LAPORAN LABORATORIUM

PROGRAM STUDI TEKNIK TELEKOMUNIKASI

PERCOBAAN 06
IDENTIFIKASI TRANSISTOR

Nama Praktikan : Najaf Hidayatullah

Nama Rekan kerja : 1. Lukman Alghifarri
2. Bilqis Candarakanti Putri
Tresna

Kelas/Kelompok : TELKOM 2A/ Kelompok 7

Tanggal Pelaksanaan Praktikum : 2 Mei 2023
Tanggal Penyerahan Laporan : 16 Mei 2023

JURUSAN TEKNIK ELEKTRO

POLITEKNIK NEGERI JAKARTA
16 Mei 2023
 DAFTAR ISI

1. Tujuan.....................................................................................................................................1
2. Dasar teori...............................................................................................................................1
3. Peralatan yang digunakan :...................................................................................................2
4. Langkah percobaan................................................................................................................3
5. Hasil percobaan......................................................................................................................4
6. Analisa.....................................................................................................................................5
6.1. Pertanyaan.........................................................................................................................5
6.2. Jawaban ...........................................................................................................................5
 1. Tujuan

 Mengidentifikasi jenis suatu transistor NPN atau PNP

2. Dasar teori

Transistor

Transistor adalah komponen elektronika semikonduktor yang memiliki 3 kakielektroda,

yaitu Basis (Dasar), Kolektor (Pengumpul) dan Emitor (Pemancar).Transistor sebenarnya
berasal dari kata “transfer” yang berarti pemindahan dan “resistor” yang berarti
penghambat. Dari kedua kata tersebut dapat kita simpulkan, pengertian transistor adalah
pemindahan atau peralihan bahan setengah penghantarmenjadi suhu tertentu. Transistor
pertama kali ditemukan pada tahun 1948 olehWilliam Shockley, John Barden dan W.H,
Brattain. Tetapi, komponen ini mulaidigunakan pada tahun 1958.

2.1 Cara Kerja Transistor

Dari banyak tipe-tipe transistor modern, pada awalnya ada dua tipe dasartransistor,bipolar
junction transistor (BJT atau transistor bipolar) danfield-effecttransistor (FET), yang
masing-masing bekerja secara berbeda.Transistor bipolar dinamakan demikian karena kanal
konduksi utamanyamenggunakan dua polaritas pembawa muatan: elektron dan lubang,
untuk membawaarus listrik. Dalam BJT, arus listrik utama harus melewati satu
daerah/lapisanpembatas dinamakan depletion zone, dan ketebalan lapisan ini dapat diatur
dengankecepatan tinggi dengan tujuan untuk mengatur aliran arus utama tersebut.FET (juga
dinamakan transistor unipolar) hanya menggunakan satu jenispembawa muatan (elektron
atau hole, tergantung dari tipe FET). Dalam FET, aruslistrik utama mengalir dalam satu
kanal konduksi sempit dengan depletion zone dikedua sisinya (dibandingkan dengan
transistor bipolar dimana daerah Basismemotong arah arus listrik utama). Dan ketebalan
dari daerah perbatasan ini dapatdiubah dengan perubahan tegangan yang diberikan, untuk
mengubah ketebalan kanalkonduksi tersebut.

2.2 Jenis–Jenis Transistor

Jenis transistor pada umumnya terbagi hanya menjadi dua jenis saja yaitu jenistransistor
bipolar atau dua kutub dan transistor efek medan atau juga dikenal sebagaiField Effect
Transistor (FET). Tiap-tiap dari jenis transistor ini dibagi lagi menjadi bagianyang lebih
kecil.

 Transistor Bipolar Junction (BJT):

Transistor BJT terdiri dari tiga lapisan semikonduktor, yaitu emitter (emitir), base (basis),
dan collector (kolektor). Ada dua jenis transistor BJT yang umum digunakan: NPN dan
PNP.
Pada transistor NPN, lapisan basis terbuat dari tipe semikonduktor P (positif), sedangkan
lapisan emitter dan collector terbuat dari tipe semikonduktor N (negatif). Pada transistor
PNP, polaritasnya dibalik dengan lapisan basis berjenis N dan lapisan emitter dan collector
berjenis P. Prinsip kerja transistor BJT didasarkan pada transfer muatan elektron atau lubang
dari lapisan emitter ke lapisan basis dan kemudian ke lapisan kolektor. Arus basis yang
relatif kecil dapat mengendalikan arus yang jauh lebih besar pada lapisan kolektor. Dalam
mode penguatan (active mode), arus yang mengalir dari emitter ke collector dikendalikan
oleh arus basis. Transistor BJT juga dapat digunakan sebagai saklar elektronik dalam mode
jenuh (saturation) dan mode terpotong (cutoff).

Transistor BJT memiliki tiga terminal, yaitu emitter (E), base (B), dan collector (C).
Terminal emitter dan collector digunakan untuk mengalirkan arus, sedangkan arus basis
digunakan untuk mengendalikan arus antara emitter dan collector.

Beberapa parameter penting yang perlu diperhatikan dalam transistor BJT adalah:

 HFE (hFE) atau Beta (β): Merupakan faktor penguatan arus (current gain) dari
transistor. Ini menunjukkan rasio perubahan arus basis terhadap perubahan arus
kolektor.
 VBE: Tegangan antara basis dan emitter yang diperlukan untuk mengendalikan
transistor. Nilai tipikal untuk VBE pada transistor silikon adalah sekitar 0,7 volt.
 VCE: Tegangan antara kolektor dan emitter saat transistor dalam operasi.
 IC: Arus kolektor yang mengalir melalui transistor saat transistor dalam operasi
normal.

 Transistor Field-Effect (FET):

Transistor Field-Effect (FET) juga dikenal sebagai transistor unipolar, karena arus
dikendalikan oleh medan listrik dan bukan oleh arus basis seperti pada transistor BJT. Ada
dua jenis FET yang umum digunakan: Junction FET (JFET) dan Metal-Oxide-
Semiconductor

 FET (MOSFET).
JFET terdiri dari tiga lapisan semikonduktor yang membentuk saluran penghantar. Medan
listrik yang dihasilkan oleh tegangan gerbang mengendalikan resistansi saluran dan,
akibatnya, mengendalikan arus yang mengalir melalui saluran tersebut.

 MOSFET adalah jenis FET yang paling umum digunakan. MOSFET memiliki
struktur yang terdiri dari lapisan semikonduktor yang terisolasi oleh lapisan oksida.
Ada dua jenis MOSFET: enhancement-mode MOSFET (E-MOSFET) dan depletion-
mode MOSFET (D-MOSFET). E-MOSFET membutuhkan tegangan gerbang untuk
membuka kanal konduktif antara source dan drain. Ketika tegangan gerbang
mencapai ambang tertentu, kanal terbuka sepenuhnya dan arus mengalir dengan
bebas antara source dan drain.D-MOSFET secara alami dalam kondisi konduktif
dan membutuhkan tegangan gerbang untuk menutup kanal. Tegangan gerbang yang
diberikan mengurangi jumlah muatan pembawa di kanal, sehingga resistansi
meningkat dan arus berkurang. Beberapa parameter penting yang perlu diperhatikan
dalam transistor FET adalah:

 VGS: Tegangan antara gate dan source yang diperlukan untuk mengendalikan
transistor. Nilai ambang tegangan (threshold voltage) harus dicapai agar transistor
 beroperasi dengan baik.
 VDS: Tegangan antara drain dan source saat transistor dalam operasi normal.
 ID: Arus drain yang mengalir melalui transistor saat dalam operasi normal.
Selain parameter tersebut, transistor juga memiliki batasan daya maksimum (P(MAX)) yang
dapat ditangani oleh transistor dan suhu maksimum (Tj(MAX)) yang dapat ditoleransi oleh
transistor..

2.3 Fungsi Transistor

Fungsi transistorsangatlah besar dan mempunyai peranan penting untukmemperoleh kinerja
yang baik bagi sebuah rangkaian elektronika. Dalam duniaelektronika, fungsi transistor ini
adalah sebagai berikut:
 Sebagai sebuah penguat (amplifier).
 Sirkuit pemutus dan penyambung (switching).
 Stabilisasi tegangan (stabilisator).
 Sebagai perata arus.
 Menahan sebagian arus.
 Menguatkan arus.
 Membangkitkan frekuensi rendah maupun tinggi.

Modulasi sinyal dan berbagai fungsi lainnya.Dalam rangkaian analog, transistor digunakan
dalam amplifier (penguat).Rangkaian analog ini meliputi pengeras suara, sumber listrik
stabil, dan penguat sinyalradio. Dalam rangkaian-rangkaian digital, transistor digunakan
sebagai saklarberkecepatan tinggi. Beberapa diantara transistor dapat juga dirangkai
sedemikianrupa sehingga fungsi transistor menjadi sebagai logic gate, memori, dan
komponen-komponen lainnya.

3. Peralatan yang digunakan :

No. Alat-alat dan komponen Jumlah

1 Multimeter Analog 1

2 Multimeter Digital 1

3 Transistor BC177B7C 1

4 Transistor BC108B 1

5 Transistor BC107 1

6 Transistor BC109 1

7 Transistor BC178B 1

8. Transistor 2N2222A 1
 9. Transistor BC1914A 1

10. Transistor BC559B 1

11. Transistor BC556B 1

12. Transistor C546BW 1

13. Transistor 2N4036 1

14. Transistor BD139 1

15. Transistor BD140 1

16. Transistor MJ2955 1

17. Transistor 2N3055 1

18. Kabel Merah 1

19. Kabel Hitam 1

4. Langkah percobaan

1. Carilah kaki basis dari transistor terlebih dahulu

2. Hubungkan kaki basis dengan kabel hitam (negatif) dari Ohmmeter dan kabel
merah (positif) dihubungkan dengan kaki emitor, catatlah hasil pengukuran !
3. Kabel hitam (negatif) tetap di basis, kabel merah (positif) pada kaki kolektor,
catat hasil pengukuran !
4. Selanjutnya hubungkan kaki basis dengan kabel merah (positif) dari
Ohmmeter dan kabel hitam (negatif) dihubungkan dengan kaki emitor, catat
hasil pengukuran !
5. Kabel merah (positif) tetap di basis, kabel hitam pada kaki kolektor, catat
hasil pengukuran !
6. Hubungkan emitor dengan kabel hitam (negatif) dan kolektor dengan kabel
merah (positif), catat hasil pengukuran !
7. Ulangi langkah 6) dengan posisi kabel ditukar.
8. Tentukan jenis transistor tersebut NPN atau PNP
9. Ulangi Langkah 1) – 8) untuk transistor-transistor lainnya

5. HASIL PERCOBAAN
 JENIS

No. Transistor

P–N N–P P–N N–P P–N N–P Percobaan DataSheet

1 BC177B7C OL 2,38MΩ OL 2,36MΩ OL OL PNP PNP

2 BC108B 2,43MΩ OL 4,41M OL OL OL NPN NPN

Ω

3 BC107 2,41MΩ OL 2,31M OL OL OL NPN NPN

Ω

4 BC109 2,46MΩ OL 2,44M OL OL OL NPN NPN

Ω

5 BC178B OL 2,46 OL 2,45 OL OL PNP PNP

6 2N2222A 2,5MΩ OL 2,51M OL OL OL NPN NPN

Ω

7 BC1419A 2,15MΩ OL 2,14M OL OL OL NPN NPN

Ω

8 BC559B OL 2,37 OL 2,42 OL OL PNP PNP

9 BC556B OL 2,4 OL 2,35 OL OL PNP PNP

10 C546BW 2,42MΩ OL 2,5MΩ OL OL OL NPN NPN

11 2N4036 OL 2,44 OL 2,28 OL OL PNP PNP

12 BD139 2,02MΩ OL 1,97M OL OL OL NPN NPN

Ω

13 BD140 OL 1,84 OL 1,72 OL OL PNP PNP

14 MJ2955 OL 1,44 1,05M 1,1 96,5 OL PNP PNP

Ω

15 2N3055 2,02MΩ OL 1,99M OL OL 318 NPN NPN

Ω
 6. ANALISA DAN PEMBAHASAN

Analisa

1. Bandingkan penentuan jenis transistor secara pengukuran dan dilihat dari data sheet ! Bila
ada perbedaan , jelaskan perbedaannya!
Jawab : Dalam semua kasus, hasil pengukuran identifikasi jenis transistor sesuai dengan
informasi yang tercantum dalam datasheet. Tidak ada perbedaan antara hasil pengukuran
dan informasi pada datasheet untuk jenis transistor yang telah diuji coba.

2. Jelaskan prinsip kerja ohmmeter dalam penentuan jenis transistor!

Jawab : Ohmmeter adalah alat pengukur resistansi yang umum digunakan untuk mengukur
hambatan dalam sebuah sirkuit. Dalam konteks penentuan jenis transistor, ohmmeter dapat
digunakan untuk mengidentifikasi jenis transistor BJT (NPN atau PNP) berdasarkan
karakteristik hambatan antara terminal transistor.

Prinsip kerja ohmmeter adalah dengan mengirimkan arus ke dalam transistor dan mengukur
tegangan jatuh yang terjadi di sepanjang terminal transistor. Ketika ohmmeter digunakan
untuk menguji transistor, terminal basis dan emitter serta terminal basis dan kolektor diuji
secara terpisah.

Berikut adalah prinsip kerja ohmmeter dalam penentuan jenis transistor:

Tugas

1. Selain untuk mengetahui jenis transistor, pengetesan dengan ohmmeter dapat dilakukan
juga untuk mengetahui apakah transistor itu baik atau tidak, Jelaskan cara pengetesannya !
Jawab : Ya, benar. Selain untuk mengetahui jenis transistor, ohmmeter juga dapat digunakan
untuk menguji apakah transistor berfungsi dengan baik atau tidak. Dalam pengetesan
tersebut, ohmmeter digunakan untuk mengukur resistansi antara terminal-transistor dalam
kondisi tertentu.

Berikut adalah langkah-langkah umum untuk melakukan pengetesan transistor dengan

ohmmeter:

Pastikan transistor dalam keadaan terlepas dari sirkuit atau rangkaian apapun.

Setelah mengonfirmasi tipe terminal pada transistor (emitter, base, dan collector),
sambungkan probe ohmmeter dengan terminal yang sesuai.

Uji resistansi antara terminal-terminal transistor dalam beberapa kombinasi:

a. Uji resistansi antara emitter (E) dan base (B):

  Sambungkan probe merah ohmmeter ke terminal emitter (E).
 Sambungkan probe hitam ohmmeter ke terminal base (B).
 Perhatikan bacaan resistansi yang ditampilkan pada layar ohmmeter.
 Dalam transistor yang berfungsi dengan baik, resistansi yang terbaca biasanya
rendah atau mendekati nol.
b. Uji resistansi antara emitter (E) dan collector (C):

 Sambungkan probe merah ohmmeter ke terminal emitter (E).

 Sambungkan probe hitam ohmmeter ke terminal collector (C).
 Perhatikan bacaan resistansi yang ditampilkan pada layar ohmmeter.
 Dalam transistor yang berfungsi dengan baik, resistansi yang terbaca biasanya lebih
tinggi daripada pada uji sebelumnya, tetapi tidak tak terhingga.
c. Uji resistansi antara base (B) dan collector (C):

 Sambungkan probe merah ohmmeter ke terminal base (B).

 Sambungkan probe hitam ohmmeter ke terminal collector (C).
 Perhatikan bacaan resistansi yang ditampilkan pada layar ohmmeter.
 Dalam transistor yang berfungsi dengan baik, resistansi yang terbaca biasanya lebih
tinggi daripada pada uji pertama, tetapi tidak tak terhingga.
 Ulangi langkah-langkah di atas dengan mengganti probe merah dan hitam pada
terminal yang berbeda untuk mendapatkan bacaan yang benar.

Penting untuk dicatat bahwa resistansi yang terbaca oleh ohmmeter dapat bervariasi
tergantung pada karakteristik transistor, termasuk polaritas probe ohmmeter dan arah arus
melalui transistor. Untuk hasil yang lebih akurat, sangat disarankan untuk mengacu pada
datasheet transistor atau menggunakan alat pengujian transistor yang lebih canggih.

Selain pengukuran resistansi, pengetesan transistor yang lebih komprehensif juga

melibatkan pengujian dengan volt meter atau alat pengujian yang mendukung pengukuran
arus dan tegangan pada transistor.

2. Apakah ada cara lain untuk mengetahui jenis transistor ?

Jawab : Ya, selain menggunakan multimeter, terdapat beberapa cara lain untuk mengetahui
jenis transistor. Berikut adalah beberapa metode yang dapat digunakan:

Menggunakan kode tipe yang tercetak pada transistor: Pada beberapa transistor, terdapat
kode tipe yang dicetak di permukaan bodi transistor. Kode ini dapat memberikan petunjuk
tentang jenis transistor. Contohnya, transistor dengan kode "2N" diikuti dengan angka dan
huruf biasanya merupakan transistor jenis NPN, sedangkan transistor dengan kode "2S"
diikuti dengan angka dan huruf biasanya merupakan transistor jenis PNP. Namun, tidak
semua transistor memiliki kode tipe yang jelas, sehingga metode ini mungkin tidak selalu
berlaku.

Mencari informasi dari produsen: Jika Anda memiliki informasi tentang produsen transistor,
Anda dapat mengunjungi situs web mereka atau menghubungi dukungan pelanggan untuk
 mencari informasi lebih lanjut tentang jenis transistor yang Anda miliki. Produsen transistor
biasanya menyediakan dokumentasi teknis, termasuk datasheet, yang memberikan informasi
lengkap tentang transistor.

Mencari karakteristik dan parameter transistor: Setiap transistor memiliki karakteristik dan
parameter yang unik yang tercantum dalam datasheet. Anda dapat mencari informasi
tentang transistor yang Anda miliki berdasarkan karakteristik seperti hFE (Beta), tegangan
maksimum, arus maksimum, dan lainnya. Dengan membandingkan karakteristik dan
parameter transistor dengan informasi yang tersedia dalam datasheet, Anda dapat
mengidentifikasi jenis transistor dengan lebih akurat.

Menggunakan alat pengujian transistor: Selain multimeter, terdapat alat khusus yang
dirancang untuk menguji transistor, seperti transistor tester atau curve tracer. Alat-alat ini
dapat memberikan informasi lengkap tentang jenis transistor, karakteristik, dan parameter
lainnya.

Konsultasi dengan ahli elektronika: Jika Anda masih memiliki kesulitan dalam menentukan
jenis transistor, konsultasilah dengan ahli elektronika atau teman yang berpengalaman di
bidang ini. Mereka dapat membantu Anda mengidentifikasi transistor berdasarkan
karakteristik fisiknya atau menggunakan metode pengujian yang lebih canggih.

Penting untuk dicatat bahwa kombinasi beberapa metode di atas dan referensi pada
datasheet transistor akan memberikan hasil yang lebih akurat dalam menentukan jenis
transistor dengan tepat.

7. KESIMPULAN

Dalam praktik percobaan untuk mengetahui karakteristik dan mengidentifikasi transistor,

beberapa langkah dan metode dapat diikuti. Berikut adalah kesimpulan yang lengkap dan detail
tentang praktik tersebut:
1. Identifikasi jenis transistor: Langkah pertama adalah mengidentifikasi jenis transistor apakah
itu NPN atau PNP. Ini dapat dilakukan dengan menggunakan metode seperti:
 Mencari kode tipe yang tercetak pada transistor, seperti "2N" untuk NPN atau "2S" untuk
PNP.
 Merujuk pada datasheet transistor untuk memverifikasi informasi tentang jenis transistor.
2. Penentuan terminal transistor: Transistor memiliki tiga terminal, yaitu basis (B), emitter (E),
dan collector (C). Dalam identifikasi dan pengetesan transistor, pastikan Anda mengetahui
dengan jelas terminal mana yang Anda uji.
3. Pengukuran resistansi: Multimeter dapat digunakan untuk mengukur resistansi antara terminal
transistor. Resistansi yang terbaca dapat memberikan petunjuk tentang karakteristik transistor,
tetapi tidak dapat secara langsung menentukan jenis transistor. Beberapa pengukuran yang dapat
dilakukan meliputi:
 Uji resistansi antara emitter dan base.
 Uji resistansi antara emitter dan collector.
 Uji resistansi antara base dan collector.
4. Verifikasi dengan datasheet: Setelah melakukan pengukuran dan mendapatkan karakteristik
transistor, penting untuk membandingkannya dengan informasi yang tercantum dalam datasheet
transistor. Datasheet akan memberikan informasi yang lebih rinci tentang jenis transistor,
karakteristik listrik, parameter, dan lainnya. Pastikan karakteristik yang diukur sesuai dengan
yang tercantum dalam datasheet untuk mengidentifikasi transistor secara akurat.

Kesimpulannya, praktik percobaan untuk mengetahui karakteristik dan mengidentifikasi

transistor melibatkan pengukuran resistansi, pengukuran hFE (Beta), verifikasi dengan datasheet,
dan jika perlu, pengujian tambahan. Penting untuk memperhatikan terminal transistor yang diuji
dan membandingkan hasil pengukuran dengan informasi yang tercantum dalam datasheet untuk
mengidentifikasi transistor secara akurat.
Daftar Pustaka
Arman, A. (1999). Diktat Kuliah Teknik Digital. Jurusan Teknik Elektro ITBKurniawan, i.
(2013). Gerbang Logika dan Sistem. Diktat elektronika digital.
Muliyati, D. (2021). Paduan Praktikum Elektronika Digital. Jakarta: Universitas Negeri
Jakarta.
N, W. W. (2006). Teknik Digital. Jakarta: Erlangga.
Sinduningrum, E. (2019). Teori dan Praktik Rangkaian Digital dan Gelombang. Sleman
Deepublish.
Sugiartowon. (2015). Konsep Dasar Rangkaian Digital Teori dan Aplikasinya. Jakarta: UMJ
press.