PERANGKAT PEMBELAJARAN SMK

TRANSISTOR

Oleh:
Nofida Suwita Sari (105514014)

UNIVERSITAS NEGERI SURABAYA

FAKULTAS TEKNIK
S1 PENDIDIKAN TEKNIK ELEKTRO
2013
 Daftar Isi

RPP SMK: Transistor

Tebel Spesifikasi Lembar Penilaian

LP 1 Kognitif produk Transistor

Kunci LP 1 Kognitif Produk Transistor

LKS LP 2 Kognitif Proses Transistor

Kunci LKS LP 2 Kognitif Proses Transistor

LP 3 Psikomotor

Kunci LP 3 Psikomotor Merakit Rangkaian Penguat Transistor Sederhana

LP 4 Afektif Keterampilan Sosial

RPP SMK: Transistor

 Rencana Pelaksanaan Pembelajaran

Satuan Pendidikan: SMK Negeri 3 Boyolangu

Mata Pelajaran : Dasar Kompetensi Kejuruan
Kelas/Semester : X/1
Alokasi Waktu : 2 x 45 Menit
Kompetensi inti:
KI 1: Menghayati dan mengamalkan ajaran agama yang dianutnya.
KI 2: Menghayati dan mengamalkan perilaku jujur, disiplin, tanggung-jawab,
peduli (gotong royong, kerjasama, toleran, damai), santun, responsif dan
pro-aktif dan menunjukan sikap sebagai bagian dari solusi atas berbagai
permasalahan dalam berinteraksi secara efektif dengan lingkungan sosial
dan alam serta dalam menempatkan diri sebagai cerminan bangsa dalam
pergaulan dunia.
KI 3: Memahami, menerapkan dan menganalisis pengetahuan faktual,
konseptual, dan prosedural berdasarkan rasa ingin tahunya tentang ilmu
pengetahuan, teknologi, seni, budaya, dan humaniora dalam wawasan
kemanusiaan, kebangsaan, kenegaraan, dan peradaban terkait penyebab
fenomena dan kejadian dalam bidang kerja yang spesifik untuk
memecahkan masalah.
KI 4: Mengolah, menalar, dan menyaji dalam ranah konkret dan ranah abstrak
terkait dengan pengembangan dari yang dipelajarinya di sekolah secara
mandiri, dan mampu melaksanakan tugas spesifik di bawah pengawasan
langsung.

Kompetensi Dasar:
KD 1. : Menghayati dan mengamalkan ajaran agama yang dianutnya.
KD 2.1.: Memiliki motivasi internal, kemampuan bekerjasama, konsisten, sikap
disiplin, rasa percayadiri, dan sikap toleransi dalam perbedaan strategi
berpikir dalam memilih dan menerapkan strategi menyelesaikan masalah.
KD 2.2. : Mampu mentransformasi diri dalam berpilaku jujur, tangguh mengadapi
masalah, kritis dan disiplin dalam melakukan tugas belajar.
KD 2.3. : Menunjukkan sikap bertanggung jawab, rasa ingin tahu, jujur dan perilaku
peduli lingkungan.
KD 3. : Menjelaskan sifat-sifat komponen elektronika pasif dan aktif.
KD 4. : Mengolah, menalar, dan menyaji dalam ranah konkret dan ranah
abstrak terkait dengan komponen elektronika pasif dan aktif dengan
menggunakan software Multisim 10.1.
Indikator :
1. Kognitif produk
a. Mencari perbedaan penguat kelas ce dan cb.
b. Membandingkan antara transistor PNP dan NPN.
c. Mendesain rangkaian penguat ce.
d. Menghitung besar penguatan transistor (β).
2. Kognitif proses
a. Merancang dan melakukan penyelidikan pengaruh besarnya nilai hambatan
basis (RB) terhadap nilai arus colektor (IC) yang mengalir pada rangkaian
penguat transistor sederhana (merumuskan masalah, merumuskan hipotesis,
merencanakan percobaan, mengumpulkan informasi yang diperlukan,
menggunakan alat yang penting dalam percobaan yaitu software Multisim,
merancang tabel data).
3. Psikomotor
a. Mengukur besarnya arus IC pada rangkaian penguat transistor sederhana
dengan menggunakan software Multisim 10.0.1
4. Afektif
a. Keterampilan sosial: bertanya, menyumbang ide atau berpendapat, menjadi
pendengar yang baik, bekerjasama.
I. Tujuan pembelajaran :
1. Kognitif produk
a. Tanpa melihat buku siswa dapat mencari perbedaan penguat kelas ce dan cb
sesuai dengan LP 1 Kognitif Produk Transistor.
b. Tanpa melihat buku siswa dapat membandingkan antara transistor PNP dan
NPN sesuai dengan LP 1 Kognitif Produk Transistor.
c. Tanpa melihat buku siswa dapat mendesain rangkaian penguat ce sesuai
dengan LP 1 Kognitif Produk Transistor.
d. Tanpa melihat buku siswa dapat menghitung besar penguatan transistor (β)
sesuai dengan LP 1 Kognitif Produk Tansistor.
 2. Kognitif proses
a. Diberikan software Multisim serta dan LKS: LP 2 Kognitif Proses Transistor
siswa dapat merancang dan melakukan penyelidikan pengaruh besarnya nilai
hambatan basis (RB) terhadap nilai arus colektor (IC) yang mengalir pada
rangkaian penguat transistor sederhana (merumuskan masalah, merumuskan
hipotesis, merencanakan percobaan, mengumpulkan informasi yang
diperlukan, menggunakan alat yang penting dalam percobaan yaitu software
Multisim, merancang tabel data) sesuai kunci LKS: LP 2 Kognitif Proses
Transistor.
3. Psikomotor
a. Diberikan software Multisim siswa dapat mengukur besarnya arus IC pada
rangkaian penguat transistor sederhana sesuai dengan LP 3 Psikomotor.
4. Afektif
a. Terlibat dalam proses belajar mengajar berpusat pada siswa, siswa dinilai
membuat kemajuan dalam menunjukkan keterampilan sosial bertanya,
menyumbang ide atau berpendapat, menjadi pendengar yang baik, bekerja
sama.
II. Materi ajar : Indentifikasi sifat dan macam-macam transistor.
III. Medel pembelajaran: Model pembelajaran kooperatif tipe Group Investigation
(GI)
IV. Langkah pembelajaran
A. Kegiatan awal
Pendahuluan (15 menit)
Penilaian oleh
Kegiatan Pengamat
1 2 3 4
1. Memotivasi siswa dengan menunjukkan transistor
sambil bertanya kepada siswa siapakah yang tahu apa
nama komponen yang yang dibawa oleh guru tersebut
(Fase 1 MPK).
2. Mengkomunikasikan tujuan pembelajaran kognitif,
psikomotor, dan afektif (Fase 1 MPK).
 B. Kegiatan inti (60 menit)
Penilaian oleh
Kegiatan Pengamat
1 2 3 4
1. Guru mengidentifikasi topik dan mengorganisasikan
siswa ke grup penelitian serta membantu siswa dalam
memilih topik penyelidikan yang berhubungan dengan
transistor (Fase 1 MPK GI).
2. Guru membagikan LKS serta membantu siswa
membuat perencanaan tugas belajar dimana anggota
kelompok atau pasang anggota kelompok menentukan
subtopik yang berhubungan dengan transistor untuk
penyelidikan. Kelompok tersebut memutuskan apa dan
bagaimana untuk belajar. Mereka menetapkan tujuan
pembelajaran (Fase 2 MPK GI).
3. Guru membimbing siswa untuk penyelenggaraan
investigasi meliputi guru membantu siswa
mengumpulkan informasi, menganalisis dan
mengevaluasi data, dan mencapai kesimpulan (Fase 3
MPK GI).
4. Guru membantu siswa mempersiapkan laporan akhir
(Fase 4 MPK GI).
5. Guru membantu siswa menyajikan laporan akhir (Fase 5
MPK GI).

C. Kegiatan akhir (15 menit)

Penilaian oleh
Pengamat
Kegiatan 1 2 3 4
1. Guru melakukan evaluasi dan memberikan
penghargaan kepada kelompok berdasarkan perolehan
nilai peningkatan hasil belajar individual (Fase 6
MPK).

V. Alat/Bahan/Sumber Belajar
1. LKS: LP 2 Kognitif Proses.
2. Kunci LKS: LP 2 Kognitif Proses.
3. Silabus.
 4. Multisim Analog Devices Edition Version 10.01.40 Software Simulator dari
National Instruments Electronic
5. Komputer.

VI. Penilaian
1. LP 1 Kognitif Produk.
2. LP 2 Kognitif Proses.
3. LP 3 Psikomotor.
4. LP 4 Afektif.

Daftar Pustaka
Kurikulum 2013 SMK Negeri 3 Boyolangu. 2013. Silabus Dasar Kompetensi Kejuruan:
Teknik Elektronika Industri.
 Tabel Spesifikasi Lembar penilaian

Indikator LP dan Butir Kunci LP dan

Soal Butir Soal
1. Kognitif LP 1 Kognitif Kunci LP 1
a. Produk Produk Kognitif
1) Mencari perbedaan penguat kelas ce Butir 1 Produk
dan cb. Butir 1
2) Membandingkan antara transistor PNP Butir 2 Butir 2
dan NPN.
3) Mendesain rangkaian penguat ce. Butir 3 Butir 3
4) Menghitung besar penguatan transistor Butir 4 Butir 4
(β)
b. Proses LKS: LP 2 Kunci LKS:
1) Merancang dan melakukan penyelidikan Kognitif Proses LP 2 Kognitif
pengaruh besarnya nilai hambatan basis Proses
(RB) terhadap nilai arus colektor (IC) yang
mengalir pada rangkaian penguat
transistor sederhana (merumuskan
masalah, merumuskan hipotesis,
merencanakan percobaan, mengumpulkan
informasi yang diperlukan, menggunakan
alat yang penting dalam percobaan yaitu
software Multisim, merancang tabel
data).
2. Psikomotor LP 3 Kunci LP 3
a. Mengukur besarnya arus IC pada Psikomotor Psikomotor
rangkaian penguat transistor sederhana Butir 1 Butir 1
dengan menggunakan software Multisim
10.0.1
3. Afektif LP 4 Afektif Kunci LP 4
a. Keterampilan sosial: bertanya, Afektif
menyumbang ide atau berpendapat, Butir 1 Butir 1
menjadi pendengar yang baik,
bekerjasama.
Nama: No. Absen: Tanggal:

LP 1: Kognitif Produk Transistor

1. Tuliskan perbedaan antara penguat kelas ce dan cb.

2. Bandingkan antara transistor PNP dan NPN.

3. Desainlah sebuah rangkaian penguat ce.

4. Hitung besar penguatan transistor (β) jika diketahui arus kolektor sebesar 10 mA

dan arus bias base sebesar 40 µA.

Nama: No. Absen: Tanggal:

KUNCI LP 1: Kognitif Produk Transistor

1. Tuliskan perbedaan antara penguat kelas ce dan cb.

Jawab:
Rangkaian CE adalah rangkain yang paling sering digunakan untuk berbagai
aplikasi yang mengunakan transistor. Dinamakan rangkaian CE, sebab titik ground
atau titik tegangan 0 volt dihubungkan pada titik emiter.

Dinamakan rangkaian CB, sebab titik ground atau titik tegangan 0 volt
dihubungkan pada titik basis.
2. Bandingkan antara transistor PNP dan NPN

Jawab:

Transistor NPN: arus akan mengalir dari kolektor ke emitor jika basisnya

dihubungkan ke ground (negatif). Arus yang mengalir dari basis harus lebih kecil

daripada arus yang mengalir dari kolektor ke emitor

Transistor PNP: arus akan mengalir dari emitter menuju ke kolektor jika pada pin

basis dihubungkan ke sumber tegangan ( diberi logika 1). Arus yang mengalir ke

basis harus lebih kecil daripada arus yang mengalir dari emitor ke kolektor

3. Desainlah sebuah rangkaian penguat ce

Jawab:
4. Hitung besar penguatan transistor (β) jika diketahui arus kolektor sebesar 10 mA

dan arus bias base sebesar 40 µA.

Diketahui: IC = 10 mA = 10-3 A

IB = 40 µA = 4 x 10-5 A

Ditanya: β…..?

Jawab: β = IC / IB

= 10-3 / 4 x 10-5

= 250
 LKS LP 2 Proses: Transistor
A. Materi

Transistor adalah komponen aktif yang dibuat dari bahan semikonduktor

pada tahun 1951 ditemukan oleh seseorang yang bernama Shockley, bahan semi
konduktor ini mengubah industri elektronik begitu cepat. Transistor adalah
kependekan dari transfer resistor (resistor transfer), istilah yang memberikan
petunjuk mengenai bagaimana perangkat tersebut bekerja; arus yang mengalir
pada rangkaian output ditentukan oleh arus yang mengalir pada rangkaian input.
Karena transistor adalah erangkat tiga terminal, satu elektroda harus digunakan
secara bersama-sama oleh rangkaian input dan output.
Transistor digolongkan ke dalam dua kategori (bipolar dan efek-medan) dan
juga dikelompokkan menurut vahan semikonduktor yang digunakan untuk
membuatnya (silikon atau germanium) dan menurut bidang aplikasinya
(misalnya serbaguna, pensaklaran, frekuensi tinggi, dll.) berbagai kelas transistor
tersedia sesuai dengan aplikasinya masing-masing.
Tabel 1. Kelas-kelas Transistor
Frekuensi-rendah Transitor yang dirancang secara spesifik untuk aplikasi-
aplikasi frekuensi audio (di bawah 100 kHz)
Frekuensi-rendah Transistor yang dirancang secara spesifik untuk aplikasi-
aplikasi frekuensi radio (100 kHz ke atas)
Daya Transistor yang bekerja pada level daya yang cukup tinggi
(penguat semacam ini biasanya dikelompokkan kedalam
jenis daya frekuensi audio dan frekuensi radio)
Pensaklaran Transistor dirancang untuk aplikasi-aplikasi pensaklaran
Derau-rendah Transistor yang memiliki karakteristik derau-rendah yang
ditunjukkan terutama untuk penguat sinyal amplitudo
rendah.
Tegangan-tinggi Transistor yang dirancang secara fisik untuk menangani
tegangan tinggi
Tegangan-tinggi transistor yang bekerja pada level daya dan tegangan
penggerak menengah dan yang seringkali digunakan sebelum
(driver) tahapan (daya) akhir bekerja pada level daya yang cukup
tinggi
Macam macam transistor adalah sebagai berikut.
1. Bipolar Transistor tipe NPN dan PNP.

Gambar 1. Bipolar Transistor

Bipolar transistor adalah transistor yang memiliki dua junction yaitu

penggabungan junction PN dan NP atau NP dan PN. PN dan NP = PNP dan
NP dan PN = NPN. Dinamakan bipolar karena dalam operasinya sangat
bergantung kepada dua muatan lubang (hole) yang terdapat mayoritas
pembawa muatan listrik pada tipe P, dan electrón yang mayoritas pembawa
muatan listriknya terdapat pada tipe N. Transistor jenis bipolar merupakan
andalan komponen aktif pada rangkaian linear, saklar, penguat, filter aktif dll.

Gambar 2. Simbol Transistor PNP dan NPN

Transistor NPN: arus akan mengalir dari kolektor ke emitor jika basisnya

dihubungkan ke ground (negatif). Arus yang mengalir dari basis harus lebih

kecil daripada arus yang mengalir dari kolektor ke emitor

 Transistor PNP: arus akan mengalir dari emitter menuju ke kolektor jika pada

pin basis dihubungkan ke sumber tegangan ( diberi logika 1). Arus yang

mengalir ke basis harus lebih kecil daripada arus yang mengalir dari emitor

ke kolektor

2. Unit Junction Transistor (UJT)

JT adalah Transistor Uni Polar yang dalam junction tipe N di adop dengan
junction tipe P, sehingga adop hole dari junction tipe P pada juncion N akan
dapat mengendalikan aliran electrón pada Junction tipe N melalui B1 dan B2.
Transistor jenis isi memiliki 3 elektroda, 2 Basis dan 1 Emitor seperti pada
Gambar 3.

Gambar 3. Junction UJT dan Simbol UJT

Uni Junction Transistor, banyak dipakai sebagai oscillator frekuensi tinggi,

sinyal yang dihasilkan berbentuk gigi gergaji.

Gambar 4. UJT
3. Field Effect Transistor (FET)/JFET (Junction Field Effect Transistor.
FET adalah masuk dalam katagori uni polar karena memiliki mayoritas
pembawa muatan hanya salah satu, hole atau elektron saja. FET disebut juga
transistor efek medan dalam operasinya dipengaruhi oleh tegangan-tegangan
operasi, tidak seperti transistor bipolar yang dipengaruhi oleh arus-arus pada
elektrodanya.

Gambar 5. Junction JFET dan Simbol JFET Tipe P

Kelebihan FET dibanding dengan transistor lain adalah sebagai berikut.

a. FET tidak tergantung dari sedikitnya sinyal input namun mempunyai

faktor radiasi tahanan yang baik sekali.
b. FET tidak mengalami gangguan yang diakibatkan dari sumber. Jadi
jelasnya FET low noise.
c. FET dapat bekerja pada sumber tegangan yang sangat rendah.
4. MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)
MOSFET disebut juga Transistor Efek Medan Oksida Logam, hal ini karena
pada Gate diisolasi dari saluran mayoritas pembawa muatan hal ini
mengakibatkan arus Gate sangat kecil dan tidak dipengaruhi oleh positif atau
negatifnya gate tersebut. MOSFET sering juga disebut sebagai IGFET
(Insulated Gate Field Effect Transistor).
 Gambar 6. Junction dan Simbol MOSFET Tipe N

Pemakaian MOSFET adalah sebagai berikut.

a. Saklar elektronik kecepatan tinggi/High Speed Switch.
b. Pembalik Fase/Inverter.
c. Penguat Pencuplik dan Penahan/Sample & Hold Amplifier.
d. Penguat DC/DC Amplifier.

Cara kerja transistor

Transistor bipolar umumnya terbentuk dari sambungan PNP atau NPN dengan
bahan silikon (Si) atau germanium (Ge) (lihat pada Gambar 7 dan Gambar 8).
Sambungan tersebut dihasilkan dari sebuah irisan silikon yang dicampurkan dengan
bahan pengotor melalui proses masking yang tereduksi secara fotodrafis. Transistor-
transistor silikon lebih unggul dibandingkan dengan transistor-transistor germanium
untuk sebagian besar aplikasi (terutama pada suhu tinggi) dan, oleh karenanya,
perangkat germanium sangat jarang ditemukan.

Gambar 7. Konstruksi Transistor NPN

 Gambar 8. Konstruksi Transistor PNP
Gambar 9 melihatkan representasi yang disederhanakan dari masing-masing
transistor PNP dan NPN bersama dengan lambang-lambang rangkaiannnya. Pada kedua
kasus tersebut, elektroda-elektrodanya diberi nama kolektor, basis, dan emitor.
Perhatikan abahwa setiap sambungan daam transistor, baik kolektor-basis atau basis-
emitor, merupakan sambungan P-N.

Gambar 9. Model Transistor NPN dan PNP yang Disederhanakan

Gambar 10 dan Gambar 11 masing-masing memperlihatkan tegangan bias-normal

yang diberikan kepada transistor NPN dan PNP. Perhatikan bahwa sambungan basis-
emitor diberikan bias-maju dan sambungan kolekor-basis diberikan bias mundur.
Namun daerah basis dibuat sangat sempit sehingga pembawa-pembawa muatan dapat
menyeberanginya dan emitor menuju kolektor dan hanya arus yang relatif kecil mengalir
dalam basis. Untuk lebih menjelaskan hal ini, arus yang mengalir pada rangkaian emitor
adalah 100 kali lebih besar dari arus yang mengalir pada basis. Arah aliran arus
konvensional adalah dari emitor menuju kolektro dalam kasus transistor PNP, dan dari
kolekor ke emitor dalam kasus perangkat NPN.
 Gambar 10. Tegangan dan Arus Bias Mengalir dalam Transistor PNP

Gambar 11. Tegangan dan Arus Bias Mengair dalam Transistor PNP

Terlepas dari apapun jenis transistor yang digunkan, terdapat tiga konfigurasi
rangkaian dasar. Ketiga konfigurasi rangkaian ini bergantung pada yang mana dari
ketiga sambungan transistor yang dijadikan common bagi input dan output. Dalam kasus
transistor bipolar, konfigurasinya dikeal sebagai common-emitor, common-kolektor,
(atau emitor-follower), dan common-basis. Jika yang digunakan adalah transistor efek
medan, konfigurasinya adalah common-source, common-drain (atau source-follower),
dan common-gerbang.
 Gambar 12. Konfigurasi Common-emitor

Gambar 13. Konfigurasi common-kolektor (emitor follower)

Gambar 14. Konfigurasi common-basis

 Agar lebih mudah untuk mengingat rangkaian common-emitor adalah
rangakian transistor dimana titik ground atau titik tegangan 0 volt dihubungkan
pada titik emiter.

Gambar 15. Rangkaian Penguat CE

Sedangakan rangkaian common-basis adalah rangakian transistor dimana titik
ground atau titik tegangan 0 volt dihubungkan pada titik basis.

Gambar 16. Rangkaian Penguat CB

Sedangkan untuk besar penguatan (β) dihitung dengan rumus sebagai berikut.

Gambar 17. Rumus Besar Penguatan (β)

Lebih lanjut hubungan antara Besarnya Hambatan Basis (RB) dan Arus Kolektor
(IC) pada sebuah penguat yaitu sebuah rangkaian audio menerima arus dan
 tegangan kecil pada inputnya dan menghasilkan arus dan tegangan lebih besar
pada outputnya.
𝑽𝑩𝑩 −𝑽𝑩𝑬
𝑰𝑩 = dan 𝑰𝑪 = 𝜷𝒅𝒄 𝑰𝑩
𝑹𝑬

B. Tujuan
Menyelidiki pengaruh besarnya nilai hambatan basis (RB) terhadap nilai arus
colektor (IC) yang mengalir pada rangkaian penguat transistor sederhana
menggunakan software Multisim.
C. Alat dan bahan
Multisim Analog Devices Edition Version 10.01.40 Software Simulator dari
National Instruments Electronic Workbench Group. Copyright 2007 National
Instrument Corporation. http://ni.com/instrument.
D. Perencanaan eksperimen
Kamu diminta untuk merencanakan dan melaksanakan eksperimen untuk
menyelidiki hubungan antara besarnya nilai hambatan basis (RB) dengan nilai
arus colektor (IC) pada rangkaian penguat transistor sederhana seperti
ditunjukkan pada Gambar 18 dengan menggunakan software Multisim.
E. Rumusan masalah
Apakah pengaruh besarnya nilai hambatan basis (RB) terhadap colektor (IC) pada
rangkaian penguat transistor sederhana?
F. Hipotesis
_________________________________________________________________

G. Variabel

(1) yang dijaga konstan:_________________ ____________________

(2) yang dimanipulasi : _____________________________________ _
(3) yang merespon : _____________________________________ _
 Definisi Operasional Variabel Manipulasi:
_________________________________________________________________
_______________________________________________________________
Definisi Operasional Variabel Respon :
_________________________________________________________________
_______________________________________________________________
H. Langkah-langkah
1. Buka software Multisim.

2. Buatlah rangkaian seperti pada Gambar 18 di bawah ini.

4 R2
- 1kΩ
0.000 A U1
+
5
7
Q1
1 RB 2
100Ω
2N3904
VCC
VBB 10 V
10 V

Gambar 18. Rangkaian Percobaan

3. Klik icon Run/resume simulation.
4. Amati nilai arus pada multimeter dan catat pada Tabel 1 Hasil Percobaan.

5. Klik icon stop simulation.

6. Ubahlah nilai resistor (RB) klik double pada icon resistor sesuai dengan tabel
percobaan.

7. Ulangi langkah 2-6.

I. HASIL PERCOBAAN
Tabel 1. Hasil Percobaan
No. RB IC
1 100 Ω 9,947 mA
2 100 kΩ ………..A
3 250 kΩ ………..A
4 500 kΩ ………..A
5 1000 kΩ ………..A

J. Analisis
Analisis: Bagaimanakah hubungan nilai hambatan dengan arus?
Saat hambatan basis (RB) semakin , maka nilai arus colektor
(IC) semakin __________

Saat hambatan basis (RB) semakin , maka nilai arus colektor

(IC) semakin __________

K. Kesimpulan
Kesimpulan: Apakah hipotesismu diterima?

_______________________________________________ ___

Daftar Pustaka
Kurikulum 2013 SMK Negeri 3 Boyolangu. 2013. Rancangan Pelaksanaan
Pembelajaran Dasar Kompetensi Kejuruan: Teknik Elektronika Industri.
Malvino, Albert and David J. Bates. 2006.Electronic Principles Seventh Edition.
McGraw-Hill Higher Education
Multisim Analog Devices Edition Version 10.01.40 Software Simulator dari National
Instruments Electronic.
Toley Mike. 2003. Rangkaian Elektronik Prinsip dan Aplikasi Edisi Kedua. Jakarta:
Erlangga.
 KUNCI LKS LP 2 Proses: Transistor
A. Materi

Transistor adalah komponen aktif yang dibuat dari bahan semikonduktor

pada tahun 1951 ditemukan oleh seseorang yang bernama Shockley, bahan semi
konduktor ini mengubah industri elektronik begitu cepat. Transistor adalah
kependekan dari transfer resistor (resistor transfer), istilah yang memberikan
petunjuk mengenai bagaimana perangkat tersebut bekerja; arus yang mengalir
pada rangkaian output ditentukan oleh arus yang mengalir pada rangkaian input.
Karena transistor adalah erangkat tiga terminal, satu elektroda harus digunakan
secara bersama-sama oleh rangkaian input dan output.
Transistor digolongkan ke dalam dua kategori (bipolar dan efek-medan) dan
juga dikelompokkan menurut vahan semikonduktor yang digunakan untuk
membuatnya (silikon atau germanium) dan menurut bidang aplikasinya
(misalnya serbaguna, pensaklaran, frekuensi tinggi, dll.) berbagai kelas transistor
tersedia sesuai dengan aplikasinya masing-masing.
Tabel 1. Kelas-kelas Transistor
Frekuensi-rendah Transitor yang dirancang secara spesifik untuk aplikasi-
aplikasi frekuensi audio (di bawah 100 kHz)
Frekuensi-rendah Transistor yang dirancang secara spesifik untuk aplikasi-
aplikasi frekuensi radio (100 kHz ke atas)
Daya Transistor yang bekerja pada level daya yang cukup tinggi
(penguat semacam ini biasanya dikelompokkan kedalam
jenis daya frekuensi audio dan frekuensi radio)
Pensaklaran Transistor dirancang untuk aplikasi-aplikasi pensaklaran
Derau-rendah Transistor yang memiliki karakteristik derau-rendah yang
ditunjukkan terutama untuk penguat sinyal amplitudo
rendah.
Tegangan-tinggi Transistor yang dirancang secara fisik untuk menangani
tegangan tinggi
Tegangan-tinggi transistor yang bekerja pada level daya dan tegangan
penggerak menengah dan yang seringkali digunakan sebelum
(driver) tahapan (daya) akhir bekerja pada level daya yang cukup
tinggi
Macam macam transistor adalah sebagai berikut.
5. Bipolar Transistor tipe NPN dan PNP.

Gambar 1. Bipolar Transistor

Bipolar transistor adalah transistor yang memiliki dua junction yaitu

penggabungan junction PN dan NP atau NP dan PN. PN dan NP = PNP dan
NP dan PN = NPN. Dinamakan bipolar karena dalam operasinya sangat
bergantung kepada dua muatan lubang (hole) yang terdapat mayoritas
pembawa muatan listrik pada tipe P, dan electrón yang mayoritas pembawa
muatan listriknya terdapat pada tipe N. Transistor jenis bipolar merupakan
andalan komponen aktif pada rangkaian linear, saklar, penguat, filter aktif dll.

Gambar 2. Simbol Transistor PNP dan NPN

Transistor NPN: arus akan mengalir dari kolektor ke emitor jika basisnya

dihubungkan ke ground (negatif). Arus yang mengalir dari basis harus lebih

kecil daripada arus yang mengalir dari kolektor ke emitor

 Transistor PNP: arus akan mengalir dari emitter menuju ke kolektor jika pada

pin basis dihubungkan ke sumber tegangan ( diberi logika 1). Arus yang

mengalir ke basis harus lebih kecil daripada arus yang mengalir dari emitor

ke kolektor

6. Unit Junction Transistor (UJT)

JT adalah Transistor Uni Polar yang dalam junction tipe N di adop dengan
junction tipe P, sehingga adop hole dari junction tipe P pada juncion N akan
dapat mengendalikan aliran electrón pada Junction tipe N melalui B1 dan B2.
Transistor jenis isi memiliki 3 elektroda, 2 Basis dan 1 Emitor seperti pada
Gambar 3.

Gambar 3. Junction UJT dan Simbol UJT

Uni Junction Transistor, banyak dipakai sebagai oscillator frekuensi tinggi,

sinyal yang dihasilkan berbentuk gigi gergaji.

Gambar 4. UJT
7. Field Effect Transistor (FET)/JFET (Junction Field Effect Transistor.
FET adalah masuk dalam katagori uni polar karena memiliki mayoritas
pembawa muatan hanya salah satu, hole atau elektron saja. FET disebut juga
transistor efek medan dalam operasinya dipengaruhi oleh tegangan-tegangan
operasi, tidak seperti transistor bipolar yang dipengaruhi oleh arus-arus pada
elektrodanya.

Gambar 5. Junction JFET dan Simbol JFET Tipe P

Kelebihan FET dibanding dengan transistor lain adalah sebagai berikut.

d. FET tidak tergantung dari sedikitnya sinyal input namun mempunyai

faktor radiasi tahanan yang baik sekali.
e. FET tidak mengalami gangguan yang diakibatkan dari sumber. Jadi
jelasnya FET low noise.
f. FET dapat bekerja pada sumber tegangan yang sangat rendah.
8. MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)
MOSFET disebut juga Transistor Efek Medan Oksida Logam, hal ini karena
pada Gate diisolasi dari saluran mayoritas pembawa muatan hal ini
mengakibatkan arus Gate sangat kecil dan tidak dipengaruhi oleh positif atau
negatifnya gate tersebut. MOSFET sering juga disebut sebagai IGFET
(Insulated Gate Field Effect Transistor).
 Gambar 6. Junction dan Simbol MOSFET Tipe N

Pemakaian MOSFET adalah sebagai berikut.

e. Saklar elektronik kecepatan tinggi/High Speed Switch.
f. Pembalik Fase/Inverter.
g. Penguat Pencuplik dan Penahan/Sample & Hold Amplifier.
h. Penguat DC/DC Amplifier.

Cara kerja transistor

Transistor bipolar umumnya terbentuk dari sambungan PNP atau NPN dengan
bahan silikon (Si) atau germanium (Ge) (lihat pada Gambar 7 dan Gambar 8).
Sambungan tersebut dihasilkan dari sebuah irisan silikon yang dicampurkan dengan
bahan pengotor melalui proses masking yang tereduksi secara fotodrafis. Transistor-
transistor silikon lebih unggul dibandingkan dengan transistor-transistor germanium
untuk sebagian besar aplikasi (terutama pada suhu tinggi) dan, oleh karenanya,
perangkat germanium sangat jarang ditemukan.

Gambar 7. Konstruksi Transistor NPN

 Gambar 8. Konstruksi Transistor PNP
Gambar 9 melihatkan representasi yang disederhanakan dari masing-masing
transistor PNP dan NPN bersama dengan lambang-lambang rangkaiannnya. Pada kedua
kasus tersebut, elektroda-elektrodanya diberi nama kolektor, basis, dan emitor.
Perhatikan abahwa setiap sambungan daam transistor, baik kolektor-basis atau basis-
emitor, merupakan sambungan P-N.

Gambar 9. Model Transistor NPN dan PNP yang Disederhanakan

Gambar 10 dan Gambar 11 masing-masing memperlihatkan tegangan bias-normal

yang diberikan kepada transistor NPN dan PNP. Perhatikan bahwa sambungan basis-
emitor diberikan bias-maju dan sambungan kolekor-basis diberikan bias mundur.
Namun daerah basis dibuat sangat sempit sehingga pembawa-pembawa muatan dapat
menyeberanginya dan emitor menuju kolektor dan hanya arus yang relatif kecil mengalir
dalam basis. Untuk lebih menjelaskan hal ini, arus yang mengalir pada rangkaian emitor
adalah 100 kali lebih besar dari arus yang mengalir pada basis. Arah aliran arus
konvensional adalah dari emitor menuju kolektro dalam kasus transistor PNP, dan dari
kolekor ke emitor dalam kasus perangkat NPN.
 Gambar 10. Tegangan dan Arus Bias Mengalir dalam Transistor PNP

Gambar 11. Tegangan dan Arus Bias Mengair dalam Transistor PNP

Terlepas dari apapun jenis transistor yang digunkan, terdapat tiga konfigurasi
rangkaian dasar. Ketiga konfigurasi rangkaian ini bergantung pada yang mana dari
ketiga sambungan transistor yang dijadikan common bagi input dan output. Dalam kasus
transistor bipolar, konfigurasinya dikeal sebagai common-emitor, common-kolektor,
(atau emitor-follower), dan common-basis. Jika yang digunakan adalah transistor efek
medan, konfigurasinya adalah common-source, common-drain (atau source-follower),
dan common-gerbang.
 Gambar 12. Konfigurasi Common-emitor

Gambar 13. Konfigurasi common-kolektor (emitor follower)

Gambar 14. Konfigurasi common-basis

 Agar lebih mudah untuk mengingat rangkaian common-emitor adalah
rangakian transistor dimana titik ground atau titik tegangan 0 volt dihubungkan
pada titik emiter.

Gambar 15. Rangkaian Penguat CE

Sedangakan rangkaian common-basis adalah rangakian transistor dimana titik
ground atau titik tegangan 0 volt dihubungkan pada titik basis.

Gambar 16. Rangkaian Penguat CB

Sedangkan untuk besar penguatan (β) dihitung dengan rumus sebagai berikut.

Gambar 17. Rumus Besar Penguatan (β)

Lebih lanjut hubungan antara Besarnya Hambatan Basis (RB) dan Arus Kolektor
(IC) pada sebuah penguat yaitu sebuah rangkaian audio menerima arus dan
 tegangan kecil pada inputnya dan menghasilkan arus dan tegangan lebih besar
pada outputnya.
𝑽𝑩𝑩 −𝑽𝑩𝑬
𝑰𝑩 = dan 𝑰𝑪 = 𝜷𝒅𝒄 𝑰𝑩
𝑹𝑬

B. Tujuan
Menyelidiki pengaruh besarnya nilai hambatan basis (RB) terhadap nilai arus
colektor (IC) yang mengalir pada rangkaian penguat transistor sederhana
menggunakan software Multisim.
C. Alat dan bahan
Multisim Analog Devices Edition Version 10.01.40 Software Simulator dari
National Instruments Electronic Workbench Group. Copyright 2007 National
Instrument Corporation. http://ni.com/instrument.
D. Perencanaan eksperimen
Kamu diminta untuk merencanakan dan melaksanakan eksperimen untuk
menyelidiki hubungan antara besarnya nilai hambatan basis (RB) dengan nilai
arus colektor (IC) pada rangkaian penguat transistor sederhana seperti
ditunjukkan pada Gambar 18 dengan menggunakan software Multisim.
E. Rumusan masalah
Apakah pengaruh besarnya nilai hambatan basis (RB) terhadap colektor (IC) pada
rangkaian penguat transistor sederhana?
F. Hipotesis
Jika nilai hambatan basis (RB) semakin besar, maka nilai arus colektor (IC)
semakin kecil.
Jika nilai hambatan basis (RB) semakin kecil, maka nilai arus colektor (IC)
semakin besar.
G. Variabel

(1) yang dijaga konstan: Vcc, Rc, dan jenis resistor.

(2) yang dimanipulasi : nilai hambatan basis(RB).
(3) yang merespon : besar arus kolektor (IC).
 Definisi Operasional Variabel Manipulasi :
Nilai hambatan basis (RB) dimanipulasi dengan cara mengganti nilai
hambatan basis agar semakin besar.
Definisi Operasional Variabel Respon :
Besar arus kolektor (IC). diukur dengan ampermeter.
H. Langkah-langkah
1. Buka software Multisim.

2. Buatlah rangkaian seperti pada Gambar 18 di bawah ini.

4 R2
- 1kΩ
0.000 A U1
+
5
7
Q1
1 RB 2
100Ω
2N3904
VCC
VBB 10 V
10 V

Gambar 18. Rangkaian Percobaan

3. Klik icon Run/resume simulation.
4. Amati nilai arus pada multimeter dan catat pada Tabel 1 Hasil Pengamatan
Percobaan.

5. Klik icon stop simulation.

6. Ubahlah nilai resistor (RB) klik double pada icon resistor sesuai dengan tabel
percobaan.
I. HASIL PERCOBAAN
Tabel 1. Hasil Pengamatan Percobaan
No. RB IC
1 100 Ω 9,947 mA
2 100 kΩ 9,829 mA
3 250 kΩ 6,099 mA
4 500 kΩ 3,008 mA
5 1000 kΩ 1,143 mA
J. Analisis
Analisis: Bagaimanakah hubungan nilai hambatan dengan arus?
Saat hambatan basis (RB) semakin besar, maka nilai arus colektor
(IC) semakin kecil

Saat hambatan basis (RB) semakin kecil, maka nilai arus colektor
(IC) semakin besar

K. Kesimpulan
Kesimpulan: Apakah hipotesismu diterima?
Hipotesis diterima, jika nilai hambatan basis (RB) semakin besar,
maka nilai arus colektor (IC) semakin kecil dan jika nilai
hambatan basis (RB) semakin kecil, maka nilai arus colektor (IC)
semakin besar

Daftar Pustaka
Kurikulum 2013 SMK Negeri 3 Boyolangu. 2013. Rancangan Pelaksanaan
Pembelajaran Dasar Kompetensi Kejuruan: Teknik Elektronika Industri.
Malvino, Albert and David J. Bates. 2006.Electronic Principles Seventh Edition.
McGraw-Hill Higher Education
Multisim Analog Devices Edition Version 10.01.40 Software Simulator dari National
Instruments Electronic.
Toley Mike. 2003. Rangkaian Elektronik Prinsip dan Aplikasi Edisi Kedua. Jakarta:
Erlangga.
LP 3: Psikomotor
Prosedur:

1. Siapkan sebuah Komputer, dan Software Multisim.

2. Berikan tugas kepada siswa untuk merakit rangkain penguat transistor sederhana sesuai
dengan Gambar 18 pada LKS LP 2 Proses Transistor menggunakan Software Multisim.
3. Amati siswa saat mengerjakan tugas di atas menggunakan Format Asesmen Kinerja
Psikomotor.
4. Berikan skor kinerja siswa dengan mengacu pada skor maksimum pada setiap RTK
Format Asesmen Kinerja Psikomotor dan rubrik mengukur nilai arus colektor (IC)
yang mengalir pada rangkaian penguat transistor sederhana .
5. Berikan format ini kepada siswa sebelum asesmen dilakukan.
6. Siswa diijinkan mengases kinerja mereka sendiri dengan menggunakan format ini.

Format Asesmen Kinerja Psikomotor

No Rincian Tugas Kinerja Skor Skor Asesmen

Maksimum Oleh siswa Oleh
sendiri Guru
1 Mengukur nilai arus colektor 100
(IC)

Kunci LP 3: Mengukur Nilai Arus Kolektor (IC)

Petunjuk
1. Siapkan komputer atau laptop.
2. Mintalah siswa untuk membuka software multisim.
3. Guru meminta untuk merangkaian rangkaian seri sesuai dengan Gambar 18
pada LKS LP 2 Proses Transistor.
4. Guru memberikan penilaian kepada setiap siswa untuk setiap aspek kinerja itu
sesuai dengan skor maksimum setiap aspek
5. Skor total maksimum 100 adalah jumlah dari seluruh aspek kinerja
Format Penilain Kinerja Mengukur Nilai Arus Kolektor (IC)
Kelompok:………………………….
Kelas :…………………………..
Siswa
Rincian Tugas Kinerja (Skor
1 2 3 4 5 6 Siswa
Maksimum)
ke n
1. Persiapan untuk merakit
rangakian penguat transistor.
a. Membuka software Multisim:
Membuka software Multisim
sesuai dengan langkah-langkah
yang benar. (10)
b. Pemilihan komponen: Memilih
komponen yang benar sesuai
dengan gambar yang telah
ditentukan. (20)
2. Langkah merakit rangkaian
penguat transistor
a. Menghubungkan komponen satu
dengan yang lain menggunakan
kabel penghantar. Sambungan
kabel terlihat rapi. (20)
b. Mengecek apakah rangkaian
dapat berfungsi dengan baik
dengan menjalankan simulasi
(10).
3. Pengukuran Arus Kolektor (IC)
a. Memasang ampermeter secara
tepat. (30)
b. Membaca penunjukan angka
pada ampermeter. (10)
Skor Total (100)
 Tulungagung, 2013

Siswa Guru

( ) ( )

Daftar Pustaka
______________. tt. Performance Assessment in The Science Classroom. New York: Glencoe
McGraw-Hill.
 LP 4: Afektif Format Pengamatan Keterampilan Sosial

Siswa: kelas: Tanggal:

Petunjuk:
Untuk setiap keterampilan sosial berikut ini, beri penilaian atas keterampilan sosial
siswa menggunkan skala berikut ini:
D = Memerlukan Perbaikan
C = Menunjukkan kemajuan
B = Memuaskan
A = Sangat baik

Format Pengamatan Keterampilan Sosial

No Rincian Tugas Memerlukan Menunjukkan Memuaskan Sangat

Kinerja (RTK) Perbaiakan Kemajuan (C) (B) baik
(D) (A)
1 Bertanya
2 Menyumbang
idea tau
berpendapat
3 Menjadi
pendengar
yang baik
4 Bekerja sama

Tulungagung, 2013

Pengamat

( )

Daftar Pustaka
Johnson, David W. &Johnson, Roger T. 2002. Meaningful Assessment. A
Manageable and Cooperative Process. Boston: Allyn & Bacon.
 RPP SMK : Transistor

A. Kompetensi Inti:
KI 1: Menghayati dan mengamalkan ajaran agama yang dianutnya.
KI 2: Menghayati dan mengamalkan perilaku jujur, disiplin, tanggung-jawab,
peduli (gotong royong, kerjasama, toleran, damai), santun, responsif dan
pro-aktif dan menunjukan sikap sebagai bagian dari solusi atas berbagai
permasalahan dalam berinteraksi secara efektif dengan lingkungan sosial
dan alam serta dalam menempatkan diri sebagai cerminan bangsa dalam
pergaulan dunia.
KI 3: Memahami, menerapkan dan menganalisis pengetahuan faktual,
konseptual, dan prosedural berdasarkan rasa ingin tahunya tentang ilmu
pengetahuan, teknologi, seni, budaya, dan humaniora dalam wawasan
kemanusiaan, kebangsaan, kenegaraan, dan peradaban terkait penyebab
fenomena dan kejadian dalam bidang kerja yang spesifik untuk
memecahkan masalah.
KI 4: Mengolah, menalar, dan menyaji dalam ranah konkret dan ranah abstrak
terkait dengan pengembangan dari yang dipelajarinya di sekolah secara
mandiri, dan mampu melaksanakan tugas spesifik di bawah pengawasan
langsung.

B. Kompetensi Dasar:

KD 1. : Menghayati dan mengamalkan ajaran agama yang dianutnya.

KD 2.1.: Memiliki motivasi internal, kemampuan bekerjasama, konsisten, sikap
disiplin, rasa percayadiri, dan sikap toleransi dalam perbedaan strategi
berpikir dalam memilih dan menerapkan strategi menyelesaikan masalah.
KD 2.2. : Mampu mentransformasi diri dalam berpilaku jujur, tangguh mengadapi
masalah, kritis dan disiplin dalam melakukan tugas belajar.
KD 2.3. : Menunjukkan sikap bertanggung jawab, rasa ingin tahu, jujur dan perilaku
peduli lingkungan.
KD 3. : Menjelaskan sifat-sifat komponen elektronika pasif dan aktif.
KD 4. : Mengolah, menalar, dan menyaji dalam ranah konkret dan ranah
abstrak terkait dengan komponen elektronika pasif dan aktif dengan
menggunakan software Multisim 10.1.

C. Indikator
1. Kognitif produk
a. Mencari perbedaan penguat kelas ce dan cb
b. Membandingkan antara transistor PNP dan NPN
c. Mendesain rangkaian penguat ce
d. Menghitung besar penguatan transistor (β).
 2. Kognitif proses
a. Merancang dan melakukan penyelidikan pengaruh besarnya nilai
hambatan basis (RB) terhadap nilai arus colektor (IC) yang mengalir pada
rangkaian penguat transistor sederhana (merumuskan masalah,
merumuskan hipotesis, merencanakan percobaan, mengumpulkan
informasi yang diperlukan, menggunakan alat yang penting dalam
percobaan yaitu software Multisim, merancang tabel data).
3. Psikomotor
a. Mengukur besarnya arus IC pada rangkaian penguat transistor sederhana
dengan menggunakan software Multisim 10.0.1
4. Afektif
a. Keterampilan sosial: bertanya, menyumbang ide atau berpendapat,
menjadi pendengar yang baik, bekerja sama.

D. Proses Belajar Mengajar

1. Pendahuluan
_ Software Multisin Analog Devices Edition Version 10.01.40

2. Inti
_ LKS LP 2 Proses: Transistor

_ Kunci LKS LP 2 Proses: Transistor

_ Software Multisin Analog Devices Edition Version 10.01.40

3. Penutup
_ Evaluasi dan pemberian penghargaan

4. Penilaian Hasil Belajar

_ LP 1: Kognitif produk dilengkapi Kunci LP 1

_ LP 2: Kognitif proses dilengkapi Kunci LP 2

_ LP 3: Psikomotor dilengkapi Kunci LP 3

5. Alat dan Bahan

_ Komputer, LCD, Flasdisk.