LAPORAN PRAKTIKUM

FISIKA EKSPERIMEN
PERCOBAAN
PHOTOVOLTAIC

Oleh :
NALDI RAHMAT FAJRI
1603110706
FISIKA-B
Asisten : Danti Oktaviani
Dosen : Drs. Maksi ginting, M.Si

Laboratorium Fisika Eksperimen

Jurusan fisika
Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam
Universitas Riau
2018
I. TUJUAN PERCOBAAN
Adapun tujuan dalam percobaan ini adalah sebagai berikut :
1. Memahami maksud dan konsep dari photovoltaic.
2. Memahami proses terjadinya arus pada sel surya.
3. Mengamati pengaruh intensitas terhadap besarnya daya.
4. Mengamati pengaruh sudut datang sinar matahari terhadap besarnya daya.
5. Memahami penerapan semikonduktor type p dan type n pada sel surya.

II. ALAT DAN BAHAN

Adapun alat dan bahan yang digunakan dalam percobaan ini adalah sebagai
berikut :
1. Penggaris
2. 1 buah thermometer
3. 1 buah ampermeter
4. 1 buah voltmeter
5. Tongkat untuk mengukur sudut
6. Panel surya

III. PROSEDUR EXPERIMENT

Adapun prosedur ekxperimen pada percobaan kali ini adalah sebagai berikut :

A. Menggunakan energi matahari

1. Sel surya ditutup dengan buku atau karton atau bahan yang lainnya,
sehingga benar benar terlindung dari cahaya luar.
2. Bawa sel surya itu keluar ruangan lalu letakkan secara mendatar pada
tempat yang tidak terlindung dari sinar matahari.
3. Ukur Panjang dan lebar dari sel surya tersebut.
4. Pasang secara tegak lurus pada sudut sel surya sebuah pena atau tongkat,
yang telah diketahui tingginya atau panjangnya.
5. Susun rangkaian seperti gambar sketa dibawah.
6. Sediakan alat pencatat waktu dan tentukan waktu saat memulai pengukuran,
jika saat yang ditentukan telah sampai, maka buka penutup sel, dan catat
besar kuat arus, beda potensial, suhu sekitar dan Panjang bayangan pena
atau tongkat.
7. Ulangi pengukuran seperti diatas setiap 5 menit sekali, sampai minimum 10
kali pengukuran.
IV. SKEMA PERALATAN

V. TEORI

Akhir – akhir ini, kebutuhan tenaga listrik semakin meningkat seiring dengan
semakin banyaknya pengguna listrik dan semakin canggihnya peralatan elektronik
modern yang juga membutuhkan energi listrik sebagai sumber daya utama. Sementara
itu, cadangan sumber daya listrik berupa tambang batubara dan minyak bumi sudah
semakin menipis. Oleh sebab itu semakin banyak orang mulai mencoba menemukan
energi alternatif sumber daya listrik yang tidak habis pakai dan dapat diproduksi secara
terus menerus dalam waktu yang singkat. Tenaga cahaya (photo electric) merupakan
salah satu jenis sumber terbaru yang akan digunakan di masa mendatang. Fotolistrik
ditemukan oleh Ilmuwan Fisika Eisntein, dengan menggunakan 2 plat yang dimasukkan
ke dalam ruang vakum dan dialiri arus listrik, ( kedua plat diletakkan di ruang hampa agar
energi tidak hilang akibat tumbukkan terhadap molekul-molekul udara). Ketika cahaya
dipancarkan pada plat negatifnya, maka terlihat adanya elektron yang terlepas menuju
plat positif elektron tersebut. Peristiwa itu disebut fotoelektron, namun ketika cahaya
dipancarkan pada plat positif, pancaran elektron tidak ditemukan.[3]

Pada saat cahaya yang dipancarkan diganti dengan cahaya warna merah, kuning,
atau ungu, maka energi yang dihasilkan berubah-ubah, hal tersebut dikarenakan adanya
perbedaan panjang gelombang dan frekuensi cahaya sebagaimana pada persamaan,

𝐸 = ℎ. 𝑣

dimana E adalah energi yang dihasilkan dan h adalah konstanta Planck.[2]

 Photoelectric yang sering digunakan adalah photoelectrik menggunakan sel surya.
Penggunaan sel surya sebagai penghasil energi listrik disebut Photovoltaic. Sel surya atau
solar sel terbuat dari bahan semikonduktor yang dilapisi bahan kimia khusus.
Semikonduktor memiliki celah pita yang besar sehingga dapat memberikan tegangan
yang tinggi. Suatu semikonduktor terdiri dari tipe n dan tipe p. [1]

Ketika sinar matahari menyinari sel maka electron-elektron akan terlepaskan dan
mengalir ke seluruh lapisan lapisan kimia yang ada di permukaan sel sehingga
menghasilkan arus listrik yang kecil yang dihimpun dalam konduktor logam. Apabila
banyak sel surya maka akan menghasilakan arus listrik yang besar. Semakin banyak sel
surya maka semakin besar energi yang dihasilkan. Begitu juga ketika cahaya yang
dipancarkan lebih terang, maka energi listrik yang dihasilkan pun semakin besar.[4]

Bagian utama pengubah energi sinar matahari menjadi listrik adalah penyerap
(absorber), meskipun demikian masing-masing lapisan juga sangat berpengaruh terhadap
efisiensi dari sel surya. Semikonduktor adalah bahan yang memiliki struktur seperti
isolator akan tetapi memiliki celah energi kecil (1 eV atau kurang) sehingga
memungkinkan elektron bisa melompat dari pita konduksi ke pita valensi. Hal tersebut
dapat dijelaskan dengan pita-pita energi seperti gambar dibawah ini

Elektron dari pita konduksi dapat meloncat ke pita valensi ketika sambungan
tersebut dikenai photon dengan energi tertentu. Tingkat energi yang dihasilkan
diperlihatkan pada gambar berikut

Ketika sinar matahari yang terdiri dari foton-foton jatuh pada permukaaan bahan
sel surya (absorber), akan diserap, dipantulkan, atau dilewatkan begitu saja seperti
terlihat pada Gambar 1, dan hanya foton dengan tingkat energi tertentu yang akan
membebaskan elektron dari ikatan atomnya, sehingga mengalirlah arus listrik. Tingkat
energi ini disebut energi band-gap yang didefinisikan sebagai sejumlah energi yang
dibutuhkan untuk mengeluarkan elektron dari ikatan kovalennya sehingga terjadilah
aliran arus listrik. Elektron dari pita valensi akan tereksitasi ke pita konduksi. Elektron
menjadi pembawa n dan meninggalkan hole. Pembawa p akan bergerak menuju
persambungan demikian juga pembawa nakan bergerak ke persambungan. Perpindahan
tersebut menghasilkan beda potensial. Arus dan daya yang dihasilkan fotovoltaik ini
dapat dialirkan ke rangakaian luar. Untuk membebaskan elektron dari ikatan kovalennya,
energi foton (hc) harus sedikit lebih besar atau diatas dari pada energi band-gap. Jika
energi foton terlalu besar dari pada energi band-gap, maka ekstra energi tersebut akan
diubah dalam bentuk panas pada sel surya. Oleh karena itu, sangatlah penting pada sel
surya untuk mengatur bahan yang digunakan, yaitu dengan memodifikasi struktur
molekul dari semikonduktor yang dipergunakan. Agar efisiensi sel surya bisa tinggi maka
foton yang berasal dari sinar matahari harus bisa diserap sebanyak-banyaknya, kemudian
memperkecil refleksi dan rekombinasi serta memperbesar konduktivitas dari bahannya.
Agar foton bisa diserap sebanyak-banyaknya, maka penyerap harus memiliki energi
band-gap dengan jangkauan yang lebar, sehingga memungkinkan untuk bisa menyerap
sinar matahari yang mempunyai energi sangat bermacam-macam tersebut.

"Tingkat Fermi" adalah istilah yang digunakan untuk menggambarkan bagian atas
kumpulan tingkat energi elektron pada suhu nol absolut. Konsep ini berasal dari statistik
Fermi-Dirac. Elektron adalah fermion dan oleh prinsip eksklusi Pauli tidak dapat eksis
dalam kondisi energi yang identik. Jadi pada nol absolut mereka mengemas ke dalam
kondisi energi terendah yang tersedia dan membangun "laut Fermi" dari kondisi energi
elektron. Tingkat Fermi adalah permukaan laut itu pada nol mutlak di mana tidak ada
elektron yang memiliki energi yang cukup untuk naik di atas permukaan. Konsep energi
Fermi adalah konsep yang sangat penting untuk memahami sifat listrik dan termal
padatan. Baik proses listrik dan termal biasa melibatkan energi dari sebagian kecil volt
elektron. Tetapi energi Fermi dari logam ada di urutan volume elektron. Ini menyiratkan
bahwa sebagian besar elektron tidak dapat menerima energi dari proses tersebut karena
tidak ada keadaan energi yang tersedia bagi mereka untuk pergi ke dalam sebagian kecil
dari volt elektron dari energi mereka saat ini. Terbatas pada kedalaman energi yang sangat
kecil, interaksi ini terbatas pada "riak di laut Fermi".
VI.
 VII. PERHITUNGAN

Perhitungan pada percobaan ini digunakan rumus :

𝐴=𝑝×𝑙
ℎ
𝜃 = 𝑡𝑎𝑛−1
ℎ′
𝑃 = 𝑉. 𝐼
𝑃
𝐽=
𝐴
𝐸 (5 𝑚𝑒𝑛𝑖𝑡) = 𝑃. 𝑡(300 𝑠𝑒𝑘𝑜𝑛)

A. Menggunakan energi matahari.

𝑝 = 21.3 𝑐𝑚 = 0.213 𝑚
𝑙 = 15.5 𝑐𝑚 = 0.155 𝑚
ℎ = 14.3 𝑐𝑚 = 0.143 𝑚

𝐴 = 𝑝 × 𝑙 = 0.213 𝑚 × 0.155 𝑚 = 0.033 𝑚2

1. Jam 13.35
Ts = 37 𝑉 = 10.43 𝑉 𝐼 = 1.75 𝑚𝐴 = 1.75 × 10−3 𝐴
ℎ′ = 5 𝑐𝑚
14.3
𝜃 = 𝑡𝑎𝑛−1 5 = 70.72° 𝑃 = 10.43 𝑉 × 1.75 × 10−3 𝐴 = 0.0183 𝑤𝑎𝑡𝑡
0.0183 𝑤𝑎𝑡𝑡
𝐽= = 0.5531 𝑤𝑎𝑡𝑡/𝑚2 𝐸 = 0.0183 𝑤𝑎𝑡𝑡 × 300 𝑠 = 5.47 𝐽
0.033 𝑚2

2. Jam 13.40
Ts = 38 𝑉 = 10.38 𝑉 𝐼 = 1.68 𝑚𝐴 = 1.68 × 10−3 𝐴
ℎ′ = 6 𝑐𝑚
14.3
𝜃 = 𝑡𝑎𝑛−1 6 = 67.2° 𝑃 = 10.38 𝑉 × 1.68 × 10−3 𝐴 = 0.0174 𝑤𝑎𝑡𝑡
0.0151 𝑤𝑎𝑡𝑡
𝐽= = 0.5284 𝑤𝑎𝑡𝑡/𝑚2 𝐸 = 0.0151 𝑤𝑎𝑡𝑡 × 300 𝑠 = 5.23 𝐽
0.033 𝑚2

3. Jam 13.45
Ts = 38 𝑉 = 8.47 𝑉 𝐼 = 1.09 𝑚𝐴 = 1.09 × 10−3 𝐴
′
ℎ = 6 𝑐𝑚
14.3
𝜃 = 𝑡𝑎𝑛−1 6 = 67.2° 𝑃 = 8.47 𝑉 × 1.09 × 10−3 𝐴 = 0.0092 𝑤𝑎𝑡𝑡
0.0092 𝑤𝑎𝑡𝑡
𝐽= = 0.2798 𝑤𝑎𝑡𝑡/𝑚2 𝐸 = 0.0092 𝑤𝑎𝑡𝑡 × 300 𝑠 = 2.76 𝐽
0.033 𝑚2

4. Jam 13.50
Ts = 35.5 𝑉 = 8.32 𝑉 𝐼 = 1.07 𝑚𝐴 = 1.07 × 10−3 𝐴
′
ℎ = 6.3 𝑐𝑚
14.3
𝜃 = 𝑡𝑎𝑛−1 6.3 = 66.22° 𝑃 = 8.32 𝑉 × 1.07 × 10−3 𝐴 = 0.0089 𝑤𝑎𝑡𝑡
0.0089 𝑤𝑎𝑡𝑡
𝐽= = 0.2698 𝑤𝑎𝑡𝑡/𝑚2 𝐸 = 0.0089 𝑤𝑎𝑡𝑡 × 300 𝑠 = 2.67 𝐽
0.033 𝑚2

5. Jam 13.55
Ts = 36 𝑉 = 10.33 𝑉 𝐼 = 1.59 𝑚𝐴 = 1.59 × 10−3 𝐴
ℎ′ = 7 𝑐𝑚
 14.3
𝜃 = 𝑡𝑎𝑛−1 = 63.91° 𝑃 = 10.33 𝑉 × 1.59 × 10−3 𝐴 = 0.0164 𝑤𝑎𝑡𝑡
7
0.0164 𝑤𝑎𝑡𝑡
𝐽= = 0.4977𝑤𝑎𝑡𝑡/𝑚2 𝐸 = 0.0164 𝑤𝑎𝑡𝑡 × 300 𝑠 = 4.92 𝐽
0.033 𝑚2

6. Jam 14.00
Ts = 37 𝑉 = 10 𝑉 𝐼 = 1.55 𝑚𝐴 = 1.55 × 10−3 𝐴
ℎ′ = 8 𝑐𝑚
14.3
𝜃 = 𝑡𝑎𝑛−1 8 = 60.7° 𝑃 = 10 𝑉 × 1.55 × 10−3 𝐴 = 0.0155 𝑤𝑎𝑡𝑡
0.0155 𝑤𝑎𝑡𝑡
𝐽= = 0.4697𝑤𝑎𝑡𝑡/𝑚2 𝐸 = 0.0155 𝑤𝑎𝑡𝑡 × 300 𝑠 = 4.65 𝐽
0.033 𝑚2

7. Jam 14.05
Ts = 35.5 𝑉 = 10.55 𝑉 𝐼 = 1.53 𝑚𝐴 = 1.53 × 10−3 𝐴
′
ℎ = 7.5 𝑐𝑚
14.3
𝜃 = 𝑡𝑎𝑛−1 7.5 = 62.3° 𝑃 = 10.55 𝑉 × 1.53 × 10−3 𝐴 = 0.0161 𝑤𝑎𝑡𝑡
0.0161 𝑤𝑎𝑡𝑡
𝐽= = 0.4891 𝑤𝑎𝑡𝑡/𝑚2 𝐸 = 0.0161 𝑤𝑎𝑡𝑡 × 300 𝑠 = 4.84 𝐽
0.033 𝑚2

8. Jam 14.10
Ts = 38 𝑉 = 10.3 𝑉 𝐼 = 1.55 𝑚𝐴 = 1.55 × 10−3 𝐴
′
ℎ = 7.8 𝑐𝑚
14.3
𝜃 = 𝑡𝑎𝑛−1 7.8 = 61.3° 𝑃 = 10.3 𝑉 × 1.55 × 10−3 𝐴 = 0.016 𝑤𝑎𝑡𝑡
0.016 𝑤𝑎𝑡𝑡
𝐽= = 0.4891 𝑤𝑎𝑡𝑡/𝑚2 𝐸 = 0.016 𝑤𝑎𝑡𝑡 × 300 𝑠 = 4.78 𝐽
0.033 𝑚2

9. Jam 14.15

Ts = 38 𝑉 = 10.07 𝑉 𝐼 = 1.51 𝑚𝐴 = 1.51 × 10−3 𝐴

ℎ′ = 9 𝑐𝑚
14.3
𝜃 = 𝑡𝑎𝑛−1 9 = 57.8° 𝑃 = 10.07 𝑉 × 1.51 × 10−3 𝐴 = 0.0152 𝑤𝑎𝑡𝑡
0.016 𝑤𝑎𝑡𝑡
𝐽= = 0.4608 𝑤𝑎𝑡𝑡/𝑚2 𝐸 = 0.016 𝑤𝑎𝑡𝑡 × 300 𝑠 = 4.56 𝐽
0.033 𝑚2

10. Jam 14.20

Ts = 39 𝑉 = 10.10 𝑉 𝐼 = 1.52 𝑚𝐴 = 1.52 × 10−3 𝐴

′
ℎ = 9.5 𝑐𝑚
14.3
𝜃 = 𝑡𝑎𝑛−1 9.5 = 56.4° 𝑃 = 10.10 𝑉 × 1.52 × 10−3 𝐴 = 0.0154 𝑤𝑎𝑡𝑡
0.0154 𝑤𝑎𝑡𝑡
𝐽= = 0.4652 𝑤𝑎𝑡𝑡/𝑚2 𝐸 = 0.0154 𝑤𝑎𝑡𝑡 × 300 𝑠 = 4.60 𝐽
0.033 𝑚2

11. Jam 14.25

Ts = 39 𝑉 = 10.06 𝑉 𝐼 = 1.51 𝑚𝐴 = 1.51 × 10−3 𝐴

ℎ′ = 9.5 𝑐𝑚
14.3
𝜃 = 𝑡𝑎𝑛−1 9.5 = 56.4° 𝑃 = 10.06 𝑉 × 1.51 × 10−3 𝐴 = 0.0152 𝑤𝑎𝑡𝑡
0.0152 𝑤𝑎𝑡𝑡
𝐽= = 0.4603 𝑤𝑎𝑡𝑡/𝑚2 𝐸 = 0.0152 𝑤𝑎𝑡𝑡 × 300 𝑠 = 4.55 𝐽
0.033 𝑚2

12. Jam 14.30

Ts = 38.5 𝑉 = 9.91 𝑉 𝐼 = 1.47 𝑚𝐴 = 1.47 × 10−3 𝐴

 ℎ′ = 10.5 𝑐𝑚
14.3
𝜃 = 𝑡𝑎𝑛−1 10.5 = 53.7° 𝑃 = 9.91 𝑉 × 1.47 × 10−3 𝐴 = 0.0146 𝑤𝑎𝑡𝑡
0.0146 𝑤𝑎𝑡𝑡
𝐽= = 0.4414 𝑤𝑎𝑡𝑡/𝑚2 𝐸 = 0.0146 𝑤𝑎𝑡𝑡 × 300 𝑠 = 4.37 𝐽
0.033 𝑚2

VIII. TABLE DATA

𝑝 = 21.3 𝑐𝑚 = 0.213 𝑚
𝑙 = 15.5 𝑐𝑚 = 0.155 𝑚
ℎ = 14.3 𝑐𝑚 = 0.143 𝑚

𝐴 = 𝑝 × 𝑙 = 0.213 𝑚 × 0.155 𝑚 = 0.033 𝑚2

jam V h' J P E
No Ts I (A) θ
pengamatan (volt) (cm) (watt/m²) (watt) (t=5menit)
1 13:35:00 37 10.43 1.75 5 70.72° 0.5531 0.0183 5.47

2 13:40:00 38 10.38 1.68 6 67.2 0.5284 0.0174 5.23

3 13:45:00 38 8.47 1.09 6 67.2 0.2798 0.0092 2.76

4 13:50:00 35.5 8.32 1.07 6.3 66.22 0.2698 0.0089 2.67

5 13:55:00 36 10.33 1.59 7 63.91 0.4977 0.0164 4.92

6 14:00:00 37 10 1.55 8 60.7 0.4697 0.0155 4.65

7 14:05:00 35.5 10.55 1.53 7.5 62.3 0.4891 0.0161 4.84

8 14:10:00 38 10.3 1.55 7.8 61.3 0.4891 0.016 4.78

9 14:15:00 38 10.07 1.51 9 57.8 0.4608 0.0152 4.56

10 14:20:00 39 10.10 1.52 9.5 56.4 0.4652 0.0154 4.6

11 14:25:00 39 10.06 1.51 10 56.4 0.4603 0.0152 4.55

12 14:30:00 38.5 9.91 1.47 10.5 53.7 0.4414 0.0146 4.37

IX. PEMBAHASAN

Pada percobaan fotovoltaic kali ini, digunakan sebuah sel surya, yang
merupakan rangkaian semikonduktor type p dan type n, yang dirancang untuk
dapat mengubah energi cahaya atau foton menjadi energi listrik.

Cahaya atau foton memiliki energi, yang apabila dikenai pada materi, maka
materi tersebut akan menyerap energi foton dan berpindah ke tingkat energi yang
lebih tinggi atau bias disebut tereksitasi.

Pada bahan semikonduktor, tingkat level energi valensi dan energi konduksi
terpisah tidak jauh, sehingga dengan energi foton, semikonduktor akan berada
pada tingkat energi tereksitasi, yang menyebabkan adanya electron yang berada
pada level energi konduksi. Electron pada tingkat konduksi inilah yang pada
bahan semikonduktor berfungsi sebagai penghantar atau konduktor.

Selain itu, semikonduktor juga dibedakan menjadi 2 yaitu semikonduktor

intrinsic dan ekstrinsik, yang mana ekstrinsik dibedakan menjadi 2 yaitu tipe p
dan tipe n. pada tipe p bahan semikonduktor memiliki kelebihan hole dan pada
tipe n memiliki electron berlebih. Yang mana keduanya ( electron dan hole )
berfungsi sebagai penghantar arus.

Pada saat sel surya menerima cahaya matahari yang berupa foton, maka
tercipta electron bebas pada bahan semikonduktor, yang bila di beri beda potensial
maka akan terjadi arus listrik.

Photovoltaic merupakan sumber energi listrik terbarukan yang dapat

merubah energi cahaya matahari menjadi energi listrik. Efisiensi konversi energi
surya ke listrik bergantung pada intensitas iluminasi spektrum bahan pembentuk
sel dan suhu. Spektrum pada panjang gelomnbang ini mencakup sinar ultraviolet,
sinar tampak dan sinar infra merah. Sampai saat ini sel photovoltaik yang sudah
diproduksi dari jenis multikristal mempunyai efisiensi sebesar 14.5 % sedangkan
jenis amorphous silicon efisiensinya sebesar 7-8%. Faktor-faktor yang dapat
mempengaruhi efisiensi adalah panjang gelombang, penggabungan p/n junction,
resistansi grid, daya pantul silikon (lapisan penyerap, antirefleksi), suhu,
kelembaban udara, dan debu.

Dasar sistem photovoltaic terdiri dari empat komponen utama yaitu Panel
surya (solar panel), baterai (batteries), regulator dan beban (load). Panel
bertanggung jawab untuk mengumpulkan daya matahari dan membangkitkan
listrik. Baterai menyimpan daya listrik untuk penggunaannya nanti. Regulator
menjamin panel dan baterai bekerja sama dalam model optimal. Beban merujuk
pada alat apapun yang memerlukan daya listrik, dan merupakan jumlah konsumsi
listrik dari semua peralatan listrik yang dihubungkan dengan sistem. Keluaran
panel surya dan baterai merupakan arus searah (DC).
X. KESIMPULAN

Kesimpulan yang didapat pada percobaan kali ini

Efisiensi photovoltaic dapat diketahui dengan cara membandingkan daya
yang dapat dipanen oleh photovoltaic dengan daya surya potensial yang terukur.
Efisiensi maksimum photovoltaic pada praktikum adalah 13.86%, sehingga
pemanfaatan energi radiasi matahari masih terbilang kecil. Oleh karena itu perlu
adanya suatu teknologi yang dapat meningkatan proses pemanenan energi yang
dapat meningkatkan efisiensi dari photovoltaic agar dapat tercapai produk berupa
energi terbarukan yang dapat menggantikan energi fossil yang tidak lama lagi akan
habis.
Efek Photovoltaic adalah suatu fenomena dimana munculnya tegangan listrik
karena adanya hubungan atau kontak dua elektroda yang dihubungkan dengan
sistem padatan atau cairan saat mendapatkan energi cahaya. Oleh karena itu, Sel
Surya atau Solar Cell sering disebut juga dengan Sel Photovoltaic (PV). Efek
Photovoltaic ini ditemukan oleh Henri Becquerel pada tahun 1839.
Arus listrik timbul karena adanya energi foton cahaya matahari yang
diterimanya berhasil membebaskan elektron-elektron dalam sambungan
semikonduktor tipe N dan tipe P untuk mengalir. Sama seperti Dioda Foto
(Photodiode), Sel Surya atau Solar Cell ini juga memiliki kaki Positif dan kaki
Negatif yang terhubung ke rangkaian atau perangkat yang memerlukan sumber
listrik.

Pada dasarnya, Sel Surya merupakan Dioda Foto (Photodiode) yang memiliki
permukaan yang sangat besar. Permukaan luas Sel Surya tersebut menjadikan
perangkat Sel Surya ini lebih sensitif terhadap cahaya yang masuk dan
menghasilkan Tegangan dan Arus yang lebih kuat dari Dioda Foto pada umumnya.

Sudut antara sel surya dan sinar matahari, jika mendekati tegak lurus maka
intensitas yang diterima sel surya makin besar, maka daya yang diterima juga
semakin besar.

XI. TUGAS LAPORAN

1. Level Fermi :
Tingkat energi tertinggi yang diisi oleh elektron pada suhu mutlak 0 Kelvin.

2. Level donor :
Tingkat energi tertinggi yang diisi oleh elektron pada suhu mutlak 0 Kelvin
pada semikonduktor tipe n. Level donor terletak sedikit di bawah pita konduksi, dan
nilainya lebih besar dari setengah celah energi, atau secara matematis dapat ditulis Ed
 > ½ Eg, dimana Ed= Energi level donor dan Eg = celah energi/energy gap. Artinya,
kelebihan elektron semikonduktor jenis n pada level donor membutuhkan sedikit
energi tambahan saja untuk memindahkan elektron dari pita valensi ke pita konduksi,
sehingga lebih mudah melepaskan elektron daripada menerima elektron, maka dari itu
disebut level donor atau level pemberi (elektron).

3. Level akseptor :
Tingkat energi tertinggi yang diisi oleh elektron pada suhu mutlak 0 Kelvin
pada semikonduktor tipe p, level akseptor letaknya sedikit di atas pita valensi, dan
nilainya lebih kecil dari separuh celah energi, atau secara matematis dapat ditulis Ed
< ½ Eg. Artinya, kelebihan hole semikonduktor jenis p pada level akseptor
membutuhkan energi yang cukup besar untuk memindahkan elektron dari pita valensi
ke pita konduksi, bahkan lebih mudah menerima elektron daripada melepaskan
elektron, maka dari itu disebut level akseptor atau level penerima (elektron).

4. Lapisan pengosongan :
Lapisan pengosongan terjadi akibat gaya tolak-menolak. Elektron pada sisi N
bersiap untuk bebas, menyebar ke segala arah. Beberapa berdifusi melewati junction.
Di sisi P terdapat hole-hole yang siap menangkap elektron yang jatuh. Jika elektron
bebas meninggalkan sisi N, akan terbentuk ion positif di daerah N. Bila elektron
tersebut memasuki daerah P elektron akan menjadi pembawa minoritas yang waktu
hidupnya singkat. Elektron-elektron tersebut segera jatuh dan ditangtkap oleh hole.
Hasilnya, hole akan hilang dan terbentuk ion negatif.
Setiap terjadi perpindahan elektron dari sisi N ke sisi P terbentuk sepasang ion
negatif dan positif. Ion-ion ini tidak dapat bergerak dengan bebas seperti elektron
bebas dan hole, tetapi tetap berada dalam struktur kristal akibat ikatan kovalen. Ketika
jumlah ion bertambah banyak, daerah sekitar junction dikosongkan dari elektron bebas
dan hole. Daerah inilah yang disebut lapisan pengosongan (depletion layer).

5. Energi Gap :
Energi gap adalah energi yang diperlukan oleh elektron untuk memecahkan
ikatan kovalen sehingga dapat berpindah jalur dari jalur valensi ke jalur konduksi.

6. Lobang (hole) :
 Pembawa muatan positif dalam semikonduktor. Hole (lubang) dalam
semikonduktor merupakan zarah semu yang bermuatan positif. Hole pada dasarnya
merupakan kekosongan elektron pada ikatan kovalen dalam kristal bahan
semikonduktor. Ketiadaan elektron atau lubang ini dianggap sebagai partikel khayal
yang bermuatan positif. Secara riil, elektron yang mudah bergerak bebas, lalu akan
mengisi hole yang ada. (Sutrisno, Elektronika 1)

XII. DAFTAR PUSTAKA

[1] Beiser, Arthur. 1987. Konsep Fisika Modern Edisi Keempat. Penerbit

Erlangga, Jakarta

[2] Diah, Septia. 2002. Jurnal Ilmiah Praktikum Radiasi_4

[3] Fisika FMIPA, Dosen. 2011. Fisika II (Listrik, Magnet, Gelombang, Optika,

Fisika Modern). ITS press, Surabaya.

[4] Halliday, Resnick. 1986. Fisika Modern (Terjemahan Pantur Silaban). PT.

Gelora Aksara Pratama, Jakarta.

[5] Halliday, Resnick. 1977. Fisika Jilid 2 Edisi 3 (Terjemahan Pantur Silaban).

Penerbit Erlangga, Jakarta.