KARAKTERISTIK BJT

Praktikan: Nicholas Melky S Sianipar (13206010)

Asisten: Deden
Waktu Percobaan: 17 Maret 2009
EL2140 – Praktikum Elektronika
Laboratorium Dasar Teknik Elektro
Sekolah Teknik Elektro dan Informatika – ITB

Abstrak
Pada praktikum ini praktikan mencoba kit praktikum
yang berisi rangkaian percobaan karakteristik BJT yaitu
transistor beserta resistor-resistor variabelnya. Dengan
menggunakan 3 buah multimeter, praktikan dapat
memahami dan mengamati karakteristik transistor yaitu
tegangan dan arus diantara diketiga kakinya. Dengan Transistor BJT NPN
mengubah-ubah kondisi rangkaian, seperti resistansi yang
akan mengakibatkan perubahan tegangan, maka praktikan
dapat memproyeksikan data-data tersebut pada kurva yang
dapat menghasilkan beberapa kesimpulan. Namun juga,
praktikan mencoba rangkaian-rangkaian lainnya seperti
rangkaian percobaan early effect dan pengaruh bias pada
kerja transistor. Dan dari hasil pengamatan tersebut,
praktikan dapat mengamati bagaimana hasil output
rangkaian pada bermacam-macam mode kerja transistor. Transistor BJT PNP
Gambar 2.1-1 Simbol Hubungan pada Transistor
1. Pendahuluan
Terdapat suatu hubungan matematis antara besarnya
Pada Praktikum Elektronika EL2140 yang kedua ini, arus kolektor (IC), arus Basis (IB), dan arus emitor
bertujuan agar praktikan dapat melakukan (IE), yaitu beta (β) = penguatan arus DC untuk
percobaan dan pengamatan secara langsung common emitter, alpha (α)= penguatan arus untuk
mengenai komponen elektrik, yaitu transistor. Jenis common basis, dengan hubungan matematis sebagai
transistor yang digunakan pada praktikum adalah berikut [1].
Bipolar Junction Transistor / BJT yang bertipe IC IC
2N2222. Dan karakteristik yang diukur praktikum  dan  
ini adalah IB, IC, VBE, dan VCE dari transistor. Dari IB IE
data-data pecobaan praktikan akan mencoba sehingga [2]
memamahai keterkaitan antara kondisi karakteristik
 
arus-tegangan tersebut. Untuk tegangan yang  
digunakan adalah VCC sebesar 10V dari power  1 1
supply. Dan untuk percobaan memahami teknik
bias dengan sumber arus konstan, digunakan Karakteristik sebuah transistor biasanya diperoleh
sumber arus/ current source yang telah tersedia. dengan pengukuran arus dan tegangan pada
Sedangkan untuk pengaruh bias pada berbagai mode rangkaian dengan konfigurasi common emitter (kaki
kerja transistor, Vin adalah sebesar 50 Vpp dengan emitter terhubung dengan ground), seperti
frekuensi 1KHz. Dengan berbagai rangkaian ditunjukkan pada gambar berikut ini.
tersebut, diharapkan praktikan dapat memahami
karakteristik BJT dan aplikasinya.

2. Dasar Teori
2.1 Transistor BJT
Transistor merupakan salah satu komponen
elektronika paling penting. Terdapat dua jenis
transistor berdasarkan jenis muatan penghantar
listriknya, yaitu bipolar dan unipolar. Dalam hal ini
akan kita pelajari transistor bipolar. Transistor
bipolar terdiri atas dua jenis, bergantung susunan
bahan yang digunakan, yaitu jenis NPN dan PNP.
1

Simbol hubungan antara arus dan tegangan dalam

transistor ditujukkan oleh gambar berikut ini.
Halaman

Gambar 2.1-2 Rangkaian Transistor BJT

 Dari karakteristik tersebut terdapat dua buah kurva
karakteristik yang dapat diukur dari rangkaian diatas,
yaitu:
• Karakteristik I ‐ V
C BE
• Karakterinstik I ‐ V
C CE

2.2 Kurva Karakteristik IC-VBE

Arus kolektor merupakan fungsi eksponensial dari
tegangan V , sesuai dengan persamaan [3]:
BE

I C   I ES eVBE / kT
Persamaan ini dapat digambarkan sebagai kurva
seperti ditunjukkan pada gambar berikut ini.
Gambar 2.2-1 Daerah Mode Kerja Transistor

3. Metodologi
Rangkai kit
Proyeksikan praktikum dan
pengukuran pada posisikan
grafik, Lakukan terminal
analisis atau Multimeter
ekstrapolasi sesuai model
rangkaian.

Nyalakan
Power Supply
Lakukan atau Current
pengukuran pada
Multimeter Source sesuai
nilai yang
ditentukan
Gambar 2.2-1 Fungsi Eksponensial VBE

Gambar 3-1 Metodologi Percobaan

Dari kurva di atas juga dapat diperoleh
transkonduktansi dari transistor, yang merupakan
kemiringan dari kurva di atas, yaitu [4]
I C
gm 
VBE
2.3 Kurva Karakteristik IC-VCE
Arus kolektor juga bergantung pada tegangan
kolektor‐emitor. Titik kerja (mode kerja) transistor
dibedakan menjadi tiga bagian, yaitu daerah aktif,
saturasi, dan cut‐off. Persyaratan kondisi ketiga
mode kerja ini dapat dirangkum dalam tabel berikut
ini.
Pada kit praktikum telah tersedia komponen yang
akan dilakukan pada percobaan. Praktikan
dipermudah karena cukup menghubung-hubungkan
komponen tersebut sesuai model rangkaian beserta
3 buah multimeter yang dipakai untuk mengukur
arus dan tegangan pada kaki transistor. Power
supply disetting sebesar 10V sebagai V CC rangkaian.
Untuk VIN pada rangkaian bias, akan telebih dahulu
dilakukan kalibrasi osiloskop, dan pengukuran
amplitude dan frekuensi sinyal dari generator sinyal
yang tepat.

Tabel 2.3-1 Tabel Karakteristik Mode Kerja Transistor

Mode IC VCE VBE VCB Bias Bias

Kerja B-C B-E
Aktif =βIB =VBE+VCB ~ 0 Reverse Forward
0.7V
Saturasi Max ~ 0V ~ - Forward Forward
0.7V 0.7V<VCE<0
Cut-Off ~0 =VBE+VCB 0 0 - -

Dalam kurva IC‐VCE mode kerja transistor ini

2

ditunjukkan pada area‐area dalam gambar berikut ini.

Halaman
4. Hasil dan Analisis ditunjukan dengan nilai IB nol. Dan besar
trankonduktansi transistor tersebut sesuai
4.1 Karakteristik Input Transistor IB-VBE
perhitungan pada [4] diperoleh Gm sebesar 8,75
mA/V. Pada gambar juga ditampilkan grafik IC
untuk membandingkan antara kedua karakteristik
arus ini. Dapat dilhat bahwa IC hanya merupakan
fungsi lemah dari VBE.

4.2 Karakteristik Output Transistor IC-VCE

Gambar 4.1-1 Rangkaian Percobaan Karakteristik IB-VBE

Hasil pengukuran dari rangkaian karakteristik

transistor pada Gambar 4.1-1 dilakukan dengan
mengubah-ubah resistor variable RB2 yang mana RB2
sebagai pembagi tegangan VCC menjadi VBE. Akibat
perubahan pada VBE, dapat diukur perubahan IC dan
Gambar 4.2-1 Rangkaian Percobaan Karakteristik IC-VCE
IB. Data yang diperoleh dapat dilihat pada tabel
berikut. Pada praktikum ini sudah terdapat sumber
arus/current source yang besarnya dapat dipilih dan
Tabel 4.1-2 Karakteristik Input IB-VBE
telah terukur. Oleh sebab itu tidak diperlukan lagi
VBE (V) IB (mA) IC (mA)
pengukuran IB menggunakan multimeter. Jadi
0 0 0 dengan mengubah-ubah tegangan VCE dari power
0.2 0 0
0.4 0 0.24
supply, dapat diukur perubahan IC untuk setiap
0.5 0.03 0.67 besar arus IB yang berbeda-beda, seperti pada tabel
0.54 0.08 0.67 berikut.
0.58 0.19 0.67
0.62 0.37 0.67
0.66 0.72 0.67 Tabel 4.2-1 Karakteristik Output Ic-VCE
0.70 1.6 0.67
0.72 1.97 0.67
VCE IC (mA)
(F) IB=0mA IB=0.2mA IB=0.4mA IB=0.8mA IB=1.2mA IB=1.6mA
Apabila data karakteristik diatas diproyeksikan 0 0 0 0 0 0 0
0.1 0 13.15 14.71 15.6 29.5 45.3
dalam sebuah kurva, diperoleh kurva sebagai berikut. 0.2 0 16.42 17.63 18.56 40.7 70.6
0.3 0 16.71 18.00 18.72 42.8 77.7
0.4 0 16.79 18.10 18.89 43.4 80.9
2.5 0.5 0 16.90 18.26 18.99 43.5 82.7
1.0 0 17.46 18.93 19.42 45.7 89.2
2 2.0 0 19.41 20.28 21.11 49.1 94.1
5.0 0 21.55 22.00 22.90 62.2 -
10.0 0 28.60 29.70 31.15 - -
1.5
1 Apabila data tabel diatas diproyeksikan dalam
0.5 sebuah kurva, diperoleh kurva sebagai berikut.

0
100
-0.5 0 0.2 0.4 0.6 0.8
80
Gambar 4.1-2 Kurva Karakteristik IB-VBE
60
Dari data diatas dapat diamati bahwa arus IC 40
meningkat apabila VBE meningkat juga. Arus IC
meningkat dengan cepat ketika VBE diantara 0,5V- 20
0,7V. Peningkatan ini terlihat jelas secara 0
3

eksponensial. Hal ini sesuai dengan perhitungan

0 0.5 1 1.5 2 2.5
matematis antara IC dan VBE seperi pada [3] yang
Halaman

mana sifat ini menyerupai dioda. Dan VBE antara

Gambar 4.2-2 Kurva Karakteristik IB-VCE
0V-0,45V merupakan tegangan cut-off yang
Dari kurva diatas dapat diamati bahwa arus IC
meningkat sangat cepat sampai ketika VCE disekitar
0.2V. Namun ketika VCE bernilai lebih besar dari
0.2V kurva IC meningkat dengan lambat dengan
suatu kemiringan / slope yang lebih kecil. Namun
yang paling dapat diamati perbedaannya adalah
untuk suatu nilai IB menghasilkan suatu kurva IC
tersendiri yang mana semakin besar nilai IB maka
nilai IC beserta slopenya juga semakin besar. Dari
sifat ini dapat disimpulkan bahwa IC bergantung /
merupakan fungsi dari nilai IB. Ini adalah sifat dari
transistor pada keadaan active. Untuk itu daerah
kerja transistor terlihat jelas yaitu saturation region
sampai pada VCE = 0,2V dan daerah cut-off seperti
pada kurva IC untuk IB = 0mA yang nilainya nol /
sejajar sumbu datar kurva tersebut. Hal ini sesuai
dengan landasan teori 2.3 dan kurva pada gambar
2.2-1.
Pada praktikum tingkat akurasi dan presisi sangat
diperlukan karena dalam pengukuran nilai tersebut
berubah-ubah. Hal ini karena β dari transistor
merupakan fungsi dari suhu. Ketika dinyalakan dan
transistor bekerja pada keadaan active, apabila diberi
IC dan VCE yang agak tinggi (tidak melebihi disipasi)
suhu transistor meningkat, dan pengukuran pun
berubah. Untuk itu kami mencatat pengukuran pada
saat pengamatan pertama agar peningkatan suhu
pada beberapa selang waktu berikutnya tidak
mengurangi akurasi pengukuran. Dan pada saat
praktikum berlangsung, praktikan juga diingatkan
akan kemampuan disipasi maksimum transistor
yaitu sebesar 500 mW. Apabila IC dan VCE yang
diukur diperkirakan akan melebih daya disipasi
tersebut maka tidak akan dilakukan pengukuran
(seperti pada tabel 4.1-2 untuk IB=1.6mA dan
VCE=10V).
4.3 Early Effect
Gambar 4.3-1 Grafik Ektrapolasi Early Effect
Untuk mendapatkan tegangan early VA dilakukan
ekstrapolasi seperti pada gambar diatas. Dalam
percobaan ini hanya diamati ektrapolasi dari dua
buah kurva saja (untuk dua buah nilai IB) seperti
pada tabel berikut.
Tabel 4.3-1 Pengukuran Percobaan Early Effect
IC (mA)
VCE (V)
IB = 25µA IB = 50µA
9 11.73 18.14
10 12.43 19.40
Apabila data tersebut diproyeksikan dalam kurva
akan diperoleh kurva berikut.
25
y = 1.26x + 6.8
20
15 y = 0.7x + 5.43
10
5
0
8.5 9 9.5 10 10.5
Gambar 4.3-2 Kurva IC-VCE Percobaan Early Effect
Dari garis kurva diatas dapat diperoleh persamaan
garis:
 y =1.26x + 6.8
 y = 0.7x +5.43
yang apabila dilakukan ektrapolasi maka di dapat
diperoleh tegangan early dari persamaan tersebut
VA1=-5.4V dan VA2=-7.7V. Maka dapat disimpulkan
tegangan early VA sekitar -6.5V. Kurangnya presisi
dari pengukuran ini disebabkan hal yang sama yaitu
akibat dari pengaruh suhu.
4.4 Pengaruh Bias Pada Kerja Transistor
Pada percobaan ini rangkaian disusun seperti pada
gambar berikut.
Gambar 4.4-1 Rangkaian Pengaruh Bias Pada Kerja
Transistor
Pada percobaan ini tidak dilakukan pada kit
praktikum akan tetapi dirangkai pada Breadboard.
Untuk itu pemasangan komponen sangat rentan /
mudah lepas dan mempengaruhi pengamatan. VIN
rangakaian diinput dari generator sinyal dengan
gelombang sinusoid VPP sebesar 50mV 1KHz.
Karena amplitude sinyal tersebut sangat kecil
digunakan fungsi tombol -20dB pada generator
sinyal dan pengukurannya dilakukan di osiloskop.
Karena current source sama seperti sebelumnya
sudah memiliki nilai tertentu, maka pengukuran IB
tidak perlu dilakukan dengan multimeter. Dan
4
dengan mengubah-ubah resistor variable seperti
Halaman
gambar diatas, maka tegangan VCE dapat diatur
supaya mengikuti daerah kerja transistor yang
diinginkan. Hasil tegangan output pada ketiga sinusoidal, maka secara penguatan linear, didapat
daerah kerja transistor (saturasi, aktif, dan cut-off) tegangan output yang sinusoidal pula, namun
dapat dilihat pada tabel berikut. dengan amplitudo yang jauh lebih tinggi.

Tabel 4.4-1 Tabel Pengaruh Bias Pada Kerja Transistor Pengaruh bias pada daerah cut-off diperoleh ketika
VBE < 0,7 V. Pada daerah ini tidak ada arus IC yang
VIN dan VOUT
mengalir sehingga pada bentuk sinyal output ada
bagian yang terpotong. Sebagian sinyal tegangan
input membuat transisitor junction menjadi keadaan
Daerah Saturasi cut-off, sehingga tegangan output (VCE) menjadi
IB = 1.2 mA
IC = 11.28 mA
tetap (maksimum atau VCC) karena IC = 0, maka VRC
VCE = 0.1 V = 0.
VBE = 0.7 V
5. Kesimpulan

Transistor memiliki karakteristik yang unik yatiu

arus IB yang merupakan fungsi dari VBE dan arus IC
yang merupakan fungsi penguatan dari IB sebesar β.
Daerah Aktif Transistor memiliki 3 wilayah kerja yaitu saturation
IB = 1.2 mA region, active region dan cut-off region yang dapat
IC = 45.7mA
VCE = 1 V diperoleh dari sifat karakteristik IC terhadap VCE.
VBE = 0.7V Tegangan early dapat diperoleh dengan ektrapolasi
dari suatu kurva IC untuk nilai IB tertentu pada
transistor keadaan aktif. Pengaruh bias kerja dapat
mengaplikasikan transistor sebagai penguat, switch,
atau cut-off (open-circuit).
Daerah Cut-Off
IB = 0.2 mA 6. Daftar Pustaka
IC = 11.28 mA
VCE = 0.5 V
VBE = 0V
[1] A. S. Sedra et.al., Microelectronic Circuits 5th Ed,
Hal. 377-458, Oxford University Press, New
York, 2004

[2] Mervin T. Hutabarat, Petunjuk Praktikum

Elektronika EL-2140, Hal 13-24,
Pengaruh bias pada daerah saturasi diperoleh ketika Laboratorium Dasar Teknik Eletro STEI-
VBE ~ 0,7 V,RC besar. Pada daerah ini transisitor ITB, Bandung, 2009
dapat di implementasikan sebagai sakelar karena
dengan memberikan tegangan junction pada base-
emmiter sebesar cut-innya beban dapat langsung di
drive oleh tegangan yang hanya dikurangi oleh VCE.
Nilai VCE cenderung kecil. Namun arus yang masuk
di kaki base juga harus besar, karena IC diset dengan
menentukan IB pada rangkaian base-emmiter. Pada
rangkaian, input berupa tegangan sinusoidal yang
berpengaruh pada tegangan VBE, dan juga
berpengaruh pada pergeseran nilai IB. Dari gambar
sinyal pada osiloskop, terlihat bahwa sinyal output
lebih cembung, dikarenakan penguatan penguatan
melebihi batas (dekat daerah saturasi), sehingga
kenaikan sinyal input tidak berbanding lurus pada
kenaikan sinyal output. Telihat pada grafik,
penguatan terbesar adalah pada daerah aktif. Sedang
pada daerah saturasi, kenaikan arus base tidak
memberikan pengaruh banyak pada kenaikan arus
colector.

Pengaruh bias pada daerah aktif diperoleh ketika

VBE ~ 0,7 V, RC kecil. Pada daerah ini transistor
5

diimplementasikan sebagai penguat. Pada daerah

Halaman

kerja ini arus IC mengalami penguatan sebesar β dari

IB sehingga apabila pada input diberi tegangan
7. Lampiran

Kit EL-2140 'Karakteristik Transistor & Rangkaian Bias'

Current Source EL-2140

Halaman