Makalah

KIMIA ANORGANIK II

‘’IKATAN METALIK ’’

Dosen pengampuh:

Nur Asbirayani Limatahu S.Pd., M.Si

Disusun Oleh :

KELOMPOK I

NAMA :1. Fitria Zulkifli Npm (03291611023 )

2. Mesir La Samani Npm (03291611010)

3. Rahayu La Payama Npm (03291611030)

4. Sahwia Firdaus Npm (03291611029 )

5. Serlin Palilati Npm (03291511005)

6. Iqum A Hi idris Npm (03291611033)

7. Viny Ismail Npm (03291511104)

SEMESTER / KELAS : IV /B

PROGRAM STUDI PENDIDIKAN KIMIA

FAKULTAS KEGURUAN DAN ILMU PENDIDIKAN

UNIVERSITAS KHAIRUN

2018
 BAB I
PENDAHULUAN

1.1 latar belakang Masalah

Dalam mempelajari ilmu kimia, kita sudah banyak mengenal berbagai macam ikatan,
salah satu di antaranya adalah ikatan logam (ikatan metalik).Ikatan logam didefinisikan
sebagai ikatan antar atom logam tanpa membentuk suatu molekul. Teori ikatan metalik ini
yang nantinya akan menjelaskan mengenai sifat-sifat utama logam seperti dapat
menghantarkan listrik dan panas, mempunyai kilap khusus, titik didih dan titik leleh tinggi,
mempunyai sifat dapat ditempa, dibengkokkan dan tersusun dalam kristal logam. Di antara
ikatan metalik yang ada, yang paling sederhana adalah teori elektron bebas (lautan
elektron).Menurut teori ini, di dalam kristal logam, setiap atom melepaskan elektron
valensinya sehingga terbentuk awan elektron dan ion bermuatan positif yang tersusun rapat
dalam awan elektron tersebut. Elektron dalam lautan ini adalah bebas (tidak terikat pada ion
manapun). Karena elektron valensi tidak terikat pada salah satu ion logam, tetapi
terdelokalisasi terhadap semua ion logam, maka elektron valensi tersebut bebas bergerak
keseluruh bagian dari kristal logam. Gerakan elektron valensi inilah yang membawa dan
menyampikan arus listrik serta memindahkan kalor dalam logam.

Teori orbital molekular merupakan teori yang mampu menjelaskan bahwa ikatan kovalen
ternyata mampu menyediakan model ikatan metalik yang lebih komprehensif yang sering
disebut teori pita (band theory). Tataan atom-atom dalam kristal logam dapat ditafsirkan
dalam bentuk bola-bola keras, baik pada logam maupun ionik padatan. Selain itu teori pita
jug dapat menjelaskan mengenai sifat logam sebagai konduktor, semikonduktor dan isolator.

1.2 Rumusan masalah

1. Apa yang dimaksud dengan ikatan metalik ?

2.
 BAB II

PEMBAHASAN

A. Ikatan Metalik
1. Model Ikatan Metalik

Dalam ilmu kimia, kita mengenal berbagai macam ikatan, salah satu di
antaranya ialah ikatan metalik. Teori ikatan metalik mana pun harus mampu
menjelaskan sifat utama logam, khususnya sifat hantaran listriknya yang sangat
tinggi. Selain itu, teori tersebut juga harus mampu menjelaskan sifat logam dalam hal
hantaran bahang (kalor) atau kondukstivitas termal dan sifat pantulan atau
reflektivitas yang tinggi. Di antara teori ikatan metalik yang ada, yang paling
sederhana adalah model lautan elektron. Dalam model ini, setiap elektron valensi
mampu bergerak bebas di dalam tumpukan bangun logam, dan oleh karena itu dipakai
istilah lautan elektron, dan bahkan meninggalkannya sehingga menghasilkan ion
positif. Elektron valensi inilah yang membawa dan menyampaikan arus listrik.
Gerakan elektron valensi ini juga memindahkan bahang dalam logam. Kelemahannya,
model ini tidak menjelaskan sifat logam yang berkaitan dengan daya pantul yang
tinggi. Teori orbital molekular yang sangat unggul menjelaskan bahwa ikatan kovalen
ternyata mampu menyediakan model ikatan metalik yang lebih komprehensif.
Perluasan teori ini untuk logam sering disebut teori pita (band theory). Tataan atom-
atom dalam kristal logam dapat ditafsirkan dalam bentuk kemas bola-bola keras.
Tataan kemas(packing) merupakan hal yang umum, baik dalam logam maupun
senyawa ionic padatan. Dengan demikian, studi ikatan metalik memberikan wawasan
penghubung antara ikatan kovalen dan ikatan ionik.

2. Teori Orbital Molekul

Teori orbital molekular mengandaikan bahwa apabila dua atom atau lebih
bergabung membentuk suatu spesies, maka spesies ini tidak lagi memiliki sifat
orbital atomik secara individual, melainkan membentuk orbital molekular yang
elektron-elektronnya dipengaruhi secara serentak oleh kedua inti atom yang
bergabung. Pendekatan sederhana menyarankan bahwa hanya elektron-elektron
dalam orbital atomic luar saja yang dianggap membentuk ikatan, sehingga
elektron ikatan ini berada dalam orbital molekular; sedangkan elektron-elektron
dalam orbital atomik dalam masih tetap sebagaimana keadaannya dalam masing-
masing atom secara individual.
Menurut pendekatan kombinasi linear (linear combination), banyaknya orbital
molekular yang terbentuk sama dengan jumlah orbital atomik yang bergabung.
Bila dua atom yang bergabung masingmasing menyediakan satu orbital atomik
(Ψ) maka dihasilkan dua orbital molekular,satunyamerupakankombinasijumlaha
keduaorbitalatomik yang saling menguatkan dan lainnya kombinasi kurangan
yang saling meniadakan. Kombinasi jumlahan menghasilkan orbital molekular
ikat (Ψb, bonding) yang mempunyai energi lebih rendah, dan kombinasi kurangan
menghasilkan orbital molekular antiikat (Ψa, antibonding) yang mempunyai
energi lebih tinggi (Gambar 1.1). Hal ini bukan berarti bahwa semua orbital
molekular ini harus ditempati oleh elektron, melainkan elektron mengisi orbital-
orbital molekular menurut tingkat energinya dari rendah ke tinggi. Dengan
demikian terdapat perbedaan antara jumlah elektron dalam orbital ikat dan dalam
orbital antiikat; numerik perbedaan ini dibagi dengan jumlah atom yang berikatan
disebut derajat ikatan atau orde ikatan (bond order) yang dapat dipakai sebagai
petunjuk kekuatan ikatan yang bersangkutan.4Orbital molekular ikat adalah
orbital yang rapatan elektron ikat terpusatmendekatpadadaerahantara kedua inti
atomyangbergabung, dan dengan demikian menghasilkan situasi yang lebih stabil.
Orbital molekular antiikat adalah orbital di mana rapatan elektron ikat terpusat
menjauhi daerah antara kedua inti atom yang bergabung, dan dengan demikian
menghasilkan situasi yang kurang stabil. Relatif terhadap energi orbital atomik,
penurunan energi orbital molekular ikat (ΔE) sama dengan kenaikan energi orbital
molecular antiikat (Gambar 1.1a). Untuk molekul homonuklir, orbital atomik yang
sama mempunyai tingkat energi yang sama pula, tetapi dalam molekul
heteronuklir menjadi lebih rendah bagi atom yang bersifat lebih elektronegatif
(Gambar 1.1b). Jika perbedaan elektronegativitas antara kedua atom yang
bergabung ini sangat besar, yang berarti ΔE relative lebih kecil, karakteristika
orbital molekular ikat praktis didominasi oleh orbital atomik dari atom yang lebih
elektronegatif dan sebaliknya orbital molekular antiikatdidominasiolehorbital
atomikdari atomyangbersifat kurang elektronegatif. Jika pada daerah tumpang-
tindih (overlap) ada orbital atomik yang tidak berinteraksi dalam pembentukan
ikatan,4orbital molekular yang dihasilkan disebut orbital nonikat (nonbonding)
dan mempunyai tingkat energi tetap sama dengan orbital atomik dari atom yang
bersangkutan.

a. Tipe orbital molecular

Jika dua orbital atomik 1s (secara matematis masing-masing
dinyatakan dengan fungsi gelombang ΨA dan ΨB) bergabung, maka fungsi
gelombang orbital molekular ikat (bonding), Ψb, dan anti ikat, Ψa secara
berurutan dapat dinyatakan dengan persamaan :

(Catatan : ΨB - ΨA bukanlah bentuk kombinasi baru melainkan bentuk

lain dari minus Ψa )

Rapatan (densitas) elektron atau tepatnya peluang mendapatkan elektron

dilukiskan oleh besaran amplitudo, yaitu kuadrat fungsi gelombang yang
bersangkutan, Ψ_2 ; bagi kedua fungsi ikat dan fungsi anti ikat tersebut adalah:

Kedua persamaan fungsi peluang mendapatkan elektron dari kedua orbital

molekular tersebut berbeda dalam hal besaran ± 2ΨAΨB. Nilai integrasi besaran
ini melukiskan integral tumpang-tindih yang sangat penting dalam teori ikatan.
Jadi, besaran tumpang-tindih dalam orbital ikat bernilai positif, dan ini berarti
rapatan elektron di antara kedua inti atom yang bergabung naik atau membesar.
Tetapi, besaran tersebut dalam orbital antiikat berharga negatif, dan ini berarti
rapatan elektron di antara kedua inti atom yang bergabung turun atau mengecil
dan menghasilkan bidang simpul (nodal plane) yang artinya amplitude berharga
nol sebagaimana ditunjukkan Gambar 1.2. Ikatan yang terjadi secara demikian ini
disebut ikatan σ. rapatan elektron terpusat di sekeliling sumbu ikat. Begitu juga,
tipe orbital molekular yang bersangkutan diberi notasi σ_(lengkapnya 𝜎15 ),
danuntuk orbital antiikat diberi tambahan superscript- bintang, (𝜎15 ) Kombinasi
dua macam orbital cara ujung (yang sumbunya berimpit, misalnya orbital s
dengan orbital apapun) selalu menghasilkan orbital σ.

Kombinasi antara dua orbital p dapat terjadi menurut dua cara, dan oleh
karena itu menghasilkan dua tipe orbital molekular. Cara “ujung” menghasilkan
orbital 𝜎p dan cara “samping” menghasilkan orbital 𝜋p ; dalam orbital π sumbu
ikat terletak pada satu nodal plane (bidang simpul).Jadi, tumpang tindih ikatan
tidak berimpit dengan sumbu ikatan. Dapat dipahami bahwa ikatan σ umumnya
lebih kuat daripada ikatan π karena tumpang-tindih ikatan_σ terletak pada sumbu
ikat. Bila kombinasi tumpang-tindih menghasilkan dua bidang simpul (yang saling
tegak lurus), hasilnya adalah ikatan δ; misalnya, kombinasi antara dua orbital 𝑑xy′
, atau dua orbital 𝑑𝑥 2−𝑦 2, atau kombinasi antara keduanya.

b. Kontruksi diagram energi dan konfigurasi elektronik spesies diatomik

Molekul H2 bersifatstabil, diagram energinya secara mudah dapat
disusun mirip Gambar 1.1 menghasilkan konfigurasi elektronik (𝜎12 )2 dan
 dengan demikian mempunyai orde ikatan sebesar satu. Tetapi, molekul
“𝐻𝑒2 ”, jika ada, tentu tidak stabil karena mempunyai konfigurasi 𝜎15 )2
(𝜎15 *)2 yang menghasilkan orde ikatan nol. Diagram orbital molekular
untuk molekul diatomik homonuklir periode dua, Li2 hingga F2 , dapat
disusun menurut kerangka Gambar 1.3a yang dalam hal ini energi πP > σP
; namun, diagram ini mengabaikan adanya interaksi antara orbital s dengan
orbital p dari atom yang lain (s – p’, dan s’– p ), dan ini hanya dapat
berlaku jika perbedaan energy antara orbital 2s dan 2p cukup besar seperti
dalam atom oksigen dan fluorin. Perbedaan energi 2s – 2p unsur Li hingga
Ne naik secara nyata sebagaimana dinyatakan dengan kenaikan potensial
ionisasi, 2 eV sampai 27 eV.
Oleh karena itu untuk unsur Li hingga N, interaksi s – p’ dan s’– p tidak dapat
diabaikan lagi karena perbedaan energi 2s – 2p dianggap kecil, dan akibatnya orbital
molekular σP berinteraksi dengan orbital 2s sehingga berakibat lanjut naiknya energi
yang bersangkutan hingga menjadi lebihtinggidaripadaenergi πP (Gambar1.3b).
Perubahanenergi7relatif dengan konfigurasi elektronik molekul Li2 hingga F2
ditunjukkan oleh Gambar 1.4
 Perlu diingat bahwa orbital-orbital “dalam” tidak pernah berperan pada
pembentukan orbital molekular; dengan demikian, konfigurasi elektronik molekul O2
dengan sumbu Z sebagai sumbu ikat misalnya, dapat dituliskan sebagai [KK] (σ2s )2
(σ2s *)2 (π2px )2 (π2py )2 (σ2p )2 (π2px *)1 (π2py *)1 . Konfigurasi elektronik ini
(dalam peringkat dasar, ground state) menunjukkan adanya dua elektron nirpasangan
dalam molekul O2 sehingga dapat menjelaskan sifat paramagnetik molekul ini yang
dapat ditemui dalam fase cair (energi peringkat tereksitasi hanya sedikit lebih tinggi,
95 kJ mol−1 , dan O2 menjadi bersifat diamagnetik); jadi, inilah yang merupakan
salah satu keunggulan teori orbital molekular disbanding dengan teori ikatan yang
lain.
Berdasarkan pemahaman diagram Gambar 1.4 serta data panjang
ikatan,ordeikatan,danenergidisosiasimakadapatdijelaskankonfigurasi elektronik
orbital molekular spesies-spesies analog seperti O2− , O2+ , dan sebagainya;
perbandingan data ini dapat diperiksa pada Tabel 1.1.
 Bahkan demikian juga, konfigurasi molekul diatomik heteronuklir dapat
diramalkan dengan pemahaman tersebut. Misalnya, molekul CO diramalkan
mempunyai diagram konfigurasi antara C2 dan O2 , yaitu N2 Karena CO dan N2
keduanya memang isoelektronik maka, keduanya pun mempunyai konfigurasi
elektronik yang sama;ternyata, keduanya mempunyai data panjang ikatan yang
hampir sama, tetapi energi disosiasi ikatan lebih besar pada CO. Namun demikian
perlu ditekankan, bahwa orbital molekular ikat molekul CO lebih berkarakter orbital
atomik oksigen ketimbang karbon.

c. Konstrksi Diagram Energi Orbital Molekuler Logam

Konstruksi diagram energi orbital molekular, misalnya untuk dua atom Li
dalam fase gas yang membentuk molekul Li2′ , dapat diperiksa pada Gambar 1.4.
Selanjutnya, andaikata terdapat empat orbital atom 2s dari empat atom Li bergabung
dalam molekul Li4′ , maka diperoleh empat orbital molekular σ2s′ , yaitu dua orbital
ikat dan dua yang lain anti ikat. Namun agar tidak melanggar hukum kuantum, energi
orbitalorbital ini tidak setingkat (degenerat), artinya energi orbital σ2s yang satu tidak
boleh mempunyai energi yang persis sama dengan energy orbital σ2s yang lain. Oleh
karena itu, konstruksi diagram energi orbital molekular Li4 dapat dilukiskan seperti
Gambar 1.5a.
Dalam kristal logam,sejumlah besar (n) orbital atomik dari n atom logam
bergabung. Orbital-orbital ini berinteraksi secara tiga dimensional membentuk n
orbital molekular dengan prinsip yang sama seperti halnya pada pembentukan orbital
molekular Li4 tersebut. Oleh karena itu, misalnya dalam gabungan n atom Li menjadi
Lin , akan terdapat orbital molekular ikat ½ n σ2s dan antiikat ½ n σ2s *. Karena
demikian banyaknya tingkat energi orbital-orbital ini, jarak tingkat yang satu dengan
yang lain menjadi sedemikian dekatnya sehingga menghasilkan suatu bentuk kontinu
(sinambung) atau ”pita”. Untuk logam litium, pita energy orbital molekular yang
dihasilkan dari orbital atomik 2s, setengahnya akan terisi penuh yaitu bagian pita ikat
½ n σ2s , dan setengah yang lain kosong yaitu bagian pita antiikat ½ n σ2s * (Gambar
1.5b).10

Pita energi tertinggi yang berisi penuh elektron disebut pita valensi. Pita energi
tertinggi berikutnya tempat elektron dapat menjelajah secara bebas sebagai
penghantar listrik disebut pita konduksi. Mengapa demikian? Pita konduksi terdiri
atas elektron-elektron yang disebut elektron konduksi yaitu elektron yang mempunyai
cukup energi sehingga tidak tertarik balik oleh tarikan ion positif; elektron-elektron
lainnya pada tingkat energi yang lebih rendah dalam pita konduksi membutuhkan
energi yang lebih besar untuk mencapai pita kosong dan umumnya tidak
berpartisipasi dalam sifat hantaran. Dalam pengaruh medan listrik, elektron konduksi
dipercepat ke arah medan dan hasilnya adalah aliran elektron. Pita konduksi ini ada
yang kosong, ada yang berisi elektron banyak, dan ada yang setengah penuh
sebagaimana ditemui pada logam.

Pita energi ada yang saling terpisah satu sama lain dengan menghasilkan celah
energi terlarang (forbidden energy gap). Celah energi antara pita valensi dengan pita
konduksi berperan penting dalam menentukan sifat hantaran listrik. Celah energi ini
ukurannya dapat lebar ataupun sempit. Celah yang lebar tidak
memungkinkan elektron melintasinya (yakni insulator) dan celah yang
sempit memungkinkan elektron melintasinya ke pita energi yang lebih tinggi sebagai
penghantar listrik (yakni konduktor). Adanya celah energy ini merupakan
konsekuensi sifat mekanika kuantum elektron, yaitu memungkinkan peluang
mendapatkan elektron dengan nilai nol. Selain itu, pita energi ada juga yang saling
tumpang tindih. Sifat hantaran listrik konduktor (logam), insulator (nonlogam), dan
semikonduktor dapat dijelaskan berdasarkan susunan pita-pita energi tersebut
dalam bahan yang bersangkutan.

Untuk logam-logam golongan 1, pita konduksi terdiri atas se-tengah pita isi
penuh elektron dan setengah pita kosong. Kedua bagian tengahan pita energi ini tentu
sangat dekat satu sama lain karena tidak ada celah energi, sehingga elektron-elektron
dalam pita konduksi ini dengan mudah mampu menjelajahi pita kosong sebagai
pembawa arus listrik.

Elektronelektron berperan dalam konduksi hanya jika berada dalam pita yang t
erisi secara parsial. Dalam pita yang terisi penuh dengan tanpa adanya pita kosong cu
kup dekat,elektronelektron hanya bergek saling bertukar tempat.

Dalam pengaruh medan listrik elektron-elektron terbagi menjadi dua bagian

yang sama jumlahnya dengan dua arah yang menghasilkan resultante nol, tanpa
konduksi. Untuk unsur-unsur golongan 2, elektron-elektron dengan energi tertinggi
(ns2) menempati secara penuh pita valensi. Sepintas elektron-elektron ini bukan
electron konduksi. Namun, pita konduksi kosong berikutnya tersusun oleh orbital np
yang ternyata tumpang-tindih dengan pita valensi, sehingga elektron pada pita valensi
mampu berperan sebagai elektron konduksi, menjelajah bebas pada orbital np dalam
pita konduksi.

Elektron-elektron yang menempati energi di bawah pita valensi disebut

elektron inti (core electrons); elektron-elektron ini terikat kuat oleh inti atom yang
bersangkutan dan dianggap kurang berperan dalam menentukan sifat konduktivitas.
Jadi untuk (Be)n misalnya,elektron-elektron inti menempati pita energi yang tersusun
oleh orbital-orbital (1s2)n , yang posisinya di bawah pita valensi (2s2)n
sebagaimana ditunjukkan Gambar 1.6.

Dengan adanya pita energi tersebut sifat konduktivitas listrik suatu logam
secara sederhana dapat dijelaskan, yaitu bahwa sebuah electron mampu mencapai
ketingkat-tingkat energy orbital anti ikat yang kosong dengan energi yang sangat
sedikit lebih tinggi, dan kemudian bergerak bebas melalui struktur logam sebagai arus
listrik. Secara sama, sifat konduktivitastermal dapat dijelaskan oleh karena adanya
elektron-elektron bebas yang mampu membawa energi secara translasi
melalui seluruh bangun kristalnya.

Sebagaimana telah dijelaskan dalam teori atom, cahaya diserap dan

dipancarkan apabila elektron pindah dari tingkat energi yang satu ke tingkat energi
yang lain, dan pancaran cahaya ini diamati sebagai spektrum garis. Menurut teori pita
tersebut, dalam logam terdapat tingkat-tingkat energi yang sangat banyak jumlahnya,
sehingga jumlah kemungkinan terjadinya transisi elektroniknya juga tak terbatas.
Akibatnya, permukaan atom-atom logam dapat menyerap cahaya dengan segala
panjang gelombang dan kemudian memancarkan kembali dengan panjang gelombang
yang sama karena elektron membebaskan energy yang sama ketika kembali ke
peringkat dasarnya (ground state). Jadi, teori pita ini mampu pula menjelaskan sifat
reflektivitas logam.

Sifat metalik ternyata masih dapat dipertahankan pada fase cair; pada fase ini
adanya tumpang-tindih antar orbital yang menghasilkan sifat metalik seperti halnya
pada fase padatnya masih dapat dipertahankan, tetapi menjadi lenyap pada fase gas.
Jadi, titik didih suatu logam merupakan temperatur terjadinya pemutusan ikatan-
ikatan metalik dan ini merupakan petunjuk kekuatan ikatan metalik yang
bersangkutan. Sebagai contoh, natrium meleleh pada 98 0C tetapi baru mendidihpada
890 0C.

Kontruksi diagram orbital molekular golongan 2 dapat diwakili unsur

Berilium, Be. Unsur ini mempunyai sifat mirip logam atau semilogam. Dengan
konfigurasi elektronik [He] 2s2, kedua orbital molecular ikat 𝜎2𝑠 dan antiikat 𝜎2𝑠 *
berisi elektron penuh, sehingga dalam daerah pita energi 𝜎2𝑠 –𝜎2𝑠 * tidak lagi terdapat
daerah kosong tempat electron dapat bergerak bebas (Gambar 1.6). Namun demikian,
orbital kosong 2p membentuk pita energi 2p yang sedikit bertumpang-tindih
dengan pita 2s, dan ini memungkinkan elektron-elektron ”menjelajah” dalam bangun
logamnya. Akibatnya, berilium mempunyai konduktivitas listrik yang tinggi,
meskipun sifat-sifat kimiawinya lebih mendekati sebagai semilogam.

Teori orbital molekular yang menghasilkan pita energi dapat diterapkan tidak
hanya pada logam melainkan juga pada setiap bahan padatan karena orbital-orbital
dari atom-atom secara individu dapat saling mendekat untuk mengadakan tumpang-
tindih. Ukuran celah energi antara pita valensi dan pita konduksi bervariasi dalam
bahan yang berbeda. Dalam insulator, suatu bahan yang tidak menghantar listrik,
celah energi sedemikian lebar sehingga elektron dalam pita valensi tidak mungkin
dapat melintasinya. Oleh karena dalam insulator pita valensi penuh terisi elektron,
aliran elektron tidak mungkin berlangsung sehingga sifat konduksi tidak
terjadi.Dalam unsur semikonduktor, juga terdapat celah energi antara pita valensi dan
pita konduksi, namun celah ini lebih sempit dibandingkan dengan celah dalam
insulator. Bahkan pada temperatur kamar, beberapa elektron mempunyai energi yang
cukup untuk melompati celah ini dan masuk ke dalam pita konduksi tempat elektron
ini mampu menjelajah bebas. Celah energi ini untuk beberapa bahan
ditunjukkandalam Tabel 1.2.
 d. Semikonduktor
Semikonduktor adalah suatu padatan, bahan kristalin dengan konduktivitas
listrik intermediat antara metal dan insulator. Sifat konduktivitas semikonduktor tidak
sebaik metal karena jumlah elektron-elektron yang terdapat dalam pita konduksi lebih
sedikit disbanding dengan jumlah elektron ini dalam metal. Dengan kata lain
semikonduktor mempunyai harga tahanan listrik lebih tinggi daripada tahanan listrik
metal. Konduktivitas (dengan unit ohm-1 cm-1) adalah kebalikan dari tahanan. Sebagai
contoh, aluminium mempunyai tahanan listrik 2,7.10-6ohm cm pada 20 0C; silikon
5
murni mempunyai tahanan listrik 10 ohm cm, sedangkan intan murni (insulator)
mempunyai tahanan listrik yang sangat tinggi, 1014ohm cm, pada 15 0
C.
Semikonduktor mempunyai tahanan listrik pada rentang 10-3–108 ohm cm.
Temperatur mempunyai pengaruh yang berbeda terhadap sifat hantaran listrik
suatu logam dengan semikonduktor. Dalam kisi Kristal metalik, kenaikan temperatur
mengakibatkan meningkatnya frekuensivibrasi ion-ion pada posisi kisinya. Hal ini
menyebabkan elektron yang bergerak melalui metal dibawah pengaruh medan listrik
menjadi meningkat peluangnya dalam menumbuk ion. Akibatnya, untuk
logam kenaikan temperatur menaikkan tahanan listriknya. Tetapi untuk
semikonduktor, kenaikkan temperatur menyebabkan bertambahnya jumlah elektron
yang memperoleh cukup energi untuk melompat keluar dari pita valensi ke pita
konduksi. Dengan demikian, kenaikan temperature mengakibatkan penurunan tahanan
listrik semikonduktor. Seberapa jauh perubahan tahanan listrik oleh karena perubahan
temperatur ini bagi semikondoktor berbeda satu sama lain. Secara umum,
konduktivitas semikonduktor menyerupai metal pada temperatur tinggi,
tetapi menyerupai insulator pada temperatur rendah.
 Teori pita juga dapat dipakai untuk menjelaskan beberapa senyawa
bersifatsebagai konduktor listrik, beberapa lainnya tidak dan beberapa yang lain
semikonduktor. Dalam logam, pita-pita energi electron bertumpang-tindih dan
mengizinkan elektron bergerak bebas melalui pita dalam seluruh struktur kristalnya.
Dalam nonmetal, pita-pita terpisah cukup lebar dan menghasilkan celah energi
sehingga tidak memungkinkan elektron mampu bergerak bebas (Gambar 1.7a);
unsur nonmetal ini dikenal sebagai insulator. Dalam beberapa unsur, celah atau gap
energi antara pita-pita cukup kecil sehingga memungkinkan hanya sedikit elektron
dapat tereksitasi ke pita kosong di atasnya (Gambar 1.7b); unsur demikian ini dikenal
sebagai semikonduktorintrinsik.
Teknologi modern memerlukan material semikonduktor, dan ini dapat
disintesissesuai dengan karakteristika yang diinginkan. Semikonduktor dapat dibuat
dari unsur-unsur dengan celah pita lebar (insulator)kemudian didadah (doping)
dengan unsur-unsur lain sebagai pengotor. Unsur tambahan ini mempunyai pita
tingkat energi (isi kosong tanpa gap atau celah) yang ukurannya tepat pada celah
antara pita isi dan pita kosong dari bahan utama insulator tersebut (Gambar 1.7c).
Melalui pita pengotor ini beberapa elektron dari material utama dapat bergerak bebas
ke pita energi kosong sehingga memungkinkan terbentuknya sifat semikonduktor
listrik; sifat ini dapat diatur sesuai dengan proses pendadahan antara bahan utama
dengan bahan pengotornya seperti yang diinginkan. Komparasi model pita energi
untuk insulator (nonlogam), logam, dan berbagai jenis semikonduktor ditunjukkan
oleh Gambar 1.8.
 Sifat konduktivitas semikonduktor sering dipahami dengan penerapan dua
istilah, yaitu aliran elektron bebas dalam pita konduksi dan migrasi “lubang” dalam
pita valensi yang berlawanan arah dengan aliran elektron tersebut. Elektron yang
melompat keluar dari pita valensi akanmeninggalkan“lubang”bekassepertihalnyaseseo
rangbangkit dari tempat duduk meninggalkan tempat duduk yang kosong.
Andaikata tempat duduk yang kosong ini berada di baris ujung (depan),
kemudian baris isi belakangnya pindah ke tempat kosong di depannya
demikian seterusnya, maka seolah-olah telah terjadi migrasitempat duduk
kosong (lubang) dari depan ke arah belakang. Dibawah pengaruh medan
listrik, lubang-lubang (elektron) bermigrasi dalam pita valensi dengan cara seperti
tersebut di atas. Oleh karena lubang yang ditinggalkan electron memberikan efek
muatan positif (sebagai akibat“kekurangan”elektron), maka terjadilah aliran muatan
positif yang berlawanan arah dengan elektron konduksi.
Dalam semikonduktor murni pada temperatur kamar, jumlah elektron dalam
pita konduksi sama dengan jumlah lubang dalam pita valensi. Suatu bahan
semikonduktorintrinsik berisi jumlah yang sama antara lubang dan elektron pembawa
arus (Gambar 1.8f); jadi, konduksi ini adalah sifat intrinsik bahan yang bersangkutan.
Pada temperature cukup tinggi, bahkan insulator intan dapat bersifat
semikonduktor intrinsik. Dalam suatu semikonduktor ekstrinsik, jumlah lubang
dan elektron pembawa arus tidak sama, dan sifat konduksinya bergantung pada bahan
ekstrinsik (“pengotor”) yang didadahkan. Ada dua tipe “pengotor” yaitu donor dan
akseptor.
Pengotor donor menyediakan elektron menurut cara berikut. Dalam silikon
dan germanium murni (dengan karakteristik konfigurasi elektronik ns2 np2), setiap
atom tersambung pada empat atom tetangga dengan ikatan kovalen. Suatu atom unsur
golongan 15, misalnya fosfor, arsen,atauantimon,yang masuk dalam kisikristal silicon
atau germanium dengan tanpa mendistorsi kisi terlalu besar juga berikatan
dengan empat atom tetangganya, silikon atau germanium. Oleh karena atom unsur
golongan 15 ini mempunyai karakteristik konfigurasi elektronik ns2 np3, maka salah
satu elektron dalam setiap atomnya ditinggalkan dan elektron ekstra ini memasuki
pita valensi isi yang disebuttingkat energy donor (donor level of energy); tingkat
donor ini biasanya terletak sedikit di bawah pita konduksi inang silikon atau
germanium. Elektron dalam tingkat donor ini sangat mudah terpromosi ke dalam pita
konduksi inang sehingga meningkatkan sifat konduktivitasnya.
 Dalam semikonduktor, pengotor donor benar-benar memberi kontribusi
elektron pada pita konduksi dan hal ini tidak meninggalkan lubang dalam pita valensi
inang. Penambahan sejumlah“pengotor“(100-1000 ppm) ke dalam unsur inang ini
disebut sebagai pendadahan , dan unsur“pengotor”nya sebagai dopan (pendadah).
Kristalsemikonduktor hasil pendadahan dengan dadah donor ini disebut
semikonduktor tipe-n, dengan elektron-elektron negatif sebagai pembawa arus utama.
Dalam semikonduktor tipe-n, setiap elektron yang memasuki pita konduksi inang
meninggalkan satu ion positif dalam struktur kristalnya.
Atom-atom unsur golongan 13, misalnya boron, aluminium atau indium,
mempunyai karakteristik konfigurasi elektronik ns2 np1; oleh karena itu, apabila atom
ini masuk dalam kisi kristal silikon atau germanium, atom tersebut hanya mampu
mengikat tiga atom inang tetangganya. Akibatnya, salah satu atom inang tetangga
hanya memiliki tiga ikatan dengan satu elektron tanpa partner (pasangan). Situasi
ini menghasilkandefisiensisatuelektronataudengankatalainmenghasilkan satu lubang.
Pengotor akseptor memberi kontribusi terjadinya lubang-lubang pada tingkat energi
akseptor kosong (acceptor level of energy), yang biasanya terletak sedikit di atas pita
valensi inang. Elektron- elektron dalam pita valensi inang sangat mudah terpromosi
ke dalam tingkat akseptor kosong dengan meninggalkan lubang-lubang dalam pita
valensinya. Kristal semikonduktor hasil pendadahan dengan dadah akseptor ini
disebut semikonduktor tipe-p, dengan lubang positif sebagai pembawa arus utama.
Dalam semikonduktor tipe-p, setiap atom akseptor yang didadahkan pada inang
meninggalkan satu ion negatif dalam struktur kristalnya.
Bahan semikonduktor yang umum (Tabel 1.3) adalah silikon, germanium, dan
sejumlah senyawa biner intermetalik antara unsur- unsur golongan 13 dan 15 (sering
disebut senyawa III-V) atau antara unsur-unsur dari keluarga zink dan golongan 16
(sering disebut senyawa II-VI, karena zink, kadmium, dan raksa seperti golongan
2 mempunyai elektron ns2). Senyawa III-V, misalnya unsur golongan 13 memberi
kontribusi tiga elektron per atomnya dan unsur golongan 15 memberi kontribusi lima
elektron per atomnya, menghasilkan rata-rata empat elektron per atomnya. Senyawa
semacam ini membentuk Kristal dengan struktur bak-intan, mirip struktur kristal
silikon dan germanium, dan dapat didadah dengan hasil yang sama seperti unsur-
unsur semikonduktor.
 Diantara sifat-sifat yang menarik dalam bahan semikonduktor adalah ukuran
celah energi, konsentrasi elektron atau lubang pembawa arus, mobilitas atau
kecepatan bergerak pembawa muatan, dan umur pembawa muatan sebelum anihilasi
(pemusnahan) oleh kombinasi elektron dan lubang.Dengan membuat berbagai variasi
konsentrasi dopan (pendadah) dapat dibuat peralatan semikonduktorsesuai dengan
rentang sifat-sifat yang dibutuhkan.

Dalam aplikasinya, sebagian besar peralatan semikonduktor bergantung pada

karakter yang diberikan oleh semikonduktor tipe-p dan tipe-n terdekat. Batas antara
kedua tipe semikonduktorini disebutsuatu “sambungan”p-n;sambungan p-n ini dapat
diciptakan dari pendadahan dengan materi pendadah yang berbeda dalam posisi yang
berdekatan dalam kristal yang sama.

Elektron-elektron dari semikonduktor tipe-n dan lubang-lubang dari

semikonduktor tipe-p pada awalnya bermigrasi menuju “sambungan” tempat
keduanya bergabung (Gambar 1.9). Penggabungan ini meninggalkan ion-ion positif
berlebih dalam tipe-n sebelah bungan dan ion-ion negatif berlebih dalam tipe-p
sebelah sambungan. (Sebelumnya tentu saja tidak ada peristiwa migrasi elektron-
elektron dan lubang-lubang tersebut karena masing-masing berada dalam lingkungan
muatan yang sama). Akibatnya, muncul potensial hambatan yang membuat tahanan
pada sambungan p-n lebih tinggi daripada keseluruhan material. Karakter sambungan
p-n ini dapat dimodifikasi sesuai dengan kemampuan arus yang dikehendaki.

Diode adalah suatu semikonduktor yang menerapkan sambungan p-n untuk

berbagai fungsi. Sebagai contoh, suatu diode dapat bertindak sebagai penyearah,
mengubah arus listrik bolak-balik menjadi arus listrik searah. Elektrode-elektrode
dipasang pada kedua ujung diode penyearah, dan arus bolak-balik dilewatkan
melaluinya. Selama siklus arus, elektron-elektron dari bagian semikonduktor tipe-n
(kaya elektron) tertarik ke arah satu elektrode, dan lubang-lubang positif dari bagian
semikonduktor tipe-p tertarik ke arah elektrode yang lain; hal ini mengakibatkan
daerah sambungan p-n praktis menjadi kosong tanpa adanya pembawa arus sehingga
aliran arus menjadi terhenti.Sebaliknya ketika polaritas elektrode terbalik, elektron-
elektron ditolak dari kutub (elektrode) yang tadinya menarik elektron dan sekarang
ditarik ke elektrode yang lain; sementara itu lubang-lubang positif tertarik menuju ke
elektrode yang menolak elektron. Kedua proses ini saling menguatkan terhadap aliran
arus. Dengan demikian kerja diode penyearah adalah mencegah terjadinya aliran arus
listrik ke satu arah tetapi mengakibatkan tahanan yang sangat rendah untuk aliran arus
listrik ke arah lain (Gambar 1.10).

3. Struktur Logam dan Model Kemas Geometri

Struktur logam dapat dianggap terbentuk oleh tataan atom-atom yang
terkemas (packed) bersama dalam suatu kristal. Cara penataan atom-atom logam ini
sangat penting dalam kimia anorganik, karena hal ini merupakan dasar pemahaman
kemasan ion dalam senyawa padatan ionik (bahkan juga kovalen) yang akan dibahas
kemudian. Konsep kemasan kristal mengasumsikan bahwa atom-atom berupa bola
keras dan tentunya mempunyai ukuran yang sama untuk atom yang sama. Dalam
suatu kristal logam, atom-atom tertata dalam rangkaian terulang yang disebut kisi
kristal.

Pengemasan atom-atom logam merupakan problem geometri; cara yang paling

mudah adalah menatabola-bola atom dalam bentuk satu20 lapis(atau layer), kemudian
menempatkan lapisan-lapisan berikutnya di atas lapisan yang terdahulu. Ada dua
macam tataan bola-bola dalam lapisan yaitu pertama dengan bola tertata persis
sebelah-menyebelah (side by side) satu sama lain sehingga setiap bola disentuh oleh
empat bola lain dan membentuk dua diagonal bujursangkar (Gambar 1.11a). Apabila
lapis kedua ditata persis di atasnya, artinya tiap bola pada lapis kedua persis di atas
tiap bola lapis pertama, demikian seterusnya sehingga diperoleh susunan lapisan A-A-
A- ......, maka diperoleh model kemasan kubus sederhana (simple cubic packing),
Gambar 1.11b. Jika di dalam rongga antara kedua lapis A-A ini terdapatsatu bola
ukuran sama yang tepat menyinggung kedelapan bola dari kedua lapis dan berakibat
bola-bola pada tiap lapisA merenggang tidak lagisaling bersinggungan, maka
diperoleh model bangun kubus pusat badan (body centered cube- bcc), Gambar 1.11c.
Model tataan demikian ini bukanlah kemas rapat, karena memang bukan paling rapat.
Dalam bangun kubus sederhana, tiap bola (atom) disentuh oleh enam bola
(atom) tetangga yaitu empat bola pada lapisannya dan masing-masing satu bola pada
lapisan atas dan lapisan bawahnya. Dengan demikian dapat dikatakan, bahwa tiap
atom mempunyai bilangan koordinasi enam. Tetapi dalam bangun kubus pusat badan,
tiap atom mempunyai bilangan koordinasi delapan. Dengan demikian, bangun kubus
pusat badan lebih rapat ketimbang bangun kubus sederhana.
Penataan yang kedua berdasarkan pembentukan lapisan heksagon. Dalam lapisan ini,
setiap bola disentuh oleh enam bola yang lain (Gambar 1.12a), dan tataan demikian
ini merupakan cara yang paling rapat (mampat), oleh karena itu disebut kemas rapat
(closest packing). Jika bola-bola lapisan kedua ditempatkan persis di atas rongga-
rongga antara bola-bola lapisan pertama, ternyata hanya setengahnya saja jumlah
rongga lapis pertama yang terisi (tertutupi) oleh bola-bola lapis kedua (Gambar
1.12b); penataan dua lapis demikian ini menghasilkan kemasan A-B, karena posisi
lapis pertama tidak sama dengan posisi lapis kedua. Penataan lapis ketiga dan
selanjutnya ada dua cara. Alternatif21 pertama, bola-bola lapisan ketiga ditempatkan
di atas rongga-rongga lapisan kedua sedemikian sehingga bola-bola lapisan ketiga
tepat lurus di atas bola-bola lapisan pertama, demikian seterusnya lapisan keempat
tepat lurus dengan lapisan kedua; tataan demikian adalah kemasan lapisan A-B-A-B-
...... (Gambar 1.12b), dan hasilnya adalah suatu bangun kemas rapat heksagonal
(hexagonal closest packing, hcp), Gambar1.12c. Alternatif kedua, lapisan bola-bola
ketiga ditempatkan di atas ronggarongga lapisan kedua dan tepat lurus di atas rongga-
rongga lapisan pertama yang belum tertutupi oleh lapisan kedua, sedangkan lapisan
keempat tepat lurus dengan lapisan pertama. Tataan demikian adalah kemasan lapisan
A-B-C-A-B-C-A ...... (Gambar 1.12d), dan hasilnya adalah suatu bangun kemasrapat
kubik (cubic closest packing, ccp), atau kubus pusat muka, fcc (face centered cube),
Gambar 1.12e. Tiap atom pada kedua bangun geometri ini mempunyai bilangan
koordinasi duabelas, enam pada lapis yang sama, dan masing-masing tiga pada lapis
di atas dan di bawahnya.
 Kemas rapat bola-bola dengan ukuran sama menyisakan 2 tipe celah / ruang
terbuka atau rongga (atau lubang) antara lapis-lapisnya. Ada dua macam rongga
dalam suatu kemas rapat yaitu rongga tetrahedral dan rongga oktahedral (Gambar
1.13). Rongga tetrahedral lebih kecil ukurannya daripada rongga oktahedral. Rongga
tetrahedral adalah rongga sebagai titik pusat bangun bola tetrahedron. Jadi, jika
rongga ini ditempati oleh bola (atom) lain yang tepat ukurannya, yaitu tepat
menyinggung keempat bola tetrahedron, maka ia mempunyai bilangan koordinasi
empat. Rongga oktahedral adalah rongga sebagai titik pusat bangun oktahedron. Jadi,
jika rongga ini ditempati oleh bola (atom) lain yang tepat ukurannya yaitu tepat
menyinggung keenam bola oktahedron, maka atom tersebut mempunyai bilangan
koordinasi enam.
 Jumlah rongga tetrahedral adalah dua kali jumlah rongga oktahedral. Untuk
mengetahui hubungan jumlah dan tipe rongga, perlu diingat bahwa pada penyusunan
kemas rapat lapisan heksagon tersebut, bola-bola lapis kedua hanyalah menempati
rongga di bagian atas lapis pertama saja. Bagian bawah lapis pertama tentu juga
menghasilkan jumlah rongga yang sama pula. Ronga-rongga lapis pertama yang
ditempati bola-bola lapis ke dua menghasilkan rongga tetrahedral, dan rongga-rongga
lapis pertama yang tidak ditempati bola-bola lapis kedua menghasilkan rongga
oktahedral. Dalam satu larikan (array) kemas rapat terdapat dua rongga tetrahedral
dan satu rongga octahedral untuk setiap bola kemas rapat.23
Hubungan volume ruang suatu kristal yang ditempati atau diisi oleh bola
(atom) dengan tipe bangun kemasan kira-kira 52 % untuk kubus sederhana, 68 %
untuk kubus pusat badan, dan 74 % untuk kemas rapat heksagonal maupun kemas
rapat kubus pusat muka. Ini berarti bahwa makin besar persentase volume isian makin
kecil ruang kosong yang ditinggalkan dan makin dekat / rapat atom-atom terkemas.
Logam umumnya mengadopsi bcc, hcp, dan fcc. Sulit diramalkan bangun mana yang
diadopsi oleh suatu logam, namun ada kecenderungan umum bahwa naiknya jumlah
elektron terluar paralel dengan perubahan bangun dari bcc ke hcp kemudian fcc. Jadi,
logam-logam alkali (Li, Na, K, Cs) mengadopsi kemasan bcc, demikian juga hampir
semua logam golongan 2 sampai 8 (Ba, α-Cr, α-Fe, δ-Fe, Mo, β-W). Logam-logam
golongan 7, 8, dan 12 (Zn) mengadopsi bangun hcp, dan logam-logam golongan 8 -11
(γ-Fe, β-Ni, Cu, Ag, Au) mengadopsi bangun fcc. Hal ini hanyalah kecenderungan
umum dan tentunya terdapat beberapa kekecualian, misalnya magnesium, titanium, γ-
Ca, Cd, α-Co, dan β-Cr, mengadopsi bangun hcp; kristalstronsium dapat mengadopsi
bangun ketiga-tiganya bergantung pada kondisi pengkristalan.
4. Unit Sel dan Perhitungan Geometri
Tataan bola-bola paling sederhana yang apabila pada pengulangan
diperoleh seluruh bangun kristal disebut unit sel atau satuan sel.24 Unit sel
dengan model“stick-ball”(tongkat-bola) untuk geometri kubus sederhana,
kubus pusat badan, kubus pusat muka, dan heksagon ditunjukkan Gambar
1.14.
Penetapan suatu titik tempat unit sel dibangun dapat dilakukan secara
sembarang, namun sekali ditentukan harus konsisten diterapkan pada seluruh
kristal. Gambar 1.15 (a dan b) menunjukkan adanya tiga kemungkinan unit
sel, A, B, dan C pada suatu kristal yang dibangun berdasarkan sifat simetrinya
menurut arah dua dimensi. Untuk unit sel A, titik-titik kisi terletak pada atom
atau ion yang bersangkutan, sedangkan untuk unit sel B dan C titik-titik kisi
terletak di antara atomatom atau ion-ion. Satu unitsel A tersusun oleh dua
lingkaran besar dan dua lingkaran kecil, demikian juga unit sel B; tetapi, unit
sel C tersusun oleh masing-masing hanya satu lingkaran besar dan satu
lingkaran kecil. Dengan demikian, sel A dan B mempunyai ukuran yang sama
dan lebih besar daripada ukuran sel C. Dari ketiganya,sel A dikatakan
mempunyai sifat simetri paling tinggi atau paling simetri karena ia mempunyai
(jumlah dan atau jenis) unsur-unsur simetri maksimum (unsur-unsur simetri
tidak dipelajari di sini melainkan dalam simetri molekular), dan dalam hal
demikian unit sel dipilih bagi sel yang mempunyai sifat simetri tertinggi. Sel
dengan ukuran (volume) terkecil dikatakan sel unit primitif. Dengan cara yang
sama, unitsel dalam arah tiga dimensi dapat ditentukan, misalnya untuk unit
sel kubus sederhana (Gambar 1.15c).
Unit sel yang paling mudah dilihat adalah kubus sederhana (Gambar
1.15c) yang dibangun oleh delapan bola yang menempati kedelapan titik sudut
kubus. Namun, apabila bangun kubus ini diulang ke arah tiga dimensi, maka
setiap bola sesungguhnya merupakan titik sudut persekutuan dari delapan
kubus. Dengan kata lain, tiap bola hanya memberikan kontribusi 1/8bagian
saja pada tiap unitsel.Jadi,satu unit sel kubus sesungguhnya dibangun oleh
hanya satu atom saja (1/8x8). Untuk kubus pusat badan (Gambar 1.14b)
terdapat satu bola (atom) interior tambahan yaitu sebagai pusat bangun kubus,
sehingga dalam satu unit sel terdapat 1 + [8(1/8)] = 2 atom. Untuk bangun
kubus pusat24 muka (Gambar 1.14c) terdapat enam atom tambahan yang
 menempati ke enam muka kubus,sehingga tiap unitsel kubus pusat muka
terdapat 6(½) + [8(1/8)] = 4 atom.

Jadi, tiap unit sel berisi sejumlah tertentu atom-atom atau ionion. Kristal
molekular intan misalnya, mengadopsi bangun utama fcc ditambah 4 atom terikat
secara tetrahedral di dalamnya (interior). Oleh karena itu, setiap unit sel intan
terdapat: (8 x 1 /8 atom) + (6 x ½ atom pusat muka) + 4 atom interior = 8 atom. Untuk
kristal ionik NaCl yang mengadopsi bangun fcc, kation dan anion berselang-seling,
dalam tiap unit sel terdapat 4 ion Na+ dan 4 ion Cl- Atas dasar pengetahuan tersebut,
jika jenis bangun kemas rapat logam telah diketahui dan densitas logam yang
bersangkutan telah ditentukan, maka jari-jari atom logam dapat dihitung. Jika jumlah
atom dalam satu unit sel diketahui, maka massa unit sel yang bersangkutan dapat
dihitung. Massa satu atom dapat dihitung dengan membagi massa molar spesies yang
bersangkutan dengan bilangan Avogadro, kemudian hasilnya dikalikan dengan jumlah
atom dalam satu unit sel.25
Rapatan merupakan salah satu sifat yang tidak bergantung pada ukuran
sampel. Oleh karena itu,rapatan dapat diperoleh dari massa unit sel dibagi dengan
volumenya. Secara umum hubungan antara rapatan atau densitas dengan volume unit
sel kristal (dan dengan demikian jari-jari atom-atom atau ion-ion penyusunnya)
adalah:
𝜀
 (dengan ni adalah banyaknya jenis atom atau molekul atau ion ke i yang
mempunyai massa atom atau massa rumus Mi dalam satu unit sel, V adalah volume
sel, dan N adalah bilangan Avogadro, 6,02 x 1023 atom per mol).
Panjang sisi suatu unit sel dapat diperoleh dari difraksi sinar-X. Untuk unit sel
kubus, panjang sisi-sisinya adalah sama, maka volumemunit sel kubus dapat dihitung
(yaitu pangkat tiga dari panjang sisi unit sel kubus). Rapatan yang dihitung dengan
cara ini untuk satu unit sel kadang-kadang dikatakan sebagai rapatan teoretik. Rapatan
teoretik berbeda dari rapatan aktual, karena hampir semua Kristal mempunyai cacat.
Kekosongan misalnya, akan menghasilkan rapatan aktual yang lebih kecil daripada
rapatan teoretik. Hadirnya pengotor (impurity) akan menghasilkan rapatan aktual
yang lebih besar atau lebih kecil daripada rapatan teoretik bergantung pada massa
relatif partikel pengotor dibanding dengan massa relatif atom utamanya.

Contoh -1. Besi, α-Fe, mengkristal dalam bangun bcc dengan rusuk 2,861Å; hitung
rapatan besi ini dan demikian juga jari-jari atomnya.

Jawab : Jumlah atom dalam satu unit sel bcc adalah 2, maka: Panjang diagonal
muka bcc dengan rusuk a adalah AB = av2, dan panjang diagonal
ruangyanglewattitikpusat kubusbcc adalah AC = a�√ 3 (lihat gambar
samping). Oleh karena diagonal ini tersusun oleh diameter satu bola di
tengah dan jari-jari dua buah bola disudut kubus, maka panjang diagonal
ruang ini adalah: AC = 4r = a√ 3. Jadi, jari-jari atom besi r Fe =
1/4(2,861)�√ 3 Å = 1,24 Å.

Contoh -2. Besi juga mengkristal dalam bentuk fcc. Dengan asumsi jarijari atom besi
tetap, hitung rapatan (densitas) kristal besi ini.
Jawab: Panjangdiagonalpermukaanbujursangkarbangun fccdengan rusuk a, adalah
a√ 2. Diagonal ini tersusun oleh diameter satu bola (dengan jari-jari r) di
tengah dan jari-jari dua buah bola di sudut kubus, maka 4r = a√ 2. Dengan
asumsi r Fe tetap adalah 1,24 Å, maka rusuk kubus dapat dihitung, a = 3,50
Å. Oleh karena setiap unit sel fcc berisi 4 atom Fe, maka rapatan kristal besi
ini:

Soal-Soal Latihan Ikatan Metalik

1. Berikan definisi sederhana model ikatan lautan elektron untuk logam.

2. Sebutkan 3 sifat utama logam, dan penggunaan-nya

3. Gambarkan model diagram pita orbital moleku laruntuk magnesium, 12Mg,,

dan kemudian jelaskan mengapa unsur ini bersifat metalik walaupun pita 3s
telah terisi penuh?

4. Jelaskan pula sifat logam dari aluminium, 13Al, dengan diagram pita orbital
molekular.27

5. Jelaskan, mengapa sifat logam suatu padatan masih dapat dipertahankan dalam
fase cairnya, tetapi tidak dalam fase gasnya?

6. Jelaskan, mengapa penambahan sekelumit pengotor dapat mengubah sifat

insulator menjadi konduktor?

7. Apa yang dimaksud dengan semikonduktor, dan jelaskan model tipe yang
mungkin.

8. Sebutkan (dua) tipe tataan lapisan dalam metal, dan mana yang merupakan
kemas rapat ?

9. Apa perbedaan dalam lapisan antara tataan ccp (fcc) dengan hcp?

10. Gambarkan model tataan fcc, dan hitung jumlah atom dalam satu sel
satuannya.

11. Unit sel emas adalah kubus pusat muka (fcc). Berapa jumlah atom
menempatisatu unitsel emas, dan berapa massa satu unitsel emas ini?
 (Jawab: 4 atom, dan 1,308 x 10-21 g).

12. Panjang unit sel emas adalah 0,4079 nm. Hitung volume satu unit sel kubus
emas dengan informasi dari soal 1.10 tersebut; hitung pula rapatan teoritis
emas ini ?

Jawab: 6,787 x 10-23 cm, dan 19,27 g cm-3).

13. Panjang unit sel intan terukur 0,3567 nm. Hitung volume unit sel kubus intan
(dalam cm3) dan hitung rapatan teoritis intan jika massa satu atom karbon
adalah 12,01 g mol-1 ; bandingkan hasilnya dengan rapatan intan terukur pada
25 oC yaitu 3,513 g cm-3.

(Jawab: 3,515 g cm-3)28