RENCANA PELAKSANAAN PEMBELAJARAN

( RPP )

Satuan Pendidikan : SMK

Nama Sekolah : SMK NEGERI 2 BANGKALAN
Mata Pelajaran : Perencanaan Rangkaian Elektronika
Kelas / Semester : XII / Semester 1
MateriPokok / Tema : FET/MOSFET
Alokasi Waktu : 2 x 240 Menit
Jumlah Pertemuan :2
Pertemuan Ke :1

Kompetensi Inti

KI 1: Menghayati dan mengamalkan ajaran agama yang dianutnya

KI 2: Menghayati dan Mengamalkan perilaku jujur, disiplin, tanggung jawab, peduli (gotong
royong, kerjasama, toleran, damai), santun, responsif dan proaktif dan menunjukan sikap
sebagai bagian dari solusi atas berbagai permasalahan dalam berinteraksi secara efektif
dengan lingkungan sosial dan alam serta dalam menempatkan diri sebagai cerminan bangsa
dalam pergaulan dunia
KI 3: Memahami, menerapkan dan menganalisa pengetahuan faktual, konseptual, dan prosedural
berdasarkan rasa ingin tahunya tentang ilmu pengetahuan, teknologi, seni, budaya, dan
humaniora dalam wawasan kemanusiaan, kebangsaan, kenegaraan, dan peradaban terkait
penyebab fenomena dan kejadian dalam bidangkerja yang spesifik untuk memecahkan
masalah
KI 4: Mengolah, menalar, dan menyaji dalam ranah konkret dan ranah abstrak terkait dengan
pengembangan dari yang dipelajarinya di sekolah secara mandiri, dan mampu melaksanakan
tugas spesifik dibawah pengawasan langsung

Kompetensi Dasar

1. Merancang FET/MOSFET sebagai penguat dan piranti saklar.

Indikator

1. Memahami susunan fisis, symbol dan karakteristik FET/MOSFET.

2. Merencanakan FET/MOSFET sebagai penguat sinyal kecil
3. Merancanakan FET/MOSFET sebagai piranti saklar.
4. Merencanakan FET/MOSFET sebagai penguat sinyal besar (penguat daya).
5. Menginterprestasikan datasheet macam-macam tipe FET/MOSFET untuk keperluan
perencanaan.
6. Menerapkan metode pencarian kesalahan FET/MOSFET sebagai penguat / piranti saklar
akibat pergeseran titik kerja DC.
TujuanPembelajaran

Setelah pelajaran siswa dapat :

1. Memahami susunan fisis, symbol dan karakteristik FET/MOSFET.
2. Merencanakan FET/MOSFET sebagai penguat sinyal kecil
3. Merancanakan FET/MOSFET sebagai piranti saklar.
4. Merencanakan FET/MOSFET sebagai penguat sinyal besar (penguat daya).
5. Menginterprestasikan datasheet macam-macam tipe FET/MOSFET untuk keperluan
perencanaan.
6. Menerapkan metode pencarian kesalahan FET/MOSFET sebagai penguat / piranti saklar
akibat pergeseran titik kerja DC.

Materi Ajar / Pembelajaran

1. Karakteristik, Symbol& konstruksi FET/MOSFET.

Pendekatan / Strategi / MetodePembelajaran

1. Pendekatan : Scientific
2. Metode : Ceramah, DiskusikelompokdanPenugasan
3. Model : Student Center Learning
Media / Alat / SumberBelajar

Media : Print Out Materi,

Alat : Papan tulis.
Bahan : Materi Pelajaran
SumberBelajar : Internet.

KegiatanPembelajaran

Deskripsi Kegiatan Alokasi

Kegiatan
Guru
1. Memberikan salam,
mengkondisikan kelas dan
pembiasaan, mengajak dan
memimpin doa, menanyakan
kondisi siswa dan presensi
2. Memberi motivasi pada siswa
Pendahuluan 3. Melakukan apersepsi dan
pretest
4. Menyampaikan kompetensi
dasar, tujuan pembelajaran,
metode, dan penilaian
Siswa waktu
1. Menjawab salam,
menertibkan tempat
duduk dan menertibkan
diri, berdoa, menjawab
keadaan kondisinya dan
kehadiran
2. Termotivasi
3. Memperhatikan dan
mengerjakan pretest
4. Memperhatikan

Mengamati Mengamati
- Memperagakan - Memperhatikan
- Meminta siswa mengamati - Mengamati sumber
sumber belajar belajar

Menanya Menanya
- Meminta siswa melakukan - Melakuakan diskusi
diskusi mengidentifikasi
- Mengamati, membimbing dan masalah dengan
menilai siswa kelompok
Inti
Mengumpulkan informasi Mengumpulkan informasi
- Memberikan permasalahan - Mencoba dengan
kepada siswa dan meminta kelompoknya
mencoba
- Mengamati, membimbing dan
menilai siswa
Menganalisis informasi
Menganalisis informasi - Mengumpulkan data,
- Mengarahkan siswa mencari menganalisis, dan
informasi, menganalisa dan menyimpulkan
menyimpulkan
 - Mengamati, membimbing dan
menilai siswa
Mengomunikasikan
Mengkomunikasikan - Membuat kesimpulan
- Meminta siswa menyimpulkan materi yang disampaikan
materi
- Mengamati, membimbing dan
menilai siswa

1. Mengajak dan mengarahkan

siswa membuat kesimpulan
2. Memberikan evaluasi berbentuk 1. Membuat kesimpulan
Penutup post test/tugas 2. Mengerjakan tugas
3. Memberi arahan tindak lanjut 3. Memperhatikan arahan
pembelajaran guru
4. Mengajak dan memimpin doa
dan menutup pelajaran
Penilaian

1. Mekanisme dan prosedur

Penilaian dilakukan dari proses dan hasil belajar, yaitu keaktifan siswa dalam KBM
dan di dalam kelompok masing-masing. Selain itu juga penilaian terhadap hasil tes lisan
dan tertulis siswa.

2. Aspekdaninstrumenpenilaian
N Mekanisme Jenis / Teknik Waktu
Aspek Instrumen
o danProsedur Penilaian Penilaian
Pengamatan Lembar Selama proses
1. Sikap Observasi guru
Sikap Observasi pembelajaran
Tes Lisan Soal lisan
2. Pengetahuan Menyesuaikan
Tes Tertulis dan tertulis
3. Ketrampilan -
 Transistor Efek Medan - Field Effect Transistor (FET)

Jenis lain dari transitor adalah Field effect Transistor. Perbedaan utama antara BJT dengan FET
adalah pada pengontrol kerja dari transistor tersebut. Jika BJT kerjanya dikontrol oleh arus
pengontrol sedangkan FET bekerja dengan dikontrol oleh tegangan pengontrol.

Gambar Current controller device dan Voltage controller device

Perbedaan Antara Transistor FET dan Bipolar

Tabel. Perbedaan Antara Transistor FET dan Bipolar

FET terdiri dari dua jenis yaitu JFET (terdiri dari JFET kanal n dan JFET kanal P) dan MOSFET
(Terdiridari MOSFET Depletion Mode dn MOSFET Enhancement Mode)

Transistor efek medan - Junction Field effect transistor (JFET)

Transistor efek medan - Junction Field effect transistor (JFET) juga memiliki 3 terminal, yaitu
Drain, Source dan Gate. JFET terdiri dari suatu channel (saluran) yang terbuat dari sekeping
semikonduktor dan pada saluran ini di doping dua buah semikonduktor tipe lain dan dihubungkan
ke Gate. Bagian atas saluran dihubungkan dengan drain dan bagian bawah dihubungkan dengan
source.

Gambar Struktur dan symbol JFET kanal n dan JFET kanal p

Prinsip kerja JFET

JFET kanal-n

Transistor JFET kanal-n, Drain dan Source transistor ini dibuat dengan semikonduktor tipe n dan
Gate dengan tipe p. Tegangan bias antara gate dan source adalah tegangan reverse bias atau
disebut bias mundur atau bias negatif. Tegangan bias negatif berarti tegangan gate lebih negatif
terhadap source.

JFET memanfaatkan adanya efek medan yang muncul pada junction (sambungan) p-n. Elektron
yang mengalir dari source menuju drain harus melewati lapisan deplesi. Di sini lapisan deplesi
bisa dianalogikan sebagai keran air. Banyaknya elektron yang mengalir dari source menuju drain
tergantung dari ketebalan lapisan deplesi. Lapisan deplesi bisa menyempit, melebar atau
membuka tergantung dari tegangan gate terhadap source.

Jika gate semakin negatif terhadap source, maka lapisan deplesi akan semakin menebal. Semakin
tebal lapisan deplesi maka akan memperkecil kanal atau bahkan menutup kanal transistor
sehingga mempengaruhi arus listrik yang mengalir. Jadi jika tegangan gate semakin negatif
terhadap source maka semakin kecil arus yang bisa melewati kanal drain dan source.
Gambar Prinsip kerja JFET kanal n

Lapisan deplesi pada saat tegangan gate-source = 0 vollt adalah keadaan dimana arus maksimum
dapat mengalir pada kanal transistor karena lapisan deplesi tidak bisa diperlebar lagi. Tegangan
gate tidak bisa dinaikkan menjadi positif, karena kalau nilainya positif maka gate-source tidak
lain hanya sebagai dioda.

JFET kanal p

Seperti Transisitor BJT, jenis Transistor JFET kanal n dan kanal p mempunyai struktur yang
sama namun berbeda pada susunan semikonduktor p dan semikonduktor n nya, oleh karena itu
Transistor JFET kanal-p memiliki prinsip yang sama dengan JFET kanal-n, hanya saja kanal
yang digunakan adalah semikonduktor tipe p. Dengan demikian polaritas tegangan dan arah arus
berlawanan jika dibandingkan dengan transistor JFET kanal-n. Simbol rangkaian untuk tipe p
juga sama, hanya saja dengan arah panah yang berbeda.

Daerah operasi JFET

Gambar Karakteristik keluaran JFET

JFET mempunyai empat daerah operasi antara lain:

● Ohmic Region – Ketika VGS = 0 celah deplesi dari kanal sangat kecil, pada daerah ini
karakteristik JFET mengikuti Hukum Ohm.

● Cut-off Region – Daerah ini juga dikenal dengan pinch-off region dimana tegangan Gaete,pada
daerah ini JFET bersifat seperti rangkaian terbuka (open circuit) dimana kanal mencapai
resistansi maksimum

● Saturation or Active Region – JFET menjadi konduktor yang dikontrol oleh tegangan Gate-
Source, ( VGS ).

● Breakdown Region – Tegangan antara Drain dan Source, ( VDS ) sangat tinggi sehingga bisa
menyebabkan transistor rusak dan menyebabkan araus maksimal yang tidak terkontrol.

Gambar Kurva karakteristik Transfer dan Karakteristik Arus Drain

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET)

Gambar Struktur dan simbol MOSFET

Mirip seperti JFET, MOSFET juga memiliki drain, source dan gate. Namun perbedaannya gate
terisolasi oleh suatu bahan oksida. Gate sendiri terbuat dari bahan metal seperti aluminium..
Karena gate yang terisolasi, jenis transistor ini disebut juga IGFET yaitu insulated-gate FET.

Ada dua jenis MOSFET, depletion-mode dan enhancement-mode. Jenis enhancement-mode

MOSFET adalah komponen utama dari gerbang logika dalam bentuk IC (integrated circuit), uC
(micro controller) dan uP (micro processor).

MOSFET Depletion-mode

Sama seperti JFET, untuk N-channel MOSFET, semakin positif tegangan gate VGS maka
semakin besar celah deplesi kanal (arus drain ID semakin besar). Namun untuk MOSFET
tegangan gate VGS boleh positif sehingga arus bisa semakin besar .

Gambar Karakteristik MOSFET Depletion-mode

MOSFET Enhancement-mode

Perbedaan MOSFET enhacement mode dengan MOSFET Depletion mode terletak pada struktur
nya, subtrat pada MOSFET enhacement mode dibuat hingga menyentuh gate, sehingga saat
VGS=0 Arus belum bisa mengalir.

Dengan menaikkan tegangan (semakin positif) akan membuat arus dapat mengalir. Dengan kata
lain untuk N-channel enhancement mode MOSFET, “+VGS membuat transistor “ON” dan
VGS=0 transistor "OFF". Tentu ada tegangan minimum dimana Arus baru bisa mengalir.
Tegangan minimun ini disebut tegangan threshold VGS(th). Tegangan VGS(th) oleh pabrik
pembuat akan dicantumkan didalam datasheet.
 Gambar Karakteristik MOSFET Enhacement-mode

Tabel Perbandingan Depletion-mode dan Enhacement-mode terhadap pengaruh VGS