BAB I PENDAHULUAN

1.1 Latar Belakang Dewasa ini, perkembangan teknologi semakin pesat. Dari dulunya yang masih menggunakan teknologi lama seperti mesin tik atau pager dan sekarang dapat menggunakan computer, notebook, atau laptop. Perkembangan teknologi tersebut juga mangalami perkembangan komponen-komponen di dalamnya. Sama seperti penjelasan di atas, teknologi lama menggunakan komponen yang sangat sederhana sedangkan teknologi sekarang menggunakan komponen-komponen yang lebih canggih dan merangkainya lebih rumit. Komponen-komponen pada suatu alat elektronika adalah semua alat atau bahan penyusun suatu alat. Alat yang digunakan seperti resistor, transistor, dioda dan lain sebagainya ditambah dengan sumber daya dan keluaran. Komponen-komponen yang dirangkai akan membentuk rangkaian. Rangkaian terdiri dari komponen yang disolder di atas PCB dan disambungkan dengan menggunakan kabel atau timah yang sebelumnya telah disolder. Ada suatu komponen elektronika yang menarik perhatian. Karena resistor yang fungsinya membatasi arus dan dioda sebagai penyearah arus sudah biasa dan sudah sering ditemukan, maka transistor akan dibahas pada makalah ini.

1.2 Rumusan Masalah Adapun rumusan masalah yang akan dibahas pada makalah ini yaitu: 1. Apa yng dimaksud dengan transistor dan bagaimana strukturnya? 2. Bagaimana menjelaskan arus-arus yang berada pada transistor? 3. Bagaimana karakteristik transistor dan rangkaian penyikapan transistor? 4. Bagaimana penjelasan rangkaian transistor sebagai penguat?

1.3 Tujuan Penulisan Adapun tujuan penulisan makalah ini:

1. Mengetahui pengertian transistor beserta strukturnya 2. Dapat menjelaskan arus-arus yang berada pada transistor 3. Dapat menjelaskan karakteristik transistor dan rangkaian penyikapan transistor? 4. Dapat menjelaskan rangkaian transistor sebagai penguat?

1.4 Manfaat Penelitian Bagi mahasiswa : sebagai referensi untuk mempelajari lebih dalam mengenai transistor atau sebagai referensi untuk praktikum elekronika

Bagi dosen: sebagai referensi untuk bahan ajaran kepada mahasiswa

BAB II PEMBAHASAN

Transistor adalah alat semikonduktor yang dipakai sebagai penguat, sebagai sirkuit pemutus dan penyambung (switching), stabilisasi tegangan, modulasi sinyal atau sebagai fungsi lainnya. Transistor dapat berfungsi semacam kran listrik, dimana berdasarkan arus inputnya (BJT) atau tegangan inputnya (FET), memungkinkan pengaliran listrik yang sangat akurat dari sirkuit sumber listriknya. Pada umumnya, transistor memiliki 3 terminal, yaitu Basis (B), Emitor (E) dan Kolektor (C). Tegangan yang di satu terminalnya misalnya Emitor dapat dipakai untuk mengatur arus dan tegangan yang lebih besar daripada arus input Basis, yaitu pada keluaran tegangan dan arus output Kolektor. Transistor merupakan komponen yang sangat penting dalam dunia elektronik modern. Dalam rangkaian analog, transistor digunakan dalam amplifier (penguat). Rangkaian analog melingkupi pengeras suara, sumber listrik stabil (stabilisator) dan penguat sinyal radio. Dalam rangkaian-rangkaian digital, transistor digunakan sebagai saklar berkecepatan tinggi. Beberapa transistor juga dapat dirangkai sedemikian rupa sehingga berfungsi sebagai logic gate, memori dan fungsi rangkaian-rangkaian lainnya. Dari banyak tipe-tipe transistor modern, pada awalnya ada dua tipe dasar transistor, bipolar junction transistor (BJT atau transistor bipolar) dan field-effect transistor (FET), yang masing-masing bekerja secara berbeda. BJT terdiri dari tiga daerah semikonduktor yang berbeda pengotorannya, yaitu daerah emitor, daerah basis dan daerah kolektor. Daerah-daerah tersebut adalah tipe-p, tipe-n dan tipe-p pada transistor PNP, dan tipe-n, tipe-p dan tipe-n pada transistor NPN. Setiap daerah semikonduktor disambungkan ke saluran yang juga dinamai emitor (E), basis (B) dan kolektor (C). Basis secara fisik terletak di antara emitor dan kolektor, dan dibuat dari bahan semikonduktor terkotori ringan resistivitas tinggi. Kolektor mengelilingi daerah emitor. Transistor-transistor awal dibuat dari germanium tetapi hampir semua BJT modern dibuat

dari silikon. Beberapa transistor juga dibuat dari galium arsenid, terutama untuk penggunaan kecepatan tinggi. NPN adalah satu dari dua tipe BJT, dimana huruf N dan P menunjukkan pembawa muatan mayoritas pada daerah yang berbeda dalam transistor. Hampir semua BJT yang digunakan saat ini adalah NPN karena pergerakan elektron dalam semikonduktor jauh lebih tinggi daripada pergerakan lubang, memungkinkan operasi arus besar dan kecepatan tinggi. Transistor NPN terdiri dari selapis semikonduktor tipe-p di antara dua lapisan tipe-n. Arus kecil yang memasuki basis pada tunggal emitor dikuatkan di keluaran kolektor. Dengan kata lain, transistor NPN hidup ketika tegangan basis lebih tinggi daripada emitor. Tanda panah dalam simbol diletakkan pada kaki emitor dan menunjuk keluar (arah aliran arus konvensional ketika peranti dipanjar mundur. Transistor PNP terdiri dari selapis semikonduktor tipe-n di antara dua lapis semikonduktor tipe-p. Arus kecil yang meninggalkan basis pada moda tunggal emitor dikuatkan pada keluaran kolektor. Dengan kata lain, transistor PNP hidup ketika basis lebih rendah daripada emitor. Tanda panah pada simbol diletakkan pada emitor dan menunjuk kedalam.

TRANSISTOR
C
B n p n

C E

B
E

NPN

E C
B p n p E C E

PNP
E

Perbandingan elektron yang mampu melintasi basis dan mencapai kolektor adalah ukuran dari efisiensi transistor. Pengotoran cerat pada daerah emitor dan pengotoran ringan pada daerah basis menyebabkan lebih banyak elektron yang diinjeksikan dari emitor ke basis daripada lubang yang diinjeksikan dari basis ke emitor. Penguatan arus moda tunggal emitor diwakili oleh F atau hfe, ini kira-kira sama dengan perbandingan arus DC kolektor dengan

arus DC basis dalam daerah aktif-maju. Ini biasanya lebih besar dari 100 untuk transistor isyarat kecil, tapi bisa sangat rendah, terutama pada transistor yang didesain untuk penggunaan daya tinggi. Parameter penting lainnya adalah penguatan arus tunggal-basis, F. Penguatan arus tunggal-basis kira-kira adalah penguatan arus dari emitor ke kolektor dalam daerah aktif-maju. Perbandingan ini biasanya mendekati satu, di antara 0,9 dan 0,998. Alfa dan beta lebih tepatnya berhubungan dengan rumus berikut (transistor NPN):

Arus IE terdiri atas arus hole IPE (arus hole dari emitor ke basis) dan arus elektron INE (arus elektron dari basis ke emitor) IE = IPE + INE Untuk pnp seluruh arus diatas bernilai positif. Untuk npn berlaku sebaliknya. Rasio arus hole terhadap arus elektron IPE/INE proporsional terhadap rasio konduktivitas materi p terhadap materi n. Pada transistor komersial, doping emitor lebih besar dari doping basis, untuk memastikan bahwa arus emitor didominasi oleh arus hole. Hal ini dilakukan karena arus elektron arus elektron tidak memberikan kontribusi terhadap fungsi utama transistor, yaitu menyalurkan carrier ke kolektor. Sebagian dari arus hole yang melintasi junction emitor akan menyeberang hingga junction kolektor (IpC1), sebagian lagi akan melakukan rekombinasi di basis sebesar (IE-IPC1). Pada saat emitor open-circuit dan kolektor mendapat bias mundur (reverse biased) IC dipastikan sama dengan arus saturasi balik ICO. Arus saturasi balik terdiri dari dua komponen InCO yang terdiri atas arus elektron dari p menuju n melintasi JC dan arus hole dari n menuju p melintasi JC, IpCO -ICO = InCO + IpCO

Jika sebuah baterai (atau sumber tegangan) dihubungkan diantara basis (B) dan emitor (E) dari sebuah transistor NPN maka arus basis akan mengalir melalui emitor ( dioda bagian bawah) dengan VBB lebih besar dari barrier potential 0,7 V

Misalkan = 2 K7 =5V

Resistor mengatur aliran arus. Arus yang tinggi dapat menghancurkan dioda emitor ( dioda bagian bawah ) dan transistor tidak dapat digunakan lagi. Sebagai contoh, masukan beberapa nilai untuk menghitung arus basis : I = V/R hukum ohm Ibasis = = = 0,016 A = 1,6 mA

Sekarang perhatikan rangkaian berikutnya !

RC

V CC

Tidak ada arus yang mengalir !!!

Tidak ada arus yang mengalir dalam rangkaian ini karena diode kolektor ( diode bagaian atas ) mendapat panjar mundur ( reverse bias). Namun, jika kedua rangkaian tersebut digabung dan kolektor tetap dijaga lebih positif dari basis, arus akan mengalir melalui diode kolektor.
RC

RB

V CC VBB

Ketika electron emitor ( electron yang terdapat pada bagian emitor) memasuki kawasan basis, mereka dapat mengalir dari satu ke dua arah : I) Keluar dari basis melalui menuju terminal positif VBB. Mereka berkombinasi . Daerah basis sangatlah tipis

dengan hole hole pada basis kemudian menuju

dan di- doping ringan, sehingga hanya sedikit electron yang meninggalkan basis melalui cara ini. II) Sebagian besar electron, bagaimanapun, memiliki cukup waktu untuk berdifusi ke dalam daerah kolektor, kemudian tertarik ke terminal positif .

RC

1 2
RB
VBB

eeeee eeeee eeeee hhhhh hhhhh hhhhh

eeeee eeeee eeeee

V CC

Secara keseluruhan : Hukum kirchoff-arus (KCL) mengatakan bahwa jumlah dari arusyang memasuki percabangan / persambungan sama dengan jumlah arus yang meninggalkannya : + Arus basis sebanding dengan arus kolektor, dan dapat diungkapkan sebagai : =

(Bdc juga dikenal dengan nama hfE, adalah penguatan arus sebuah transitor. Hal ini akan dijelaskan lebih lanjut. Setiap transistor memiliki nilai penguatan yang berbeda-beda)

Konfigurasi ini dikenal dengan sebutan common-Emitter

Circuit

(rangkaian emitor

bersama) karena emitor dihubungkan pada sisi yang sama (atau ground) dari dua sumber tegangan ( dan ).

Common Emitter Circuit

RC

Kolektor Basis
RB V CE V CC

VBB

Emitor

Pada kalung (loop) basis, tegangan suplai basis dan emitor,

harus melampaui nilai tegangan antara

, untuk mengaktifkan dioda emitor.

Pada kalung kolektor ,

arus lebih besar dari 0,7V agar dioda kolektor terpanjar

mundur ( reverse- biased) untuk mengumpulkan elektron dari basis. Ketika arus basis berubah, arus kolektor juga berubah. Arus basis mengendalikan arus kolektor. Sekarang kita dapat merangkai kembali rangkaian transistor tadi hanya dibutuhkan satu sumber tegangan, dan arah aliran arus masing-masing yang sama dengan rangkaian sebelumnya.

RB

RC

VS

I Kolektor

I Basis

Penguat elektronik piranti yang mengubah suatu sinyal masukan yang kecil(small injait)menjadi snyal keluaran yang yang lebih besar ,dengan bentuk gelombang yang tetap sama dan juga kemungkinan adanya distorsi(distortion)yang mengikuti biasanya rangkaian ini dibangun menggunakan satu atau lebih transistor. Penguat diklasifikasikan berdasarkan fungsinya : 1. Penguat arus, tegangan dan daya. Ketika mereka digunakan untuk menguatkan arus dan tegangan dari sebuah sinyal masukan, mereka disebut penguat sinyal-besar(large-sinyal gamplefier) 2. Penguat Frekuensi yang dimana mereka dimaksudkan untuk beroperasi. Contoh:

Sebuah penguat 2F( uro frequency),juga dikenal sebagai penguat DC digunakan untuk menguaatkan arus dan tegangan yang stabil (steady current and voltage) Sebuah penguat AF (Audio Frequency) digunakan untuk menguatkan sinyal di dalam jangka pendengaran manusia.

Penguatan arus BJT dianggap sebagai sebuah piranti yang bekerja berdasarkan arus listrik. Ketika tidak ada arus basis (IB) sebuah arus bocor (Leakage current) ICEO yang sangat kecil mengalir. Ini disebabkan oleh pembawa minoritas yang melintasi persambungan panjar mundur

TRANSISTOR SEBAGAI PENGUAT ARUS

ICEO RC RB VCC VBB VCE

IC

ICEO

VCE

Arus bocor bergantung pada temperature karena pembawa minoritas dihasilkan oleh panas yang merusak ikatan kovalen. ICEO untuk transistor silicon sangatlah kecil, hanya beberapa microampere, tetapi jauh lebih besar untuk transistor germanium, hingga ukuran

miliampere. Karena transistor germanium sangat sensitive terhadap panas, mereka dapat digunakan sebagai sensor suhu. Ketika saklar ditutup, arus basis yang kecil mengalir. Jika tegangan basis emitor, Vbe, untuk transistor silicon diatas 0,7V (0,3 untuk transistor germanium), maka arus kolektor akan mengalir. IC bergantung pada IB, peningkatan VCE hanya memiliki dampak yang kecil dalam penguatan arus.

IC

ICEO RC RB VCC VBB IB VCE

2 mA
IB=20A ICEO

IC

dc = IC/IB= 2mA/20A=100

VCE

Penguatan arus langsung:

Ketika transistor ditemukan, tidak seorangpun tahu bagaimana mereka bekerja. Sejumlah kuantitas yang disebut h- atau parameter hybrid dirancang untuk mengindikasikan apa yang sebenarnya terjadi pada terminal-terminal transistor walaupun sejatinya para ahli tidak tahu benar apa yang terjadi di dalam transistor

Ini disebut kurva karakteristik transistor. Dapat dilihat bahwa bila arus basis meningkat maka arus kolektor juga akan meningkat. Pada area linear/ penguatan, , nilai penguatannya, adalah konstan. Parameter hFE mengindikasikan bahwa apa yang dikenal dengan perbandingan transfer maju arus DC transistor dalam konfigurasi electron emitor bersama. Arsir B adalah area jenuh (saturation area) dimana VCE (sat), tegangan jenuh kolektor, menjadi sangat dekat nilainya dengan ground (gnd) dan tetap disana (pada nilai

tersebut), biasanya 0,05 sampai 0,2 V. Dlam area ini, penguatannya, DC (sat), akan jauh lebih kecil, kemungkinan 10 bukan 50-200. Jika sebagai saklar,transistor pada posisi hidup. Area arsir A mengindikasikan bahwa arus kolektor terpncung (cut off) jika sebagai saklar, transistor berada pada posisi mati Penguatan tegangan Telah kita lihat sebelumnya bagaimana transistor menguatkan arus. Arus basis yang kecil menyebabkan arus kolektor yang lebih besar mengalir. Perubahan kecil pada arus basis menghasilkan perubahan besar pada arus kolektor. Resistor beban (RL) pada rangkaian kolektor mengkonversi perubahan arus menjadi perubahan tegangan.
TRANSISTOR SEBAGAI PENGUAT TEGANGAN

IC

RB

RL

V
IC

Vout

Vin VCE

VBE
0 (GND)

ICEO

VCE

VCE arus dipaksakan kira-kira setengah dari tegangan sumber. Hal ini menyebabkan dia berada pda bagian tengah (pusat) area linear, sehingga ketika keluaran berosilasi maka keluaran tetap berada di area ini Asumsikan tegangan sumber VS = 10 V maka VCE harus berkisar 5V. Gunakan nilai penguatan transistor sebelumnya yaitu 100 dan nilai resistor beban sebesar 1kohm.

Dan Kita memerlukan resistor bias , RB , sehingga arus basis yang stabil/ mantap dapat mengalir dari sumber menuju dan melalui persambungan basis-emitor transistor

Tegangan yang terjadi pada RB

Ketika penguat ini dipanjar (biased), sehingga arus basis yang stabil / mantap cukup untuk meletakkan tegangan dan arus kolektor yang stabil / mantap pula didekatkan pusat karakteristik keluaran. Kemudian hal ini disebut sebagai suatu keadaan diam ( quiescent state) Titik diam (quiescent point), q, tidaklah tetap Karena , VBE dan ICEO berubah terhadap temperature. Sekarang, sebuah sinyal bolak balik yang kecil diterapkan pada basis transistor. Masukan ini diumpankan pada sebuah kapasitor untuk memblok sebuah kapasitor untuk men-blok setiap arus langsung yang dapat mempengaruhi kondisi panjar. Arus basis sekarang memiliki 2 komponen: IB, Arus panjar dan ib, arus sinyal. Arus kolektor memiliki 2 komponen: IC dan ic = x ,

Tegangan pada =( Ketika = + )x

meningkat,

dan

meningkat ;

berkurang.

Sehingga, antara masukan dan keluaran akan berbeda polaritas.

Parameter

menginduksikan apa yang dikenal dengan perbandingan transfer maju

trus AC transistor dalam konfigurasi emitor bersama. ( the AC forward current transfer ratio of a transistor in the common emitter mode ) Ini adalah nilai sesaat da ini sedikit berbeda dari parameter DC hfE. Jika dijaga tetap konstan, dan berubah ubah dengan memvariasikan .

Grafik yang dihasilkan hamper berapa garis lurus, dan mengindikasikan bahwa dengan

sebanding

. Semakin curam slope yang dihasikan, semakin tinggi nilai hfe. Grafik dibawah

mengilustrasikan apa yang disebut dengan kurva karakteristik transfer.

Kemudian plot

versus

Jika kita ambil dua keadaan ekstrim : Ketika =0, = = 0, = Vs/RL

Dan ketika

BAB III KESIMPULAN Adapun kesimpulan yang dapat diambil yaitu: 1. Struktur transistor BJP terdiri dari transistor NPN dan PNP 2. Transistor memiliki 3 kaki yaitu kolektor, basis dan emitor 3. Trnsistor dapat berfungsi sebagai penguat amplifier

DAFTAR PUSTAKA http://id.wikipedia.org/wiki/transistor diunduh tanggal 14-11-11 http://id.wikipedia.org/wiki/bjp diunduh tanggal 14-11-11