ANALISA CACAT KRISTAL YANG TERJADI AKIBAT

PENGARUH SUHU PADA MATERIAL DIELEKTRIK

BARIUM TITANAT
Moch Aditya Jheno Sheva Hemawan, Mahendra Ivan Fahrezi,
Dimas Donny Octafdeva, Riska Tiyas Subekti, Dimas Dharmasakti
Hamonangan, Aulia Irelin Sekar Remon
Program Study Teknik Metalurgi, Jurusan Teknik Pertambangan, Fakultas Teknologi Minneral, Universitas
Pembangunan Nasional “Veteran” Yogyakarta

116210012@student.upnyk.ac.id, 116210024@student.upnyk.ac.id, 116210033@student.upnyk.ac.id,

116210054@student.upnyk.ac.id, 116210062@student.upnyk.ac.id, 116210065@student.upnyk.ac.id

Abstract
Barium Titanat mempunyai struktur perovskite yang polimorf terhadap suhu, yaitu kubik untuk
suhu lebih dari 130 °C, tetragonal pada suhu 0 °C sampai 130 °C, orthorhombik untuk suhu -90
°C sampai 0 °C dan rhombohedral untuk suhu kurang dari -90 °C. Diketahui bahwa bahan ini
mempunyai dipol spontan dibawah suhu Curie Tc 130 °C. Penyebabnya adalah struktur
kristalinnya perovskite tetragonal dimana ion titan didalam oktahedron oksigen bergeser sedikit
kearah sumbu c, sementara oksigen bergeser berlawanan dengan titan. Pemberian bahan doping
Sr2+ pada kristal perovskite barium titanat akan mempengaruhi sifat fisis yang ditimbulkan
olehnya. Dengan cara ini akan dapat mengubah suhu Curie, permitivitas, resistansi dan lainnya.

PENDAHULUAN

Cacat kristal yang terjadi dalam suatu
bahan padat dapat mempengaruhi sifat fisis
tertentu seperti sifat mekanik atau sifat listrik.
Cacat ini dapat terjadi pada saat pembekuan
ataupun oleh sebab - sebab mekanik. Doping
merupakan salah satu proses sintesis yang
dilakukan dengan cara mencampurkan secara
langsung prekursor yang digunakan dengan
perbandingan komposisi tertentu yang
bertujuan untuk mengubah atau memperbaiki
sifatnya. Melalui proses doping, dengan
metode sol-gel, penyebaran sisi aktif logam
dapat ditingkatkan. Dielektrik adalah bahan
yang tidak memungkinkan arus listrik
mengalir sehingga disebut juga dengan
Isolator yaitu bahan yang tidak dapat
mengalirkan arus listrik. Namun, ketika
bahan dielektrik tersebut diberikan tegangan
listrik, akan terjadi perubahan tertentu yang
berskala atom. Atom yang terbuat dari inti
bermuatan positif dan elektron bermuatan
negatif ini akan menyebabkan terjadinya
Polarisasi. Barium Titanat (BaTiO3)
merupakan material feroelektrik oksida yang
mempunyai resistansi permitivitas yang
tinggi. Barium Titanat mempunyai aplikasi
yang luas dalam elektronika, diantaranya :
transducer, infrared detector dan multi layer
ceramic capacitor. dalam industri elektronik,
BaTiO3 digunakan sebagai bahan utama
pembuatan komponen elektronik seperti
kapasitor, multilayer kapasitor (MMLc),
perangkat penyimpan energi. Barium Titanat
mempunyai struktur yang sangat sederhana
dari pada bahan ferroelektrik lainnya, yang
dilihat dari segi penggunaannya, bahan
tersebut sangat praktis dikarenakan sifat
kimia dan mekaniknya sangat stabil.
METODE PENELITIAN & b. Ion-ion (Fe3+, Ni2+, Co3+) yang
PEMBAHASAN
Penggunaan tahapan analisa
kegagalan yang digunakan dimulai dengan
beberapa metode diantaranya, menggunakan
preparasi sampel, pengamatan visual,
pengujian, dan evaluasi hasil pengujian.
Preparasi sampel dilakukan dengan uji coba
satu sampel yang digunakan dengan begitu
akan mempermudah dalam melakukan
pengamatan visual dari sampel. Pengamatan
visual yang dilakukan pada permukaan
komponen yang mengalami kegagalan pada
proses preparasi, pengamatan ini juga
diberlakukan untuk mencari pola-pola
khusus yang terbentuk akibat patahan dan
jenis pembebanan yang berlaku, serta
memungkinkan untuk dapat memperkirakan
terjadinya kegagalan melalui proses
pengamatan visual.
Barium titanat merupakan salah satu
bahan dielektrik dari jenis feroelektrik yang
memiliki struktur perovskite ABO3 dengan
A menyatakan atom Ba2+ dan B menyatakan
ion Ti4+. Masing-masing ion barium
dikelilingi oleh 12 ion oksigen. Ion-ion
barium dan oksigen ini membentuk kisi
kubus pusat muka (face centered cubic).
Atom-atom titanium terletak di posisi
interstisi oktahedral dikelilingi oleh 6 ion
oksigen.
Moulson,1990 mengatakan bahwa
akibat dari penambahan penggantian pada
posisi atom Ba2+ dan Ti4+ sebagian atau
seluruhnya dengan ion-ion lain dapat
menyebabkan sebagai berikut:
a. Perubahan suhu Curie menyebabkan
puncak permitivitas dapat bergeser
posisinya. Penggantian Sr2+ pada
posisi Ba2+ dalam BaTiO3 akan
menurunkan Tc sedangkan
penggantian dengan Pb2+ akan
meningkatkan Tc.
menempati posisi Ti4+ dapat
mereduksi faktor disipasi.
c. Penambahan senyawa seperti
CaZrO3 pada BaTiO3 dapat
menyebabkan pelebaran puncak
permitivitas terhadap temperatur.
Bahan tersebut juga akan
mempengaruhi suhu Curie, dan
diharapkan permitivitas bahan yang
tinggi dapat diperoleh.
d. Kation-kation dengan valensi lebih
tinggi dari ion-ion yang digantikan,
pada konsentrasi tinggi (> 0.5 %
kation) seperti La3+ pada Ba2+ atau
Nb5+ pada posisi Ti4+,
mengakibatkan terhambatnya
pertumbuhan kristal.
e. Substituen dengan valensi yang lebih
tinggi seperti La3+ pada Ba2+ pada
konsentrasi rendah (< 0.2 % kation)
menyebabkan resistivitasnya
menurun. Tetapi bila substituen
memiliki valensi lebih rendah seperti
Mn3+ pada posisi Ti4+, maka
substituen akan bertindak sebagai
akseptor dan dapat meningkatkan
resistivitas bahan dielektrik.
Pengukuran konduktivitas arus searah
dapat digunakan dengan metode arus bolak-
balik yang dilakukan pada jangkauan
frekuensi terendah sampai tertinggi, sehingga
dapat memberikan informasi tentang
resistansi dan kapasitansi grain boundary
(Rgb) dan (Cgb) serta besar
konduktivitasnya.
Resistivitas BaTiO3 pada suhu ruang
yang diberi donor mencapai nilai terendah
pada jumlah doping sama dengan o Dm .
Ketika jumlah donor lebih kecil, resistivitas
menurun dan meningkat pada penambahan
doping secara terus menerus. Hal ini
disebabkan konduktivitas elektron
meningkat. Untuk bahan polikristalin
teramati adanya anomali resistansi terhadap
suhu, yaitu mempunyai increament jump
positif (PTCR) diatas suhu Curie. Keadaan
ini menurut (Heywang, 1991) dan (Moulson,
1990) diakibatkan oleh adanya potensial
penghalang (barrier) dari batas antar butir
(grain boundary), sehingga elektron dari pita
konduksi berpindah dari dalam butiran
menuju ke batas butir dengan melewati
potensial penghalang dengan tinggi φo.
KESIMPULAN
Pemberian bahan doping Sr2+ pada
kristal perovskite barium titanat akan
mempengaruhi sifat fisis yang ditimbulkan
olehnya. Doping tersebut akan mengubah
suhu Curie, permitivitas, resistansi dan
lainnya.
Daftar Pustaka
1. Chiang, Y.M, Birnie, D.P dan
Kingery, W.D (1997), Physical
Ceramics, J. Wiley & Sons.
2. Hastuti, Erna. 2011. ANALISIS
SIFAT LISTRIK DAN JENIS CACAT
KRISTAL PADA BAHAN
DIELEKTRIK BA0,95 SR0,05 TiO3
DENGAN DOPING Y2O3, Jurnal
Neutrino Vol. 3, No. 2, 190-198.
Departement of Physics, Faculty of
Sains and Technology, Universitas
Islam Negeri Maulana Malik Ibrahim
Malang, Indonesia.
3. Hench, L.L dan West, J.K (1990),
Principles of Electronic Ceramics,
J.Wiley & Sons.
4. Heywang, W dan Thomann, H
(1991), Positive Temperature
Coefficient Resistors, in: Electronic
Ceramics, edited by: B.C.H.Steele,
Elsevier Applied Science.
5. Jianquan, dkk (1997), Acceptor
conpensation in (Sb,Y) doped
semiconducting Ba1- xSrxTiO3,
J.Mater.Sci. 32 pp 713-717.
6. Jianquan, dkk (1998), Improvement
of the PTCR Effect in Ba1-xSrxTiO3
Semiconducting Ceramics by
Doping of Bi2O3 Vapor during
Sintering, Journal American Ceramic
Society. 81(2) pp 437-438.
7. Morison, F.D, Sinclair, D.C dan
West, A.R (2001), Characterization
of Lantanumdoped Barium Titanate
Ceramics Using Impedance
spectroscopy, J.Amer.Ceram.Soc.
84(3), pp 531-538.
8. Moulson, A, Herbert, J (1990),
Electroceramics, Chapman and Hall.