ANALISIS SIFAT ISOTROPIK DAN ANISOTROPIK TENSOR

SUSEPTIBILITAS SEMIKONDUKTOR DIAMOND DAN

ZINCBLENDE BERBASIS TEORI GRUP DAN SBHM

MUHAMMAD AHYAD

DEPARTEMEN FISIKA
FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM
INSTITUT PERTANIAN BOGOR
BOGOR
2018
 PERNYATAAN MENGENAI SKRIPSI DAN
SUMBER INFORMASI SERTA PELIMPAHAN HAK CIPTA

Dengan ini saya menyatakan bahwa skripsi berjudul Analisis Sifat Isotropik
dan Anisotropik Tensor Suseptibilitas Semikonduktor Diamond dan Zincblende
Berbasis Teori Grup dan SBHM adalah benar karya saya dengan arahan dari
komisi pembimbing dan belum diajukan dalam bentuk apa pun kepada perguruan
tinggi mana pun. Sumber informasi yang berasal atau dikutip dari karya yang
diterbitkan maupun tidak diterbitkan dari penulis lain telah disebutkan dalam teks
dan dicantumkan dalam Daftar Pustaka di bagian akhir skripsi ini.
Dengan ini saya melimpahkan hak cipta dari karya tulis saya kepada Institut
Pertanian Bogor.
Bogor, September 2018

Muhammad Ahyad
NIM G74140034
 ABSTRAK
MUHAMMAD AHYAD. Analisis Sifat Isotropik dan Anisotropik Tensor
Suseptibilitas Semikonduktor Diamond dan Zincblende Berbasis Teori Grup dan
SBHM. Dibimbing oleh HENDRADI HARDHIENATA dan HUSIN ALATAS.

Optika nonlinier menjadi metode favorit dalam menginvestigasi permukaan

semikonduktor yang mungkin digunakan sebagai piranti optik pada suhu ruang.
Material yang dianalisis adalah Si(001) struktur diamond dan GaAs(001) struktur
zincblende yang masing-masing memiliki point group octahedral (Oh) dan
tetrahedral (Td). Penelitian ini memisahkan tensor suseptibilitas isotropik dan
anisotropik pada kasus SHG dan THG serta menganalisis kontribusinya terhadap
polarisasi total. Analisis dilakukan menggunakan teori grup dan model ikat
hiperpolarisabilitas. Terdapat 6 dan 21 komponen independen tensor isotropik
rank-3 dan rank-4 untuk kedua struktur. Pada tensor anisotropik rank-3 terdapat
10 dan 9 komponen tensor untuk struktur diamond dan zincblende. Lalu, terdapat
16 komponen independen tensor rank-4 untuk kedua struktur. Polarisasi total orde
ke-2, kontribusi hanya terjadi oleh bagian anisotropik sedangkan bagian isotropik
bernilai nol. Polarisasi orde ke-3 bagian isotropik berkontribusi terhadap
polarisasi total dan intensitas. Namun kontribusi tersebut hanya vektor konstan.
Sedangkan bagian anisotropik memiliki kebergantungan terhadap sudut azimuth.

Kata kunci: optik nonlinier, generasi harmonik, tensor isotropik.

ABSTRACT

MUHAMMAD AHYAD. Analysis of Properties of Isotropic and Anisotropic

Tensor of Susceptibility on Semiconductor Diamond and Zincblende Based
Group Theory and SBHM. Supervised by HENDRADI HARDHIENATA and
HUSIN ALATAS.

Nonlinear optics is a favorite method in the investigation of surface of

semiconductor due to the possibility as optical devices at room temperature. The
material analyzed are Si (001) for diamond and GaAs (001) for zincblende which
each has point group of octahedral (Oh) and tetrahedral (Td). This research
separates tensor of the isotropic and anisotropic parts in the SHG and THG cases
and analyzed their contribution to total polarization. The analysis was performed
using group theory and simplified-bond hyperpolarizability model. There are 6
and 21 independent isotropic tensor components of rank-3 and rank-4 for both
structures. In the rank-3 anisotropic tensor there are 10 and 9 tensor components
for diamond and zincblende structures. Then, there are 16 independent
components of tensor rank-4 for both structures. The total polarization of the 2nd
order, the contribution occurs only by the anisotropic while the isotropic part is
zero. The 3rd order polarization of the isotropic part contributes to the total
polarization and intensity, but that contribution is only a vector constant. While
the anisotropic part has a dependence on the azimuth angle.

Keywords: nonlinear optics, harmonic generation, isotropic tensor

ANALISIS SIFAT ISOTROPIK DAN ANISOTROPIK TENSOR
SUSEPTIBILITAS SEMIKONDUKTOR DIAMOND DAN
ZINCBLENDE BERBASIS TEORI GRUP DAN SBHM

MUHAMMAD AHYAD

Skripsi
sebagai salah satu syarat untuk memperoleh gelar
Sarjana Sains
pada
Departemen Fisika

DEPARTEMEN FISIKA
FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM
INSTITUT PERTANIAN BOGOR
BOGOR
2018
 PRAKATA

Alhamdulillahirabbil’alamin, Puji dan syukur penulis ucapkan kepada Allah

Subhanahu wa ta’ala atas segala karunia-Nya sehingga penulis dapat
menyelesaikan skripsi yang berjudul “Analisis Sifat Isotropik dan Anisotropik
Tensor Suseptibilitas Semikonduktor Diamond dan Zincblende Berbasis Teori
Grup dan SBHM”
Ucapan terimakasih penulis sampaikan kepada berbagai pihak yang telah
membantu penulis dalam menyelesaikan tugas akhir sarjana strata satu,
diantaranya adalah :
1. Kedua orangtua yaitu Bapak dan Ibu, Kang Epul, Neng Tia, Neng Lia,
Patih atas kasih sayang, doa dan motivasinya yang selalu diberikan
kepada penulis.
2. Bapak Dr re nat Hendradi Hardhienata dan Bapak Prof Dr Husin Alatas
atas bimbingan, nasehat, motivasi dan ilmu yang diberikan di saat
perkuliahan maupun penelitian.
3. Ibu Dr Mersi Kurniati selaku dosen pembimbing akademik yang selama
penulis kuliah di Departemen Fisika IPB atas nasihat dan bimbingan
serta motivasi yang diberikan.
4. Seluruh dosen Fisika IPB atas ilmu dan motivasi yang telah diberikan
selama di Departemen Fisika, staff Departemen Fisika yang telah
banyak membantu selama kuliah.
5. Guru-guru SD, SMP, dan SMA yang telah memperkenalkan penulis
dengan ilmu pengetahuan. Beserta guru ngaji atas nasihat-nasihat dan
ilmu agama islam. Kepada Ibu Dina Khairunnisa yang telah
memperkenalkan penulis pada ilmu fisika dan Ibu Rohmah yang telah
membantu selama penulis mengenyam pendidikan di SMA
6. Beasiswa Bidik Misi yang telah membantu dalam hal keuangan serta
administrasi pendidikan selama penulis di perkuliahan
7. Semua anggota keluarga fisika 51 Amethyst yang telah memberikan
kisah dan cerita selama di departemen maupun di luar. Beserta teman-
teman fisika angkatan 49, 50, 52, 53 serta 54.
8. Keluarga besar Ma Nani dan Keluarga besar Bah H. Ading atas doa,
gurauan dan candaan selama penulis berada di lingkungan rumah
9. Kekasih hati, Asti Gustari beserta keluarga atas doa, motivasi dan kasih
sayangnya
10. Kang Duduy, Ilyas, Angga Khalifah Tsauqi, Randika Alditia, Siti Upi
rofiqoh, Novitri, Nadzifatun Ni’mah, Saysar Angger Pamunkas, Rian,
Kak Effendi yang menemani selama ini
11. Semua pihak yang terlibat yang tidak dapat penulis sebutkan yang telah
membantu penulis dalam menyusun skripsi ini.
Bogor, September 2018

Muhammad Ahyad
 DAFTAR ISI

DAFTAR TABEL vi
DAFTAR GAMBAR vi
DAFTAR LAMPIRAN vi
PENDAHULUAN 1
Latar Belakang 1
Perumusan Masalah 2
Tujuan Penelitian 2
Manfaat Penelitian 2
TINJAUAN PUSTAKA 2
Semikonduktor 2
Optika nonlinier 3
Tensor Suseptibilitas Isotropik dan Anisotropik 4
Teori Grup 5
Simplified Bond Hiperpolarizability Model (SBHM) 6
METODE 8
Alat dan Bahan 8
Prosedur Penelitian 8
HASIL DAN PEMBAHASAN 11
Tensor Isotropik dengan Teori Grup 11
Tensor Isotropik dan Anisotropik rank-3 dengan SBHM 12
Tensor Isotropik dan Anisotropik rank-4 dengan SBHM 13
Kontribusi Bagian Isotropik dan Anisotropik terhadap Polarisasi Total 15
SIMPULAN DAN SARAN 16
Simpulan 16
Saran 16
DAFTAR PUSTAKA 17
RIWAYAT HIDUP 30
LAMPIRAN 18
 DAFTAR GAMBAR

1. Struktur kristal , diamond (kiri), zincblende (kanan) 3

2. Segitiga sama sisi. Arah sumbu z keluar bidang kertas 6
3. Sketsa dari kisi permukaan Si (111) dan definisi arah ikatan dalam
koordinat kartesian 8
4. Vektor ikatan struktur diamond (Si (001)) 9
5. Vektor ikatan Zincblende (GaAs) 9

DAFTAR LAMPIRAN
Tensor total rank-3 Diamond 18
Tensor total rank-3 zincblende 19
Tensor total rank-4 Diamond 20
Tensor anisotropik rank-4 diamond 21
Tensor total rank-4 zincblende 22
Tensor anisotropik rank-4 zincblende 23
Skrip wolfram Analisis Teori Grup 24
Skrip Wolfram Analisis SBHM 26
Contoh Perumusan tensor rank-3dan rank-4 suseptibilitas 28
 PENDAHULUAN

Latar Belakang

Fenomena interaksi antara radiasi medan elektromagnetik dengan material

dapat ditemukan dalam kehidupan sehari-hari. Hasil interaksi tersebut
memberikan suatu pengamatan yang menarik untuk dipelajari. Salah satunya
adalah terjadinya fenomena nonlinear optics di dalam material. Optik nonlinier
merupakan suatu fenomena modifikasi sifat optik material akibat adanya interaksi
dengan cahaya.1 Optika nonlinier ini menjadi metode favorit dalam
menginvestigasi sifat permukaan dari bahan semikonduktor sehingga dapat
digunakan pada kondisi tidak vakum dan pada suhu ruang.
Perkembangan teknologi optik, misalnya pada bidang telekomunikasi untuk
pengiriman dan pengolahan data dengan kecepatan tinggi dibutuhkan optical
switching device. Piranti ini membutuhkan material nonlinier, di mana indeks
biasnya bergantung pada intensitas cahayanya.2 Pemilihan material nonlinier ini
berkaitan dengan struktur kristal dan simetri yang dimiliki oleh material tersebut.
Oleh karena itu, dengan mengetahui struktur dan simetri kristal dari material
tersebut dapat dianalisis bangkitan orde dari fenomena optika nonlinier.
Saat ini, telah banyak dikembangkan teori-teori dan eksperimen lebih lanjut
untuk mengontrol sifat optik suatu material. Berawal dari penemuan laser oleh
Maimann (1960), penelitian-penelitian terus dilakukan untuk melihat bagaimana
hasil interaksi medan listrik dengan material. Adapun perkembangan optika
nonlinier sendiri diawali oleh Franklin (1961) untuk fenomena generasi harmonik
kedua (SHG). Telah terjadi perubahan frekuensi keluaran sebesar 2 kali dari
frekuensi masukkan. Hal ini terjadi karena sifat nonlinieritas pada material yang
berinteraksi dengan medan tersebut.1
Polarisasi merupakan yang bertanggung jawab atas terjadinya fenomena
optika nonlinier di dalam bahan. Polarisasi juga erat kaitannya dengan
suseptibilitas listrik yang menggambarkan simetri dari material.3 Simetri yang
dimiliki oleh setiap material mempengaruhi generasi nonlinier bangkitan yang
akan terjadi di dalam bahan. Misalnya untuk generasi nonlinier ke-2 yang hanya
dapat terjadi pada material yang nonsentrosimetri yang bukan simetri inversi.
Disisi lain generasi nonlinier ke-3 dapat terjadi pada material sentrosimetri dan
nonsentrosimetri.1 Selanjutnya, jenis simetri material juga dapat berpengaruh
(2) (3)
terhadap tensor suseptibilitas misalnya tensor rank-3 𝜒𝑖𝑗𝑘 dan tensor rank-4 𝜒𝑖𝑗𝑘𝑙
yang masing-masing merupakan tensor untuk generasi polarisasi nonlinier ke-2
dan generasi nonlinier ke-3.
Tensor-tensor tersebut didapatkan salah satunya dengan menggunakan
Simplified Bond-Hiperpolarizability Model (SBHM) yang dikembangkan
berdasarkan teori klasik Kepunahan Ewald-Oseen dan juga Teori Densitas
Fungsional (DFT). SBHM mengasumsikan sinyal SHG dan THG berasal dari
gerak anharmonik dari muatan yang berada di sepanjang ikatan.4 Metode lain
yang digunakan untuk memperoleh tensor suseptibilitas adalah teori grup. Teori
grup ini dapat diterapkan sesuai dengan operasi simetri yang dimiliki oleh kristal.5
Secara umum, suatu tensor dapat dipisahkan menjadi tensor simetri dan anti
simetri atau isotropik dan anisotropik.6 Tensor isotropik merupakan tensor yang
2

invarian terhadap rotasi. Artinya komponen tensor tidak mengalami perubahan

terhadap operasi rotasi yang dilakukan pada tensor tersebut. Sedangkan tensor
anisotropik memiliki komponen tensor yang berubah ketika dirotasikan. Kedua
bagian yaitu tensor isotropik dan tensor anisotropik suseptibilitas akan dilihat
bagaimana kontribusinya terhadap polarisasi yang terjadi pada fenomena SHG
dan THG dalam material.

Perumusan Masalah

Bagaimana bentuk tensor isotropik dan anisotropik rank-3 dan rank-4 dari
suseptibilitas untuk semikonduktor diamond dan zincblende yang diperoleh
dengan teori grup dan model ikat hiperpolarisabilitas, bentuk tensor tersebut dapat
dianalisi jumlah komponen independen tensor isotropik dan anisotropik rank-3
dan rank-4 serta kontribusi bagian isotropik dan anisotropik terhadap polarisasi
total dan medan jauh.

Tujuan Penelitian

Penelitian ini bertujuan mempelajari bentuk tensor, jumlah komponen

independen tensor isotropik dan anisotropik dari suseptibilitas rank-3 dan rank-4
pada semikonduktor diamond dan zincblende serta membandingkan dengan
pendekatan teori grup dan SBHM. Selanjutnya menginvestigasi pengaruh
pemisahan tersebut terhadap formulasi medan jauh akibat kontribusi dari tensor
isotropik dan anisotropik.

Manfaat Penelitian

Meningkatkan pemahaman mengenai fenomena sumber radiasi harmonik

tinggi khususnya dalam kaitannya dengan simetri kristal dan kebergantungannya
terhadap rotasi dalam kristal diamond dan zincblende.

TINJAUAN PUSTAKA

Semikonduktor

Semikonduktor adalah kelompok material yang memiliki konduktivitas

listrik yang berada di antara logam dan isolator. Secara signifikan konduktivitas
material dapat bervariasi besarnya bergantung pada perubahan temperatur, eksitasi
optik dan kandungan impuritasnya. Karena sifat listriknya yang bervariasi,
semikonduktor menjadi material pilihan yang digunakan sebagai piranti-piranti
elektronik, misalnya transistor, dioda, dan sensor-sensor. Material semikonduktor
 3

Gambar 2.1 Struktur kristal , diamond (kiri), zincblende (kanan)

dapat ditemukan pada tabel unsur periodik tepatnya pada golongan IV misalnya
silikon dan germanium yang disebut sebagai semikonduktor elemental. Umumnya,
struktur kristal yang dimiliki oleh semikonduktor adalah kisi fcc (face center
cubic) dengan basis dua atom, yang membentuk struktur diamond, misalnya Si,
Ge dan C. Dalam banyak senyawa semikonduktor membentuk struktur zincblende
dengan kandungan senyawa golongan III-V.10 Gambar 2.1 menunjukan struktur
kristal diamond dan zincblende. Hal yang menari yaitu periodisitas dari kristal.
Sifat periodisitas lattice sangat berpengaruh terhadap struktur simetri. Struktur
simetri ini berperan penting pada sifat listrik dari semikonduktor. 10

Optika nonlinier

Optika nonlinier merupakan ilmu yang mempelajari fenomena modifikasi

sifat optik material akibat interaksinya dengan cahaya. Secara spesifik, hanya
cahaya laser dengan intensitas yang cukup yang dapat memodifikasi sifat optik
suatu material. Ketika suatu material dikenakan oleh suatu medan eksternal
dengan insensitas yang cukup besar maka akan terbentuk momen dipol dalam
suatu volume tertentu atau yang disebut sebagai polarisasi. Polarisasi tersebut
secara lengkap dapat dituliskan sebagai berikut :1

(1) (2) (3) (2.1)

𝐏𝐢 = 𝜀0 (𝜒𝑖𝑗 𝐄𝐣 + 𝜒𝑖𝑗𝑘 𝐄𝐣 𝐄𝐤 + 𝜒𝑖𝑗𝑘𝑙 𝐄𝐣 𝐄𝐤 𝐄𝐥 + ⋯ )

dimana 𝜀0 adalah permitivitas di ruang vakum, 𝜒 (1) adalah suseptibilitas linier,

dan 𝜒 (2) serta 𝜒 (3) adalah suseptibilitas nonlinier dan Ej , Ek , dan El adalah
medan listrik input yang dapat divariasikan arahnya seri atau paralel (s atau p).
Polarisasi yang terjadi pada berbagai bahan akan berbeda-beda, pada bahan yang
bersifat anisotropik arah polarisasi tidak paralel dengan medan listrik pemicu.
Sedangkan pada bahan isotropik polarisasi 𝐏 memiliki arah paralel dengan medan
listrik pemicu 𝐄.14 Hal ini sangat dipengaruhi oleh sifat simetri yang terkandung
pada suseptibilitas bahan tersebut.
4

Tensor Suseptibilitas Isotropik dan Anisotropik

Suseptibilitas merupakan kecenderungan suatu bahan untuk memiliki sifat

listrik akibat responnya terhadap medan listrik luar. Jika persamaan (2.1)
dianalisis, suseptibilitas 𝜒 (1) merupakan tensor rank-2, 𝜒 (2) adalah tensor rank-3
dan 𝜒 (3) tensor rank-41,5 di mana tensor-tensor tersebut mendeskripsikan simetri
yang dimiliki oleh material. Tensor rank-2 berhubungan dengan polarisasi linier,
suseptibilitasnya dapat diformulasikan dalam bentuk matriks dan memiliki
sembilan komponen, yaitu :7

𝜒11 𝜒12 𝜒13

(1)
𝜒𝑖𝑗 = (𝜒21 𝜒22 𝜒23 ) (2.2)
𝜒31 𝜒32 𝜒33

Tanda akhiran pertama “i” adalah baris dan tanda akhiran “j” yang kedua adalah
kolom. Jika meninjau pada suku linier polarisasi pada persamaan (1) maka
hubungan polarisasi, suseptibilitas dan medan eksternal dapat dituliskan sebagai :1

(𝟏) (1)
𝐏𝐢 (𝜔𝑚 ) = 𝜀0 ∑ 𝜒𝑖𝑗 (𝜔𝑚 ) 𝐄𝐣 (𝜔𝑚 ) (2.3)
𝑗

atau secara umum dapat dirumuskan :

𝑃1 𝜒11 𝜒12 𝜒13 𝐸1

𝜒
(𝑃2 ) = 𝜀0 ( 21 𝜒22 𝜒23 ) (𝐸2 ) (2.4)
𝑃3 𝜒31 𝜒32 𝜒33 𝐸3

Sedangkan tensor rank-3 suseptibilitas berhubungan dengan polarisasi nonlinier

orde ke-2 yang dapat dituliskan dengan persamaan :8

𝜒111 𝜒121 𝜒131

(𝜒112 𝜒122 𝜒132 )
𝜒113 𝜒123 𝜒133
𝜒211 𝜒221 𝜒231
(2)
𝜒𝑖𝑗𝑘 = (𝜒212 𝜒222 𝜒232 )
𝜒213 𝜒223 𝜒233 (2.5)
𝜒311 𝜒321 𝜒331
(𝜒312 𝜒322 𝜒332 )
( 𝜒313 𝜒323 𝜒333 )

(2)
Pada komponen tensor 𝜒𝑖𝑗𝑘 , indeks “𝑖” menunjukkan baris dari matriks. Sehingga
elemen baris pertama matriks dari perkalian dalam 3 × 3 adalah 𝜒1𝑗𝑘 lalu elemen
baris kedua yaitu 𝜒2𝑗𝑘 dan seterusnya. Pada polarisasi nonlinier orde ke-3 tensor
rank-4 suseptibilitas dapat dituliskan dengan persamaan :
 5

𝜒1111 𝜒1112 𝜒1113 𝜒1211 𝜒1212 𝜒1213 𝜒1311 𝜒1312 𝜒1313

(𝜒1121 𝜒1122 𝜒1123 ) (𝜒1221 𝜒1222 𝜒1223 ) (𝜒1321 𝜒1322 𝜒1323 )
𝜒1131 𝜒1132 𝜒1133 𝜒1231 𝜒1232 𝜒1233 𝜒1331 𝜒1332 𝜒1333
𝜒2111 𝜒2112 𝜒2113 𝜒2211 𝜒2212 𝜒2213 𝜒2311 𝜒2312 𝜒2313
(𝜒2121 𝜒2122 𝜒2123 ) (𝜒2221 𝜒2222 𝜒2223 ) (𝜒2321 𝜒2322 𝜒2323 ) (2.6)
𝜒2131 𝜒2132 𝜒2133 𝜒2231 𝜒2232 𝜒2233 𝜒2331 𝜒2331 𝜒2333
𝜒3111 𝜒3112 𝜒3113 𝜒3211 𝜒3212 𝜒3213 𝜒3311 𝜒3312 𝜒3313
(𝜒3121 𝜒3122 𝜒3123 ) (𝜒3221 𝜒3222 𝜒3223 ) (𝜒3321 𝜒3322 𝜒3323 )
( 𝜒3131 𝜒3132 𝜒3133 𝜒3231 𝜒3232 𝜒3233 𝜒3331 𝜒3332 𝜒3333 )

Terdapat 81 elemen seperti yang terlihat pada persamaan (6). Indeks pertama
“𝑖” dari 𝜒𝑖𝑗𝑘𝑙 berkaitan dengan baris dan indeks kedua “𝑗” berhubungan dengan
kolom dari matriks. Menariknya, banyak elemen-elemen tensor tersebut pada
persamaan (5) dan (6) bernilai nol.7 Hal ini disebabkan tensor suseptibilitas dari
kristal harus memiliki bentuk yang sama setelah dilakukan transformasi, di fisika
dikenal sebagai prinsip Neumann.8 Secara matematis, transformasi rotasi atau
pada operasi simetri lainnya yang diterapkan pada tensor rank-n suseptibilitas
dapat dihitung menggunakan :

𝜒𝑥′ 1 𝑥2 𝑥3 …𝑥𝑛 = 𝑎𝑥1 𝑦1 𝑎𝑥2 𝑦2 … 𝑎𝑥𝑛𝑦𝑛 𝜒𝑦1𝑦2𝑦3…𝑦𝑛

(2.7)
Elemen-elemen matriks 𝑎𝑥𝑦 adalah matriks yang mendefinisikan operasi simetri
yang bersifat spesifik. Pada polarisasi yang bersifat isotropik, 𝐏 dengan medan
listrik 𝐄 memiliki arah paralalel, hal ini berkaitan dengan tensor suseptibilitas
bahan yang bersifat isotropik. Sedangkan polarisasi yang bersifat anisotropik arah
dari 𝐏 dengan 𝐄 tidak paralel. Sebuah tensor dikatakan isotropik jika komponen
tensor adalah sama untuk semua koordinat sistem yang dirotasi.11 Tensor isotropik
memiliki bentuk sederhana yang bergantung pada simetri suatu bahan. Sebaliknya
tensor anisotropik memiliki komponen yang berubah ketika dirotasikan.
Persamaan (2.2), (2.5) dan (2.6) adalah contoh dari tensor anisotropik.

Teori Grup

Konsep dasar dari teori grup dapat didemonstrasikan dengan meninjau

simetri ruang dari suatu objek dengan bentuk geometri tertentu. Salah satu
caranya yaitu dengan operasi transformasi spesifik yang mengacu pada grup
simetri. Operasi simetri yang dapat dilakukan misalnya rotasi terhadap suatu
sumbu, pencerminan terhadap suatu bidang, inversi terhadap suatu titik pusat, dan
kombinasi dari operasi simetri.4 Sekumpulan operasi-operasi yang dimiliki oleh
suatu struktur tergabung dalam point group. Point group yang dimiliki oleh kristal
sangat berpengaruh terhadap jenis-jenis transformasi yang diterapkan. Dengan
menggunakan persamaan (2.7), elemen-elemen dari tensor suseptibilitas pada
persamaan (2.5) dan (2.6) dapat direduksi karena beberapa komponen-komponen
tersebut dapat bernilai nol.8 Gambar 2.2 mengilustrasikan cara yang lebih mudah
untuk memahami teori grup yang diterapkan pada contoh spesifik yaitu dengan
meninjau suatu objek dengan bentuk segitiga sama sisi.
6

Gambar 1.2 Segitiga sama sisi. Arah sumbu z keluar bidang kertas
“Sumber : Powell (2010)”

Objek pada Gambar 2.2 memiliki point group C3v . Point group ini memiliki enam
elemen simetri, yaitu identitas E; rotasi sebesar 120o sepanjang sumbu-z (𝐶3 );
rotasi sebesar 240o sepanjang sumbu-z (𝐶32 ); pencerminan terhadap bidang yz (𝜎1 )
dan bidang sumbu-z dengan sumbu-2 atau sumbu-3 (𝜎2 dan 𝜎3 ). 9 Operasi-operasi
elemen rotasi dari sebuah point group dengan suatu tensor akan menghasilkan
tensor yang bersifat isotropik.

Simplified Bond Hiperpolarizability Model (SBHM)

SBHM pertama kali diajukan oleh Aspnes dan Coworkers pada tahun 2002.
Model ini dikembangkan dengan mengasumsikan bahwa radiasi nonlinier
dihasilkan oleh osilasi anharmonik dari dipol hanya sepanjang arah ikatan atom.
Model sederhana ini telah berhasil medeskripsikan sangat baik terkait intensitas
SHG yang bergantung pada sudut azimut untuk Si(111) dan Si(001). Pada SBHM
polarisasi orde kedua dan ketiga dapat dihitung dengan: 9

𝐏 (2) = ∑ 𝛼2𝑖 (𝐑(z) (𝜙) ∙ 𝐛𝑖 ) ⊗ ( 𝐑(𝑧) (𝜙) ∙ 𝐛i ) ⊗ ( 𝐑(z) (𝜙) ∙ 𝐛𝑖 ) ⋅ 𝐄 ⋅ E

𝑖 (2.8)

𝐏 (𝟑) = ∑ 𝛼3𝑖 (𝐑(𝐳) (𝜙) ∙ 𝐛𝑖 ) ⊗ ( 𝐑(𝑧) (𝜙) ∙ 𝐛𝐢 ) ⊗ ( 𝐑(𝐳) (𝜙) ∙ 𝐛𝐢 )

𝑖

⊗ ( 𝐑(𝐳) (𝜙) ∙ 𝐛𝐢 ) ⋅ 𝐄 ⋅ 𝐄 ⋅ 𝐄 (2.9)

𝛼2 dan 𝛼3 adalah hiperpolarisabilitas untuk polariasi nonlinier orde ke-2 dan orde
ke-3. Simbol 𝐑(𝐳) merupakan matriks rotasi terhadap sumbu-z dan 𝐛i adalah
vektor masing-masing ikatan. Bentuk matriks rotasi 𝐑(z) (𝜙) mendefinisikan
matriks rotasi terhadap sumbu-z yang dapat dituliskan dalam bentuk :
 7

cos 𝜙 − sin 𝜙 0
(𝑧)
𝐑 (𝜙) = ( sin 𝜙 cos 𝜙 0) (2.10)
0 0 1

Seperti yang terlihat pada Gambar 2.3, terdapat vektor-vektor 𝐛1 , 𝐛2 𝐛3 , 𝐛4 yang

merupakan vektor-vektor dari ikatan ke-1, ke-2, ke-3 dan ke-4. Dengan
menggunakan SBHM dapat dikontruksi tensor suseptibilitas. Jika dilihat
hubungannya dari persamaan (2.8) dan (2.9), tensor suseptibilitas rank-3 dan
rank-4 dapat dirumuskan :

1
⃡(2) =
𝜒 ∑ 𝛼2𝑖 (𝐑(z) (𝜙) ∙ 𝑏̂𝑖 ) ⊗ ( 𝐑(z) (𝜙) ∙ 𝐛𝑖 ) ⊗ ( 𝐑(z) (𝜙) ∙ 𝐛𝑖 )
𝑉 (2.11)
𝑖

1
⃡(3) =
𝜒 ∑ 𝛼3𝑖 (𝐑(𝐳) (𝜙) ∙ 𝐛𝑖 ) ⊗ ( 𝐑(z) (𝜙) ∙ 𝐛𝑖 ) ⊗ ( 𝐑(z) (𝜙) ∙ 𝐛𝑖 )
𝑉
𝑖 (2.12)
⊗ ( 𝐑(z) (𝜙) ∙ 𝐛𝑖 )

Berikut ini contoh tensor rank-3 suseptibilitas dari struktur Si(001) dan
GaAs(001)

0 0 𝑆(𝛼𝑢−𝑑 + (𝛼𝑑+𝑢 ) sin 2𝜙)

( 0 ) ( 0 ) ( −𝑆(𝛼𝑑+𝑢 ) cos 2𝜙 )
𝑆(𝛼𝑢−𝑑 + (𝛼𝑢+𝑑 ) sin 2𝜙) −𝑆(𝛼𝑑+𝑢 ) cos 2𝜙 0
0 0 −𝑆(𝛼𝑑+𝑢 ) cos 2𝜙
( 0 ) ( 0 ) (−𝑆(𝛼𝑢−𝑑 + (𝛼𝑑+𝑢 ) sin 2𝜙))
−𝑆(𝛼𝑑+𝑢 ) cos 2𝜙 −𝑆(𝛼𝑢−𝑑 + (𝛼𝑢 + 𝛼𝑑 ) sin 2𝜙) 0
0
𝑆(𝛼𝑢−𝑑 + (𝛼𝑑+𝑢 ) sin 2𝜙) −𝑆(𝛼𝑑 + 𝛼𝑢 ) cos 2𝜙
0
( −𝑆(𝛼𝑑+𝑢 ) cos 2𝜙 ) (−𝑆(−𝛼𝑢−𝑑 + (𝛼𝑑+𝑢 ) sin 2𝜙)) ( 𝛽)
0 0 2(𝛼 𝑢−𝑑 ) cos3
( 2 )

0 0 𝑆𝛼𝐺𝑎𝐴𝑠 sin 2𝜙
( 0 ) ( 0 ) (−2𝑆𝛼𝐺𝑎𝐴𝑠 cos 2𝜙)
𝑆(𝛼𝐺𝑎𝐴𝑠 sin 2𝜙 −2𝛼𝐺𝑎𝐴𝑠 𝑆 cos(2𝜙) 0
0 0 −2𝛼𝐺𝑎𝐴𝑠 𝑆 cos(2𝜙)
( 0 ) ( 0 ) ( −𝑆𝛼𝐺𝑎𝐴𝑠 sin 2𝜙 )
−2𝛼𝐺𝑎𝐴𝑠 𝑆 cos 2𝜙 −𝛼𝐺𝑎𝐴𝑠 𝑆 sin 2𝜙 0
−𝑆𝛼𝐺𝑎𝐴𝑠 sin 2𝜙 −2𝛼𝐺𝑎𝐴𝑠 𝑆 cos 2𝜙 0
(−2𝛼𝐺𝑎𝐴𝑠 𝑆 cos(2𝜙)) ( −𝑆𝛼𝐺𝑎𝐴𝑠 sin 2𝜙 ) (0)
( 0 0 0 )
8

Gambar 2.3 Sketsa dari kisi permukaan Si (111) dan definisi arah ikatan dalam
koordinat kartesian “Sumber : Hardhienata (2014)

METODE

Penelitian ini dilakukan di Laboratorium Fisika Teori Departemen Fisika,

Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Institut Pertanian Bogor pada
bulan Desember 2017 sampai dengan April 2018

Alat dan Bahan

Penelitian ini menggunakan software Wolfram Mathematica 11 dan laptop

COMPAC dengan spesifikasi prosesor Intel (R) Pentium (R) CPU B940, RAM 2
GB, dan sistem operasi Windows 8 Pro 64-bit serta peralatan berupa alat tulis
(pulpen, kertas, buku tulis, pensil, dan sebagainya).

Prosedur Penelitian

Analisis Point Group Diamond dan Zincblende

Struktur diamond memiliki point group Oh, dengan tabel karakteristik

seperti yang tercantum pada referensi (9). Terdapat beberapa elemen grup yang
merupakan elemen rotasi dari point group Oh, yaitu C3, C2, dan C4. Elemen group
C3 merupakan elemen rotasi sebesar 120o di sekitar diagonal ruang dari kubus
sehingga bersifat tiga dimensi. Elemen group C2 yaitu elemen rotasi dari pusat sisi
kubus melalui pusat kubus dan menuju ke pusat kubus yang berlawanan.
Sedangkan elemen C4 didapatkan dengan menggunakan persamaan rotasi dari
transformasi kartesian sumbu x, y dan z biasa. Matriks-matriks dari elemen grup
tersebut dapat dilihat pada persamaan berikut ini :
 9

0 0 1 0 1 0 1 0 0
𝐶3 = (1 0 0) , 𝐶2 = ( 1 0 0 ) , 𝐶4 = (0 0 −1)
0 1 0 0 0 −1 0 1 0

Untuk struktur Zincblende memiliki point group Td yang merupakan sub grup dari
point group Oh dengan elemen-elemen grup rotasinya yaitu C3 dan C4.

Perumusan Tensor Suseptibilitas Isotropik Struktur Diamond dan

Zincblende

Perumusan tensor suseptibilitas isotropik dengan analisis teori grup yaitu

mengoperasikan elemen-elemen point group pada persamaan tensor umum
suseptibilitas yang ditunjukkan pada persamaan (2.5) dan (2.6). Bentuk operasi
tensor tersebut ditunjukkan oleh persamaan (2.7). Perhitungan dilakukan dengan
menggunakan program Wolfram Mathematica 9.0

Analisis Vektor Ikatan Struktur Diamond dan Zincblende

Struktur diamond yang dianalisis pada penelitian ini adalah struktur silikon.
Struktur silikon yang membentuk diamond adalah Si(001).

Gambar 3.1 Vektor ikatan struktur diamond (Si (001))

Gambar 3.2 Vektor ikatan Zincblende (GaAs) “Sumber : Hardhienata

(2014)”
10

𝛽 𝛽
sin ( 2 ) sin ( 2 )
− −
√2 √2
𝛽 𝛽
𝑏̂1 = sin ( 2 ) , 𝑏̂2 = sin ( 2 ) ,
−
√2 √2
𝛽 𝛽
(− cos ( 2 )) (− cos ( 2 ))
𝛽 𝛽 (3.1)
sin ( 2 ) sin ( 2 )
−
√2 √2
𝛽 𝛽
𝑏̂3 = sin ( 2 ) , 𝑏̂4 = sin ( 2 )
−
√2 √2
𝛽 𝛽
( cos ( ) cos ( )
2 ) ( 2 )

Gambar 3.1 menunjukkan Si(001) dengan struktur diamond. Terdapat 4 ikatan di

mana 𝛽 adalah sudut antar ikatan. Sedangkan struktur zincblende yang dianalisis
yaitu Galium Arsenite (GaAs) yang terdiri dari 2 atom. Gambar 3.2 menunjukkan
struktur zincblende yang memiliki 8 ikatan yaitu 4 untuk atom Galium dan 4
untuk atom Arsenite. Ikatan 1 sampai dengan ikatan 4 ditunjukkan oleh
persamaan (3.1) sedangkan ikatan 5 sampai ikatan 8 yaitu
𝑏̂5 = −𝑏̂1 , 𝑏̂6 = −𝑏̂2 , 𝑏̂7 = −𝑏̂3 , 𝑏̂8 = −𝑏̂4 (3.2)

Masing-masing ikatan pada persamaan (3.1) dan (3.2) dirotasi terhadap sumbu z
dengan matriks rotasi yaitu ditunjukkan pada persamaan (2.10)

Analisis kontribusi Tensor Isotropik dan Anisotropik Suseptibilitas dengan

SBHM

Vektor-vektor ikatan yang telah dioperasikan dengan matriks rotasi

selanjutkanya dioperasikan menurut persamaan (2.11) dan (2.12) masing-masing
untuk tensor rank-3 dan rank-4 dan didapatkan tensor total suseptibilitas rank-3
dan rank-4. Dengan acuan referensi dari teori grup, selanjutnya dipisahkan bagian
tensor isotropik dan tensor anisotropik baik tensor rank-3 maupun rank-4. Setelah
dipisahkan, kemudian diinteraksikan dengan medan luar untuk dilihat
kontribusinya terhadap polarisasi total yang terjadi.
 11

HASIL DAN PEMBAHASAN

Tensor Isotropik dengan Teori Grup

Diamond dan zincblende merupakan kristal yang memliki simetri yang

tinggi.9 Point group yang dimiliki oleh kristal diamond adalah Octahedral (Oh)
dan kristal zincblende memiliki point group tetrahedral (Td) dengan sub grup yang
dimiliki oleh kedua struktur tersebut mengandung simetri rotasi. Hal ini
mengandung informasi bahwa struktur tersebut memiliki sifat invarian terhadap
rotasi. Sifat intrinsik tersebut tersimpan pada suseptibilitas bahan yang dapat
dinyatakan dengan tensor. Tensor suseptibilitas yang invarian terhadap rotasi
disebut tensor isotropik. Pada analisis teori grup, hasil operasi elemen-elemen
grup rotasi dengan tensor umum didapatkan tensor isotropik yaitu :

0 0 0
(0 0 −𝜒321 )
0 𝜒321 0
0 0 𝜒321
( 0 0 0 ) (4.1)
−𝜒321 0 0
0 −𝜒321 0
(𝜒321 0 0)
( 0 0 0 )

Persamaan 4.1 adalah tensor isotropik rank-3 untuk struktur diamond dan
zincblende. Banyaknya komponen tensor yang tidak berubah terhadap operasi
rotasi adalah 6 komponen. Bentuk tensor rank-3 isotropik disebut juga sebagai
tensor Levi-Civita.6,11 Tensor Levi-Civita memiliki aturan yaitu jika permutasi
indeks bersifat genap maka komponen tensor tersebut bernilai +1, jika
permutasinya ganjil memiliki nilai -1 dan selain itu bernilai nol.6,11 Hubungan dari
masing-masing nilai suseptibilitas yaitu :

𝜒𝑖𝑗𝑘 = 𝜒𝑗𝑘𝑖 = 𝜒𝑘𝑖𝑗 = +1

𝜒𝑖𝑘𝑗 = 𝜒𝑘𝑗𝑖 = 𝜒𝑗𝑖𝑘 = −1

Sedangkan bentuk tensor isotropik rank-4 untuk struktur diamond dan zincblende
yaitu :
𝜒3333 0 0 0 𝜒3232 0 0 0 𝜒3232
( 0 𝜒3322 0 ) (𝜒3223 0 0) ( 0 0 0 )
0 0 𝜒3322 0 0 0 𝜒 3322 0 0
0 𝜒3223 0 𝜒3322 0 0 0 0 0
(𝜒3232 0 0) ( 0 𝜒3333 0 ) (0 0 𝜒3232 ) (4.2)
0 0 0 0 0 𝜒 3322 0 𝜒3322 0
0 0 𝜒3223 0 0 0 𝜒3322 0 0
( 0 0 0 )( 0 0 𝜒3223 ) ( 0 𝜒3322 0 )
( 𝜒3232 0 0 0 𝜒3232 0 0 0 𝜒3333 )
12

Menurut referensi (6), terdapat 21 komponen tensor yang invarian terhadap rotasi.
Persamaan 4.2 menunjukkan komponen-komponen tensor isotropik rank-4.
Tensor isotropik rank-4 dibangun oleh aturan tensor rank-2 dengan aturan delta-
Cronecker menurut referensi yang ada dapat dibuktikan komponen-komponen
tensor isotropik dengan perumusan : 6

𝜒𝑖𝑗𝑘𝑙 = 𝜆𝛿𝑖𝑗 𝛿𝑘𝑙 + 𝜇𝛿𝑖𝑘 𝛿𝑗𝑙 + 𝜈𝛿𝑖𝑙 𝛿𝑗𝑘

dengan investigasi adanya tensor isotropik pada suatu struktur kristal, terdapat
kecenderungan terjadinya polarisasi yang bersifat isotropik dan berkontribusi
terhadap polarisasi total yang terjadi pada bahan. Adapun struktur yang tidak
memiliki tensor isotropik tidak terjadi polarisasi isotropik sehingga kontribusi
polarisasi total hanya dari polarisasi anisotropik.

Tensor Isotropik dan Anisotropik rank-3 dengan SBHM

Model lain yang menjelaskan fenomena optik nonlinier adalah model ikat
hiperpolarisabilitas. Model ini menjelaskan mengenai arah polarisasi yang terjadi
pada kristal adalah searah vektor ikatan dari muatan-muatannya.8 Berdasarkan
acuan dari hasil teori grup, tensor isotropik untuk struktur diamond Si(001)
memiliki bentuk yaitu :

0 0 0
(0 0 −1)
0 1 0
0 0 1
(𝛼𝑑 + 𝛼𝑢 ) ∙ 𝑆 ∙ cos(2𝜙) ( 0 0 0) (4.3)
−1 0 0
0 −1 0
(1 0 0 )
( 0 0 0 )
Simbol  d dan  u masing-masing adalah hiperpolarisabilitas down dan up dan
𝛽 𝛽
𝑆 = cos ( 2 ) sin2 ( 2 ) adalah besaran konstan. Di lain sisi bentuk tensor
anisotropik rank-3 dari struktur diamond yaitu :

(4.4)
 13

Tensor anisotropik tersebut merupakan selisih dari tensor total dengan tensor
isotropik. Adapun Persamaan (4.5) dan (4.6) menunjukkan tensor isotropik dan
anisotropik rank-3 dari struktur kristal zincblende yaitu :

0 0 0
(0 0 −1)
0 1 0
0 0 1
2𝛼𝐺𝑎𝐴𝑠 𝑆 cos(2𝜙) ( 0 0 0)
−1 0 0 (4.5)
0 −1 0
(1 0 0)
( 0 0 0 )

0 0 𝑆𝛼𝐺𝑎𝐴𝑆 sin 2𝜙
( 0 ) ( 0 ) ( 0 )
𝑆𝛼𝐺𝑎𝐴𝑠 sin 2𝜙 −2𝛼𝐺𝑎𝐴𝑠 𝑆 cos 2𝜙 0
0 0 −2𝛼𝐺𝑎𝐴𝑠 𝑆 cos 2𝜙
(0) ( 0 ) ( −𝑆𝛼𝐺𝐴𝑠𝑎 sin 2𝜙 ) (4.6)
0 −𝑆𝛼𝐺𝑎𝐴𝑠 sin 2𝜙 0
𝑆𝛼𝐺𝑎𝐴𝑠 sin 2𝜙 0 0
(−2𝛼𝐺𝑎𝐴𝑠 𝑆 cos 2𝜙) (−𝛼𝐺𝑎𝐴𝑠 𝑆 sin 2𝜙) (0)
( 0 0 0 )

Simbol GaAs  Ga   As yaitu hiperpolarisabilitas yang dimiliki oleh galium

arsenite. Jumlah komponen tensor isotropik dengan analisis SBHM untuk kedua
struktur yaitu 6 sedangkan pada tensor anisotropik terdapat 10 komponen untuk
diamond dan 9 komponen untuk zincblende. Bagian matriks Persamaan 4.3 dan
4.5 merupakan bentuk dari tensor Levi-Civita yang invarian terhadap rotasi. Teori
grup membantu menginvestigasi apakah struktur kristal memiliki tensor isotropik
atau tidak dari informasi hasil operasi elemen-elemen rotasi dengan suatu tensor.
Hasil yang didapatkan masih dalam bentuk komponen tensor, sedangkan dengan
SBHM didapatkan nilai masing-masing komponen tensor. Keberadaan tensor
isotropik ini sangat dipengaruhi orientasi dari struktur kristal. Hal ini disebabkan
orientasi kristal sangat berperan terhadap simetri yang dimiliki oleh kristal
tersebut. Misalnya pada orientasi Si(111) di permukaan memiliki point group C3v
tensor isotropik dan anisotropik dapat diperoleh dari hubungan Si(001).13 Hanya
saja dibutuhkan rotasi 2 kali yaitu pertama diputar sepanjang sumbu-z sebesar
𝜋/4 (searah jarum jam) lalu dengan sistem koordinat baru rotasi kedua diterapkan
sepanjang sumbu-x.

Tensor Isotropik dan Anisotropik rank-4 dengan SBHM

Struktur diamond yang ditinjau untuk tensor rank-4 yang berkaitan dengan
Third Harmonic Generation (THG) adalah bagian bulk, sehingga
hiperpolarisabilitasnya hanya memiliki satu nilai yaitu  3 . Perlakuan yang sama
14

seperti kasus SHG, tensor total rank-4 untuk struktur diamond didapatkan seperti
pada lampiran 1. Dengan acuan teori grup, dapat dipisahkan tensor isotropik rank-
4 untuk struktur diamond yaitu :

4(1 − 𝑐)2 0 0 1 1
1 0 𝑐 0 0 0 𝑐
0 𝑐 0 2 2
2 1 0 0 0
1 𝑐 0 0 1
0 0 𝑐 2 𝑐 0 0
( 2 ) (0 0 0) (2 )
1 1 0 0 0
0 𝑐 0 𝑐 0 0 1
2 2 0 0 𝑐
𝛼3 2
1 0 4(1 − 𝑐) 0 2
𝑐 0 0 1 1 (4.7)
2 0 0 𝑐 0 𝑐 0
(0 0 0) ( 2 ) ( 2 )
1 0 0 0 1
0 0 𝑐 1 𝑐 0 0
2 0 0 𝑐 2
0 0 0 2 1
1 1 0 𝑐 0
𝑐 0 0 0 𝑐 0 2
( (2 ) ( 2 ) (0 0 4(1 − 𝑐)2 ))

 
Di mana c  sin 2   adalah suatu konstanta. Adapun tensor anisotropik untuk
2
struktur diamond adalah seperti yang terlampir pada Lampiran 3.
Perumusan Tensor rank -4 untuk struktur zincblende dengan menggunakan
SBHM didapatkan tensor totalnya yang dirumuskan seperti pada Lampiran 4. Hal
yang sama seperti pada struktur diamond, dapat dipisahkan tensor isotropik untuk
struktur zincblende yaitu
4(1 − 𝑐)2 0 0 1 1
1 0 𝑐 0 0 0 𝑐
0 𝑐 0 2 2
2 1 0 0 0
1 𝑐 0 0 1
0 0 𝑐 2 𝑐 0 0
( 2 ) (0 0 0) (2 )
1 1 0 0 0
0 𝑐 0 𝑐 0 0 1
2 2 0 0 𝑐
𝛼𝐺𝐴 1 0 4(1 − 𝑐)2 0 2
𝑐 0 0 1 1 (4.8)
2 0 0 𝑐 0 𝑐 0
(0 0 0) ( 2 ) ( 2 )
1 0 0 0 1
0 0 𝑐 1 𝑐 0 0
2 0 0 𝑐 2
0 0 0 2 1
1 1 0 𝑐 0
𝑐 0 0 0 𝑐 0 2
( (2 ) ( 2 ) (0 0 4(1 − 𝑐)2 ))

dengan Ga  As  Ga   As . Sedangkan tensor rank-4 anisotropik untuk struktur

zincblende yaitu seperti terlampir pada Lampiran 5. Jumlah komponen tensor
anisotropik rank-4 dari struktur diamond dan zincblende adalah 16. Hal yang
menarik adalah komponen-komponen tensor isotropik memiliki nilai yang
konstan disamping invarian terhadap rotasi. Terdapat hubungan sinergi antara
teori grup dengan model ikat hiperpolarisabilitas (SBHM). Teori grup digunakan
untuk menganalisis tensor isotropik suatu struktur dengan serangkaian operasi
 15

simetri rotasi yang dimiliki oleh struktur. SBHM membantu mendapatkan

besarnya nilai masing-masing kompnen tensor isotropik. Di samping itu, secara
spesifik SBHM membantu mendapatkan bagian tensor anisotropik dari struktur
kristal.

Kontribusi Bagian Isotropik dan Anisotropik terhadap Polarisasi Total

Polarisasi isotropik memiliki konsekwensi bahwa polarisasi 𝐏 memiliki arah

paralel dengan medan input E.12 Dapat dibuktikan bahwa polarisasi isotropik
untuk kasus SHG bernilai nol baik pada struktur diamond maupun zincblende.
Sehingga hanya polarisasi anisotropik yang berkontribusi terhadap polarisasi
totalnya. Berbeda halnya dengan kasus THG, bagian isotropik berkontribusi
terhadap polarisasi total, hanya saja polarisasinya berupa vektor konstan, sehingga
pengaruhnya terhadap intensitas hanya merubah besar intensitas saja. Sedangkan
bagian anisotropik intensitas dan polarisasi memiliki kebergantungan terhadap
sudut azimut.
(𝟐) (𝟐)
𝐏s (2𝜔) = 𝐏𝐢𝐬𝐨 + 𝐏𝐚𝐧𝐢𝐬𝐨 = (𝜒 ⃡𝑎𝑛𝑖𝑠𝑜 ). . 𝐄⨂𝐄
⃡𝑖𝑠𝑜 + 𝜒

1 𝛽 (4.9)
𝐏s (2𝜔) = 0 + (0,0, − 𝐸𝑦2 sin ( ) (𝛼𝑑 − 𝛼𝑢 + (𝛼𝑑 + 𝛼𝑢 ) sin(2𝜙)))
2 2

𝛽 (4.10)
𝐏s (2𝜔) = 0 + (0,0, 𝐸𝑦2 (𝛼𝐴 − 𝛼𝐺 ) sin ( ) sin(𝛽) sin(2𝜙))
2
Persamaan (4.9) adalah polarisasi-s total nonlinier untuk struktur diamond dan
persamaan (4.10) polarisasi-s total nonlinier struktur zincblende. Untuk kasus
polarisasi-p dapat dibuktikan pula bahwa kontrbusi dari bagian isotropik adalah
nol. Persamaan (4.11) dan (4.12) menunjukkan polarisasi isotropik orde-3 untuk
struktur diamond dan zincblende sedangkan persamaan (4.13) dan (4.14)
menunjukkan polarisasi anisotropik untuk struktur diamond dan zincblende

(𝟑) (𝟑)
𝐏s (3𝜔) = 𝐏𝐢𝐬𝐨 + 𝐏𝐚𝐧𝐢𝐬𝐨 = (𝜒 ⃡𝑎𝑛𝑖𝑠𝑜 ). . 𝐄⨂𝐄⨂𝐄
⃡𝑖𝑠𝑜 + 𝜒

𝐏𝐒 (3)
𝑖𝑠𝑜
= (0,4𝛼(1 − 𝑐)2 , 0) (4.11)

𝐏𝐒 (3)
𝑖𝑠𝑜
= (0,4𝛼𝐺𝑎+𝐴𝑆 (1 − 𝑐)2 , 0) (4.12)

1 1 (4.13)
𝐏𝐒 (3)
𝑎𝑛𝑖𝑠𝑜
= 𝛼 ( 𝑐 2 sin 4𝜙 , −4(1 − 𝑐)2 − (−3 + cos 4𝜙)𝑐 2 , 0)
2 2
(3) 1 2 1 (4.14)
𝐏𝐒 𝑎𝑛𝑖𝑠𝑜 = 𝛼𝐺𝐴 ( 𝑐 sin 4𝜙 , −4(1 − 𝑐)2 − (−3 + cos 4𝜙)𝑐 2 , 0)
2 2

kontribusi bagian isotropik pada kasus THG terhadap intensitas hanyalah

menambah besar intensitas karena nilai dari polarisasinya hanya sebuah vektor
konstan. Sedangkan bagian anisotropik mengandung informasi kebergantungan
terhadap sudut azimut.
16

SIMPULAN DAN SARAN

Simpulan

Bentuk tensor isotropik telah berhasil didapatkan menggunakan teori grup

yang bersinergi dengan SBHM untuk mendapatkan nilai-nilai dari komponen
tensor isotropik, di lain sisi secara spesifik bentuk tensor anistropik dapat
diperoleh dengan SBHM. Jumlah komponen independen tensor isotropik rank-3
dan rank-4 berurut-turut yaitu 6 dan 21. Terdapat 10 jumlah komponen tensor
anisotropik rank-3 untuk struktur diamond, 9 komponen untuk struktur
zincblende. Adapun jumlah komponen tensor anisotropik yaitu 16 komponen.
Tensor isotropik tersebut memiliki komponen tensor yang tidak berubah terhadap
suatu rotasi atau invarian terhadap suatu rotasi. Pada polarisasi orde 2(SHG)
bagian isotropik tidak berkontribusi terhadap polarisasi total dan medan jauh
sedangkan pada polarisasi orde 3(THG) berkontribusi terhadap medan jauh
dengan suatu vektor konstan. Bagian anisotropik sangat berkontribusi terhadap
polarisasi dan medan jauh yang terbangkitkan dan memiliki kebergantungan
terhadap sudut azimut.

Saran

Penelitian ini perlu dilakukan lebih lanjut dalam hal mendapatkan tensor
isotropik menggunakan teori grup. Perlu dibuktikan lebih lanjut apakah tensor
isotropik untuk orde yang lebih tinggi dapat diperoleh dengan mengoperasikan
semua elemen-elemen rotasi dari struktur bahan.
 17

DAFTAR PUSTAKA

1. R.W. Boyd. 2007. Nonlinear Optics :Third Edition. Newyork: Academic

Press.
2. Bahtiar A. (2007). Kristal fotonik nonlinier untuk aplikasi all-optical
switching[Laporan akhir research grant]. Bandung: Departemen fisika,
Universitas Padjajaran
3. Mulyadi. 2004. Klasifikasi Hadron dan Meson sebagai Representasi Uniter
pada Sistem Partikel Elementer [Skripsi]. Depok: Departemen Fisika,
Universitas Indonesia.
4. Powell, G. D., Wang, F. F., and Aspnes D. E. (2002), Simplified bond-
hyperpolarizability model of second harmonic generation from cubic
centrosymmetry crystals, Phys. Rev.B 35 1129[8].
5. Molina A.A, Hardhienata H, Aguilar M. P.A, Higerl K. Facet-dependent
electric-field-induced second harmonic generation in silicon and zincblende,J.
Opt. Soc. Am. B34(6). 2017; 1107-1114
6. H. Jeffreys. 1931. Cartesian Tensors. Newyork: Cambridge University Press
7. Dresselhaus MS, Dresselhaus G, Jorio A. 2007. Group Theory: Application to
the physics of condensed matter. Brazil: Springer.
8. E.S. Jatirian-Foltides,J.J. Escobedo-Alatorre, P.A. Marquez-Aguilar, H.
Hardhienatya, K. Hingerl and A. Alejo-Molina, About the calcilation of
second-order susceptibility 𝜒 (2) tensorial elements for crystals using group
theory, Rev. Mex. Fis. E62(1)(2016)5-13
9. Powell. R.C. 2010.Symmetry, Group Theory, and Physical Properties of
Crystals. Newyork: Springer
10. Singh J. 2003. Electronic and Optoelectronic Properties of Semiconductor
Structures. Newyork : Cambridge University Press
11. Boas.M.L. 2006. Mathematical Methods In The Physical Sciences:Third
Edition. USA:Wiley
12. Sadiku M. 2001. Elements of Electromagnetics: Third Edition. Newyork:
Oxford University Press
13. Molina, Alejo A, Hardhienata H. Hingerl K. 2014. Simplified bond
hyperpolarizabiity model of second harmonic generation, group theory, and
Neumann’s principle. J. Opt. Soc.Am. B31(3);526-527
14. Hecht E. 2002. Optics : Fourth Edition. USA: Addison Wesley
 18

0 0 𝑆(−𝛼𝑑 + 𝛼𝑢 + (𝛼𝑢 + 𝛼𝑑 ) sin 2𝜙)

( 0 ) ( 0 ) ( −𝑆(𝛼𝑑 + 𝛼𝑢 ) cos 2𝜙 )
𝑆(−𝛼𝑑 + 𝛼𝑢 + (𝛼𝑢 + 𝛼𝑑 ) sin 2𝜙) −𝑆(𝛼𝑑 + 𝛼𝑢 ) cos 2𝜙 0
0 0 −𝑆(𝛼𝑑 + 𝛼𝑢 ) cos 2𝜙
( 0 ) ( 0 ) (−𝑆(−𝛼𝑑 + 𝛼𝑢 + (𝛼𝑢 + 𝛼𝑑 ) sin 2𝜙))
−𝑆(𝛼𝑑 + 𝛼𝑢 ) cos 2𝜙 −𝑆(−𝛼𝑑 + 𝛼𝑢 + (𝛼𝑢 + 𝛼𝑑 ) sin 2𝜙) 0
Lampiran 1 Tensor total rank-3 Diamond

0
𝑆(−𝛼𝑑 + 𝛼𝑢 + (𝛼𝑢 + 𝛼𝑑 ) sin 2𝜙) −𝑆(𝛼𝑑 + 𝛼𝑢 ) cos 2𝜙
0
( −𝑆(𝛼𝑑 + 𝛼𝑢 ) cos 2𝜙 ) (−𝑆(𝛼𝑑 − 𝛼𝑢 + (𝛼𝑢 + 𝛼𝑑 ) sin 2𝜙)) ( 𝛽)
) 3
( 0 0 2(𝛼𝑢 − 𝛼𝑑 cos )
2
 0 0 𝑆𝛼𝐺𝑎𝐴𝑠 sin 2𝜙
( 0 ) ( 0 ) (−2𝑆𝛼𝐺𝑎𝐴𝑠 cos 2𝜙)
𝑆(𝛼𝐺𝑎𝐴𝑠 sin 2𝜙 −2𝛼𝐺𝑎𝐴𝑠 𝑆 cos(2𝜙) 0
0 0 −2𝛼𝐺𝑎𝐴𝑠 𝑆 cos(2𝜙)
( 0 ) ( 0 ) ( −𝑆𝛼𝐺𝑎𝐴𝑠 sin 2𝜙 )
−2𝛼𝐺𝑎𝐴𝑠 𝑆 cos 2𝜙 −𝛼𝐺𝑎𝐴𝑠 𝑆 sin 2𝜙 0
Lampiran 2 Tensor total rank-3 zincblende

−𝑆𝛼𝐺𝑎𝐴𝑠 sin 2𝜙 −2𝛼𝐺𝑎𝐴𝑠 𝑆 cos 2𝜙 0

(−2𝛼𝐺𝑎𝐴𝑠 𝑆 cos(2𝜙)) ( −𝑆𝛼𝐺𝑎𝐴𝑠 sin 2𝜙 ) (0)
( 0 0 0 )
19
 20

1 1
− (−3 + 4 cos 4𝜙)𝑐 2 − 𝑐 2 sin 4𝜙 0 1 1
2 2 − 𝑐 2 sin 4𝜙 cos 2 2𝜙 𝑐 2 0 0 0 𝑐
1 2 2
− 𝑐 2 sin 4𝜙 cos 2 2𝜙 𝑐 2 0 1 2 0 0 0
2 cos 2 2𝜙 𝑐 2 𝑐 sin 4𝜙 0 1
1 2 𝑐 0 0
0 0 𝑐 ( 0 0 0) (2 )
( 2 )
1 2
1 2 2 cos 2 2𝜙 𝑐 2 𝑐 sin 4𝜙 0 0 0 0
− 𝑐 2 sin 4𝜙 cos 2𝜙 𝑐 0 2 1
𝛼3 2 1 2 1 0 0 𝑐
1 2 𝑐 sin 4𝜙 − (−3 + 4 cos 4𝜙)𝑐 2 0 2
cos 2 2𝜙 𝑐 2 𝑐 sin 4𝜙 0 2 2 1
2 1 0 𝑐 0
( 0 0 0) ( 2 )
Lampiran 3 Tensor total rank-4 Diamond

( 0 0 𝑐
2 )
1 0 0 0 1
0 0 𝑐 1 𝑐 0 0
2 0 0 𝑐 2
0 0 0 2 1
1 1 0 𝑐 0
𝑐 0 0 0 𝑐 0 2
( (2 ) ( 2 ) (0 0 4(1 − 𝑐)2 ))
 1 1 1
−4(1 − 𝑐)2 − (−3 + cos 4𝜙)𝑐 2 − 𝑐 2 sin 4𝜙 0 − 𝑐 2 sin 4𝜙 (cos 2𝜙)2 𝑐 2 − 2𝑐(1 − 𝑐) 0
2 2 2
1 1 2 0 0 0
− 𝑐 2 sin 4𝜙 (cos 2𝜙)2 𝑐 2 − 2𝑐(1 − 𝑐) 0 (cos 2𝜙)2 𝑐 2 − 2𝑐(1 − 𝑐) 𝑐 sin 4𝜙 0 (0
2 2 0 0)
( 0 0 0) ( 0 0 0) 0 0 0
1 2 2 2 2 2
1 2 0 0 0
𝛼3 − 𝑐 sin 4𝜙 (cos 2𝜙) 𝑐 − 2𝑐(1 − 𝑐) 0 (cos 2𝜙) 𝑐 − 2𝑐(1 − 𝑐) 𝑐 sin 4𝜙 0 (0 0 0)
2 2
1 2 1 2 1 0 0 0
(cos 2𝜙)2 𝑐 2 − 2𝑐(1 − 𝑐) 𝑐 sin 4𝜙 0 𝑐 sin 4𝜙 −4(1 − 𝑐)2 − (−3 + cos 4𝜙)𝑐 2 0 0 0 0
2 2 2
( 0 0 0) ( 0 0 0) (0 0 0)
0 0 0 0 0 0 0 0 0
(0 0 0) ( 0 0 0)
Lampiran 4 Tensor anisotropik rank-4 diamond

( 0 0 0 0 0 0 )
21
 22

1 1
− (−3 + 4 cos 4𝜙)𝑐 2 − 𝑐 2 sin 4𝜙 0 1 1
2 2 − 𝑐 2 sin 4𝜙 cos2 2𝜙 𝑐 2 0 0 0 𝑐
1 2 2
− 𝑐 2 sin 4𝜙 cos2 2𝜙 𝑐 2 0 1 2 0 0 0
2 cos2 2𝜙 𝑐 2 𝑐 sin 4𝜙 0 1
1 2 𝑐 0 0
0 0 𝑐 ( 0 0 0) (2 )
( 2 )
1 2
1 2 2 cos 2 2𝜙 𝑐 2 𝑐 sin 4𝜙 0 0 0 0
− 𝑐 2 sin 4𝜙 cos 2𝜙 𝑐 0 2 1
𝛼𝐺𝐴 2 1 2 1 0 0 𝑐
Lampiran 5 Tensor total rank-4 zincblende

2 2
1 2 𝑐 sin 4𝜙 − (−3 + 4 cos 4𝜙)𝑐 2 0 2
cos 2𝜙 𝑐 𝑐 sin 4𝜙 0 2 2 1
2 1 0 𝑐 0
( 0 0 0) 0 0 𝑐 ( 2 )
( 2 )
1 0 0 0 1
0 0 𝑐 1 𝑐 0 0
2 0 0 𝑐 2
0 0 0 2 1
1 1 0 𝑐 0
𝑐 0 0 0 𝑐 0 2
( (2 ) ( 2 ) (0 0 4(1 − 𝑐)2 ) )
 1 1 1
−4(1 − 𝑐)2 − (−3 + cos 4𝜙)𝑐 2 − 𝑐 2 sin 4𝜙 0 − 𝑐 2 sin 4𝜙 (cos 2𝜙)2 𝑐 2 − 2𝑐(1 − 𝑐) 0
2 2 2
1 1 2 0 0 0
− 𝑐 2 sin 4𝜙 (cos 2𝜙)2 𝑐 2 − 2𝑐(1 − 𝑐) 0 (cos 2𝜙)2 𝑐 2 − 2𝑐(1 − 𝑐) 𝑐 sin 4𝜙 0 (0
2 2 0 0)
( 0 0 0) ( 0 0 0) 0 0 0
1 2 2 2 2 2
1 2 0 0 0
𝛼𝐺𝐴 − 𝑐 sin 4𝜙 (cos 2𝜙) 𝑐 − 2𝑐(1 − 𝑐) 0 (cos 2𝜙) 𝑐 − 2𝑐(1 − 𝑐) 𝑐 sin 4𝜙 0 (0 0 0)
2 2
1 2 1 2 1 0 0 0
(cos 2𝜙)2 𝑐 2 − 2𝑐(1 − 𝑐) 𝑐 sin 4𝜙 0 𝑐 sin 4𝜙 −4(1 − 𝑐)2 − (−3 + cos 4𝜙)𝑐 2 0 0 0 0
2 2 2
( 0 0 0) ( 0 0 0) (0 0 0)
0 0 0 0 0 0 0 0 0
( 0 0 0) ( 0 0 0)
( 0 0 0 0 0 0 )
Lampiran 6 Tensor anisotropik rank-4 zincblende
23
24

Lampiran 7 Skrip wolfram Analisis Teori Grup

(*ANALISIS TEORI GRUP TENSOR ISOTROPIK RANK-3*)

ClearAll["chi", "\[Chi]3"]

Id = {{1, 0, 0}, {0, 1, 0}, {0, 0, 1}};

(*Inverse*)

Inv = -Id;

(*element rotasi 8C3*)

Rot1 = {{0, 0, 1}, {1, 0, 0}, {0, 1, 0}};

(*element rotasi 180 derajat*)

Rot2 = {{0, 1, 0}, {1, 0, 0}, {0, 0, -1}};

(*element rotasi 90 derajat*)

Rot3 = {{1, 0, 0}, {0, 0, -1}, {0, 1, 0}};

(*2 kali elemen rotasi 90 derajat*)

Rot4 = {{1, 0, 0}, {0, -1, 0}, {0, 0, -1}};

(*Rotasi terhadap sumbu z sebesar 90*)

Rotz = {{0, -1, 0}, {1, 0, 0}, {0, 0, 1}};

(*TENSOR UMUMNYA*)

𝜒3 = {{{s111, s121, s131}, {s112, s122, s132}, {s113, s123,

s133}}, {{s211, s221, s231}, {s212, s222, s232}, {s213, s223,

s233}}, {{s311, s321, s331}, {s312, s322, s332}, {s313, s323,

s333}}};

MatrixForm[𝜒3]

Iso1 = FullSimplify[

Transpose[

Rot1.Transpose[Rot1. 𝜒3.Transpose[Rot1], {2, 1, 3}], {2, 1,

3}]];
 25

Iso1 = 𝜒3/. Flatten[Solve[Iso1 == 𝜒3]];

MatrixForm[Iso1]

Iso2 = FullSimplify[

Transpose[

Rot2.Transpose[Rot2.Iso1.Transpose[Rot2], {2, 1, 3}], {2, 1, 3}]];

Iso2 = Iso1 /. Flatten[Solve[Iso2 == Iso1]];

MatrixForm[Iso2]

Iso3 = FullSimplify[

Transpose[

Rotz.Transpose[Rotz.Iso2.Transpose[Rotz], {2, 1, 3}], {2, 1, 3}]];

Iso3 = Iso2 /. Flatten[Solve[Iso3 == Iso2]];

MatrixForm[Iso3]

Iso4 = FullSimplify[

Transpose[

Rot4.Transpose[Rot4.Iso3.Transpose[Rot4], {2, 1, 3}], {2, 1, 3}]];

Iso4 = Iso3 /. Flatten[Solve[Iso4 == Iso3]];

MatrixForm[Iso4]

Iso5 = FullSimplify[

Transpose[

Rot1.Transpose[Rot1.Iso4.Transpose[Rot1], {2, 1, 3}], {2, 1, 3}]];

Iso5 = Iso4 /. Flatten[Solve[Iso5 == Iso4]];

MatrixForm[Iso5]
26

Lampiran 8 Skrip Wolfram Analisis SBHM

(* Analisis Tensor Rank-3 Struktur Diamond *)

ClearAll["b", "br", "Rz", "\[Chi]total", 𝜒iso", "𝜒aniso"];

(*Vektor Ikatan*)

b[1] = {-Sin[𝛽/2]/Sqrt[2], -Sin[𝛽/2]/ Sqrt[2], -Cos 𝛽/2]};

b[2] = {Sin [𝛽/2]/Sqrt[2], Sin[𝛽/2]/Sqrt[2], -Cos[𝛽/2]};

b[3] = {-Sin[𝛽/2]/Sqrt[2], Sin[𝛽/2]/Sqrt[2], Cos[𝛽/2]};

b[4] = {Sin[𝛽/2]/Sqrt[2], -Sin[𝛽/2]/Sqrt[2], Cos[𝛽/2]/};

(* Matriks Rotasi terhadap Sumbu z *)

Rz = {{Cos[𝜙], -Sin 𝜙], 0}, {Sin[𝜙], Cos[𝜙],0}, {0, 0, 1}};

(* Vektor ikatan setelah dirotasi *)

br[1] = Rz.b[1];

br[2] = Rz.b[2];

br[3] = Rz.b[3];

br[4] = Rz.b[4];

(* Hiperpolarisabilitas dari setiap ikatan *)

𝛼[1] = 𝛼d; 𝛼[2] = 𝛼d; 𝛼[3] = 𝛼u; 𝛼[4] = 𝛼u;

(* Perumusan Suseptibilitas Total Rank-3 Diamond *)

4
𝜒total = FullSimplify[ 𝑖=1 𝛼[𝑖] Outer[Times,br[i],br[i],br[i]]];

𝜒iso =

2 (𝛼d +𝛼u) Cos[𝛽/2] Cos[2 𝜙] Sin[𝛽/2]^2*LeviCivitaTensor[3];

𝜒aniso = FullSimplify[𝜒total -𝜒iso];

MatrixForm[𝜒total]

MatrixForm[𝜒iso]

MatrixForm[𝜒aniso]
 27

(* Analisis Tensor Rank-3 Struktur Zincblende *)

ClearAll["b", "br", "Rz", "\[Chi]total", 𝜒iso", "𝜒aniso"];

(*Vektor Ikatan*)

b[1] = {-Sin[𝛽/2]/Sqrt[2], -Sin[𝛽/2]/ Sqrt[2], -Cos 𝛽/2]};

b[2] = {Sin [𝛽/2]/Sqrt[2], Sin[𝛽/2]/Sqrt[2], -Cos[𝛽/2]};

b[3] = {-Sin[𝛽/2]/Sqrt[2], Sin[𝛽/2]/Sqrt[2], Cos[𝛽/2]};

b[4] = {Sin[𝛽/2]/Sqrt[2], -Sin[𝛽/2]/Sqrt[2], Cos[𝛽/2]/};

b[5] = -b[1]; b[6] = -b[2]; b[7] = -b[3]; b[8] = -b[4];

(* Matriks Rotasi terhadap Sumbu z *)

Rz = {{Cos[𝜙], -Sin 𝜙], 0}, {Sin[𝜙], Cos[𝜙],0}, {0, 0, 1}};

(* Vektor ikatan setelah dirotasi *)

br[1] = Rz.b[1];

br[2] = Rz.b[2];

br[3] = Rz.b[3];

br[4] = Rz.b[4];

br[5] = -br[1]; br[6] = -br[2]; br[7] = -br[3]; br[8] = -br[4];

(* Hiperpolarisabilitas dari setiap ikatan *)

𝛼[1] = 𝛼G; 𝛼[2] = 𝛼G; 𝛼[3] = 𝛼G; 𝛼[4] = 𝛼G;

𝛼[5] = 𝛼A; 𝛼[6] = 𝛼A; 𝛼[7] = 𝛼A; 𝛼[8] = 𝛼A;

(* Perumusan Suseptibilitas Total Rank-3 Diamond *)

8
𝜒total = FullSimplify[ 4𝑖=1 𝛼[𝑖] Outer[Times,br[i],br[i],br[i]]+ 𝑖=5 𝛼[𝑖]
Outer[Times,br[i],br[i],br[i]];

𝜒iso =

2 (𝛼G - 𝛼A) Cos[𝛽/2] Cos[2 𝜙] Sin[𝛽/2]^2*LeviCivitaTensor[3];

𝜒aniso = FullSimplify[𝜒total -𝜒iso];

MatrixForm[𝜒total]

MatrixForm[𝜒iso]

MatrixForm[𝜒aniso]
28

Lampiran 9 Contoh Perumusan tensor rank-3dan rank-4 suseptibilitas

′
𝜒𝑖𝑗𝑘 = 𝑅𝑖𝑙 𝑅𝑗𝑚 𝑅𝑘𝑛 𝜒𝑙𝑚𝑛
= 𝑅𝑖1 𝑅𝑗1 𝑅𝑘1 𝜒111 + 𝑅𝑖1 𝑅𝑗1 𝑅𝑘2 𝜒112 + 𝑅𝑖1 𝑅𝑗1 𝑅𝑘3 𝜒113
+ 𝑅𝑖1 𝑅𝑗2 𝑅𝑘1 𝜒121 + 𝑅𝑖1 𝑅𝑗2 𝑅𝑘2 𝜒122 + 𝑅𝑖1 𝑅𝑗2 𝑅𝑘3 𝜒123
+ 𝑅𝑖1 𝑅𝑗3 𝑅𝑘1 𝜒131 + 𝑅𝑖1 𝑅𝑗3 𝑅𝑘2 𝜒132 + 𝑅𝑖1 𝑅𝑗3 𝑅𝑘2 𝜒132
+ 𝑅𝑖1 𝑅𝑗3 𝑅𝑘3 𝜒133 + 𝑅𝑖2 𝑅𝑗1 𝑅𝑘2 𝜒212 + 𝑅𝑖2 𝑅𝑗1 𝑅𝑘3 𝜒213
+ 𝑅𝑖2 𝑅𝑗2 𝑅𝑘1 𝜒221 + 𝑅𝑖2 𝑅𝑗2 𝑅𝑘2 𝜒222 + 𝑅𝑖2 𝑅𝑗2 𝑅𝑘3 𝜒223
+ 𝑅𝑖2 𝑅𝑗3 𝑅𝑘1 𝜒231 + 𝑅𝑖2 𝑅𝑗3 𝑅𝑘2 𝜒232 + 𝑅𝑖2 𝑅𝑗3 𝑅𝑘3 𝜒233
+ 𝑅𝑖3 𝑅𝑗1 𝑅𝑘1 𝜒311 + 𝑅𝑖3 𝑅𝑗1 𝑅𝑘2 𝜒312 + 𝑅𝑖3 𝑅𝑗1 𝑅𝑘3 𝜒313
+ 𝑅𝑖3 𝑅𝑗2 𝑅𝑘1 𝜒321 + 𝑅𝑖3 𝑅𝑗2 𝑅𝑘2 𝜒322 + 𝑅𝑖3 𝑅𝑗2 𝑅𝑘3 𝜒323
+ 𝑅𝑖3 𝑅𝑗3 𝑅𝑘1 𝜒331 + 𝑅𝑖3 𝑅𝑗3 𝑅𝑘2 𝜒332 + 𝑅𝑖3 𝑅𝑗3 𝑅𝑘3 𝜒333

Permutasi nilai i, j, k dengan indeks 1, 2, 3 akan menghasilkan nilai tensor yang

tidak nol, sedangkan untuk setiap indeks yang berulang akan bernilai nol.

Untuk penurunan tensor isotropik rank-4 dapat dilakukan dengan perumusan

seperti di atas, namun dengan menambahkan komponen R dan menambahkan
indeks pada tensor suseptibilitas

′
𝜒𝑖𝑗𝑘𝑙 = 𝑅𝑖𝑚 𝑅𝑗𝑛 𝑅𝑘𝑜 𝑅𝑙𝑝 𝜒𝑚𝑛𝑜𝑝
 29

Lampiran 10 Diagram alir penelitian

Mulai

Studi Pustaka

Analisis struktur diamond dan

zincblende dengan SBHM

Analisis Transformasi Tensor

Suseptibilitas Rank-3 dan Rank-4

Pemisahan Tensor Isotropik dan

Anisotropik

Penyusunan dan Pengujian Program

Sesuai
Literatur?

Ya

Penyusunan dan Pengujian Program

Selesai
30

RIWAYAT HIDUP

Penulis dilahirkan di Bogor Jawa Barat, pada tanggal 10

Juni 1996 dari pasangan Mamad dan Siti Sopiah. Penulis
merupakan anak kedua dari lima bersaudara. Penulis
adalah lulusan dari SMAN 1 Dramaga-Bogor, pada tahun
2014. Pada tahun yang sama, penulis diterima di
Departemen Fisika IPB melalui jalur SNMPTN Undangan.
Selama perkuliahan penulis aktif dalam berbagai
organisasi dan kepanitiaan baik di dalam kampus maupun
di luar kampus diantaranya Anggota Pengurus HIMAFI
IPB Divisi Sains dan Teknologi (Sainstek) pada tahun 2016-2017, Ketua Kelarga
Muslim Fisika IPB (KMF) 1439H, Tim Khusus Kompetisi Fisika PSN IPB dua
tahun berturut-turut (2016-2017), Tim Khusus Physics Expo 2016.
Penulis juga aktif menjadi asisten praktikum mata kuliah Fisika dasar I dan
II tahun 2016, 2017 dan 2018, asisten praktikum fisika TPB 2016, asisten
praktikum Eksperimen Fisika Lanjut I 2017, asisten responsi mata kuliah Fisika
Kuantum, asisten responsi matakuliah Fisika Statistik, asisten responsi mata
kuliah Fisika Atom, asisten responsi mata kuliah Fisika zat Padat, asisten mata
dan kuliah optika nonlinier. Selain di kampus, penulis aktif mengajar Sekolah
SMA dalam persiapan Olimpiade fisika dan persiapan UN serta SBMPTN.
Penulis juga pernah meraih Juara I lomba Murotal Qur’an 2014 Asrama
Putra TPB IPB, penulis pernah meraih penghargaan Honorable Mention pada
ajang Olimpiade Nasional Matematika dan IPA (ONMIPA) 2016 untuk bidang
Fisika, Medali Emas Olimpiade Sains dan Teknologi 2016 Dinas Pemuda dan
Olahraga Yogyakarta (OSTM-Dikpora) bidang Fisika, Medali Perak bidang
Fisika Olimpiade Nasional Matematika dan IPA (ONMIPA) 2017. Di tahun
terakhir kuliah penulis mendapatkan Medali Perak Olimpiade Nasional
Matematika dan IPA (ONMIPA) 2018 untuk bidang Fisika