance Based Gas Sensors Acoustic Wave Based Gas Sensors Calorimetric Gas Sensors Optical gas sensors Electrochemical gas sensors Metal Oxide Based Gas Sensors Metal Oxide Semiconductor (MOS)
Sensor gas MOS (Metal Oxide
Semiconductor), yang dikategorikan sebagai sensor chemo-resistive (perubahan nilai resistansi secara kimiawi saat mendeteksi keberadaan target),
Sensor gas MOS (Metal Oxide Semiconductor),
pada dasarnya terbentuk dari dioksida logam yang di-sinter pada suhu tinggi sehingga terbentuk sebuah semikonduktor. Bahan semikonduktor yang dihasilkan ini mempunyai porositas yang tinggi sehingga molekul-molekul gas dapat dengan mudah melaluinya Secara intrinsik, dua hal yang menentukan sensitifitas suatu gas sensor MOS terhadap suatu target gas adalah bahan metal oksida dan logam katalis tambahan (catalytic metaladditives) pada metal oksida. Selektivitas gas TERGANTUNG pada JENIS dan KOMPOSISI katalisnya. Prinsip Kerja Metal Oxide Semiconductor (MOS) Prinsip deteksinya adalah perubahan resistansi pada semikonduktor akibat proses adsopsi dan readsopsi molekul gas pada permukaan semikonduktor. Metal Oxide Semiconductor (MOS)
berubahnya nilai konduktifitas/resistansi saat adanya gas-
gas reduski disekitar sensor. Perubahan resistansi sensor pada lapisan film tipis sensor akibat terjadinya adsopsi molekul-molekul oksigen/gas pada permukaan semikonduktor saat dikenai/dipanasi pada suhu tinggi. Pada kisaran suhu antara 150℃ and 400℃, oksigen di sekitar lapisan permukaan akan terabsopsi menjadi ion dengan mengikat elektron dari bulk semikonduktor sehingga membentuk potential barrier pada grain boundaries yang mengakibatkan meningkatnya nilai resistansi sensor. Metal Oxide Semiconductor (MOS)
Kemudain saat sensor dikenai suatu gas pereduksi
(seperti CO dan CH4), gas pereduksi akan teroksidasi oleh ion (O–) dan melepas elektron ke bulk semikonduktor Sejalan dengan berkurangnya jumlah ion pada permukaan dan penambahan elektron mengakbatkan potentisal barrier antara dua grain menurun (dengan kata lain resistansinya menurun).