MODUL 2 MERANCANG PENGUAT COMMON EMITTER SATU TINGKAT

Alfi Liqo Nur Inayati (K1C015006)

Asisten: Victor Reynaldi
Tanggal Percobaan: 26/05/2017
PAF15211P-Praktikum Elektronika Dasar II
Laboratorium Elektronika, Instrumentasi dan Geofisika Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam Unsoed

Abstrak Suatu transistor persambungan terdiri dari kristal

silikon (atau germanium) dimana satu lapisan
Telah dilakukan praktikum tentang Merancang Penguat
silikon tipe-n diapit di antara dua lapisan silikon
Common Emitter Satu Tingkat. Tujuang dari praktikum
tipe-p. Kemungkinan lain, transistor terdiri dari
ini yaitu menghitung nilai hambatan RE, RB, RC pada
satu lapisan bahan tipe-p diapit oleh dua lapisan
perancangan prategangan transistor agar diperoleh penguatan
transistor yang pertama disebut transistor p-n-p
yang dikehendaki dan menerapkan hasil perhitungan sebagai
dan yang terakhir disebut transistor n-p-n. Sistem
pedoman dalam membuat penguat dengan penguatan yang
lapisan semikonduktor ini sangat kecil dan
dikehendaki menggunakan penguat satu tingkat. Sebelum
ditutup rapat-rapat terhadap uap air dalam kotak
melaksanakan praktikum ini, dilakukan perhitungan
logam atau plastik [2].
untuk mendapatkan nilai penguatan dari komponen-
komponen yang dikehendaki. Praktikum dilakukan dengan 2.1 PENGUAT COMMON EMITTER
dua percobaan yaitu menggunakn rangkaian penguat
Penguat Tunggal Emitor adalah penguat yang
common emiter dengan sinyal masukkan bersumber dari
pemasangannya dengan cara kaki emitor di
generator isyarat dengan frekuensi 100 Hz dan 1KHz.
groundkan, lalu input di masukkan ke basis dan
Menggunakan komponen-komponen sebagai berikut: RL =
output diambil pada kaki kolektor. Penguat
10 Kohm, RE = 150 ohm, RB = 1.2 M ohm, RC = 2.2
Tunggal Emitor juga mempunyai karakteristik
Kohm, C1 , C2 = 3,3 F/ 16 V, hfe = 235 dan VCC =
sebagai penguat tegangan[1].
8,9V. Setelah percobaan dilakukan, didapatkan nilai
penguatan yang mendekati nilai penguatan (K) pada
perhitungan yaitu sebesar 10 kali penguatan.
Kata kunci: Common Emitter, transistor, penguatan,
hambatan RE, RB, RC, K.

1. PENDAHULUAN
Rangkaian penguat adalah suatu rangkaian yang
digunakan untuk menguatkan sinyal masukan.
Rangkaian penguat terdiri dari berbagai macam,
mulai dari yang paling sederhana sampai yang
komplek. Rangkaian penguat yang paling
sederhana adalah rangkaian penguat yang
dibangun dari sebuah transistor. Sebelum Gambar 2.1 Rangkaian penguat common emitter
merangkai penguat yang diinginkan, dilakukan
perhitungan terlebih dahulu demi mengetahui 3. METODOLOGI
nilai-nilai komponen yang dibutuhkan sehingga
rangkaian yang akan dibuat dapat menghasilkan 3.1. ALAT DAN BAHAN
nilai penguatan yang diinginkan. 1) CRO
2) MMD
2. STUDI PUSTAKA 3) Generator Isyarat
Transistor adalah suatu komponen aktif yang 4) Kit Praktikum Penguat Transistor
dibuat dari bahan semikonduktor. Ada dua 5) Resistor (RL: 10 k, RE: 150 , RB: 1.2
macam transistor, yaitu transistor dwikutub M, RC: 2.2 k)
(bipolar) dan transistor efek medan (Field Effect 6) Transistor hfe : 240
Transistor-FET). Transistor digunakan di dalam 7) Kapasitor 3.3 F/16 V
rangkaian untuk memperkuat isyarat, artinya 8) Baterai 8.9V
isyarat lemah pada masukan diubah menjadi
isyarat yang kuat pada keluaran, [3]. 3.2. CARA KERJA
Laporan Praktikum Laboratorium Elektronika, Instrumentasi dan Geofisika FMIPA Unsoed 1
 25
= 10.000
100
Mulai = 2500
Tetapi, Rc yang ada dipasaran ialah sebesar 2200
Alat dan Bahan : atau 2,2 k.
1. CRO Rc = 2,2 k
2. MMD
Setelah melakukan pengukuran dengan MMD
3. Generator Isyarat nilai Rc yang diperoleh sebesar Rc = 2170
4. Breadboard
5. Resistor // =
+
6. Transistor hfe : 240 2170 9930
// = = 1780,835
7. Kapasitor 3.3 F/16 V 2170 + 9930
8. Baterai 8.9 V
I E I c
1 1
= = 9 = 4,5
Menghitung nilai RB, RE, RC 2 2
4,5
= = = 2
2200
RB, RE, RC
25
= = 12,5
2
Merangkai penguat commonn emitter satu + = 180
tingkat
= 180 12,5 = 167,5
150
Menghubungkan bagian masukkan
rangkaian dengan generator isyarat dan Setelah melakukan pengukuran dengan MMD
bagian keluaran rangkaian dengan osiloskop. nilai Re yang diperoleh sebesar = 178

Mengatur generator isyarat agar mempunyai

= 0,000008 = 8 A
2
tegangan 0.02 Vpp pada frekuensi 100 Hz. = =
250

9
+ + = = = 1125000
Mengukur tegangan keluaran dari rangkaian 0.000008
dengan menggunakan CRO (osiloskop).
= 1125000 167,5

Memvariasi = 1124832,5
Vout Vin sesuai 1,2
lembar kerja.
Setelah melakukan pengukuran dengan MMD
Mengubah nilai nilai Rb yang diperoleh sebesar = 1,22
Selesai frek. ke 1000 Hz
RC // RL
K
Gambar 3.1-1 Diagram Cara Kerja re (1 ) RE
240 x1780,835
4. HASIL DAN ANALISIS K
12,5 (1 240)178
Hasil perhitungan RB, RC, dan RE dengan
penguatan sebesar 10 kali. 427400,4
K
RC = 10 % - 25 % dari RL 42910,5
RC minimum K 9,96
10 K 10
= 10.000
100
= 1000
RC maksimum
Laporan Praktikum Laboratorium Elektronika, Instrumentasi dan Geofisika FMIPA Unsoed 2
Tabel 4-1 Data Perhitunbgan Nilai-nilai Komponen

RL : 9930 C1, C2 : 5.5 ; 5.44

RE : 178 hfe :240
0.15 1.6
RB : 1.22 M Vcc : 8.9 V
RC : 2170

Tabel 4-2 Data Pengamatan

Frekuensi 100 Hz Frekuensi 1000 Hz

Vin Vout Vin Vout

= (mVpp) (mVpp) =
(mVpp) (mVpp)
0.01 0.12 12 0.01 0.1 10
0.02 0.2 10 0.02 0.2 10
0.03 0.32 10.67 0.03 0.3 10
0.04 0.4 10 0.04 0.4 10
0.05 0.52 10.4 0.05 0.5 10
0.06 0.64 10.67 0.06 0.6 10
0.07 0.78 11.14 0.07 0.7 10
0.08 0.8 10 0.08 0.8 10
0.09 0.92 10.22 0.09 0.9 10
0.1 1.04 10.4 0.1 1 10
0.11 1.2 10.91 0.11 1.1 10
0.12 1.4 11.67 0.12 1.2 10

0.13 1.4 10.77 0.13 1.3 10

0.14 1.6 11.43 0.14 1.4 10

0.15 1.6 10.67 0.15 1.5 10

Frekuensi 1000 Hz
Frekuensi 100 Hz
Vin Vout
Vin Vout
(mVpp) (mVpp)
(mVpp) (mVpp)

0.01 0.12 0.01 0.1

0.05 0.52 0.05 0.5

0.12 1.4 0.15 1.5

Laporan Praktikum Laboratorium Elektronika, Instrumentasi dan Geofisika FMIPA Unsoed 3

 Lampiran

Grafik Perbandingan Vin dan Vout pada

frekuensi 100 Hz
2
1.5
Vout

1
0.5
0

0.1
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0.07
0.08
0.09

0.11
0.12
0.13
0.14
0.15
Vin

Rangkaian Common Emitter Tingkat 1

Grafik Perbandingan Vin dan Vout pada

frekuensi 1000 Hz
DAFTAR PUSTAKA
2
1.5
[1] Dwi Surjono. Hernan, Elektronika Teori dan
Penerapan, Cerdas Ulet Kreatif, Jember, 2007.
Vout

1
0.5 [2] Milman dan Halkias, Elektronika Terpadu
0 (Integrated Electronics) Jilid 1, Erlangga, Jakarta,
0.02
0.01

0.03
0.04
0.05
0.06
0.07
0.08
0.09

0.11
0.12
0.13
0.14
0.15
0.1

1986.
Vin
[3] Sutrisno, Elektronika dan Penerapannya, ITB,
Bandung, 1986.
Dari data pengamatan yang diperoleh, baik pada
frekuensi 100 Hz maupun 1000 Hz, nilai
penguatan yang diperoleh 10 kali pengutan pada
frekuensi 1000Hz dan ada data yang mendekati
dengan nilai penguatan yang diinginkan (dalam
perhitungan) yaitu sebesar 10 kali penguatan.
Terdapat perbedaan nilai penguatan pada tugas
pendahuluan dikarekan nilai hfe dan komponen-
komponen yang digunakan tidak sama atau
berbeda nilainya.

5. KESIMPULAN
Nilai penguatan yang diperoleh dalam
perhitungan tidak jauh berbeda dengan nilai yang
diperoleh dalam praktikum kali ini, yaitu sebesar
10 kali penguatan. Nilai RL = 10 Kohm, RE = 150
ohm, RB = 1.2 M ohm, RC = 2.2 Kohm, C1 , C2 = 3,3
F/ 16 V, hfe = 235 dan VCC = 8,9V.

Laporan Praktikum Laboratorium Elektronika, Instrumentasi dan Geofisika FMIPA Unsoed 4